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第四章 阻抗型传感器4 .1电阻式传感器4.1.1电位器式传感器 一、组成原理电阻器组成直线形园弧形r把位移x转换为电阻知滑臂I把位移/转换为电压口乂入、输入一输出特性1 .线性特性一一线性电位器RxUx式中L触点行程线位移 角位移2,非线性特性一一非线性电位器Rx = f(x)非线性函数Ux =( f(x)三、结构形式线性电位器图412线绕电位器L接触式L非线性电位器图412(b)非线绕电位器图4412 .非接触式一一光电电位器图412 (c)五、用途：测量位移；测量可转化为位移的其他非电量4.1.2 电阻式应变传感器和固态压阻式传感器一、电阻式应变传感器(一)电阻应变效应应变使电阻变化1.应变：图4-1-3纵向线应变E=dl/l , dr /r 横向线应为dr / r = -卜6N = 泊松比dr /ldr面应变 dA/A=2- -2匕:rdl dA体应变 dV /V =一二(1 - 2口)；L A2 .导体电阻及其变化dR dL dA=（1 2）；.与金属材料di =cdv =c（l_2）；P vd i一一半导体材料 d -二E ； 二一一压阻系数E弹性模量PR ，3 .应变效应表达式： =Ko ；Ro.旧/ R0Ko =0 （应变材料的灵敏系数）：金属材料K0 =（1 2） c（1 -2）1 2口 约1.02半导体材料 K0 =（1+2N）+nE *nE约50100（二）电阻应变片1、组成结构图 4-1-4丝式应变片金属应变片箔式应为片2.分类薄膜应变片L半导体应变片3、安装一一粘贴在试件表面（应使应变片轴向与所测应变方向一致）4、应变片灵敏系数一一应变片电阻相对变化与粘贴处试件表面应变之比_2RZRK -ZR .X ky；y=kx（1-H）；x = k；x& 一一试件表面纵向线应变；y 试件表面横向线应变;二-；0）kx 纵向灵敏系数， ky 横向灵敏系数H = ky/kx 横向效应系数应变片灵敏系数小于应变电阻材料灵敏系数k = kx （1，：工H） : kx ： k05、温度误差的产生及危害1）温度误差产生原因应变电阻随温度变化Rt.R/R0Rt. = R0（1 ： - =t） = ： t 二=:=一 tR0- K K试件材料与应变法的线膨胀系数不一致Lst=l0（1 Lgt =l0（1 -g：t） l =lgt -1st =lo（g - s）. t述=Y- =C-g - ： s），t102）温度误差的危害一一产生应变测量误差即“虚假视应变”温度变化产生的应变片电阻的相对变化可折算成的“虚假视应变”为.二二 注:丁 :t - （ - g - -s） -t = （-g - -s） ”kk二、固态压阻式传感器,一,，”,1, 一、， d P（一）半导体压阻效应一一应力仃使半导体电阻率变化=naP（二）固态电阻式传感器特点：在半导体硅材料基底上制成扩散电阻，作为测量传感元件，优点：无须粘贴，便于传感器的集成化缺点：易受温度影响。4.1.3热电阻和热敏电阻一、热电阻一一金属电阻1 .电阻一一温度特性t tR（正温度特性）近似公式：Rt = Ro(1 ： t -t2 ct3)般at Pt2 ct3故Rt忠R0 (1+at)近似线性电阻温度系数0百度电阻比:取（100”反一1哂时电阻 &nc时电阻R0般为100 a、50两种分度表一一温度t与电阻阻值Rt的对照数据表。2 .对热电阻材料的要求 温度特性的线性度好 温度系数大且稳定 电阻率大物理化学性能稳定3 .常用热电阻W (100) 钳电阻1.391铜电阻1.425、热敏电阻一一半导体电阻1、类型图4-1-7 PTC CTC NTC测温范围价格-200 650昂贵-50 150低廉温度系数高 低差 高Positive temperature coefficient critical temperature coefficient negative temperature coefficientNTC一一常用于温度测量和温度补偿 PTC、CTC一一常用作开关元件2 .结构及符号一一图4-1-83 . NTC热敏电阻电阻一一温度特性B(-)T TodR/RdT1 dRR dT因为dR 口而二 ReB(TT。=R(结论：1温度系数比热电阻大几十倍非线性比热电阻严重dR/R所以：-=dTBT2伏安特性一一图4-1-10应根据允许功能确定电流4.1.4 气敏电阻一、工作原理半导体陶瓷与气体接触时电阻发生变化；接触氧化性气体，电阻T接触还原性气体，电阻J浓度越大，电阻变化越大用途：气体识别，浓度检测二、材料与组成1 .材料SnO2应用最广2 .组成气敏电阻体加热器3 .电路符号图41 17旁热式图4-1- 17(a)(b)直热式图4-1- 17(c)4.1.5 湿敏电阻一、氯化化锂湿敏电阻是利用吸湿性盐类潮解，离子导电率发生变化而制成的测湿元件。氯化锂溶液的当量电导随着溶液浓度的增高而下降。环境的相对湿度高，氯化锂溶液将因吸收水份而浓度降低；反之，环境的相对湿度低,锂湿敏电阻的阻值将随环境相对湿度的改变而变化,则氯化锂溶液的浓度就高。因此，氯化 从而实现了湿度的测量。二、半寸瓦湿敏电阻特性的结构1 .湿敏特性正特性湿度T -电阻T负特性湿度T-电阻J2 .典型结构烧结型涂复膜型正湿敏特性负湿敏特性三、高分子膜湿敏电阻是采用人工合成的有机高分子膜作为湿敏材料的电阻式湿度传感器(1)碳湿敏电阻(2)聚苯乙烯磺酸锂湿敏电阻4.1.6 电阻传感器接口电路一、电桥电路(一)惠斯顿电桥图4 -1-1 41、类型f直流电桥直流电源供电的电桥，只能接入电阻)交流电桥段变电源供电的电桥，可接入电阻、电感、电容)2、电桥开路输出电压:恒压源供电时 U =EZ40 +Z2 Z3 +Z4JLZ1Z3 -Z2Z4二 E(Z1 Z2)(Z3 - Z4)恒流源供电时 U =I乙Z3 -Z2Z4(乙 Z2 Z3Z4)4-1-1中AR表示被测非电传感器电桥的工作情况图 4-1-15(a)恒压源供电恒流源供电E RRT乙二 R RRTR RT1T2RU J ( RRT)41R RT1 -T4R表4-1-1列出了这几种情况下电桥输出电压的计算公式。表量x引起的传感器电阻的变化，RT表示温度引起的传感器电阻的变化，e表示不考虑温度影响时的非线性误差。表4-1-1传感器电桥几种工作情况的对比Z2 =Z3 =Z4 =R图 4-1-15 (b)乙=Z3 = R 十 AR + ARTZ2 =Z4 =RE R U =21 AR e =2 R1+ ART1R AR+ART1 +I1U AR+ART)2、AR + ART2R2R1 ARe =-2 R图 4-1-15(c)乙=R + AR + ARtZ2 = R - AR + ARtZ3 =Z4 =Ru=E勺2 Re = 0t 1ART1 +- RI1U =-AR2ART1 +-2Re = 0图 4-1-15 (d)乙=Z3 = R + AR+ ARTZ2 =Z4 = R-AR+ARTRU =ERe = 011+竺L RU = IARe= 0Zi =R +AR(i =123,4)当AR R时U RzU=E 4U -U e U组型十型空4、 、R1 R2 R4 - R4 ,1便L库的+至、 2 1RR2 R4 R4 j3、几点结论：1）由于温度引起的电阻变化是相同的，因此，如果电阻传感器接在电桥的相邻两臂,温度引起的电阻变化将相互抵消，其影响将减小或消除；2）被测非电量若使两电阻传感器的电阻变化符号相同，则应将这两电阻传感器接在电桥的相对两臂，但是这只能提高电桥输出电压，并不能减小温度变化的影响和非线性误差。3）被测非电量若使两电阻传感器的电阻变化符号相反，则应将这两电阻传感器接在电桥的相邻两臂，即构成差动电桥，这既能提高电桥输出电压， 又能减小温度变化的影响和非 线性误差。4）恒流源供电时单臂电桥和差动半桥的温度误差都比恒压源供电时小，恒流源供电 时差动全桥在理论上无温度误差。4、应变电桥将四个电阻应变片接入图4-1 14（a）电路构成应变电桥。设这四个应变片的型号相同，粘贴处的应变分别为 曾，% , %, %,因应变电阻的变化 &Ri Ri ,故应变电桥的输出电 压近似为E RiR2R3R4U U =- 4 R1R2R4R4将(4 1 19)式即 Ri= ka,(i =1,2,3,4)代入上式得.kEU ： U1 - ；2 . ；3 - ；44例题4 1 采用上下两个如图4 1 1 (b)所示的电位器式传感器， 构成一个圆形电桥 电路。随转动轴转动的绝缘连杆的两端装有电位器的滑臂且作为电压输出端。两电位器的连接端作为电桥电源端。设电位器的电阻为 R,其圆弧长为L,圆弧半径为r,即绝缘连杆长 2r。试导出电桥输出电压与转角的关系式。解：圆形电桥电路如图 T41所示。其等效电路如图 41 15所示，图 T 一 4一 1Uo =U(R0R2RoRo - R -2Ro)=U二 rx aL 90a测量范围为士 P/2(二)有源电桥一一电桥输出电压U与传感器电阻相对变化9R成线性关系Re ,E R图 4 一 11 6(a) U 0 =-2 RR图 4 1 1 6(b) Uo = E R04- 1-1 6(c) U0=.E2 R Ix T注意：1不能使用电压表，因电压表内阻r很大，电压表读数为U 0 = 3UrRi+R2 + Rx3V几乎不随湿度改变Ri R2 Rx r2湿敏电阻必须用交流式换向直流供电，不能用单向电流供电四、电阻一频率转换电路将电阻传感器的电阻作为RC正弦振荡器或RC方波发生器中的电阻， 通过测量产生的正弦波或方波频率或周期，就可测得引起传感器电阻变化的非电量。、 r 1R2 R5 Rx图19 （a）为正弦型 f = I2二，RR2（R5 Rx）CG图4 1 19(b)为方波型T11 一=2RxC In f1 -二= 2RxCInR1R1R24 .2电容式传感器4.2.1 基本原理与结构类型4.2电容式传感器4.2.1 原理与结构类型一、原理1.平行平面电容 S单层介质C = s极板覆盖面积ds多层介质C =sd1d2dsT I ；1；2飞2.平行曲面形（同轴圆筒形）电容2 二；LC = L覆盖长度In(R/r)L(R r) 2二 Lr ；当(R r) -二 r 时，C-R -rx0时，In x展成n级数，取第一项,R -rx -1RIn x = 2，令x =一,所以ln(R/r)R r r2(R -r) R -r二、结构类型:变极距、变面积、变介质4.2.2 输入一输出特性一、变极距型1、单一式图 4-2-1 (a)初始时c0s/d0动极板上移：d c =do - ddo(1- d)doCoFdo2、差动式图4-2-1 (b)Ld /(1-1)dC2 = co /(1 ) doG - C2GC2d1di d2 / r二、变面积型1.线位移式：单一式 图4-2-2 (a)初始时；bc =Co = 一dlo移动 * 后 C=由。0 一)=Co(1 do差动式lC1 =Co(1)C2 =Co(1 )l o2.角位移式(差动结构)扇形结构一一图 4-2-3 (a)s初如时C1 = C2 = Co = d；二(R2d)二。2 二(R22d一2) ：o转动口后a0 0:/c1 -c2C2=C0(1 + ) 所以1一2：. 0Cl C2柱面形结构 三、变介质型（差动式）图 4-2-3 (b)图 4-2-4公式同上初始时C1 = C2 = C0( ；0，二)2d；ob(-l)；b(l - l)介质(名)块右移 Al时 g =2+2ddlb /、 b ：l /、所以 C1（ ；0 一 二）（ ；0 -；）2ddlb21；o -、(；o)(1 )=Co (12dl o ；2 ： l ；o - ；所以C2 = Co （1 -）l ；o .；G；0 - 1 2 l 1 - r 2 l所以 = = -C1c2工，工 l 1T l4.2.3 等效电路分析图 4-2-5一、等效电路Rp等一并联损耗电阻Rs等一引线电阻L等一引线电感二、引线电感的影响11等效电谷 =j L -j -Cej -C两边同乘 jcoc 所以 9=1CO2LCCe =CCe1 - LcdCedC 1CeC 1=X = X .2. 2 .Ce c 1 - LcCec 1 - Lc22证明：因 0=生=0=()=(1-0 LC)；(CT L)=1221 - Lc dc1 - Lc (1 - Lc)(1 - - Lc)所以,1.dce =；r dce (1 - 2Lc)2dcedc 1 - 2Lc dc 1=X =XCe(1 - 2Lc)2c c 1 - 2Lc111结论：1、激励频率f f0= 通常f ()f02 二. Lc232、每当改变激励频率或更换连接电缆时须重新进行标定。4.2.4接口电路一、比例运算电路1、恒电流激励电路4 2 6 ( a).Co Uo - -U E0应用于单一变极距式电容传感器2、恒电压激励电路4 2 6 ( b)应用于变面积式和变介质式电容传感器dUo=-Ue 1- - doAdUo=_Ue 1- do lU o = -U E 1 - ；lo3、恒电压激励差动电路4 2 6(c)U=UE 吐C Co应用于变面积差动式电容传感器 AaU o = -2U e ：o二、交流电桥1、电阻平衡臂电桥 图4 -2-7 (a)2、变压器电桥图4 -2-7 ( b)开路(ZL-8时)输出电压都为* Z2 E EZ2-Z1U o 二 E 一 二Z1Z222 Z1 Z2Z1和Z2若为两个电容传感器，则Uo = C1 C22 C1c2、，一，E d应用于变极距差动式电容传感器Uo =-2 do三、差动脉冲调宽电路图4 一 2 81、RC电路的微分方程dUf.% Ri + ttq - RCr +鬼T1F /didt此一阶微分方程的解为-f/r=%(8)+%(0)-%3*RC电路的时间常数工二尺G当Ui从0跳变到高电平 Uoh后，Uo(0) =0,Uo(g)=UH ,代入上式得U0=Uoh(1 e,)，U0从0上升到Ur的时间为U ohU ohT = InRCln U oh UrU oh Ur2、差动电容脉冲调宽电路的工作过程图4 2 8中，Ci和C2为差动电容传感器的两个电容。双稳态触发器两端分别输出 高电平Uoh和低电平零。当Q端从零跳变到Uoh Q端从Uh跳变到0时，C2通过D2迅速放电到0, Uoh通过Ri对Ci充电。在C1充电达到UR时，比较器发生跳变，使触发器 翻转。于是C2开始通过R2充电，而C1则通过D1放电，重复上面的同一过程。这样 Q端 和Q端就形成了宽度分别为 Ti和T2的方波：UeT1 =RC11nE，Ue -UrT2 = R2c2 InUeUe -UrQ端和Q端的输出，是幅值f。二 -工T2图4 2 9为几个主要点的波形图。由图可见在为Uoh而宽度分别为Ti和T2的方波，方波基波频率f。为12RC0ln UEUe -UrQ端与Q端间的差模电压经低通滤波后，输出电压为U 0 =Uab = Ue 12T1T2取 R=R将(4 2 29)、(4 2 30)式代入(42 31)式得C1 -C2Uo =Uab =Ue-_2C1C2将(4 2- 9 )式代入(4 2-32)式得Uo =Ue.：ddo3、低通滤波器截止频率 fh的选择为了使输出电压。为方波电压gB的平均值，必须滤去方波基波及其谐波只保留其直流分量,为此，要求fh fo。在fh fx o为同时满足这然，低通滤波器应允许频率为f x的被测非电信号通过,两方面的要求，一般选取, fo,fh=(35)fx四、二极管环形电桥图 4-2-10流经电流表M的瞬时电流的平均值为=f(E2 -Ei)(Cx - Co)4.3电感式传感器4.3.1 自感式传感器一、工作原理活动街铁1、组成：铁芯线圈2、自感RmRm = Rf RCIfc 2、RfF r,F因为 FRf Rd，所以 Rm 片 RdN2 丫RmR、n2%a2Rm变化一 L变化6变化一 L变化A变化一 L变化N变化一 L变化3、原理：被测量变化一类型：1、变所隙式2、变面积式3、螺管插铁式、输入一一输出特性1.变气隙式单一式图4-3-1 (a)N2oA N2oA Lo2(0,/2、0(1三二。Q o差动式图4-3-2 (a) 6Li =L0/(1 )-o、L2 - L0 /(1 _)- 0L2 - Li二L1 L2。02.变面积式单一式图仔四嚼+阿”1+/差动式图4-3-2 (b)a、Li = Lo(1 ) aoL2：a L0(1) a0L2 - L1; aL1 L2ao3.螺管插铁式单一式图4-3-1 (c)未插入衔铁时,二 r20N22rx插入衔铁后，L = Lo1 (-1)2 - r l差动式图4-3-2 (c)初始时，衔铁居中2L1 = L2 = Lo = Lo1(r -1)= 0r l衔铁右移-x , L12= L1 (,-1)与-rL22,rcxo= Lo1 (r -1)2 r二-L2，-1)(rc)2 rL1L21 (r -1)4)2r-ol-oj Le、等效电路一一图43-3所以 LedLedL/L- = d 2 -Le1 Lc1结论：1、激励频率f fo 二一一取最佳激励频率值品质因数最高。2 二、.Lc2、更换连接电缆时，须重新进行校准。四、接口电路1、变压器电桥E _ EZ2-Z1 EL2- L12 一万Z1 Z2万L1 L2、鹏、r1 .单一式 L2=Lo (固定电感)L1=Lx= Lo/(1 + )(自感式传感命)、 0Uo5 2x4 三/(1二)2 LoLx4 、o 2、o 62.差动式：L1 = Lo/(1 ) 二 oL2-Lo /(1 丝：；oUo结论：1、差动式比单一式灵敏度提高一倍2、差动式可消除非线性2、带相敏整流的交流电桥一一图4-3-4采用变压器电桥只能判别位移的大小，不能判别位移的方向；采用带相敏整流的交流电桥既能判别位移的大小，又能判别位移的方向。(a)(b)图4-34中R1 = R2 = R为平衡电阻。在交流电源Us的正半周， U S o即U A U B,图4-3-4中二极管D1和D4导通，D2和D3截止，图4-3-4等效为上图(a),由图可见,U CD=U SRZ2 + R.,在Us的负半周,US 0dUA 0o因此由式（1）和（2）都可得，UCD 0o同理，当Zi Z2时，由式（1）和（2）都可得，UcD 0。差动式变气隙型自感传感器接入图4-3-4, Z1 = joL1,Z2 = jcoL2 0 由(438)和（439）可见，当衔铁上移时 L1LoL21 -0L0 ,即 Z1 A Z2 , U CD 0oCD单向脉动电压U cd经过阻容滤波后得到直流输出电压Ugo Uo的正负决定于衔铁位移的方向，Ug的大小决定于衔铁位移的大小。3、差动电感脉冲调宽电路图4 31、LR电路的微分方程LLI 31o 11 q一 4板R dt 0dt此一阶微分方程的解为% = %（8）+ 上式0） 一 %（8）?-r RL电路的时间常数工=A/K,当Ui从0跳变到高电平Uoh后,Uo (0) = O,Uo( ) = Uoh，代入上式得Uo（t） =Uoh（1 e*/，Uo从0上升到Ur的时间为U OHL U OHT = ln = InU OH -UR R U OH -UR2、差动电感脉冲调宽电路的工作过程图4 35中，Li和L2为差动电感传感器的两个电感。双稳态触发器两端分别输出高电平U OH和低电平零。当 Q端从零跳变到UOH而Q端从UOH跳变到0后，流过LiRi的电 流逐渐上升，L2电流通过D2迅速泄放到0使R2电压迅速下降到0。在LiRi的电流上升到 使R1电压达到UR时，比较器发生跳变，使触发器翻转。于是流过L2R2的电流逐渐上升，Li 电流通过Di迅速泄放到0,重复上面的同一过程。这样Q端和Q端就形成了宽度分别为 Ti和T2的方波：LiU OHlnRiU OH -U RT2 =L2R2lnU OHU oh UrQ端与Q端间的差模电压经低通滤波后，输出电压为U 0 = U AB = U OH取旦二艮将Ti、T2式代入上式得U 0 = U AB = U OHLi L2LiL24.3.2互感式传感器 一、互感与自感电线圈Ni电流Ii产生的磁通2i如穿过线圈N2的部分自感Ni iiLi =i互感 MiiN2 2i2iiiU2i一 d 2i 一-一 N 2M 2idtdii dt所以U2i -j M2i Ii紧耦合时42i =*ii所以M 2i = LiN2Ni、互感式传感器（差动变压器）组成原理f变压器铁心线圈1.组成，I活动衔铁初级线圈-同向连接I次级线圈-反向连接差动变压器也有变气隙式、变面积式为螺管式三种类型。2.差动变压器输出特性（以图4 - 3- 8所示口型铁芯的变气隙型差动变压器为例来推导）N1 =N1N2 - N2-.I = . p .,：、2 = . . 0 -所以 Li = Lo /(1 )L2 = Lo /(1 - )J。二。M1M2ML2N2Ni-L2N2.U。=U21 U22(M1 -M2)I1 - j (M2 -M1)I1N2=8-L1)I1N1I1 = U E /(12j L1 j L2)Ue1j (L2 L) 1 . 1 jQQ（L12）1 r2L。电（.1r。=2 = r。,初始时 L = L2 = L。）所以u。=UeN2L2 - L1L2 L1/(1言=UeN2N1N2N11 j 1二 _J_Q。1, Q2结论：U。中包含同相分量和正交分量Uo二UeN-1r。2（J. r当与 时LoU o -UeN2:Lor。N2N?二1、反串电路一一图4 36U 2 = U 21 - U 222、桥路图4 3-101 .U2 (U 21 U22)-U222电位器用于输出调零1.2(U21-U22)3、差动整流电路一一图4-3-11全波整流半波整流电流输出图 4-3-11 (a)图 4-3-11 (b)电压输出图 4-3-11图 4-3-11(c)(d)差动输出I ab = I1 - I 2Uab =Uac-U bc注意点：1、整流二极管方向与输出电流方向一致2、电位器用于输出调零4.3.4电涡流传感器一、电涡流效应1 .电涡流的产生：成块金属置于交变磁场中在固定磁场中运动，金属导体内产生环形感应电流一一电“涡流”2 .电涡流的强度与分布强度 I2 = I11. 1图 4-3-12 (b)分布区域 图 4-3-13在金属导体靠近激励线圈一侧的表面环形区域2r=0.525D2R=1.3aDr当 co 时 U 0 = U E Lo3继续增加到超过某一数值时(该值视铁心材料而异)，由于导线趋肤效应和铁损等影响而使灵敏度下降。灵敏度频率特性如图4 3-9所示。 结论：应选取合适的较高的激励频率，以保持灵敏度不变。三、接口电路XTJo一一表层涡流密度Jh一一h深处涡流密度3.电涡流作用方式一一图4-3-14反射方式一一涡流环产生的磁场抵消一部分原激励磁场透射方式一一涡流环产生的磁场在另一侧线圈中产生感应电压灵、高频反射式涡流传感器一一图4-3-151 .组成：传感器线圈、被测金属导体2 .等效电路分析L1无金属块时 Z1 = R1 j L1Q0 二R有金属块时，电路方程I1(R j L1) - j MI 2 =U1I2(R2 j L2) - j MI1 =0所以I2/I1 = j M /(R2 j L2) U,Ic传感器等效阻抗Z1- -(R1 j L1) - j M -2= (R1 j L1) - j Mj MR2j L2= (Ri j Li)22 MR2j L2=R1j L122- MT2 2. 2R2 L2(R2 - j L2)所以2M 2R*R2LLL = L1 - L22M 2R；2L2Q = fL/RRR1LL 1QQo1111N影响L2）Z）随该被测结论：Z、R、L、Q均与x、P、N、8有关（因x影响M, P影响R23 .工作原理：被测参数使一个参数如x（其余参数不变）可使L （或Q,或参数变化4 .应用：5 以x作变量一一测位移，厚度，振动，转速6 以P作变量一一测温度，判别材质，探测金属7 。以N作变量一一侧应力，硬度8 以x、p、N作变量 探伤三、低频透射式涡流传感器1.组成：传感器线圈：（发射线圈、接收线圈）位于金属导体两侧 被测金属导体2,原理：U2 =KU1 e/hU1 交流稳压电源通过测量6确定金属数厚度d因为 h=.，二f二i KU1二f所以 ln = d /h = dU2:结论：6随d、f增大而下降3.激励频率f的选择（f应保持恒定）图4 3-171为使U2与d接近线性关系，f应选低些（约1KH2）2测薄板时，f应选高些3 P较小，f应选低些P较大，f应选高些四、测量电路1、电桥电路图4-3-18差动式涡流传感器采用电桥电路，电桥的输出与被测位移（或距离）成比例。2、定频调幅测量电路图4-3-19传感器线圈与电容组成 LC并联谐振回路。输出电压的变化来表示传感器与被测导体间 距离的变化3、调频测量电路图4-3-20将传感器线圈接入电容三点式振荡回路。振荡器频率的变化是距离的非线性函数。
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