正负片流程区别简介课件

Click to edit Master title style,Click to edit Master text styles,Second level,Third level,Fourth level,Fifth level,*,*,按一下以編輯母片標題樣式,按一下以編輯母片,第二層,第三層,第四層,第五層,*,正負片流程區別簡介,制作者,：,Leo,_,Qiu,1,簡介,大綱,名詞解釋,正片流程簡介,負片流程簡介,正,負片流程區別,正負片流程優缺點,2,正片流程,又稱,tenting,流程，所用底片為負片底片。,負片底片,“,所見非所得,”,，底片,透明,部份是要保留圖形。,名詞解釋,透明部分是要保留的圖形,3,負片流程,又稱,pattern,流程，所,用底片為正片,底片。,正片底片,“,所見即所得,”,，底片黑色部份是要保留的圖形。,名詞解釋,黑色部份是要保留的圖形,4,正負片基本流程對照,一銅,外層,二銅,蝕刻,鑽孔,外層,AOI,負片流程,全板電鍍,外層,鑽孔,外層,AOI,正片流程,5,正片流程詳細介紹,全板電鍍,利用整板電鍍的方法，使孔銅和面銅達到,RD,要求。,清潔板面，去除鑽孔後的,burr,。,利用,KMnO4,的強氧化性，除去孔內膠渣，增加孔內表面積，提高孔銅與孔壁結合力。,利用化學沉積方法，使,Desmear,後之非導體區覆蓋良好導電薄膜即,化學銅,，讓之後的電鍍銅能順利鍍上。,Deburr,Desmear,PTH,整板電鍍,鑽孔,6,正片流程詳細介紹,外層,前處理,壓膜,曝光,顯影,經過,刷磨,+,微蝕，清潔並,粗化表面,，增加,乾膜,附著力。,將,乾膜,貼附在基板表面,，,為影像轉移做準備,。,所用,乾膜,貼附力好，,tenting,能力強。,使用,負片底片,以,UV,光透過黑白底片,照射,乾膜，乾膜光阻中的自由基在,UV,光的照射下發生聚合反應，從而使底片上的圖形轉移到,乾膜,上。,利用碳酸,钠,溶液將曝光,過程,中未聚合,乾膜,溶解,，,留下,已曝光的,乾膜,。,曝光,負片底片,顯影,7,正片流程詳細介紹,外層,利用蝕刻液將顯影後未被乾膜,覆蓋之銅咬蝕乾淨。,酸性蝕刻液成份：,H,2,O,2,/HCl,系列或,NaClO,3,/HCl,系列,利用去膜液（,NaOH,）將蝕刻後線路表面乾膜,去除，使線路顯現出來。,酸性蝕刻,去膜,外層,AOI,蝕刻,去膜,8,負片流程詳細介紹,一銅,目的：在孔壁上電鍍一層基銅，以便二銅電鍍。,Deburr,Desmear,PTH,一銅,清潔板面，去除鑽孔後的,burr,。,利用化學沉積方法，使,Desmear,後,之非導體區覆蓋良好導電薄膜即,化學銅,，讓之後的電鍍銅能順利鍍上。,一銅,一銅,利用,KMnO4,的強氧化性，除去孔內膠渣，增加孔內表面積，提高孔銅與孔壁結合力。,9,負片流程詳細介紹,外層,前處理,壓膜,曝光,顯影,使用,正片底片,以,UV,光透過黑白底片照射乾膜，乾膜光阻中的自由基在,UV,光的照射下發生聚合反應，從而使底片上的圖形轉移到,乾膜,上。,經過,刷磨,+,微蝕，清潔並,粗化表面,，增加乾膜附著力。,將,乾膜,貼附在基板表面,，,為影像轉移做準備,。,所用,乾膜,抗鍍性較好。,利用碳酸,钠,溶液將曝光,過程,中未聚合,乾膜,溶解,，,留下,已曝光的乾膜,。,曝光,正片底片,顯影,10,負片流程詳細介紹,二銅,電鍍二銅,電鍍錫,將孔銅,&,面銅鍍到,RD,要求,鍍錫，保護蝕刻時圖形不被蝕刻掉。,二銅,鍍二銅，並鍍錫,11,負片流程詳細介紹,蝕刻,去掉,乾膜,，將不需要的銅顯露出來，以便藥水咬蝕。,利用,蝕刻液,將,顯影後未被,乾膜,覆盖之銅咬蝕乾淨，需要保留的圖形由錫保護，完成圖形。,鹼性蝕刻液成份：氯化銨（,NH,4,Cl,）和氨水（,NH,3,H,2,O,）,錫已完成使命，將錫去除。,去膜,鹼性蝕刻,剝錫,外層,AOI,去膜,蝕刻,剝錫,12,正負片流程區別,項目,正片流程,負片流程,底片,負片底片,正片底片,曝光髒點影響,底片上曝光髒點會形成線路缺口,/,斷路,底片上曝光髒點會形成殘銅,PTH/NPTH,PTH,需乾膜,tenting,保護，,NPTH,不需要。,NPTH,需乾膜覆蓋保護，,PTH,不需要。,蝕刻液性質,酸性蝕刻,鹼性蝕刻,蝕刻液主要成份,H,2,O,2,/HCl,系列或,NaClO,3,/HCl,系列,氯化銨（,NH,4,Cl,）,和氨水（,NH,3,H,2,O,）,阻蝕劑,乾膜或液態感光油墨，耐酸不耐鹼。,錫,Sn,，耐鹼不耐酸。,蝕刻咬蝕部位,蝕刻咬蝕全銅厚，虛影大。,蝕刻咬蝕底銅,+,一銅，虛影小。,乾膜要求,所用乾膜貼附力好，,tenting,能力強。,所用乾膜抗鍍性較好。,13,正片流程,優點：,能夠製作無,Ring,NPTH,孔及較大的,NPTH,孔。（,NPTH,孔無需,tenting,保護）,能夠製作外層兩面殘銅率較大的,PCB,。（整板电镀不受殘銅率影響）,流程短，成本相對低。,缺點：,無法製作較大的,PTH,孔。（,Tenting,能力限制）,不宜製作高孔銅,&,厚面銅的,PCB,。（面銅太厚，不易蝕刻）,負片流程,優點：,能夠製作無,Ring PTH,孔及較大的,PTH,孔。（,PTH,孔無需,tenting,保護）,能夠製作高縱橫比,&,厚孔銅,&,厚面銅的,PCB,。（蝕刻只需要咬蝕底銅,+,一銅）,缺點：,無法製作較大的,NPTH,孔。（乾膜能力限制）,無法製作兩面殘銅率較大的,PCB,。（二銅電鍍時因電流分部不均，容易發生夾膜）,流程長，成本相對高。,正負片流程優缺點,14,15,Thank You,内容总结,正負片流程區別簡介。制作者：Leo _ Qiu。又稱pattern流程，所用底片為正片底片。利用KMnO4的強氧化性，除去孔內膠渣，增加孔內表面積，提高孔銅與孔壁結合力。利用化學沉積方法，使Desmear後之非導體區覆蓋良好導電薄膜即化學銅，讓之後的電鍍銅能順利鍍上。經過刷磨+微蝕，清潔並粗化表面，增加乾膜附著力。經過刷磨+微蝕，清潔並粗化表面，增加乾膜附著力。利用碳酸钠溶液將曝光過程中未聚合乾膜溶解，留下已曝光的乾膜。酸性蝕刻液成份：H2O2/HCl系列或NaClO3/HCl系列。目的：在孔壁上電鍍一層基銅，以便二銅電鍍。去掉乾膜，將不需要的銅顯露出來，以便藥水咬蝕。利用蝕刻液將顯影後未被乾膜覆盖之銅咬蝕乾淨，需要保留的圖形由錫保護，完成圖形。鹼性蝕刻液成份：氯化銨（NH4Cl）和氨水（NH3H2O）。H2O2/HCl系列或NaClO3/HCl系列。氯化銨（NH4Cl）和氨水（NH3H2O）。Thank You,