EBSD技术入门简介晶体学及织构基础工程材料的织构控制EBSD的原理及应用数据处理演示实用教案

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1/932008年1月10日1. 晶体学及织构基础晶体学及织构基础(jch)2. 工程工程(gngchng)材料的织构材料的织构控制控制3. EBSD的原理的原理(yunl)及应及应用用4. EBSD数据处理演示数据处理演示第1页/共84页第一页,共85页。2/932008年1月10日1.1 取向取向(q xin)(差差)的的定义及表征定义及表征 晶体的100-010-001坐标系CCS相对于样品(yngpn)坐标系SCS:RD(rolling direction, 轧向)-TD(transverse direction, 横向)-ND (normal direction,法向)(或X-Y-Z)的位置关系。第2页/共84页第二页,共85页。3/932008年1月10日 两个(lin )晶体坐标系之间的关系 crystal coordinate system for crystal 1 (CCS1) crystal coordinate system for crystal 2 (CCS2)CCS2CCS1SCS取向取向(q xin)差的定义差的定义取向取向(q xin)取向差取向差第3页/共84页第三页,共85页。4/932008年1月10日(1) Rotation matrix G(2) Miller indices(3) Euler angles(4) Angle/axis of rotation(5) Quaternion取向取向(q xin)(差差)的表征的表征第4页/共84页第四页,共85页。5/932008年1月10日(1) Rotation matrix G The rotation of the sample axes onto the crystal axes, i.e. CCS = g . SCSXYZSCSCCS0010101001, 1, 1 are angles between 100 and X, Y, Z2, 2, 2 are angles between 010 and X, Y, Z3, 3, 3 are angles between 001 and X, Y, Z第5页/共84页第五页,共85页。6/932008年1月10日(2) Miller Indices (hkl)uvw , (hkl)|轧面, uvw|轧向 hkl Miller指数(zhsh)族 For a cubic crystal structure, (hkl)uvw 等效于 hkl|Z and uvw|X第6页/共84页第六页,共85页。7/932008年1月10日Examples Miller IndicesTNR001 112 111 111 110第7页/共84页第七页,共85页。8/932008年1月10日第一次:绕Z轴(ND) 转1 角第二次:绕新的X轴(RD) 转角第三次:绕新的Z轴(ND) 转2角这时样品坐标轴和晶体(jngt)坐标轴重合。Euler角(1 , , 2)的物理(wl)意义:(3) Euler angle第8页/共84页第八页,共85页。9/932008年1月10日(4) Angle/Axis of Rotation 常用于表示取向差 可由旋转矩阵(j zhn)G得到8686 Mg合金合金(hjn)中常见孪晶中常见孪晶第9页/共84页第九页,共85页。10/932008年1月10日(5) Querternion四元素四元素(yun s)法:法:(Q0,Q1,Q2,Q3),在计算晶粒的平均取向有用。,在计算晶粒的平均取向有用。第10页/共84页第十页,共85页。11/932008年1月10日(1)取向)取向(q xin)矩阵矩阵G:(4)轴角对:)轴角对:(n1, n2, n3)=(0.842,-0.779,-0.966)48.6(5)四元素)四元素(yun s)法:法:(Q0,Q1,Q2,Q3)=(0.911,0.231,-0.214,-0.265) (2)Miller指数指数(zhsh):ND=hkl=123(3)Euler角角:(1 , , 2)=(301.0,36.7,26.7)S取向的5种表示第11页/共84页第十一页,共85页。12/932008年1月10日取向表达取向表达(biod)的数学互的数学互换换G矩阵矩阵(j zhn)=Miller 指数指数(zhsh)hkl轴角对轴角对四元素法四元素法(1 , , 2)第12页/共84页第十二页,共85页。13/932008年1月10日 取向取向(q xin)的等价形的等价形式式对于立方晶体,每个取向有对于立方晶体,每个取向有24种等价种等价(dngji)形式形式: (301, 36.7, 26.7)=(123)63-4 1 301 36.7 26.7 2 121 143.3 153.3 3 153.1 57.731 161.484 4 333.1 122.269 18.516 5 121 143.3 333.3 6 301 36.7 206.7 7 333.1 122.269 198.516 8 153.1 57.731 341.484 9 301 36.7 116.7 10 232.962 105.576 146.34 11 121 143.3 63.3 12 52.962 74.424 33.66 13 301 36.7 296.7 14 52.962 74.424 213.66 15 121 143.3 243.3 16 232.962 105.576 326.34 17 232.962 105.576 56.34 18 153.1 57.731 71.484 19 52.962 74.424 123.66 20 333.1 122.269 108.516 21 52.962 74.424 303.66 22 153.1 57.731 251.484 23 232.962 105.576 236.34 24 333.1 122.269 288.516第13页/共84页第十三页,共85页。14/932008年1月10日织构的定义:多晶体中晶粒取向的择优分布。织构的定义:多晶体中晶粒取向的择优分布。织构与取向的区别织构与取向的区别(qbi)(qbi):多与单的关系。:多与单的关系。1.2 织构的定义织构的定义(dngy)及表及表征征 织构决定材料性能的典型例子(l zi):取向硅钢的Goss织构控制,汽车深冲IF钢111织构控制,饮料罐用AA3104板材的制耳控制、高压阳极电容铝箔的Cube织构控制,超导带材的镍基带的Cube织构控制等等。第14页/共84页第十四页,共85页。15/932008年1月10日极 图 晶面法线投影到球上,在投影到赤道面上 两种投影方法(fngf):上半球投影法和等面积投影法。001极图的示意图极图:某一特定极图:某一特定hkl晶面在样品坐标系下的极射赤面投影晶面在样品坐标系下的极射赤面投影(tuyng)。主要用来描述板织构。主要用来描述板织构hkl。第15页/共84页第十五页,共85页。16/932008年1月10日反 极 图先将样品坐标轴投影到球上,再投影到赤道面上常用(chn yn):上半球投影法和立体投影法。With cubic crystal symmetry, all possible orientations of a single direction can be displayed in a “triangle” (left) defined by projections of the , and directions of an 001 cube (above) 反极图:样品坐标系在晶体坐标系中的投影反极图:样品坐标系在晶体坐标系中的投影(tuyng)。 一般描述丝织构。一般描述丝织构。第16页/共84页第十六页,共85页。17/932008年1月10日(3 3)取向分布函数(hnsh)(hnsh)图ODFODF。用于精确表示织构。取向分布(fnb)函数图第17页/共84页第十七页,共85页。18/932008年1月10日立方取向的100100、110110、111111极图例如(lr)(lr):铜型织构111111反极图织构的表示方法织构的表示方法(fngf)-例例子子第18页/共84页第十八页,共85页。19/932008年1月10日BrassCopperSCubeGoss第19页/共84页第十九页,共85页。20/932008年1月10日织构的等价织构的等价(dngji)形式形式 hkl晶体对称性:24种形式样品对称性:4种 hkl hk-l hlk hl-k但对于(duy)特殊的织构: Cube:1 重样品对称性,24种形式 Goss :1 重样品对称性,24种形式 Brass:2 重样品对称性,48种形式 S: 4 重样品对称性,96种形式 Copper: 2 重样品对称性,48种形式第20页/共84页第二十页,共85页。21/932008年1月10日 常见(chn jin)理想织构 再结晶织构:Cube 冷轧织构:Brass,S和Copper织构 拉伸织构:和/拉拔(l b)方向 冷墩织构:高层错能(Cu):,低层错能(Cu-30%Zn)同时出现第21页/共84页第二十一页,共85页。22/932008年1月10日第22页/共84页第二十二页,共85页。23/932008年1月10日1.3 织构的检测织构的检测(jin c)方法方法(1 1)X X射线法、中子(zhngz)(zhngz)衍射法第23页/共84页第二十三页,共85页。24/932008年1月10日(2 2)TEMTEM及菊池花样(huyng)(huyng)分析技术(TEM/SAD/MBED/CBEDTEM/SAD/MBED/CBED)第24页/共84页第二十四页,共85页。25/932008年1月10日(4)三维)三维X射线显微分析射线显微分析(fnx)技术技术 测量块状样品内部的晶体结构及取向 用晶体衍射的方法 需要(xyo)一个高能量的同步辐射X射线设备 ESRF, Hamburg (德国汉堡) 对块状材料三维微观结构的完整表征 10mm厚 铝样品 2mm厚 钢样品第25页/共84页第二十五页,共85页。26/932008年1月10日第26页/共84页第二十六页,共85页。27/932008年1月10日X射线衍射、中子衍射:定量测定材料宏观织构射线衍射、中子衍射:定量测定材料宏观织构 SEM及电子背散射衍射及电子背散射衍射(EBSD) :微观组织表征:微观组织表征(bio zhn)及微及微区晶体取向测定区晶体取向测定(空间分辨率可达到空间分辨率可达到0.1m) TEM及菊池衍射花样分析技术:微观组织表征及菊池衍射花样分析技术:微观组织表征(bio zhn)及微区及微区晶体取向测定晶体取向测定(空间分辨率可达到空间分辨率可达到30nm) 三维同步辐射三维同步辐射X射线显微分析:块状样品的晶体结构及取向的无损射线显微分析:块状样品的晶体结构及取向的无损测定(测定(3维空间分辨率维空间分辨率2 x 2 x 2mm3 )织构分析测试技术织构分析测试技术(jsh)的比较的比较第27页/共84页第二十七页,共85页。28/932008年1月10日1. 晶体学及织构基础晶体学及织构基础(jch)2. 工程工程(gngchng)材料的织材料的织构控制构控制3. EBSD的原理的原理(yunl)及及应用应用4. EBSD数据处理演示数据处理演示第28页/共84页第二十八页,共85页。29/932008年1月10日Metal substrateBuffer layersYBCO(a)单轴织构)单轴织构 (b)双轴织构)双轴织构常用常用(chn yn)基带材料基带材料 纯纯Ni镍基合金镍基合金(hjn)Ni-V,Ni-W,Ni-CrCu及及Cu基合金基合金(hjn)Ag合金合金(hjn)RABiTSTM工艺工艺(gngy)2.1 第二代高温超导材料第二代高温超导材料第29页/共84页第二十九页,共85页。30/932008年1月10日要求(yoqi):Strong cube textureSmall misorientationGood space distribution第30页/共84页第三十页,共85页。31/932008年1月10日高纯镍冷轧高纯镍冷轧95%95%的织构的织构第31页/共84页第三十一页,共85页。32/932008年1月10日高纯镍退火高纯镍退火(tu hu)(tu hu)后的再结晶后的再结晶织构织构第32页/共84页第三十二页,共85页。33/932008年1月10日2.2 汽车汽车(qch)覆盖件用覆盖件用IF钢钢 汽车用汽车用IFIF钢具有超深冲变形钢具有超深冲变形(bin xng)(bin xng)性,不但要求板材含碳量性,不但要求板材含碳量低,冶金质量好,而且要求板材的力学性能各向异性,即板材轧向和横低,冶金质量好,而且要求板材的力学性能各向异性,即板材轧向和横向的变形向的变形(bin xng)(bin xng)抗力明显低于板法向的变形抗力明显低于板法向的变形(bin xng)(bin xng)抗力。在抗力。在工程中工程中r r值来表示值来表示, ,其值越大,深冲性越好。其值越大,深冲性越好。 从图上可以看出,板材的织构是影响r r值的 主 要 因 素 。 板 材 的 - - 纤 维 织 构(|ND|ND,NDND为轧面法线(f xin)(f xin)方向)越强,其深冲性能越好。第33页/共84页第三十三页,共85页。34/932008年1月10日越强越好纤维(xinwi)(xinwi)纤维(xinwi)(xinwi)001001112112111111111111 板材中的织构与r r值有密切关系。大量(dling)(dling)研究表明,当板材多数晶粒111/111/轧面时可使板材的r r值提高,而当板材多数晶粒的100/100/轧面时可使板材的r r值降低。第34页/共84页第三十四页,共85页。35/932008年1月10日热轧钢(zh gng)卷冷轧连续(linx)退火产品(chnpn)酸洗电解清洗冷却加热惰性气体平整热轧热轧组织形变组织再结晶组织 IF钢生产工艺流程及组织示意图惰性气体第35页/共84页第三十五页,共85页。36/932008年1月10日生产生产(shngchn)的三个关键因素的三个关键因素形成强的形成强的111111退火织构,获得强的深退火织构,获得强的深冲性能。冲性能。获得足够粗大均匀的铁素体,以获得低获得足够粗大均匀的铁素体,以获得低的屈强比和高的加工硬化。的屈强比和高的加工硬化。控制控制(kngzh)(kngzh)第二相粒子析出第二相粒子析出, ,以控制以控制(kngzh)(kngzh)时效效应时效效应, ,改善塑性。改善塑性。第36页/共84页第三十六页,共85页。37/932008年1月10日IF钢的冷轧过程钢的冷轧过程(guchng)中织中织构的控制构的控制TDRD500mm01020304050600.0000.0050.0100.0150.0200.0250.0300.035 Relavie Frequency Misorientation angle (deg.) 相邻取向差分布基本接近完全再结晶的理想随机取向差分布曲线(qxin)(qxin),表明试样完全再结晶。第37页/共84页第三十七页,共85页。38/932008年1月10日热轧(r zh)态冷轧3030冷轧冷轧30时已形成时已形成(xngchng)一定量的一定量的纤维,而纤维,而纤维尚未完全形成纤维尚未完全形成(xngchng)。第38页/共84页第三十八页,共85页。39/932008年1月10日冷轧5050冷轧7070冷变形冷变形50时部分时部分纤维已形成纤维已形成(xngchng),纤维继续增加。纤维继续增加。 冷变形冷变形7080时时纤维显著增加,纤维显著增加,纤维增加缓慢纤维增加缓慢第39页/共84页第三十九页,共85页。40/932008年1月10日冷轧8080冷轧9090 冷变形(bin xng)90时纤维中111最强,纤维中001最强。第40页/共84页第四十页,共85页。41/932008年1月10日2.3 电工钢中的织构控制电工钢中的织构控制(kngzh) 低的铁损及强磁场下高的磁感应强度是硅钢十分重要的技低的铁损及强磁场下高的磁感应强度是硅钢十分重要的技术指标。由于硅铁单晶体的磁性术指标。由于硅铁单晶体的磁性(cxng)是各向异性的,其中是各向异性的,其中方向是最易磁化方向。因此,工业上往往追求电工钢板方向是最易磁化方向。因此,工业上往往追求电工钢板内各晶粒的内各晶粒的方向尽可能平行于板面。方向尽可能平行于板面。 对于取向电工钢人们希望获得强的对于取向电工钢人们希望获得强的Goss110 织构,织构,而对于无取向电工钢则希望得强的而对于无取向电工钢则希望得强的100 织构。织构。第41页/共84页第四十一页,共85页。42/932008年1月10日 为了获得极强的110110织构,在加工过程中每一道工序中均应注意控制晶粒的组织结构和取向分布的状态。尤其是连铸和热轧工序对于最终110110织构的生成具有重要的影响。 110 110织构初步形成于热轧之后,并在最终冷轧退火后的板材产品中占据了统治(tngzh)(tngzh)的地位。第42页/共84页第四十二页,共85页。43/932008年1月10日冷轧取向冷轧取向(q xin)电工钢的典型电工钢的典型生产工艺生产工艺第43页/共84页第四十三页,共85页。44/932008年1月10日硅硅钢钢生生产产(shngchn)的的织织构构控控制制第44页/共84页第四十四页,共85页。45/932008年1月10日AA3104铝合金特点铝合金特点(tdin)目前是世界上广泛目前是世界上广泛(gungfn)使用的罐料用铝合金。使用的罐料用铝合金。 Al-Mn-Mg系,具有强度(qingd)高、耐蚀性好、良好的深冲和变薄拉深性能。 要求:除满足一定的强度和塑性外,制耳率是一个主要技术指标。要求:除满足一定的强度和塑性外,制耳率是一个主要技术指标。2.4 饮料罐用饮料罐用AA3104铝合金织构控制铝合金织构控制第45页/共84页第四十五页,共85页。46/932008年1月10日生产的关键: 热轧产生(chnshng)的立方织构与随后冷轧织构(Brass, S和Copper)达到最优化,从而使制耳最小。CubeCube取向(q (q xin)xin)BrassBrass取向(q (q xin)xin)CopperCopper取向S S取向有限元模拟的结果第46页/共84页第四十六页,共85页。47/932008年1月10日1. 晶体学及织构基础晶体学及织构基础(jch)2. 工程材料工程材料(cilio)的织构控制的织构控制3. EBSD的原理的原理(yunl)及及应用应用4. EBSD数据处理演示数据处理演示第47页/共84页第四十七页,共85页。48/932008年1月10日材料微观分析材料微观分析(fnx)的三要素:形貌、成分、晶体结构的三要素:形貌、成分、晶体结构成分(chng fn):化学分析、扫描电镜中的能谱或电子探针、透射电镜中的能谱、能量损失谱晶体结构:X光衍射或中子衍射扫描电镜中的EBSD透射电镜中的电子衍射是近十年来材料微观是近十年来材料微观(wigun)分析技术最重要分析技术最重要的发展的发展第48页/共84页第四十八页,共85页。49/932008年1月10日 什么(shn me)是EBSD技术? Electron Back-Scattered Pattern Electron Back-Scattered Diffraction 电子背反射衍射技术简称EBSP或EBSD 装配在SEM上使用,一种显微(xin wi)表征技术 通过自动标定背散射衍射花样,测定大块样品表面(通常矩形区域内)的晶体微区取向第49页/共84页第四十九页,共85页。50/932008年1月10日EBSD set up第50页/共84页第五十页,共85页。51/932008年1月10日EBSPs的产生的产生(chnshng)条条件件 固体材料,且具有一定的微观结构特征晶体 电子束下无损坏变质 金属、矿物、陶瓷(toc) 导体、半导体、绝缘体 试样表面平整,无制样引入的应变层10s nm 足够强度的束流0.5-10nA 高灵敏度CCD相机 样品倾斜至一定角度(70度)样品极 靴CCD相机荧光屏第51页/共84页第五十一页,共85页。52/932008年1月10日EBSPs 的产生(chnshng)原理电子束轰击至样品表面电子撞击晶体中原子产生(chnshng)散射,这些散射电子由于撞击的晶面类型(指数、原子密度)不同在某些特定角度产生(chnshng)衍射效应,在空间产生(chnshng)衍射圆锥。几乎所有晶面都会形成各自的衍射圆锥,并向空间无限发散用荧光屏平面去截取这样一个个无限发散的衍射圆锥,就得到了一系列的菊池带。而截取菊池带的数量和宽度,与荧光屏大小和荧光屏距样品(衍射源)的远近有关荧光屏获取的电子信号被后面的高灵敏度CCD相机采集转换并显示出来第52页/共84页第五十二页,共85页。53/932008年1月10日硅样品硅样品(yngpn)晶面电子衍射菊池线示晶面电子衍射菊池线示意图意图 第53页/共84页第五十三页,共85页。54/932008年1月10日典型典型(dinxng)(dinxng)的的EBSPEBSP花花样样硅钢(gugng)(gugng)某一点的EBSPEBSP花样硅钢某点的标定(bio (bio dn)dn)结果第54页/共84页第五十四页,共85页。55/932008年1月10日不同晶体取向对应不同晶体取向对应(duyng)不同的不同的菊池花样菊池花样通过分析通过分析(fnx)EBSP花样我们可以反过来推出电子束照射点的晶体学取向花样我们可以反过来推出电子束照射点的晶体学取向(100)(100)(110)(111)第55页/共84页第五十五页,共85页。56/932008年1月10日EBSD如何(rh)工作?第56页/共84页第五十六页,共85页。57/932008年1月10日图像处理图像处理(t xin ch l)及菊池带识别及菊池带识别采集花样采集花样与数据库进行相与数据库进行相及取向的对比及取向的对比校对校对(jio du)并给出标定结并给出标定结果果输出输出(shch)相及取向结果相及取向结果一个完整的标定过程一个完整的标定过程取点取点第57页/共84页第五十七页,共85页。58/932008年1月10日 多点自动标定(bio dn)过程Collected EBSP ( +/- EDS data)Indexed EBSPPhase and orientationDetect bandsMove beam or stageSave data to fileMaximum cycle time currently 100 cycles/sec (sample/conditions dependent)第58页/共84页第五十八页,共85页。59/932008年1月10日两种扫描(somio)方式 电子束扫描 电子束移动,样品台不动 操作简单,速度快。 容易聚焦(jjio)不准 样品台扫描 电子束移动,样品台不动 可以大面积扫描 速度慢,步长1微米以上 第59页/共84页第五十九页,共85页。60/932008年1月10日扫描(somio)类型 点扫描(somio) 单个点的取向信息。 线扫描(somio) 得到一条线上的取向信息面扫描(somio) 可以得到取向成像图。 第60页/共84页第六十页,共85页。61/932008年1月10日面扫描模式面扫描模式第61页/共84页第六十一页,共85页。62/932008年1月10日相相空间空间(kngjin)坐标坐标取向取向(q xin)信息信息测量测量(cling)偏差偏差菊池带信息菊池带信息EBSD数据信息第62页/共84页第六十二页,共85页。63/932008年1月10日快速获得快速获得(hud)高质量的高质量的EBSD数据数据 样品制备样品制备 金属材料:电解抛光后立即观察。金属材料:电解抛光后立即观察。电镜及软件设置电镜及软件设置 工作距离:越小越好。工作距离:越小越好。 探测探测(tnc)距离:越近越好。距离:越近越好。 放大倍数:尽量大一些。放大倍数:尽量大一些。 步长:所测试的特征步长:所测试的特征(如晶粒直径如晶粒直径)的的1/101/5 数据处理数据处理 第63页/共84页第六十三页,共85页。64/932008年1月10日EBSD有哪些有哪些(nxi)具体分析功能具体分析功能第64页/共84页第六十四页,共85页。65/932008年1月10日 微观组织(zzh)结构(取向成像) 晶粒尺寸分析 织构分析 晶界特性分析 取向差分析 相鉴定及相分布 第65页/共84页第六十五页,共85页。66/932008年1月10日晶粒尺寸、形状晶粒尺寸、形状(xngzhun)分析分析第66页/共84页第六十六页,共85页。67/932008年1月10日镍基超合金中的孪晶(红色(hngs))晶界特性(txng)分析第67页/共84页第六十七页,共85页。68/932008年1月10日硅钢相邻点的取向(q xin)差分析第68页/共84页第六十八页,共85页。69/932008年1月10日合金钢中析出(xch)相的相鉴定第69页/共84页第六十九页,共85页。70/932008年1月10日双相钢中相的分布(fnb) 第70页/共84页第七十页,共85页。71/932008年1月10日配合能谱数据配合能谱数据(shj)进行未知相的鉴定进行未知相的鉴定 Acquire EBSPPhase Identified!Index第71页/共84页第七十一页,共85页。72/932008年1月10日 空间分辨率: approx. 10 nm 角度分辨率: 0.25 - 1 标定速率: 0.01 - 1s / point 样品制备: 电解抛光,离子(lz)减薄,腐蚀等EBSDEBSD技术技术(jsh)(jsh)特点:特点: 一种物相鉴定的新方法 标准的微区织构分析方法 具有大样品区域统计的特点 与能谱结合,可集成(j chn)分析显微形貌、成分和取向EBSDEBSD技术优势:技术优势:小 结 第72页/共84页第七十二页,共85页。73/932008年1月10日1. 晶体学及织构基础晶体学及织构基础(jch)2. 工程工程(gngchng)材料的织构材料的织构控制控制3. EBSD的原理的原理(yunl)及应及应用用4. EBSD数据处理演示数据处理演示第73页/共84页第七十三页,共85页。74/932008年1月10日CHANNEL 5 软件(run jin)介绍( )( )第74页/共84页第七十四页,共85页。75/932008年1月10日CHANNEL 5 Flamenco 数据采集(cij)与标定 Twist 生成标定所需的晶体结构文件 Project Manager 数据处理管理器 Tango 取向成像图 Mambo 极图 Salsa 取向分布函数图(ODF)第75页/共84页第七十五页,共85页。76/932008年1月10日CHANNEL 5TwistFlamenco第76页/共84页第七十六页,共85页。77/932008年1月10日CHANNEL 5Project ManagerMamboSalsaTango第77页/共84页第七十七页,共85页。78/932008年1月10日 常用取向(q xin)成像图方法 All Euler 全欧拉角 Band contrast 花样(huyng)质量图 Grain boudary 晶界图 Inverse Pole figure-反极图成像图第78页/共84页第七十八页,共85页。79/932008年1月10日全欧拉角取向全欧拉角取向(q xin)图图-All Euler30%CREuler角角(1 , , 2)定义定义(dngy): 1:0, 360, :0, 360, 2:0, 360, 缺点:缺点: (1)常常)常常(chngchng)会遇到颜色不同但取向相同的场合,甚至会出现取会遇到颜色不同但取向相同的场合,甚至会出现取 向突变的向突变的 假象;假象;(2)不能够精细显示出晶粒内部的取向变化。)不能够精细显示出晶粒内部的取向变化。第79页/共84页第七十九页,共85页。80/932008年1月10日相邻相邻(xin ln)取向差重构的取向图取向差重构的取向图方法方法(fngf): (1) 选定取向差的基准值选定取向差的基准值crit (2) 判断每点与周围各点取向差,若判断每点与周围各点取向差,若 crit则画出晶界则画出晶界 (3) 将所有大于设定值的界线连接起来形成晶界。将所有大于设定值的界线连接起来形成晶界。直接反映(fnyng)了微观组织结构晶体取向差的变化情况第80页/共84页第八十页,共85页。81/932008年1月10日花样质量花样质量(zhling)重构的取向图重构的取向图 反映(fnyng)了晶体的完整程度,衬度高表明晶体完整性好,反之,组织结构扭曲严重,其局部发生了塑性变形,以此间接反映(fnyng)微观组织结构。 第81页/共84页第八十一页,共85页。82/932008年1月10日数据演示数据演示 FCC、BCC取向取向(q xin)成像图分析成像图分析-Tango 极图及反极图极图及反极图 取向取向(q xin)分布函数分布函数第82页/共84页第八十二页,共85页。谢谢 谢谢 !第83页/共84页第八十三页,共85页。84/932008年1月10日感谢您的欣赏(xnshng)!第84页/共84页第八十四页,共85页。NoImage内容(nirng)总结1/93。这时样品坐标轴和晶体坐标轴重合。反极图:样品坐标系在晶体坐标系中的投影。(1)X射线法、中子衍射法。Cu及Cu基合金。冷变形50时部分纤维已形成,纤维继续增加。固体材料,且具有一定的微观结构特征晶体。试样表面平整,无制样引入的应变层10s nm。足够强度的束流0.5-10nA。不同晶体取向对应不同的菊池花样。相鉴定(jindng)及相分布。合金钢中析出相的相鉴定(jindng)。感谢您的欣赏第八十五页,共85页。
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