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真空镀膜技术专用词汇6.1 一般术语6.1.1 真空镀膜 vacuum coating :在处于真空下的基片上制取膜层的一种方法。6.1.2基片substrate:膜层承受体。6.1.3试验基片testing substrate:在镀膜开始、镀膜过程中或镀膜结束后用作测量和(或)试 验的基片。6.1.4镀膜材料coati ng material :用来制取膜层的原材料。6.1.5蒸发材料evaporation material :在真空蒸发中用来蒸发的镀膜材料。6.1.6溅射材料sputtering material :有真空溅射中用来溅射的镀膜材料。6.1.7膜层材料 (膜层材质 )film material :组成膜层的材料。6.1.8蒸发速率evaporation rate:在给定时间间隔内,蒸发出来的材料量,除以该时间间隔6.1.9溅射速率sputtering rate :在给定时间间隔内,溅射出来的材料量,除以该时间间隔。6.1.10沉积速率deposition rate:在给定时间间隔内,沉积在基片上的材料量,除以该时间间隔 和基片表面积。6.1.11镀膜角度coati ng an gle :入射到基片上的粒子方向与被镀表面法线之间的夹角。6.2 工艺6.2.1 真空蒸膜 vacuum evaporation coating :使镀膜材料蒸发的真空镀膜过程。6.2.1.1同时蒸发simultaneous evaporation :用数个蒸发器把各种蒸发材料同时蒸镀到基片上 的真空蒸发。6.2.1.2蒸发场蒸发evaporation field evaporation :由蒸发场同时蒸发的材料到基片上进行蒸镀 的真空蒸发 (此工艺应用于大面积蒸发以获得到理想的膜厚分布)。6.2.1.3反应性真空蒸发reactive vacuum evaporation :通过与气体反应获得理想化学成分的膜 层材料的真空蒸发。6.2.1.4蒸发器中的反应性真空蒸发 reactive vacuum evaporation in evaporator :与蒸发器中各 种蒸发材料反应 ,而获得理想化学成分膜层材料的真空蒸发。6.2.1.5 直接加热的蒸发 direct heating evaporation :蒸发材料蒸发所必须的热量是对蒸发材料 (在坩埚中或不用坩埚 )本身加热的蒸发。6.2.1.6感应加热蒸发 induced heating evaporation :蒸发材料通过感应涡流加热的蒸发。6.2.1.7电子束蒸发electron beam evaporation :通过电子轰击使蒸发材料加热的蒸发。6.2.1.8激光束蒸发laser beam evaporation:通过激光束加热蒸发材料的蒸发。6.2.1.9间接加热的蒸发in direct heat ing evaporation :在加热装置(例如小舟形蒸发器,坩埚,灯 丝,加热板 ,加热棒,螺旋线圈等 )中使蒸发材料获得蒸发所必须的热量并通过热传导或热辐射 方式传递给蒸发材料的蒸发。6.2.1.10闪蒸flash evaportion :将极少量的蒸发材料间断地做瞬时的蒸发。6.2.2真空溅射vacuum sputtering :在真空中,惰性气体离子从靶表面上轰击出原子(分子)或原子团的过程。6.2.2.1 反应性真空溅射 reactive vacuum sputtering :通过与气体的反应获得理想化学成分的 膜层材料的真空溅射。6.222偏压溅射bias sputtering :在溅射过程中,将偏压施加于基片以及膜层的溅射。6.2.2.3 直流二级溅射 direct current diode sputtering :通过二个电极间的直流电压,使气体自 持放电并把靶作为阴极的溅射。6.2.2.4 非对称性交流溅射 asymmtric alternate current sputtering :通过二个电极间的非对称性 交流电压,使气体自持放电并把靶作为吸收较大正离子流的电极。6.2.2.5高频二极溅射 high frequency diode sputtering :通过二个电极间的高频电压获得高频放 电而使靶极获得负电位的溅射。6.2.2.6 热阴极直流溅射(三极型溅射) hot cathode direct current sputtering :借助于热阴极和 阳极获得非自持气体放电,气体放电所产生的离子,由在阳极和阴极(靶)之间所施加的电 压加速而轰击靶的溅射。6.2.2.7 热阴极高频溅射(三极型溅射) hot cathode high frequency sputtering :借助于热阴极 和阳极获得非自持气体放电, 气体放电产生的离子, 在靶表面负电位的作用下加速而轰击靶 的溅射。6.228离子束溅射ion beam sputtering :利用特殊的离子源获得的离子束使靶的溅射。6.229辉光放电清洗glow discharge cleaning :利用辉光放电原理,使基片以及膜层表面经受气体放电轰击的清洗过程。6.2 .3物理气相沉积; PVD physical vapor deposition :在真空状态下,镀膜材料经蒸发或溅射 等物理方法气化,沉积到基片上的一种制取膜层的方法。6.2.4化学气相沉积;CVD chemical vapor deposition :一定化学配比的反应气体,在特定激 活条件下(通常是一定高的温度) ,通过气相化学反应生成新的膜层材料沉积到基片上制取 膜层的一种方法。6.2.5磁控溅射 magnetron sputtering :借助于靶表面上形成的正交电磁场, 把二次电子束缚在 靶表面特定区域,来增强电离效率, 增加离子密度和能量,因而可在低电压,大电流下取得 很高溅射速率。6.2.6 等离子体化学气相沉积; PCVD plasma chemistry vapor deposition :通过放电产生的等 离子体促进气相化学反应,在低温下,在基片上制取膜层的一种方法。6.2.7 空心阴极离子镀 HCD hollow cathode discharge deposition : 利用空心阴极发射大量的电子束, 使坩埚内镀膜材料蒸发并电离,在基片上的负偏压作用下,离子具有较大能量, 沉积在基片表面上的一种镀膜方法。6.2.8 电弧离子镀 arc discharge deposition :以镀膜材料作为靶极,借助于触发装置,使靶表 面产生弧光放电, 镀膜材料在电弧作用下, 产生无熔池蒸发并沉积在基片上的一种镀膜方法。6.3 专用部件6.3.1镀膜室coating chamber:真空镀膜设备中实施实际镀膜过程的部件6.3.2蒸发器装置evaporator device:真空镀膜设备中包括蒸发器和全部为其工作所需要的装 置(例如电能供给、供料和冷却装置等)在内的部件。6.3.3蒸发器evaporator :蒸发直接在其内进行蒸发的装置,例如小舟形蒸发器,坩埚,灯丝,加热板,加热棒 ,螺旋线圈等等 ,必要时还包括蒸发材料本身。6.3.4直接加热式蒸发器 evaporator by direct heat :蒸发材料本身被加热的蒸发器。6.3.5间接加热式蒸发器 evaporator by indirect heat :蒸发材料通过热传导或热辐射被加热的蒸发器。6.3.6 蒸发场 evaporation field :由数个排列的蒸发器加热相同蒸发材料形成的场。6.3.7 溅射装置 sputtering device :包括靶和溅射所必要的辅助装置(例如供电装置 ,气体导入装置等 )在内的真空溅射设备的部件。638靶target:用粒子轰击的面。本标准中靶的意义就是溅射装置中由溅射材料所组成的电 极。6.3.9挡板shutter:用来在时间上和(或)空间上限制镀膜并借此能达到一定膜厚分布的装置。 挡板可以是固定的也可以是活动的。6.3.10时控挡板 timing shutter :在时间上能用来限制镀膜 ,因此从镀膜的开始、 中断到结束都 能按规定时刻进行的装置。6.3.11掩膜mask:用来遮盖部分基片,在空间上能限制镀膜的装置。6.3.12基片支架substrate holder:可直接夹持基片的装置,例如夹持装置,框架和类似的夹持器 具。6.3.13夹紧装置clamp :在镀膜设备中用或不用基片支架支承一个基片或几个基片的装置 例如夹盘 ,夹鼓,球形夹罩 ,夹篮等。夹紧装置可以是固定的或活动的(旋转架,行星齿轮系等 )。6.3.14换向装置reversing device :在真空镀膜设备中,不打开设备能将基片、试验玻璃或掩膜放到理想位置上的装置 (基片换向器 ,试验玻璃换向器 ,掩膜换向器 )。6.3.15基片加热装置substrate heating device:在真空镀膜设备中,通过加热能使一个基片或几 个基片达到理想温度的装置。6.3.16基片冷却装置 substrate colding device :在真空镀膜设备中,通过冷却能使一个基片或几 个基片达到理想温度的装置。6.4 真空镀膜设备6.4.1真空镀膜设备 vacuum coati ng pla nt :在真空状态下制取膜层的设备。6.4.1.1真空蒸发镀膜设备 vacuum evaporation coating plant :借助于蒸发进行真空镀膜的设 备。6.4.1.2真空溅射镀膜设备 vacuum sputteri ng coati ng pla nt:借助于真空溅射进行真空镀膜的 设备。6.4.2 连续镀膜设备 continuous coating plant :被镀膜物件(单件或带材)连续地从大气压经 过压力梯段进入到一个或数个镀膜室, 再经过相应的压力梯段, 继续离开设备的连续式镀膜 设备。6.4.3半连续镀膜设备semi- continuous coating plant :被镀物件通过闸门送进镀膜室并从镀膜 室取出的真空镀膜设备。
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