第二章半导体二极管与其应用电路课件

第二章第二章 半导体二极管及其基本应用电路半导体二极管及其基本应用电路 12.1 半导体基本知识半导体基本知识 2.2 半导体二极管半导体二极管2.3 整流电路整流电路2.4 滤波电路滤波电路2.5 倍压整流电路倍压整流电路2.6 应用电路介绍应用电路介绍2024/7/132 半导体半导体(semiconductor)器件是在器件是在20世纪世纪50年代初发展起来年代初发展起来的器件，由于具有体积小、重量轻、使用寿命长、输入功率小、的器件，由于具有体积小、重量轻、使用寿命长、输入功率小、功率转换效率高等优点，已广泛应用于家电、汽车、计算机及功率转换效率高等优点，已广泛应用于家电、汽车、计算机及工控技术等众多领域，被人们视为现代技术的基础。工控技术等众多领域，被人们视为现代技术的基础。这一章的任务就是让学习者在了解半导体的特殊性能、这一章的任务就是让学习者在了解半导体的特殊性能、PN结结(PN junction)的形成及其单向导电性的基础上，进一步认识半的形成及其单向导电性的基础上，进一步认识半导体二极管、半导体三极管这些半导体器件。导体二极管、半导体三极管这些半导体器件。通过对这些半导体器件的结构、工作原理、特性曲线及特性通过对这些半导体器件的结构、工作原理、特性曲线及特性参数等方面的剖析，掌握二极管、三极管等半导体器件的结构特参数等方面的剖析，掌握二极管、三极管等半导体器件的结构特点和工作原理；在技术能力上掌握正确测试半导体器件的好坏及点和工作原理；在技术能力上掌握正确测试半导体器件的好坏及极性的判别方法，并能看懂由这些半导体器件作为核心元件构成极性的判别方法，并能看懂由这些半导体器件作为核心元件构成的简单电子线路图，初步掌握一些的简单电子线路图，初步掌握一些EWB电路仿真技能。电路仿真技能。2024/7/133 2.1 半导体基本知识半导体基本知识 半导体的导电性能力虽然介于导体和绝缘体之间，但是却半导体的导电性能力虽然介于导体和绝缘体之间，但是却能够引起人们的极大兴趣，这与半导体材料本身存在的一些独能够引起人们的极大兴趣，这与半导体材料本身存在的一些独特性能是分不开的。特性能是分不开的。半导体的导电能力受各种因素影响：半导体的导电能力受各种因素影响：半导体的导电能力受各种因素影响：半导体的导电能力受各种因素影响：1.1.热敏特性热敏特性热敏特性热敏特性 温度升高，大多数半导体的电阻率下降。由温度升高，大多数半导体的电阻率下降。由于半导体的电阻率对温度特别灵敏，利用这种特性就可以做成于半导体的电阻率对温度特别灵敏，利用这种特性就可以做成各种热敏元件。各种热敏元件。2.2.光敏特性光敏特性光敏特性光敏特性 许多半导体受到光照辐射，电阻率下降。利许多半导体受到光照辐射，电阻率下降。利用这种特性可制成各种光电元件。用这种特性可制成各种光电元件。3.3.掺杂特性掺杂特性掺杂特性掺杂特性 在纯净的半导体中掺入微量的某种杂质后，在纯净的半导体中掺入微量的某种杂质后，它的导电能力就可增加几十万甚至几百万倍。利用这种特性就它的导电能力就可增加几十万甚至几百万倍。利用这种特性就可制成各种不同用途的半导体器件，如半导体二极管、三极管可制成各种不同用途的半导体器件，如半导体二极管、三极管晶闸管、场效应管等。晶闸管、场效应管等。2024/7/1342.1.1 本征半导体本征半导体 在半导体物质中，目前用得最多的材料是在半导体物质中，目前用得最多的材料是硅和锗。在硅和锗的原子结构中，最外层电子硅和锗。在硅和锗的原子结构中，最外层电子的数目都是的数目都是4个，个，因此被成为四价元素，因此被成为四价元素，如图如图2-1所示。所示。天然的硅和锗材料是不能制成天然的硅和锗材料是不能制成半导体器件的，必须经过高度提纯半导体器件的，必须经过高度提纯工艺将它们提炼成纯净的单晶体。工艺将它们提炼成纯净的单晶体。单晶体的晶格结构是完全对称，原单晶体的晶格结构是完全对称，原子排列得非常整齐，故常称为晶体，子排列得非常整齐，故常称为晶体，就是我们所说的本征半导体其平面就是我们所说的本征半导体其平面示意图如图示意图如图2-2所示。所示。共价键共价键 图图图图2-12-1 图图图图2-22-2 2024/7/135 当温度上升或受光照时，共价键中的一些价电子以热运动的当温度上升或受光照时，共价键中的一些价电子以热运动的形式不断从外界获得一定的能量，少数价电子因获得的能量较大，形式不断从外界获得一定的能量，少数价电子因获得的能量较大，而挣脱共价键的束缚，成为自由电子，同时在原来的共价键的相而挣脱共价键的束缚，成为自由电子，同时在原来的共价键的相应位置上留下一个空位，叫空穴。如图应位置上留下一个空位，叫空穴。如图2-3所示。所示。如图所示的如图所示的A处为空穴，处为空穴，B处为自由电子，显然，自由处为自由电子，显然，自由电子和空穴是成对出现的，电子和空穴是成对出现的，所以称它们为所以称它们为电子电子空穴对空穴对。把在光或热的作用下，本征把在光或热的作用下，本征半导体中产生电子半导体中产生电子空穴对空穴对的现象，叫本征激发。的现象，叫本征激发。在本征半导体中存在在本征半导体中存在在本征半导体中存在在本征半导体中存在两种载流子：两种载流子：两种载流子：两种载流子：带负电的自带负电的自带负电的自带负电的自由电子和带正电的空穴。由电子和带正电的空穴。由电子和带正电的空穴。由电子和带正电的空穴。图图图图2-32-3 2024/7/1362.1.2 杂质半导体杂质半导体1.N1.N型半导体型半导体型半导体型半导体 在四价元素晶体中掺入微量的五价元素，由于这种杂质原子在四价元素晶体中掺入微量的五价元素，由于这种杂质原子能放出电子，因此称为能放出电子，因此称为“施主杂质施主杂质”。显然掺入的杂质越多，杂。显然掺入的杂质越多，杂质半导体的导电性能越好，这种掺杂所产生的自由电子浓度远大质半导体的导电性能越好，这种掺杂所产生的自由电子浓度远大于本征激发所产生的电子于本征激发所产生的电子空穴对的浓度，所以杂质半导体的导空穴对的浓度，所以杂质半导体的导电性能远超过本征半导体。电性能远超过本征半导体。在四价晶体中掺入微量的三价元素，三价原子在与四价原在四价晶体中掺入微量的三价元素，三价原子在与四价原子组成共价键时，因缺少一个电子而产生一个空穴。由于这种子组成共价键时，因缺少一个电子而产生一个空穴。由于这种杂质原子能吸收电子，因此称为杂质原子能吸收电子，因此称为“受主杂质受主杂质”。在这种杂质半。在这种杂质半导体中，空穴浓度远大于自由电子浓度，空穴为多子，自由电导体中，空穴浓度远大于自由电子浓度，空穴为多子，自由电子为少子。因为这种半导体的导电主要依靠空穴，而空穴带正子为少子。因为这种半导体的导电主要依靠空穴，而空穴带正电荷，所以称其为电荷，所以称其为P P型半导体型半导体（P-type semiconductor）或空穴型或空穴型半导体。半导体。2.P2.P型半导体型半导体型半导体型半导体2024/7/137需要指出的是：需要指出的是：不论是不论是N型还是型还是P型半导体型半导体，虽然都有一种载流子占多数，虽然都有一种载流子占多数，但多出的载流子数目与杂质离子所带的电荷数目始终相平衡，即但多出的载流子数目与杂质离子所带的电荷数目始终相平衡，即整块杂质半导体既没有失去电子，也没有得到电子，整个晶体仍整块杂质半导体既没有失去电子，也没有得到电子，整个晶体仍然呈中性。然呈中性。为突出杂质半导体的主要特征，在画为突出杂质半导体的主要特征，在画P型或型或N型型半导体时，半导体时，常常只画多子和离子成对出现，如图常常只画多子和离子成对出现，如图2-4所示。所示。一般情况下，杂质半导体中的多数载流子的数量可达到少一般情况下，杂质半导体中的多数载流子的数量可达到少数载流子数量的数载流子数量的10001000倍或更多，因此，杂质半导体的导电能力倍或更多，因此，杂质半导体的导电能力比本征半导体的导电能力将强上几十万倍。比本征半导体的导电能力将强上几十万倍。图图图图2-42-42024/7/1382.1.3 PN结及其单向导电性结及其单向导电性在电子技术中，在电子技术中，在电子技术中，在电子技术中，PNPN结是一切半导体器件的结是一切半导体器件的结是一切半导体器件的结是一切半导体器件的“元概念元概念元概念元概念”和技术起始点。和技术起始点。和技术起始点。和技术起始点。1.PN1.PN结的形成结的形成结的形成结的形成 半导体中有电子和空穴这两种载流子，当这些载流子作定向半导体中有电子和空穴这两种载流子，当这些载流子作定向运动时就形成电流。半导体中的载流子运动有漂移运动和扩散运运动时就形成电流。半导体中的载流子运动有漂移运动和扩散运动两种方式，相应地也就有漂移电流和扩散电流这两种电流。动两种方式，相应地也就有漂移电流和扩散电流这两种电流。在在在在PNPN结形成的过程中，多子的扩散和少子的漂移既相互联系、结形成的过程中，多子的扩散和少子的漂移既相互联系、结形成的过程中，多子的扩散和少子的漂移既相互联系、结形成的过程中，多子的扩散和少子的漂移既相互联系、又相互矛盾。初始阶段，扩散运动占优势，随后扩散运动的减弱又相互矛盾。初始阶段，扩散运动占优势，随后扩散运动的减弱又相互矛盾。初始阶段，扩散运动占优势，随后扩散运动的减弱又相互矛盾。初始阶段，扩散运动占优势，随后扩散运动的减弱显然伴随着漂移运动的不断加强。最后，当扩散运动和漂移运动显然伴随着漂移运动的不断加强。最后，当扩散运动和漂移运动显然伴随着漂移运动的不断加强。最后，当扩散运动和漂移运动显然伴随着漂移运动的不断加强。最后，当扩散运动和漂移运动达到动态平衡时，将形成一个稳定的空间电荷区，这个相对稳定达到动态平衡时，将形成一个稳定的空间电荷区，这个相对稳定达到动态平衡时，将形成一个稳定的空间电荷区，这个相对稳定达到动态平衡时，将形成一个稳定的空间电荷区，这个相对稳定的空间电荷区就叫做的空间电荷区就叫做的空间电荷区就叫做的空间电荷区就叫做PNPN结。结。结。结。2024/7/139 若在若在PN结两端接上外加电源，也就是结两端接上外加电源，也就是PN结被偏置了。由于偏结被偏置了。由于偏置电压的作用，动态平衡遭到破坏。置电压的作用，动态平衡遭到破坏。PN结将显示出其单向导电的结将显示出其单向导电的性能，性能，PN结的单向导电性，是构成半导体器件的主要工作机理。结的单向导电性，是构成半导体器件的主要工作机理。2.PN2.PN结的正向导通结的正向导通结的正向导通结的正向导通 正向偏置的意思是：正向偏置的意思是：正向偏置的意思是：正向偏置的意思是：P P区加正、区加正、区加正、区加正、N N区加负电压。区加负电压。区加负电压。区加负电压。此时，外部电场的方此时，外部电场的方向是从向是从P区指向区指向N区，显然与内电场的区，显然与内电场的方向相反，结果使空间电荷区变窄，方向相反，结果使空间电荷区变窄，内电场被削弱。内电场的削弱使多数内电场被削弱。内电场的削弱使多数载流子的扩散运动得以增强，形成较载流子的扩散运动得以增强，形成较大的扩散电流（有多子的定向移动形大的扩散电流（有多子的定向移动形成，即所谓常称的电流）。在一定范成，即所谓常称的电流）。在一定范围内，外电场越强，正向电流越大，围内，外电场越强，正向电流越大，PN结对正向电流呈低电阻状态，这种结对正向电流呈低电阻状态，这种情况就称为情况就称为PN结正向导通。结正向导通。PN结的结的正向导通作用原理图如图正向导通作用原理图如图2-6所示。所示。图图图图2-62-6 2024/7/13103.PN3.PN结的反向截止结的反向截止结的反向截止结的反向截止 反向偏置的意思是：反向偏置的意思是：反向偏置的意思是：反向偏置的意思是：P P区加负、区加负、区加负、区加负、N N区加正电压。区加正电压。区加正电压。区加正电压。此时，外部电场的方向与此时，外部电场的方向与此时，外部电场的方向与此时，外部电场的方向与内电场的方向一致，使空间电荷区变宽，内电场的方向一致，使空间电荷区变宽，内电场的方向一致，使空间电荷区变宽，内电场的方向一致，使空间电荷区变宽，内电场继续增强，造成多数载流子扩散内电场继续增强，造成多数载流子扩散内电场继续增强，造成多数载流子扩散内电场继续增强，造成多数载流子扩散运动难于进行，同时加强了少数载流子运动难于进行，同时加强了少数载流子运动难于进行，同时加强了少数载流子运动难于进行，同时加强了少数载流子的漂移运动，形成由的漂移运动，形成由的漂移运动，形成由的漂移运动，形成由N N区流向区流向区流向区流向P P区的反区的反区的反区的反向电流。向电流。向电流。向电流。但由于常温下少数载流子恒定但由于常温下少数载流子恒定但由于常温下少数载流子恒定但由于常温下少数载流子恒定且数量不多，故反向电流极小，且数量不多，故反向电流极小，且数量不多，故反向电流极小，且数量不多，故反向电流极小，而电流而电流而电流而电流小说明小说明小说明小说明PNPN结的反向电阻很高，通常可结的反向电阻很高，通常可结的反向电阻很高，通常可结的反向电阻很高，通常可以认为反向偏置的以认为反向偏置的以认为反向偏置的以认为反向偏置的PNPN结不导电，基本结不导电，基本结不导电，基本结不导电，基本处于截止状态，这种情况就称为处于截止状态，这种情况就称为处于截止状态，这种情况就称为处于截止状态，这种情况就称为PNPN结结结结反向阻断。反向阻断。反向阻断。反向阻断。PNPN结的反向阻断作用原理结的反向阻断作用原理结的反向阻断作用原理结的反向阻断作用原理图如图图如图图如图图如图2-72-7所示。所示。所示。所示。当外加的反向电压在一定当外加的反向电压在一定当外加的反向电压在一定当外加的反向电压在一定范围内变化时，反向电流几乎范围内变化时，反向电流几乎范围内变化时，反向电流几乎范围内变化时，反向电流几乎不随外加电压的变化而变化。不随外加电压的变化而变化。不随外加电压的变化而变化。不随外加电压的变化而变化。这是因为反向电流是由少子漂这是因为反向电流是由少子漂这是因为反向电流是由少子漂这是因为反向电流是由少子漂移形成的。只要温度不发生变移形成的。只要温度不发生变移形成的。只要温度不发生变移形成的。只要温度不发生变化，少数载流子的浓度就不变，化，少数载流子的浓度就不变，化，少数载流子的浓度就不变，化，少数载流子的浓度就不变，即使反向电压在允许的范围内即使反向电压在允许的范围内即使反向电压在允许的范围内即使反向电压在允许的范围内再增加再多，也无法使少子的再增加再多，也无法使少子的再增加再多，也无法使少子的再增加再多，也无法使少子的数量增加，这时反向电流趋于数量增加，这时反向电流趋于数量增加，这时反向电流趋于数量增加，这时反向电流趋于恒定，因此反向电流又称为恒定，因此反向电流又称为恒定，因此反向电流又称为恒定，因此反向电流又称为反反反反向饱和电流向饱和电流向饱和电流向饱和电流。PN PN结的上述结的上述结的上述结的上述“正向导通，反正向导通，反正向导通，反正向导通，反响阻断响阻断响阻断响阻断”作用，说明作用，说明作用，说明作用，说明PNPN结具有单结具有单结具有单结具有单向导电性。向导电性。向导电性。向导电性。图图图图2-72-7 2024/7/13112.1.4 PN结的反向击穿结的反向击穿 PN PN结处于反向偏置时，在一定的电压范围内，流过结处于反向偏置时，在一定的电压范围内，流过结处于反向偏置时，在一定的电压范围内，流过结处于反向偏置时，在一定的电压范围内，流过PNPN结结结结的电流很小，但电压超过某一数值时，反向电流急剧增加，这的电流很小，但电压超过某一数值时，反向电流急剧增加，这的电流很小，但电压超过某一数值时，反向电流急剧增加，这的电流很小，但电压超过某一数值时，反向电流急剧增加，这种现象称为种现象称为种现象称为种现象称为PNPN结结结结反向击穿反向击穿反向击穿反向击穿。反向击穿又分为热击穿和电击穿。反向击穿又分为热击穿和电击穿。热击穿由于电压很高、电流很大，消耗在热击穿由于电压很高、电流很大，消耗在热击穿由于电压很高、电流很大，消耗在热击穿由于电压很高、电流很大，消耗在PNPN结上的功率相结上的功率相结上的功率相结上的功率相应很大，极易使应很大，极易使应很大，极易使应很大，极易使PNPN结过热而烧毁，即热击穿过程不可逆。结过热而烧毁，即热击穿过程不可逆。结过热而烧毁，即热击穿过程不可逆。结过热而烧毁，即热击穿过程不可逆。电击穿包括电击穿包括电击穿包括电击穿包括雪崩击穿雪崩击穿雪崩击穿雪崩击穿和和和和齐纳击穿齐纳击穿齐纳击穿齐纳击穿，对于硅材料的，对于硅材料的，对于硅材料的，对于硅材料的PNPN结来说，结来说，结来说，结来说，击穿电压大于击穿电压大于击穿电压大于击穿电压大于7V7V时为雪崩击穿，小于时为雪崩击穿，小于时为雪崩击穿，小于时为雪崩击穿，小于4V4V时为齐纳击穿。在时为齐纳击穿。在时为齐纳击穿。在时为齐纳击穿。在4V4V余余余余7V7V之间，两种击穿都有。之间，两种击穿都有。之间，两种击穿都有。之间，两种击穿都有。雪崩击穿是一种碰撞的击穿，齐纳击穿是一种场效应击穿，雪崩击穿是一种碰撞的击穿，齐纳击穿是一种场效应击穿，雪崩击穿是一种碰撞的击穿，齐纳击穿是一种场效应击穿，雪崩击穿是一种碰撞的击穿，齐纳击穿是一种场效应击穿，两者均属于电击穿。两者均属于电击穿。两者均属于电击穿。两者均属于电击穿。电击穿过程通常是可逆过程，当加在电击穿过程通常是可逆过程，当加在电击穿过程通常是可逆过程，当加在电击穿过程通常是可逆过程，当加在PNPN结两端的反向电压结两端的反向电压结两端的反向电压结两端的反向电压降低后，降低后，降低后，降低后，PNPN结仍可恢复到原来的状态，而不会造成永久损坏。结仍可恢复到原来的状态，而不会造成永久损坏。结仍可恢复到原来的状态，而不会造成永久损坏。结仍可恢复到原来的状态，而不会造成永久损坏。2024/7/13122.2 半导体二极管半导体二极管2.2.1 二极管的结构与类型二极管的结构与类型 将结加上相应的电极引线和管壳，就成为半导体二极将结加上相应的电极引线和管壳，就成为半导体二极将结加上相应的电极引线和管壳，就成为半导体二极将结加上相应的电极引线和管壳，就成为半导体二极管。按结构分，二极管有点接触型和面接触型、管。按结构分，二极管有点接触型和面接触型、管。按结构分，二极管有点接触型和面接触型、管。按结构分，二极管有点接触型和面接触型、平面型等平面型等平面型等平面型等。1.1.点接触型二极管点接触型二极管点接触型二极管点接触型二极管 特点是结面积小，不能通过较大电流，但高频性能好。特点是结面积小，不能通过较大电流，但高频性能好。特点是结面积小，不能通过较大电流，但高频性能好。特点是结面积小，不能通过较大电流，但高频性能好。2.2.面接触型二极管面接触型二极管面接触型二极管面接触型二极管 结面积较大，故可允许通过较大电流，但其工作频率低。结面积较大，故可允许通过较大电流，但其工作频率低。结面积较大，故可允许通过较大电流，但其工作频率低。结面积较大，故可允许通过较大电流，但其工作频率低。3.3.平面型二极管平面型二极管平面型二极管平面型二极管 平面型二极管的质量最好。平面型二极管结面积较小的适合平面型二极管的质量最好。平面型二极管结面积较小的适合平面型二极管的质量最好。平面型二极管结面积较小的适合平面型二极管的质量最好。平面型二极管结面积较小的适合作高频管或高速开关，结面积较大的则作大功率调整管。作高频管或高速开关，结面积较大的则作大功率调整管。作高频管或高速开关，结面积较大的则作大功率调整管。作高频管或高速开关，结面积较大的则作大功率调整管。2024/7/13132.2.2 二极管的伏安特性二极管的伏安特性 二极管最主要的特性就是单向导电性，可以用伏安特性曲二极管最主要的特性就是单向导电性，可以用伏安特性曲二极管最主要的特性就是单向导电性，可以用伏安特性曲二极管最主要的特性就是单向导电性，可以用伏安特性曲线来说明。所谓伏安特性曲线就是电压与电流的关系曲线，如线来说明。所谓伏安特性曲线就是电压与电流的关系曲线，如线来说明。所谓伏安特性曲线就是电压与电流的关系曲线，如线来说明。所谓伏安特性曲线就是电压与电流的关系曲线，如图图图图2-92-9所示。所示。所示。所示。图图图图2-92-9 2024/7/13141.1.正向特性（正向特性（正向特性（正向特性（forward characteristicsforward characteristics）当二极管的正向电压很小时，几乎没有电流通过二极管。正当二极管的正向电压很小时，几乎没有电流通过二极管。正当二极管的正向电压很小时，几乎没有电流通过二极管。正当二极管的正向电压很小时，几乎没有电流通过二极管。正向电压超过某数值后，才有正向电流流过二极管，这一电压值称向电压超过某数值后，才有正向电流流过二极管，这一电压值称向电压超过某数值后，才有正向电流流过二极管，这一电压值称向电压超过某数值后，才有正向电流流过二极管，这一电压值称为为为为死区电压死区电压死区电压死区电压。2.2.反向特性（反向特性（反向特性（反向特性（reverse characteristicsreverse characteristics）当二极管加上反向电压时，只有极小的反向电流流过二极管。当二极管加上反向电压时，只有极小的反向电流流过二极管。当二极管加上反向电压时，只有极小的反向电流流过二极管。当二极管加上反向电压时，只有极小的反向电流流过二极管。二极管的反向电流具有二极管的反向电流具有二极管的反向电流具有二极管的反向电流具有两个特点两个特点两个特点两个特点:第一个特点是它随温度上升第一个特点是它随温度上升第一个特点是它随温度上升第一个特点是它随温度上升而增长很快，另一个特点是只要外加的反向电压在一定范围之内，而增长很快，另一个特点是只要外加的反向电压在一定范围之内，而增长很快，另一个特点是只要外加的反向电压在一定范围之内，而增长很快，另一个特点是只要外加的反向电压在一定范围之内，反向电流基本不随反向电压变化。反向电流基本不随反向电压变化。反向电流基本不随反向电压变化。反向电流基本不随反向电压变化。3.3.反向击穿（反向击穿（反向击穿（反向击穿（reverse breakdownreverse breakdown）特性）特性）特性）特性 当反向电压高到一定数值时，反向电流将突然增大，二极管当反向电压高到一定数值时，反向电流将突然增大，二极管当反向电压高到一定数值时，反向电流将突然增大，二极管当反向电压高到一定数值时，反向电流将突然增大，二极管失去单向导电性，这种现象称为电击穿。如果二极管的反向电压失去单向导电性，这种现象称为电击穿。如果二极管的反向电压失去单向导电性，这种现象称为电击穿。如果二极管的反向电压失去单向导电性，这种现象称为电击穿。如果二极管的反向电压超过这个数值，而没有适当的限流措施，会因电流大，电压高，超过这个数值，而没有适当的限流措施，会因电流大，电压高，超过这个数值，而没有适当的限流措施，会因电流大，电压高，超过这个数值，而没有适当的限流措施，会因电流大，电压高，将使管子过热而造成永久性的损坏，这就是热击穿。将使管子过热而造成永久性的损坏，这就是热击穿。将使管子过热而造成永久性的损坏，这就是热击穿。将使管子过热而造成永久性的损坏，这就是热击穿。二极管的正向电压大于死区电压后，有较大的正向电流通二极管的正向电压大于死区电压后，有较大的正向电流通二极管的正向电压大于死区电压后，有较大的正向电流通二极管的正向电压大于死区电压后，有较大的正向电流通过二极管，称为二极管导通。过二极管，称为二极管导通。过二极管，称为二极管导通。过二极管，称为二极管导通。2024/7/13154.4.温度对特性的影响温度对特性的影响温度对特性的影响温度对特性的影响 由于半导体的导电性能与由于半导体的导电性能与由于半导体的导电性能与由于半导体的导电性能与温度有关，所以二极管的特性温度有关，所以二极管的特性温度有关，所以二极管的特性温度有关，所以二极管的特性对温度很敏感，温度升高时二对温度很敏感，温度升高时二对温度很敏感，温度升高时二对温度很敏感，温度升高时二极管正向特性曲线向左移动，极管正向特性曲线向左移动，极管正向特性曲线向左移动，极管正向特性曲线向左移动，反向特性曲线向下移动，如图反向特性曲线向下移动，如图反向特性曲线向下移动，如图反向特性曲线向下移动，如图2-102-10所示。所示。所示。所示。变化的规律：在室温附近，变化的规律：在室温附近，变化的规律：在室温附近，变化的规律：在室温附近，温度每升高温度每升高温度每升高温度每升高1 1，正向电压减，正向电压减，正向电压减，正向电压减小小小小2 22.5mV2.5mV，即温度系数约为，即温度系数约为，即温度系数约为，即温度系数约为-2.3mV/-2.3mV/；温度每升高；温度每升高；温度每升高；温度每升高1010，反向电流约增大一倍。击穿，反向电流约增大一倍。击穿，反向电流约增大一倍。击穿，反向电流约增大一倍。击穿电压也下降较多。电压也下降较多。电压也下降较多。电压也下降较多。图图图图2-102-10 2024/7/1316 4）最高工作频率）最高工作频率 主要由结结电容的大小决定。信号频率超过此值时，结主要由结结电容的大小决定。信号频率超过此值时，结主要由结结电容的大小决定。信号频率超过此值时，结主要由结结电容的大小决定。信号频率超过此值时，结电容的容抗变得很小，使二极管反偏时的等效阻抗变得很小，反电容的容抗变得很小，使二极管反偏时的等效阻抗变得很小，反电容的容抗变得很小，使二极管反偏时的等效阻抗变得很小，反电容的容抗变得很小，使二极管反偏时的等效阻抗变得很小，反向电流很大。于是，二极管的单向导电性变坏。向电流很大。于是，二极管的单向导电性变坏。向电流很大。于是，二极管的单向导电性变坏。向电流很大。于是，二极管的单向导电性变坏。5）二极管使用注意事项）二极管使用注意事项 加在二极管上的电流、电压、功率以及环境温度等都不应超过规范表所加在二极管上的电流、电压、功率以及环境温度等都不应超过规范表所加在二极管上的电流、电压、功率以及环境温度等都不应超过规范表所加在二极管上的电流、电压、功率以及环境温度等都不应超过规范表所允许的极限值允许的极限值允许的极限值允许的极限值 。整流二极管不应直接串联或并联使用。如需串联，每个二极管应并联一整流二极管不应直接串联或并联使用。如需串联，每个二极管应并联一整流二极管不应直接串联或并联使用。如需串联，每个二极管应并联一整流二极管不应直接串联或并联使用。如需串联，每个二极管应并联一个均压电阻。若需并联，每个二极管应串联均流电阻。个均压电阻。若需并联，每个二极管应串联均流电阻。个均压电阻。若需并联，每个二极管应串联均流电阻。个均压电阻。若需并联，每个二极管应串联均流电阻。二极管在容性负载线路中工作时，额定整流电流值应降低二极管在容性负载线路中工作时，额定整流电流值应降低二极管在容性负载线路中工作时，额定整流电流值应降低二极管在容性负载线路中工作时，额定整流电流值应降低20%20%使用。使用。使用。使用。二极管在三相线路中使用时，所加的交流电压须比相应的单相线路中二极管在三相线路中使用时，所加的交流电压须比相应的单相线路中二极管在三相线路中使用时，所加的交流电压须比相应的单相线路中二极管在三相线路中使用时，所加的交流电压须比相应的单相线路中降低降低降低降低15%15%。在焊接二极管时最好用在焊接二极管时最好用在焊接二极管时最好用在焊接二极管时最好用45W45W以下的电烙铁进行，并用镊子夹住引线根部，以下的电烙铁进行，并用镊子夹住引线根部，以下的电烙铁进行，并用镊子夹住引线根部，以下的电烙铁进行，并用镊子夹住引线根部，以免烫坏管芯。以免烫坏管芯。以免烫坏管芯。以免烫坏管芯。二极管的引线弯曲处应大于外壳端面二极管的引线弯曲处应大于外壳端面二极管的引线弯曲处应大于外壳端面二极管的引线弯曲处应大于外壳端面5mm5mm，以免引线折断或外壳破裂。，以免引线折断或外壳破裂。，以免引线折断或外壳破裂。，以免引线折断或外壳破裂。对于功率较大，需要附加散热器时，应按要求加装散热器并使之良好接触。对于功率较大，需要附加散热器时，应按要求加装散热器并使之良好接触。对于功率较大，需要附加散热器时，应按要求加装散热器并使之良好接触。对于功率较大，需要附加散热器时，应按要求加装散热器并使之良好接触。在安装时，二极管元件应尽量避免靠近发热元件。在安装时，二极管元件应尽量避免靠近发热元件。在安装时，二极管元件应尽量避免靠近发热元件。在安装时，二极管元件应尽量避免靠近发热元件。2024/7/13173.3.二极管的直流电阻和交流电阻二极管的直流电阻和交流电阻二极管的直流电阻和交流电阻二极管的直流电阻和交流电阻1）直流电阻）直流电阻 指加在二极管上的直流电压与流过管子的直流指加在二极管上的直流电压与流过管子的直流指加在二极管上的直流电压与流过管子的直流指加在二极管上的直流电压与流过管子的直流电流之比，即电流之比，即电流之比，即电流之比，即 与与与与 点有关。在工程计算中用处不大，但可用来说明二点有关。在工程计算中用处不大，但可用来说明二点有关。在工程计算中用处不大，但可用来说明二点有关。在工程计算中用处不大，但可用来说明二极管的单向导电性的好坏，平时用万用表测出的就是直流电阻。极管的单向导电性的好坏，平时用万用表测出的就是直流电阻。极管的单向导电性的好坏，平时用万用表测出的就是直流电阻。极管的单向导电性的好坏，平时用万用表测出的就是直流电阻。图图图图2-112-11 2024/7/13193.3.二极管的直流电阻和交流电阻二极管的直流电阻和交流电阻二极管的直流电阻和交流电阻二极管的直流电阻和交流电阻指在工作点附近，电压变化量与电流之比指在工作点附近，电压变化量与电流之比指在工作点附近，电压变化量与电流之比指在工作点附近，电压变化量与电流之比 2）交流电阻（动态电阻）交流电阻（动态电阻）与工作点与工作点与工作点与工作点 有关，通常正向交流电阻为几欧至几十欧。注有关，通常正向交流电阻为几欧至几十欧。注有关，通常正向交流电阻为几欧至几十欧。注有关，通常正向交流电阻为几欧至几十欧。注意只能用来计算变化量。意只能用来计算变化量。意只能用来计算变化量。意只能用来计算变化量。的近似公式：的近似公式：的近似公式：的近似公式：(当当当当 时时时时)图图图图2-112-11 2.2.4 二极管的分析方法二极管的分析方法 由二极管组成的电路是非线性电路，它的分析方法有：图由二极管组成的电路是非线性电路，它的分析方法有：图由二极管组成的电路是非线性电路，它的分析方法有：图由二极管组成的电路是非线性电路，它的分析方法有：图解分析法和模型分析法等。解分析法和模型分析法等。解分析法和模型分析法等。解分析法和模型分析法等。1.1.理想模型理想模型理想模型理想模型 在电路中相当于一个理想开关，在电路中相当于一个理想开关，在电路中相当于一个理想开关，在电路中相当于一个理想开关，如图如图如图如图2-13 a)2-13 a)的伏安特性曲的伏安特性曲的伏安特性曲的伏安特性曲线所示。线所示。线所示。线所示。只要二极管外加正向电压稍大于零，它就导通，相当只要二极管外加正向电压稍大于零，它就导通，相当只要二极管外加正向电压稍大于零，它就导通，相当只要二极管外加正向电压稍大于零，它就导通，相当于开关闭合；如图于开关闭合；如图于开关闭合；如图于开关闭合；如图 b)b)所示。当反偏时，二极管截止，相当于开所示。当反偏时，二极管截止，相当于开所示。当反偏时，二极管截止，相当于开所示。当反偏时，二极管截止，相当于开关断开，如图关断开，如图关断开，如图关断开，如图 c)c)所示。所示。所示。所示。图2-12 理想模型 a)U-I 特性 b)、c)符号及等效模型2.2.恒压降模型恒压降模型恒压降模型恒压降模型 该模型由理想二极管与电压源串联构成，它与理想模型的区该模型由理想二极管与电压源串联构成，它与理想模型的区该模型由理想二极管与电压源串联构成，它与理想模型的区该模型由理想二极管与电压源串联构成，它与理想模型的区别，仅在于它的正向压降不再认为是零，而是接近实际工作的某别，仅在于它的正向压降不再认为是零，而是接近实际工作的某别，仅在于它的正向压降不再认为是零，而是接近实际工作的某别，仅在于它的正向压降不再认为是零，而是接近实际工作的某一定值，且不随电流而变。一定值，且不随电流而变。一定值，且不随电流而变。一定值，且不随电流而变。不过，这只有当流经二极管的电流近不过，这只有当流经二极管的电流近不过，这只有当流经二极管的电流近不过，这只有当流经二极管的电流近似等于或大于似等于或大于似等于或大于似等于或大于1mA1mA时才是正确的。显然，这种模型较理想模型更时才是正确的。显然，这种模型较理想模型更时才是正确的。显然，这种模型较理想模型更时才是正确的。显然，这种模型较理想模型更接近实际二极管。如接近实际二极管。如接近实际二极管。如接近实际二极管。如图图图图 b)b)所示。所示。所示。所示。图2-13 小信号模型 a)U-I 特性 b)电路符号2024/7/13212024/7/13223.3.小信号模型小信号模型小信号模型小信号模型 如果只研究电压微变量与电流微变量之间的关系时，我们可如果只研究电压微变量与电流微变量之间的关系时，我们可如果只研究电压微变量与电流微变量之间的关系时，我们可如果只研究电压微变量与电流微变量之间的关系时，我们可以用特性曲线在该固定值处的切线来近似代替这一小段曲线，如以用特性曲线在该固定值处的切线来近似代替这一小段曲线，如以用特性曲线在该固定值处的切线来近似代替这一小段曲线，如以用特性曲线在该固定值处的切线来近似代替这一小段曲线，如图图图图 2-14 a)2-14 a)所示，该切线的斜率的倒数，即为二极管在该固定值处所示，该切线的斜率的倒数，即为二极管在该固定值处所示，该切线的斜率的倒数，即为二极管在该固定值处所示，该切线的斜率的倒数，即为二极管在该固定值处的动态（微变）电阻。所以，可用来近似代替二极管，称为二极的动态（微变）电阻。所以，可用来近似代替二极管，称为二极的动态（微变）电阻。所以，可用来近似代替二极管，称为二极的动态（微变）电阻。所以，可用来近似代替二极管，称为二极管的小信号模型（或微变模型），如图管的小信号模型（或微变模型），如图管的小信号模型（或微变模型），如图管的小信号模型（或微变模型），如图 b)b)所示。所示。所示。所示。图图图图2-142-14图2-14 小信号模型 例例例例2-32-3：已知图已知图已知图已知图2-17(a)2-17(a)所示电路中，所示电路中，所示电路中，所示电路中，,，二极管为硅管，试流过二极管的电流。二极管为硅管，试流过二极管的电流。二极管为硅管，试流过二极管的电流。二极管为硅管，试流过二极管的电流。切记：采用交直流叠加原理切记：采用交直流叠加原理切记：采用交直流叠加原理切记：采用交直流叠加原理图图图图2-142-14图2-172024/7/1323解：解：解：解：首先首先首先首先 令，利用二极管的恒压源模型，求出二极管的令，利用二极管的恒压源模型，求出二极管的令，利用二极管的恒压源模型，求出二极管的令，利用二极管的恒压源模型，求出二极管的直流工作电流直流工作电流直流工作电流直流工作电流 二极管的动态电阻二极管的动态电阻二极管的动态电阻二极管的动态电阻 再令再令再令再令 ，利用二极管的微变模型，求出流过二极管的交，利用二极管的微变模型，求出流过二极管的交，利用二极管的微变模型，求出流过二极管的交，利用二极管的微变模型，求出流过二极管的交流电流流电流流电流流电流 所以，流过二极管的电流所以，流过二极管的电流所以，流过二极管的电流所以，流过二极管的电流 2024/7/13242024/7/1325解：解：解：解：首先首先首先首先 令，利用二极管的恒压源模型，求出二极管的令，利用二极管的恒压源模型，求出二极管的令，利用二极管的恒压源模型，求出二极管的令，利用二极管的恒压源模型，求出二极管的直流工作电流直流工作电流直流工作电流直流工作电流 二极管的动态电阻二极管的动态电阻二极管的动态电阻二极管的动态电阻 再令再令再令再令 ，利用二极管的微变模型，求出流过二极管的交，利用二极管的微变模型，求出流过二极管的交，利用二极管的微变模型，求出流过二极管的交，利用二极管的微变模型，求出流过二极管的交流电流流电流流电流流电流 所以，流过二极管的电流所以，流过二极管的电流所以，流过二极管的电流所以，流过二极管的电流 2.2.5 特殊二极管介绍特殊二极管介绍1.1.硅稳压二极管硅稳压二极管硅稳压二极管硅稳压二极管 硅稳压管又简称稳压管是一硅稳压管又简称稳压管是一硅稳压管又简称稳压管是一硅稳压管又简称稳压管是一种用特殊工艺制造的面结合型硅种用特殊工艺制造的面结合型硅种用特殊工艺制造的面结合型硅种用特殊工艺制造的面结合型硅半导体二极管，与普通二极管不半导体二极管，与普通二极管不半导体二极管，与普通二极管不半导体二极管，与普通二极管不同的是，稳压管的工作区域是反同的是，稳压管的工作区域是反同的是，稳压管的工作区域是反同的是，稳压管的工作区域是反向齐纳击穿去，故而也称为齐纳向齐纳击穿去，故而也称为齐纳向齐纳击穿去，故而也称为齐纳向齐纳击穿去，故而也称为齐纳二极管，图符号如图二极管，图符号如图二极管，图符号如图二极管，图符号如图 2-18 a)2-18 a)所示。所示。所示。所示。稳压管的伏安特性与普通二极管相似，如图稳压管的伏安特性与普通二极管相似，如图稳压管的伏安特性与普通二极管相似，如图稳压管的伏安特性与普通二极管相似，如图 2-18 b)2-18 b)所示，由所示，由所示，由所示，由于稳压二极管的反向击穿可逆，因此工作时不会发生于稳压二极管的反向击穿可逆，因此工作时不会发生于稳压二极管的反向击穿可逆，因此工作时不会发生于稳压二极管的反向击穿可逆，因此工作时不会发生“热击穿热击穿热击穿热击穿”，图示稳压管的反向击穿区比较陡直，说明其反向电压基本不随，图示稳压管的反向击穿区比较陡直，说明其反向电压基本不随，图示稳压管的反向击穿区比较陡直，说明其反向电压基本不随，图示稳压管的反向击穿区比较陡直，说明其反向电压基本不随反向电流变化而变化，这就是稳压二极管的稳压特性。反向电流变化而变化，这就是稳压二极管的稳压特性。反向电流变化而变化，这就是稳压二极管的稳压特性。反向电流变化而变化，这就是稳压二极管的稳压特性。描述稳压管特性的主要参数为稳定电压值描述稳压管特性的主要参数为稳定电压值描述稳压管特性的主要参数为稳定电压值描述稳压管特性的主要参数为稳定电压值 和和和和最大稳定电流最大稳定电流最大稳定电流最大稳定电流 。图图图图2-182-182024/7/1326稳定电压稳定电压稳定电压稳定电压 ：是指稳压管正常工作时的额定电压值。是指稳压管正常工作时的额定电压值。是指稳压管正常工作时的额定电压值。是指稳压管正常工作时的额定电压值。由由由由于半导体生产的离散性，手册中的往往给出的于半导体生产的离散性，手册中的往往给出的于半导体生产的离散性，手册中的往往给出的于半导体生产的离散性，手册中的往往给出的是一个电压范围值。是一个电压范围值。是一个电压范围值。是一个电压范围值。最大稳定电最大稳定电最大稳定电最大稳定电流流流流 ：是稳压管的最大允许工作电流。是稳压管的最大允许工作电流。是稳压管的最大允许工作电流。是稳压管的最大允许工作电流。在使用时，在使用时，在使用时，在使用时，实际工作电流不得超过该值，超过此值时，稳压实际工作电流不得超过该值，超过此值时，稳压实际工作电流不得超过该值，超过此值时，稳压实际工作电流不得超过该值，超过此值时，稳压管将出现热击穿而损坏。管将出现热击穿而损坏。管将出现热击穿而损坏。管将出现热击穿而损坏。稳定电流稳定电流稳定电流稳定电流 ：是指工作电压等于是指工作电压等于是指工作电压等于是指工作电压等于 时的稳定工作电流值。时的稳定工作电流值。时的稳定工作电流值。时的稳定工作电流值。耗散功率耗散功率耗散功率耗散功率 ：参数简介：参数简介：是指反向电流通过稳压二极管的是指反向电流通过稳压二极管的是指反向电流通过稳压二极管的是指反向电流通过稳压二极管的PNPN结时，结时，结时，结时，会产生一定的功率损耗使会产生一定的功率损耗使会产生一定的功率损耗使会产生一定的功率损耗使PNPN结的结温升高。结的结温升高。结的结温升高。结的结温升高。是稳压管正常工作时能够耗散的最大功率。是稳压管正常工作时能够耗散的最大功率。是稳压管正常工作时能够耗散的最大功率。是稳压管正常工作时能够耗散的最大功率。动态电阻动态电阻动态电阻动态电阻 ：是指稳定管端电压变化量与相应电流变化是指稳定管端电压变化量与相应电流变化是指稳定管端电压变化量与相应电流变化是指稳定管端电压变化量与相应电流变化量之比。量之比。量之比。量之比。稳压管的动态电阻越小，则反向伏安稳压管的动态电阻越小，则反向伏安稳压管的动态电阻越小，则反向伏安稳压管的动态电阻越小，则反向伏安特性曲线越陡，稳压性能越好。特性曲线越陡，稳压性能越好。特性曲线越陡，稳压性能越好。特性曲线越陡，稳压性能越好。2024/7/13272.2.光电二极管光电二极管光电二极管光电二极管 光电二极管也是一种结型半导体元件，可将光信号转换光电二极管也是一种结型半导体元件，可将光信号转换光电二极管也是一种结型半导体元件，可将光信号转换光电二极管也是一种结型半导体元件，可将光信号转换成电信号，广泛应用于各种遥控系统、光电开关、光探测器，以成电信号，广泛应用于各种遥控系统、光电开关、光探测器，以成电信号，广泛应用于各种遥控系统、光电开关、光探测器，以成电信号，广泛应用于各种遥控系统、光电开关、光探测器，以及以光电转换的各种自动控制仪器、触发器、光电耦合、编码器、及以光电转换的各种自动控制仪器、触发器、光电耦合、编码器、及以光电转换的各种自动控制仪器、触发器、光电耦合、编码器、及以光电转换的各种自动控制仪器、触发器、光电耦合、编码器、特性识别、过程控制、激光接收等方面。在机电一体化时代，光特性识别、过程控制、激光接收等方面。在机电一体化时代，光特性识别、过程控制、激光接收等方面。在机电一体化时代，光特性识别、过程控制、激光接收等方面。在机电一体化时代，光电二极管已成为必不可少的电子元件。电二极管已成为必不可少的电子元件。电二极管已成为必不可少的电子元件。电二极管已成为必不可少的电子元件。光电二极管的实物、符号光电二极管的实物、符号光电二极管的实物、符号光电二极管的实物、符号及伏安特性如图及伏安特性如图及伏安特性如图及伏安特性如图2-212-21所示。所示。所示。所示。光电二极管是一种光接收器件。它的管壳上有一个玻璃窗口光电二极管是一种光接收器件。它的管壳上有一个玻璃窗口光电二极管是一种光接收器件。它的管壳上有一个玻璃窗口光电二极管是一种光接收器件。它的管壳上有一个玻璃窗口以便接受光照，当光线辐射于结时，提高了半导体的导电性。以便接受光照，当光线辐射于结时，提高了半导体的导电性。以便接受光照，当光线辐射于结时，提高了半导体的导电性。以便接受光照，当光线辐射于结时，提高了半导体的导电性。图图图图2-212-212024/7/13283.3.发光二极管发光二极管发光二极管发光二极管 发光二极管是一种光发射器件，能把电能直接转换成光能的发光二极管是一种光发射器件，能把电能直接转换成光能的发光二极管是一种光发射器件，能把电能直接转换成光能的发光二极管是一种光发射器件，能把电能直接转换成光能的固体发光器件，发明于固体发光器件，发明于固体发光器件，发明于固体发光器件，发明于2020世纪世纪世纪世纪6060年代。与普通二极管一样，发光年代。与普通二极管一样，发光年代。与普通二极管一样，发光年代。与普通二极管一样，发光二极管的管芯也是由二极管的管芯也是由二极管的管芯也是由二极管的管芯也是由PNPN结组成，具有单向导电性。发光二极管结组成，具有单向导电性。发光二极管结组成，具有单向导电性。发光二极管结组成，具有单向导电性。发光二极管的实物、符号、伏安特性曲线如图的实物、符号、伏安特性曲线如图的实物、符号、伏安特性曲线如图的实物、符号、伏安特性曲线如图2-222-22所示。所示。所示。所示。图图图图2-222-22 发光二极管具有体积小、工作电压低（发光二极管具有体积小、工作电压低（发光二极管具有体积小、工作电压低（发光二极管具有体积小、工作电压低（1.61.62.2V2.2V）、工作电）、工作电）、工作电）、工作电流小（几流小（几流小（几流小（几mAmA30mA30mA）、发光均匀稳定且亮度比较高、响应速度）、发光均匀稳定且亮度比较高、响应速度）、发光均匀稳定且亮度比较高、响应速度）、发光均匀稳定且亮度比较高、响应速度快、寿命长以及价格低廉等优点，被广泛用作电子设备的通断指快、寿命长以及价格低廉等优点，被广泛用作电子设备的通断指快、寿命长以及价格低廉等优点，被广泛用作电子设备的通断指快、寿命长以及价格低廉等优点，被广泛用作电子设备的通断指示灯或快速光源、光电耦合器中的发光元件、光学仪器的光源和示灯或快速光源、光电耦合器中的发光元件、光学仪器的光源和示灯或快速光源、光电耦合器中的发光元件、光学仪器的光源和示灯或快速光源、光电耦合器中的发光元件、光学仪器的光源和数字电路的数码及图形显示的七段式或阵列式器件等领域。数字电路的数码及图形显示的七段式或阵列式器件等领域。数字电路的数码及图形显示的七段式或阵列式器件等领域。数字电路的数码及图形显示的七段式或阵列式器件等领域。2024/7/1329 随着近年来发光二极管发光效能逐步提升，充分发挥发光二随着近年来发光二极管发光效能逐步提升，充分发挥发光二随着近年来发光二极管发光效能逐步提升，充分发挥发光二随着近年来发光二极管发光效能逐步提升，充分发挥发光二极管的照明潜力，将发光二极管作为发光光源的可能性也越来越极管的照明潜力，将发光二极管作为发光光源的可能性也越来越极管的照明潜力，将发光二极管作为发光光源的可能性也越来越极管的照明潜力，将发光二极管作为发光光源的可能性也越来越高，发光二极管无疑为近几年来最受重视的光源之一。一方面凭高，发光二极管无疑为近几年来最受重视的光源之一。一方面凭高，发光二极管无疑为近几年来最受重视的光源之一。一方面凭高，发光二极管无疑为近几年来最受重视的光源之一。一方面凭借其轻、薄、短、小的特性，另一方面借助其封装类型的耐摔、借其轻、薄、短、小的特性，另一方面借助其封装类型的耐摔、借其轻、薄、短、小的特性，另一方面借助其封装类型的耐摔、借其轻、薄、短、小的特性，另一方面借助其封装类型的耐摔、耐震及特殊的发光光形，发光二极管的确给了人们一个很不一样耐震及特殊的发光光形，发光二极管的确给了人们一个很不一样耐震及特殊的发光光形，发光二极管的确给了人们一个很不一样耐震及特殊的发光光形，发光二极管的确给了人们一个很不一样的光源选择，但是在人们只考虑提升发光二极管发光效能的同时，的光源选择，但是在人们只考虑提升发光二极管发光效能的同时，的光源选择，但是在人们只考虑提升发光二极管发光效能的同时，的光源选择，但是在人们只考虑提升发光二极管发光效能的同时，如何充分利用发光二极管的特性来解决将其应用在照明时可能会如何充分利用发光二极管的特性来解决将其应用在照明时可能会如何充分利用发光二极管的特性来解决将其应用在照明时可能会如何充分利用发光二极管的特性来解决将其应用在照明时可能会遇到的困难，目前已经是各国照明厂家研制的目标。遇到的困难，目前已经是各国照明厂家研制的目标。遇到的困难，目前已经是各国照明厂家研制的目标。遇到的困难，目前已经是各国照明厂家研制的目标。有资料显示，近年来科学家开发出用于照明的新型发光二有资料显示，近年来科学家开发出用于照明的新型发