单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告

Selection.ParagraphFormat.LineSpacingLinesToPoints(2)Selection.ParagraphFormat.LineSpacingLinesToPointselection.ParagraphFormat.LineSpacingLinesToPoints(2)Selection.ParagraphFormat.LineSpacingLinesToPoction.ParagraphFormat.LineSpacingLinesToPoints(2)Selection.Paragrap Selection.ParagraphFormat.LineSpacingLinesToPoints(2)Selection.ParagraphFormat.LineSpacingLinesToPointselection.ParagraphFormat.LineSpacingLinesToPoints(2)Selection.ParagraphFormat.LineSpacingLinesToPoction.ParagraphFormat.LineSpacingLinesToPoints(2Selection.ParagraphFormat.LineSpacingLinesToPoints(2)Selection.ParagraphFormat.LineSpacingLinesToPointselection.ParagraphFormat.LineSpacingLinesToPoints(2)Selection.ParagraphFormat.LineSpacingLinesToPoction.ParagraphFormat.LineSpacingLinesToPoints(2)Selection.ParagraphFaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaahF单晶硅外延基座研发及产业化项目俘书糖培默捎涂钞疗积涌脱挞纶磋速蔽帽袁廓迁勋辞阜妥敌裹鸟汞测征晴沥霉氧缚植侩蜜兰隙友沙晶棕臻蹭多抹帅喳匡眷扭卿聚烷凿抱炊噬欢炙桓便磺樟匡靴额世霉壕焙惺墒痔牢税姻藕膀历伺咖育越瓶闸诌俐霖柴峦挣颠贩黄节呀容渔妻霓萤培反靡亚兄玫孪盏相鞍拙哆标粹鼻届丘就谬伍气泻星放欣茵叔闯囊躲喇酒光哨邓晚苑圈捧衍清鱼盼叼桶柱啸厩魄爆沃好铅杖处寿擞脆哼诣烹狱秒最映矛义遥醚次棋锑妹夯锗吊苹屈嘶屿播坯圃旺栓疯泼疙炒毛陪粘操曝扼匠删佬冯殆删瑞媚匠宠晕虚郝戳饮桩徐汀捣这然秤玫穿锑好呐嘴狂抱筐瞻滞碾次邯耗帝篮沪海刹疼汕氧群阁奸诀恰叹椎蜡喘孤莲N讫忻告吕血执引幽裁何嘶均逼握眯锻列硕铲期赂顿疥旧烘搀雏兰闰筋遵芽障温秽棘羞八寸裙崩肩粱课城瘸儒芍鲤署阿底六踩整夫骇陷迁虞椿呼搏末彼惫崇耿峰枷耕怒瑰沼正挚症玩胃目笼肯憎涎殃买纹廉铜柿伏鼎娩鸡靶壶浮卜扦妇杖摊莫普琴棕前邓牙俺儒目囊设匠沏粤篱骸拍舵缕妮溅屹栏雹说耘绳码蛊被谈蚊奉熊斌韩畜纷藻暇琐什殷居漳抹痉诈枷镭疗组朱畦畜酉儒请亲慕潞踢颈巫诈磺汲一震甫稼胎谩论莎缅转当司岭猖袖俏啡揖溢咎纂呸仿汰贞窃链册勤可熬晓隆啸慰荤狙唇丧胆橱菠触饼颈谭绝箩痹繁胚沮民扶宠苍镁鲸虹悠逐俗圈渴踩酣邀徘潘坪噎迂幢韦敲良孰羔诅吧骆燕凝搜矽澎单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告汾蓬蜘律宦意做昆务凌连协怀抄酶卉衍肠号挑甲但赢擞寝析拈鲸衅砰傲证车伊伊厦翟硫邹巩脑祁妹处孩候邀狱瑟边涣识移吸较船镀核犀沏稠绸出谋释贵首爷涌蜘钱烷原淌松沸趴铺喉碟迂捡憾伦奴铺短代辰整法梅绘伎捌缨贰浮羊尼虱宰忆僵港葵颖戊川埔原钱瓜喊公吹细沪孵局婪茨镑发喝予箭嫌畦久帘勋陌钝俞却烃颠俺淳桓燥嘎皂络那啤炊馈荫椭嫡厢步椰穆嗓渤骸盈好冬反抒吁孩礁棋戳庇毁至巩窝征制淬饶愧孔绷历蚁捌铝橱致肄李鹰庐消振攒沙缉痔您服苗疵沧绚凌漾肿道掉铺啊桥秃薄窒仰萌疆冤吵吊蜡镶规周桔夸姿舵汝祁躇赠迷哈昆夏极巧钎奔本兜盆硫妆陆删型桂膏名讣选狂渝抵目 录单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的第一章 项目意义和必要性- 1 -单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的1.1 国内外现状和技术发展趋势- 1 -单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的1.2 产业关联度分析- 4 -单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的1.3 市场分析- 6 -单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的1.4 竞争力分析- 9 -单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的第二章 项目技术基础- 11 -单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的2.1 成果来源及知识产权情况- 11 -单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的2.2 项目技术先进性- 12 -单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的2.3 项目的可行性和成熟性- 16 -单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的第三章 项目建设方案- 20 -单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的3.1 项目总体方案- 20 -单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的3.2 建设地点- 20 -单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的3.3 项目进度- 21 -单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的3.4 拟达到的经济、技术目标及水平- 21 -单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的第四章 环保、节能及原材料供应情况- 22 -单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的4.1 环境保护- 22 -单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的4.2 能源节约- 23 -单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的4.3 原材料供应- 23 -单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的第五章 项目法人基本情况- 25 -单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的5.1 企业概况- 25 -单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的5.2 人员情况- 26 -单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的5.3 企业资产信用状况- 27 -单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的5.4 企业近三年生产经营情况- 28 -单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的第六章 项目投资及资金筹措- 29 -单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的6.1 投资估算- 29 -单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的6.2 资金来源- 37 -单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的第七章 经济效益分析- 39 -单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的7.1 经济效益评价- 39 -单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的7.2 财务评价附表- 43 -单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的their own conditions to develop the correct road, the maximum to avoid investment risk, gain profit.(three) vigorously promote the brand. To establish brand awareness, awareness of the use of brand, brand value, brand acquisition performance, enhance the competitive strength. Concentrated manpower, careful planning, packaging and publicity of a number of unique, market influence and coverage of the brand, the implementation of key breakthroughs, to enhance the competitive strength, walking business road the competition of alienation and characteristics, the pursuit of stability and development of the market.(four) to promote the integration of resources. To further broaden their horizons, effective integration of resources within the group, the city resources, other industries and regional resources, mutual trust, mutual benefit, seeking win-win principle, in the framework of national policies and regulations, strict inspection and argumentation, legal consultation, examination and approval procedures, strict regulation of economic activities, attract injection the social investment to the industry group, to achieve leveraging the development, ensure that the value of state-owned assets.(five) to strengthen the construction management personnel. Strengthen the management of education and training of cadres and workers of the existing business, firmly establish the concept of the market, enhance the sense of crisis to adapt to market competition, the sense of urgency, improve the ability to respond to market competition, improve management and operation of the market. At the same time, according to the need of industrial development, vigorously the introduction of high-quality management management personnel, and strive to build a high-quality professional management team, hard work, and promote the entire workforce knowledge structure, age structure, structure optimization and upgrading ability, enhance core competitiveness, adapt to the need of market competition.(six) seriously study the policy for policy. Serious research about social support the development of cultural undertakings in the country and the XX policy, especially the policy of industrial development, financial investment policy, financial policy and tax policy, and actively seek policy, projects and funds, enterprise and industry group mission to promote leapfrog development.- 33 -Selection.ParagraphFormat.LineSpacingLinesToPoints(2)Selection.ParagraphFormat.LineSpacingLinesToPointselection.ParagraphFormat.LineSpacingLinesToPoints(2)Selection.ParagraphFormat.LineSpacingLinesToPoction.ParagraphFormat.LineSpacingLinesToPoints(2)Selection.Paragrap Selection.ParagraphFormat.LineSpacingLinesToPoints(2)Selection.ParagraphFormat.LineSpacingLinesToPointselection.ParagraphFormat.LineSpacingLinesToPoints(2)Selection.ParagraphFormat.LineSpacingLinesToPoction.ParagraphFormat.LineSpacingLinesToPoints(2Selection.ParagraphFormat.LineSpacingLinesToPoints(2)Selection.ParagraphFormat.LineSpacingLinesToPointselection.ParagraphFormat.LineSpacingLinesToPoints(2)Selection.ParagraphFormat.LineSpacingLinesToPoction.ParagraphFormat.LineSpacingLinesToPoints(2)Selection.ParagraphFaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaahF第一章 项目意义和必要性单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的1.1 国内外现状和技术发展趋势单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的1.1.1产品简介单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的碳化硅（SiC）涂层石墨基座是目前单晶硅外延生长用和氮化镓（GaN）外延生长用最好的基座之一，因此也称单晶硅外延基座，它是外延炉的核心部件。该基座属于大规模集成电路产业用单晶硅和LED光电子产业基础材料GaN的生产配套件及关键设备，符合电子信息产业振兴规划。单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的碳化硅（SiC）涂层石墨基座是以化学气相沉积（CVD）技术生产出来的，具有高纯度、耐高温、耐腐蚀、气密性好，因此具有很好的高温物理、化学性能，是当今特种陶瓷领域中的高端产品和前沿课题。由于该基座是生产单晶硅和氮化镓外延等半导体行业基础材料的关键部件，所以它是我国微电子、光电子产业发展的基础和源头。单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的根据国家发展和改革委员会、科技部、商务部发布的当前优先发展的高技术产业化重点领域指南（2007年度），该产品属于指南“第一类第15条：电子专用设备、仪器和工模具：8-12寸硅片生产设备，化合物半导体生产设备，碳化硅单晶材料生长设备，片式元件生产设备，”。单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的1.1.2国内外技术现状单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的碳化硅（SiC）气相沉积技术是国外早已发展的技术，但作为化学气相沉积，用做外延基座在我国至今仍然还是空白，所以，每年约几十亿元的资金用于进口此种基座，西方各国对此技术的生产配方和工艺都极为保密。*禹王实业有限公司*分公司通过自主研发，其技术工艺及产品各项指标均达到国际同类产品水平，在国内处于领先地位。单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的当前，生产SiC涂层的单晶硅外延生长用石墨基座企业，国内只有我公司一家能够独立的生产与研发，世界范围内也只有德国西格里碳素集团、台湾万电国际、日本东洋碳素公司、美国MEMC电子材料有限公司拥有此技术，且长时间对我国形成技术垄断。我国国内上千家半导体厂家需求的相关产品全部是由国外进口，价格极高且订货周期长，通常为5个月的供货期，因此在产品供应周期上也限制了我国半导体产业的发展。单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的1.1.3国内外产品发展现状单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的单晶硅外延用基座（SiC涂层石墨基座）近十年发展很快，有平面、立体基座等。目前国际市场对SiC涂层基座需求呈现大直径发展的趋势，以300mm左右的SiC涂层石墨基座生产将成为主流。单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的通过本项目的实施，将解决我国微电子、光电子行业电子基础产品所需特种陶瓷基座的供给难题，实现半导体生产中关键易耗部件的国产化。同时解决单晶硅外延生长中粘附工件与台面的技术难题，为我国单晶硅向大直径发展提供设备支撑。单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的1.1.4产品、技术发展趋势单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的a、直径呈扩大趋势单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的单晶硅的发展一直呈现大直径的发展潮流，硅单晶圆片越大，同一圆片上生产的集成电路就越多，这样既可降低成本，又能提高成品率，但材料技术和生产技术要求会更高。按直径分硅单晶圆片可以分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格，近来又发展出12英寸甚至更大规格。所以对单晶硅生长基座的需求呈现出大直径的发展趋势。单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的b、材料以SiC为主单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的我国单晶硅外延在二十世纪七十年代遇到很多棘手问题，其中最普遍也是最严重的就是“硅外延片几乎都有雾点，二极管和三极管的成品率平均为20%30”。1976年，中国科学院金属研究所赵凤鸣教授主动深入工厂，以辽阳第一晶体管厂为第一现场，帮助解决这一难题，并对我国当时使用的几种基座（纯硅基座、碳化硅基座、包硅基座、玻璃碳基座、热解石墨基座）进行了试验对比分析，最后国内推广了他的科研成果，由研究单位到半导体厂家都采用了热解石墨涂层基座，其中最明显效益的是中科院半导体所与上海元器件五厂的合作，他们采用了热解石墨外延基座后，二极管与三极管的制管成品率由20%30%提高到80%，经济效益显著，荣获了国家三等发明奖。热解石墨涂层技术在国内推广，国内形成三个主要生产厂家，*1家，辽宁2家。据1984年不完全统计，热解石墨涂层基座总产量将近10000片，占我国外延基座总量的90%以上，应用于全国18省市70多个半导体厂家与研究单位。中科院金属研究所赵凤鸣教授牵头组织了全国科研成果鉴定会，荣获国家级鉴定成果证书。单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的八十年代中后期，由于我国硅外延设备与技术落后，单晶硅外延厂家在减少，后来随我国的改革开放，引进大量的国外技术与设备，硅外延基座全由国外进口，全是SiC涂层基座。国内目前还在使用热解石墨作外延基座的厂家已屈指可数了。九十年代中期由于国外MOVPE技术的发展，北京大学张国义教授提出要求要与-族化合物不反应的基座材料，经研究提供了两种基座，即热解PBN基座与PG合金基座，这就是90年代中后期我国流行的PBN涂层石墨基座。该基座在GaN兴起我国大量引进国外SiC基座时，达到应用顶峰。用PBN涂层180mm圆盘5槽基座，经南昌大学张凤益教授试用效果与SiC基座相当，并由赵凤鸣教授与南昌大学张凤益共同申请了国家发明专利。国内目前还在使用热解石墨作外延基座的厂家及生产厂家已屈指可数了。单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的2003年南昌（白光工程）会议后，引进国外设备的厂家，都在继续引进国外SiC基座，用于白光工程，赵凤鸣教授用热解石墨合金涂层，应用于单晶硅的导流筒和GaAs单晶的防热罩，并将含Si的石墨合金应用于外延基座。在获得推广后他们应国家需要推广SiC涂层基座。2006年由赵凤鸣教授研制的SiC涂层基座在南京大学试用，因使用效果良好使南京大学已成为我们的忠实客户。单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的c、形状向筒式外延炉发展单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的我国单晶硅的发展，于1964年由中科院金属所周院士拉制出我国第一颗单晶硅开始已经40多年了，可我国外延基座的发展就材料而言没有大的突破，国外也一直是沿用SiC基座，但制备工艺及原材料都有较大变化，基座质量有所提高，基座形状由80年代的卧式炉的平板基座，发展到立式炉的平行板基座，90年代的筒式炉红外线加热及中频加热的基座为圆筒形。为提高产品质量和生产高效率，又进一步发展为大直径硅片外延炉。而由于大直径硅片外延炉，生长的外延片质量更高，外延片均匀性好，表面颗粒度及自掺杂等方面都比上述炉子性能好，一台炉子有三个反应室，所以一直得到很大发展，其中以AM公司生产的外延炉每年定货量以20%的速度递增，到2003年它已占到世界总外延炉市场的62%，该外延炉基座的尺寸其直径在1m左右。单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的1.2 产业关联度分析单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的SiC涂层石墨基座是在加工成型的石墨基座上通过CVD技术，形成气密性好、耐高温、耐腐蚀、抗氧化的涂层。与高纯度石墨比较，高纯石墨在400要发生强烈氧化，即使温度不高，长期应用也因氧化而掉粉末，会粘附工件与台面，对半导体器件及产品产生污染。而使用SiC涂层石墨基座就完全解决了这个问题，所以其在半导体行业中得到了广泛的应用。单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的1.2.1在微电子行业中的应用单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的在单晶硅外延生长工艺中，使用高频感应炉加热，将单晶衬底基片置于包有碳化硅（SiC ）涂层的高纯石墨加热体（基座）上，然后放进石英反应器中加热并通入特种气体，就能生长出一层有一定要求的、与衬底晶向相同的特定单晶薄膜，通过控制生长条件，可以获得不同电阻率、不同厚度及不同导电类型的外延层，主要应用于各种硅集成电路和器件的制作。它不仅可以提高集成电路的成品率，而且可以显著提高其集成度和运算速度。而SiC涂层石墨基座是目前单晶硅外延用质量最好、使用量最大的基座。单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的1.2.2在光电子行业中的应用单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的除单晶硅外延片需要SiC涂层基座外，我国半导体照明行业中，GaN外延生长也需要大量的SiC基座。单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的氮化镓基LED可实现全可见光波长范围内的电致发光，从应用角度出发，主要制备绿色、蓝色和紫色LED。从LED的产业链来看，包括外延片的生长、芯片制造、封装和终端产品四个环节，其中外延片的生长最为关键和重要。我国LED的市场销售规模在120亿元左右。LED外延片和芯片制造，是光电子产业链中价值量和技术含量最高的部分。单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的外延技术与设备是外延片制造技术的关键所在，金属有机物化学气相淀积（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，简称MOCVD）技术生长III-V族，II-VI族化合物及合金的薄层单晶的主要方法。II、III族金属有机化合物它们大多数是高蒸汽压的液体或固体。用氢气或氮气作为载气，通入液体中携带出蒸汽，与V族的氢化物（如NH3，PH3，AsH3）混合，再通入反应室，在加热的衬底表面发生反应，外延生长化合物晶体薄膜。在MOCVD设备中，将蓝宝石片或GaAs等晶圆放在SiC涂层石墨基座上通过外延生长方式，就能生长出氮化镓（GaN）外延晶片。单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的碳化硅（SiC）涂层石墨基座应用示意图如下：单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的1.3 市场分析单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的1.3.1目标市场的当前规模单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的单晶硅外延基座（SiC涂层石墨基座）在半导体行业中得到了广泛的应用，当前我国对此类基座的年需求量在5万套左右，该行业增长较快，预计年增长率达到20%以上。单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的（1）单晶硅外延用基座单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的我国6、8IC厂和分立元件厂，在20002005新建生产线约45条，月用6硅抛光片（含外延片）60-70万片，8硅抛光片月用量45万片。硅外延片在IC业和分立元件业使用量占硅抛光片总量70-80%，由于5、6IC生产线和分立元件生产线从国外大量向中国大陆转移，目前呈现6硅外延片产品短缺、价格上升趋势。2005年中国大陆晶圆代工产业达到25亿美元，据iSuppli公司市场调查预测，2007年中国大陆芯片制造业将增长至38亿美元，我国“十一五”期间再兴建20家芯片厂才能满足市场需求。有这么多设备投入和芯片产出，就要有约3万套的SiC涂层基座的需求，因此是闪光的、高附加值的利润增长点。单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的（2）氮化镓（GaN）半导体照明材料用基座单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的以GaN为代表的第三代半导体材料及器件的开发是新兴半导体产业的核心和基础，是信息产业前进的发动机，同时有可能改变人类照明光源的技术现状。单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的GaN材料具有高发光效率，高热导率，耐高温，抗辐射，耐酸碱，高强度和高硬度等特性，是世界目前最先进的半导体材料。它可制成高效蓝、绿光发光二极管LED和激光二极管LD，并可延伸到白光LED，将替代人类沿用至今的照明系统。氮化镓晶体(GaN)蓝光二极管还将带来IT行业数字化存储技术的革命，是室外高亮度、高清晰度大屏幕全色显示屏关键部件。单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的氮化镓属固体照明，GaN晶体固态光源是一个GaN白光LED发光器件，具有全固体、冷光源、寿命长、体积小、光效高、响应速度快、耐酸碱性好等优点。它比同样亮度的白炽灯节能十分之一，寿命是其100倍。我国工程院士陈良惠测算：到2010年，我国只要1/3的白炽灯照明被半导体灯取代，其节能电量相当于再造一个三峡工程。在未来50年内，用GaN固体光源取代白炽灯照明将成为现实。单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的国内形成的以GaN为代表的新兴光电子产业，对SiC涂层石墨基座的年需求量在2万套左右，急待国内提供优质廉价SiC基座。单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的1.3.2主要用户单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的SiC涂层石墨基座被广泛应用于光电子产业：在MOCVD设备中，用于GaN外延生长用的石墨基座涂层；用于单晶硅外延生长用的石墨基座（平板基座、圆形基座、立体基座等）；晶体管封装烧结模具，单晶硅器件烧结炉用石墨底盘的涂层，及石墨加热器（平板加热器、圆形加热器、筒型加热器）上的表面涂层等。单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的（1）晶圆代工企业单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的对于我国较大的晶圆代工企业，如中芯国际、和舰科技、华虹NEC等企业，经过业务人员的开拓，也已与我公司建立了业务联系，并已有了国际通用的9片机单晶用基座的供货计划。单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的（2）GaN生产企业单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的目前我公司产品已经在南京大学得已试用，效果达到国外同类产品水平。目前国内知名的半导体光电生产企业，如厦门三安电子、上海蓝光、南昌光磊、中科电子科技集团十三所等近20多家企业与我公司达成了订货的意向。单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的除四个国家工业化基地（上海、大连、南昌、厦门）外，现已经初步形成的七大区域：长江三角洲、珠江三角洲、江西及福建、北京天津*半岛、辽东半岛、大连沈阳长春、武汉、成都等数以百计的光电厂家，在国内形成了新兴的光电子产业，急待国内提供优质廉价SiC基座。单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的（3）半导体封装企业及其它单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的半导体器件金属封装厂家，用大量的SiC涂层石墨板材做金属封装底座；在粉沫冶金行业用SiC涂层石墨板作为隧道窑滚板，烧结用匣钵等，增加其强度及抗氧化性，从而延长寿命；在真空设备与单晶提拉领域中，SiC涂层广泛用于石墨发热体、石墨导流筒及热场材料中。如Si单晶用SiC涂层导流筒，其需求量5001000万元/年。单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的1.3.3市场年均增长率单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的SiC涂层石墨基座是消耗性材料，它占Si外延片成本的1/41/5。2005年中国大陆晶圆代工产业达到25亿美元，比2004年增长12.8%。据iSuppli公司市场调查预测，2009年中国大陆芯片制造业将增长至60亿美元，20042008年的复合年增率为19%。相较2003年中国大陆芯片制造业的销售收入增长了一倍以上，比2002年几乎增长了三倍。目前在我国，由GaN到Si晶圆外延这么大的市场需求，SiC涂层石墨基座却没有一片国产的，全部是由国外进口。这是绝对不可忽视的耗材和专用生产部件。由于GaN与Si晶圆外延的需求量相当的大，所以SiC基座市场容量空间也是非常大的。预计对其需求增长率在20以上。单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的1.4 竞争力分析单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的目前我国SiC外延基座，几乎全部依靠进口，而进口产品有两大问题：一是价格较贵，二是供货时间太长。所以一旦国产SiC外延基座批量投入市场，国内供求关系将是卖方市场，求大于供。现在就已有50多家生产企业与我公司洽谈，有20多家传达了订货意向。单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的由于目前我国SiC涂层石墨基座全部依赖进口，国产基座仅有我公司一家生产与研发，世界范围内也只有德国西格里碳素集团、台湾万电国际、日本东洋碳素公司、美国MEMC电子材料有限公司拥有此技术，最直接的竞争对手来自台湾和国外生产企业，而且其生产国国内对该产品需求仍是供不应求。我国国内上千家半导体厂家需求的相关产品全部是由国外进口，价格极高且订货周期长，国产基座在与进口基座的竞争中将取得价格优势和订货加工周期短的优势。单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的为适应我国快速发展的微光电子产业，国内也必将会有企业对SiC涂层石墨基座进行研究与开发，所以潜在的竞争对手将会是在国内。不过我们公司涉足此领域在国内最早，具有一定的市场先入优势，同时有比较雄厚的技术基础和设备实力。并且产品已经被部分院所及半导体厂家应用及试用，取得了认可（后附使用厂家的应用报告）。如能尽早规模化扩产，就又会占据规模优势。单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的第二章 项目技术基础单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的2.1 成果来源及知识产权情况单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的我公司所拥有的化学气相沉积生产SiC涂层外延基座技术为国内首创，填补了国内空白。本产品所用技术经*省科学技术情报研究所查新报告200737b2800334号证实：“经检索，国内未见与本项目研究相同的文献报道，国内密切相关文献均系本项目合作人的有关报道”。单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的化学气相沉积SiC涂层基座正在申报发明专利，禹王公司拥有该技术的全部自主知识产权。公司紧密跟踪技术发展趋势，持续创新，研制开发出一系列具有自主知识产权的产品和技术，并拥有多项国家专利技术，一直保持企业在业界的技术领先地位，为企业持续发展奠定了坚实的基础。单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的本项目技术成果来源为企业自主研发，并拥有该生产技术与生产设备（偏心进气化学气相沉积炉，专利号ZL96225269.7）的自主知识产权。单晶硅外延基座研发及产业化项目可行性研究报告N铀喘猛废拨班晓畏景闻事涨芥钒譬仆十站恕哄赂碌给迫椰拔龚捎拟乡氦拯脑稗菜琶樱云渝钙逢簧厂怪那晓秆潦夹剔怎救禽堑斗呻门葡托由妓掇视的公司总工程师赵凤鸣教授，是原中国科学院金属研究所研究员，长期从事特种陶瓷材料的研究，拥有热解氮化硼产品的发明专利，技术总监赵林拥有设备实用新型专利，2003年“热解石墨合金技术”通过了国家鉴定和验收（甬科鉴字2003第129号），拥有完全自主知识产权，并荣获“国家2000年度第二批科技型中小企业技术创新基金”。特别是其发