硅光电池数据表格

硅光电池数据表格【实验内容及步骤】1. 在无光照条件下，测量光电池加正/反向电压时的端电压和电流，研究光电池的暗伏安特性（1个U I曲线图，并试着用曲线拟合的方式将lnI = bU + lnI0中b和I0值求出）。U(V)-8-6-4-201.51.71.92.12.22.32.42.5I(mA)2. 测量光电池的光照特性（即光电池的短路电流、开路电压和光强之间的关系）改变光电池与光源之间的距离，分别测量对应位置的光强、硅光电池的开路电压和短路电流，做出I 1/D2、Uoc I以及Isc I的关系图（共3张图），说明意义。距离D(cm)101520253035404550光强I(W/m2)开路电压Uoc(V)短路电流Isc(mA)3. 测量光电池的负载特性将硅光电池置于距光源40cm处，改变负载阻值R，测量硅光电池的输出电压U和电流I，并计算出输出功率P = UI和填充因子FF = Pmax/Uoc/Isc，并做出U I和 P R曲线图（共2张图），在图中标注出此硅光电池适合带动的负载阻值大小。R()50100150200220240260280300320340360400500U(V)I(mA)P(mW)4. 测量多晶硅片（选做）、非晶硅片（选做）的特性，内容与单晶硅片相同