第9章《电工电子技术》课件

,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,第9章,常用半,导,导体器,件,件,本章学,习,习要点,半导体,基,基础知,识,识,半导体,二,二极管,半导体,三,三极管,场效应,晶,晶体管,本章小,结,结,9.1,半,半,导,导体基,础,础知识,9.1.1,半,半导,体,体的基,本,本特性,根据导,电,电性能,的,的不同,，,，自然,界,界的物,质,质大体,可,可分为,导,导体、,绝,绝缘体,和,和半导,体,体三大,类,类。其,中,中，容,易,易导电,、,、电阻,率,率小于10,-4,cm的物,质,质称为导体，如铜,、,、铝、,银,银等金,属,属材料,；,；很难,导,导电、,电,电阻率,大,大于10,4,cm的物,质,质称为绝缘体，如塑,料,料、橡,胶,胶、陶,瓷,瓷等材,料,料；导,电,电能力,介,介于导,体,体和绝,缘,缘体之,间,间的物,质,质称为半导体，如硅,、,、锗、,硒,硒及大,多,多数金,属,属氧化,物,物和硫,化,化物等,。,。,半导体,之,之所以,被,被作为,制,制造电,子,子器件,的,的主要,材,材料在,于,于它具,有,有热敏,性,性、光,敏,敏性和,掺,掺杂性,。,。,热敏性,：,：是指半,导,导体的,导,导电能,力,力随着,温,温度的,升,升高而,迅,迅速增,加,加的特,性,性。利,用,用这种,特,特性可,制,制成各,种,种热敏,元,元件，,如,如热敏,电,电阻等,。,。,光敏性,：,：是指半,导,导体的,导,导电能,力,力随光,照,照的变,化,化有显,著,著改变,的,的特性,。,。利用,这,这种特,性,性可制,成,成光电,二,二极管,、,、光电,三,三极管,和,和光敏,电,电阻等,。,。,掺杂性,：,：是指半,导,导体的,导,导电能,力,力因掺,入,入微量,杂,杂质而,发,发生很,大,大变化,的,的特性,。,。利用,这,这种特,性,性可制,成,成二极,管,管、三,极,极管和,场,场效应,管,管等。,9.1.2,本,本征,半,半导体,和,和杂质,半,半导体,1本,征,征半导,体,体,本征半,导,导体是,指,指完全,纯,纯净的,、,、具有,晶,晶体结,构,构的半,导,导体。,在电子,器,器件中,，,，用得,最,最多的,半,半导体,材,材料是,硅,硅和锗,。,。将锗,和,和硅材,料,料提纯,并,并形成,单,单晶体,后,后，所,有,有原子,便,便基本,上,上整齐,排,排列了,，,，其平,面,面示意,图,图如下,图,图所示,。,。,本征半导体,在,在绝对温度,T,0K和没,有,有外界影响,的,的条件下，,价,价电子全部,束,束缚在共价,键,键中。当温,度,度升高或受,光,光照时，半,导,导体共价键,中,中的价电子,会,会从外界获,得,得一定能量,，,，少数价电,子,子将挣脱共,价,价键的束缚,，,，成为自由,电,电子，同时,在,在原来共价,键,键的相应位,置,置上留下一,个,个空位，这,个,个空位称为空穴，如下图所,示,示。,显然，在本,征,征半导体中,，,，自由电子,和,和空穴是成,对,对出现的，,电,电子与空穴,的,的数量总是,相,相等的，称,为,为电子空穴,对,对。,我们把在热,或,或光的作用,下,下，本征半,导,导体中产生,电,电子空穴,对,对的现象称,为,为本征激发。,共价键中出,现,现空穴后，,在,在外电场或,其,其他能源的,作,作用下，邻,近,近的价电子,就,就可填补到,这,这个空穴上,，,，而在这个,价,价电子原来,的,的位置上又,会,会留下新的,空,空穴，以后,其,其他价电子,又,又可转移到,这,这个新的空,穴,穴上。,为了区别于,自,自由电子的,运,运动，我们,把,把这种价电,子,子的填补运,动,动称为空穴运动，认为空穴,是,是一种带正,电,电荷的载流,子,子，它所带,的,的电荷和电,子,子的电荷大,小,小相等，符,号,号相反。由,此,此可见，本,征,征半导体中,存,存在两种载,流,流子：电子和空穴。,2杂质半,导,导体,掺入杂质的,半,半导体称为,杂,杂质半导体,。,。根据掺入,的,的杂质不同,，,，杂质半导,体,体可分为N,型,型半导体和P型半导体,两,两种。,（1）N型,半,半导体,在本征半导,体,体硅（或锗,）,）中掺入微,量,量五价元素,磷,磷，由于磷,原,原子有5个,价,价电子，它,与,与周围的硅,原,原子组成共,价,价键时，多,余,余的一个价,电,电子很容易,摆,摆脱原子核,的,的束缚成为,自,自由电子。,这,这种半导体,导,导电主要靠,电,电子，所以,称,称为电子型,半,半导体或N,型,型半导体，,如,如下图所示,。,。N型半导,体,体中，自由,电,电子是多子,，,，空穴是少,子,子。,（2）P型,半,半导体,在本征半导,体,体硅（或锗,）,）中掺入微,量,量三价元素,硼,硼，由于硼,原,原子只有3,个,个价电子，,它,它与周围硅,原,原子组成共,价,价键时，因,缺,缺少一个价,电,电子而形成,一,一个空穴，,相,相邻的价电,子,子很容易填,补,补这个空穴,，,，形成新的,空,空穴。这种,半,半导体导电,主,主要靠空穴,，,，所以称为,空,空穴型半导,体,体或P型半,导,导体，如下,图,图所示。P,型,型半导体中,，,，空穴是多,子,子，自由电,子,子是少子。,9.1.3PN结,1PN结,的,的形成,在P型半导,体,体和N型半,导,导体交界处,，,，由于P型,半,半导体中的,空,空穴多于电,子,子，N型半,导,导体中的电,子,子多于空穴,，,，所以，在,交,交界面附近,将,将产生多数,载,载流子的扩,散,散运动。P,区,区的空穴向N区扩散，,与,与N区的电,子,子复合；N,区,区的电子向P区扩散，,与,与N区的空,穴,穴复合。,由于这种扩,散,散运动，N,区,区失掉电子,产,产生正离子,，,，P区得到,电,电子产生负,离,离子，结果,在,在界面两侧,形,形成了由等,量,量正、负离,子,子组成的空,间,间电荷区。,在,在这个区域,内,内，由于多,数,数载流子已,扩,扩散到对方,并,并复合掉，,好,好像耗尽了,一,一样，因此,，,，空间电荷,区,区又称为耗尽层。,由于空间电,荷,荷区的形成,，,，建立了由N区指向P,区,区的内电场,。,。显然，内,电,电场对多数,载,载流子的扩,散,散运动起阻,碍,碍作用，故,空,空间电荷区,也,也称为阻挡层。,同时，内电,场,场有助于少,数,数载流子的,漂,漂移运动，,因,因此，在内,电,电场作用下,，,，N区的空,穴,穴向P区漂,移,移，P区的,电,电子向N区,漂,漂移，其结,果,果是使空间,电,电荷区变窄,，,，内电场削,弱,弱。显然，,扩,扩散运动与,漂,漂移运动是,对,对立的，当,二,二者的运动,达,达到动态平,衡,衡时，空间,电,电荷区的宽,度,度便基本稳,定,定下来。这,种,种宽度稳定,的,的空间电荷,区,区称为PN结。,2PN结,的,的单向导电,性,性,（1）正向,偏,偏置,给PN结外,加,加正向偏置,电,电压，即P,区,区接电源正,极,极，N区接,电,电源负极，,称,称PN结为,正,正向偏置，,如,如下图所示,。,。,由于外加电,源,源产生的外,电,电场的方向,与,与PN结产,生,生的内电场,方,方向相反，,因,因此，扩散,运,运动与漂移,运,运动的平衡,被,被破坏，使,整,整个空间电,荷,荷区变窄，,并,并形成较大,的,的扩散电流,，,，方向由P,区,区指向N区,，,，称为正向,电,电流。此时,，,，PN结处,于,于导通状态,。,。,（2）反向,偏,偏置,给PN结加,反,反向偏置电,压,压，即N区,接,接电源正极,，,，P区接电,源,源负极，称PN结反向,偏,偏置，如下,图,图所示。,由于外加电,场,场与内电场,的,的方向一致,，,，因而加强,了,了内电场，,促,促进了少子,的,的漂移运动,，,，阻碍了多,子,子的扩散运,动,动，使空间,电,电荷区变宽,。,。此时，主,要,要由少子的,漂,漂移运动形,成,成的漂移电,流,流将超过扩,散,散电流，方,向,向由N区指,向,向P区，称,为,为反向电流。由于常温,下,下少子的数,量,量很少，所,以,以反向电流,很,很小。此时,，,，PN结处,于,于截止状态,。,。,9.2,半,半导体二极,管,管,在PN结上,加,加上电极引,线,线和管壳，,就,就成为一个,晶,晶体二极管,（,（简称二极,管,管），其结,构,构和电路符,号,号如下图所,示,示。其中，,从,从P区引出,的,的电极称为,阳,阳极；从N,区,区引出的电,极,极称为阴极,。,。,9.2.1,二,二极管,的,的结构和类,型,型,按结构不同,，,，二极管可,分,分为点接触,型,型、面接触,型,型和平面型,三,三大类，如,下,下图所示。,按材料不同,，,，二极管可,分,分为硅二极,管,管和锗二极,管,管。按用途,不,不同，二极,管,管可分为普,通,通二极管、,整,整流二极管,、,、稳压二极,管,管、光电二,极,极管及变容,二,二极管等。,9.2.2,二,二极管,的,的特性,1伏安特,性,性,二极管的典,型,型伏安特性,曲,曲线如右图,所,所示。根据,二,二极管所加,电,电压的正负,，,，其伏安特,性,性曲线可分,为,为正向特性,和,和反向特性,两,两部分。,（1）正向,特,特性,当二极管所,加,加的正向电,压,压较小时，,二,二极管呈现,较,较大的电阻,，,，正向电流,很,很小，几乎,为,为零。与这,一,一部分相对,应,应的电压称,为,为死区电压或,阈,阈值电压。死区电压,的,的大小与二,极,极管的材料,及,及温度等因,素,素有关。室,温,温下，硅管,的,的死区电压,约,约为0.5V，锗管的,死,死区电压约,为,为0.1V,。,。,当正向电压,大,大于死区电,压,压后，二极,管,管呈现很小,的,的电阻，二,极,极管正向导,通,通。导通后,，,，随着正向,电,电压的升高,，,，正向电流,急,急剧增大，,电,电压与电流,的,的关系基本,上,上为一指数,曲,曲线。导通,后,后的正向压,降,降，硅管约,为,为0.60.7V，,锗,锗管约为0.20.3V。,（2）反向,特,特性,二极管外加,反,反向电压时,，,，反向电流,很,很小，且在,一,一定的电压,范,范围内基本,不,不随反向电,压,压变化，这,个,个电流称为,反,反向饱和电,流,流。当反向,电,电压增大到,某,某一数值后,，,，反向电流,急,急剧增大，,此,此时二极管,失,失去单向导,电,电性，这种,现,现象称为反,向,向击穿，其,所,所对应的电,压,压称为反向击穿电,压,压,U,BR,。,反向击穿会,造,造成PN结,损,损坏（烧毁,）,），但只要,反,反向电流不,超,超过一定值,，,，PN结就,不,不会损坏，,稳,稳压二极管,就,就是利用这,一,一特性制作,的,的。普通二,极,极管的反向,击,击穿电压一,般,般在几十伏,以,以上，高反,压,压管可达几,千,千伏。,2温度特,性,性,二极管的伏,安,安特性对温,度,度非常敏感,。,。如下图所,示,示，温度升,高,高，正向特,性,性曲线向左,移,移动，反向,特,特性曲线向,下,下移动。在,室,室温附近，,温,温度每升高1，正向,压,压降约减小22.5mV，温度,每,每升高10,，反向电,流,流约增大1,倍,倍。,9.2.3,二,二极管,的,的主要参数,1最大整,流,流电流,最大整流电,流,流,I,F,是指二极管,长,长期工作允,许,许通过的最,大,大正向电流,。,。在规定的,散,散热条件下,，,，二极管的,正,正向平均电,流,流不能超过,此,此值，否则,可,可能使会二,极,极管因过热,而,而损坏。,2,最,最大,反,反向,工,工作,电,电压,最大,反,反向,工,工作,电,电压,U,RM,是指,二,二极,管,管工,作,作时,允,允许,外,外加,的,的最,大,大反,向,向电,压,压。,若,若超,过,过此,值,值，,二,二极,管,管可,能,能会,被,被击,穿,穿。,通,通常,取,取反,向,向击,穿,穿电,压,压,U,BR,的一,半,半作,为,为,U,RM,。,U,RM,数值,较,较大,的,的二,极,极管,称,称为,高,高压,二,二极,管,管。,3,最,最大,反,反向,电,电流,最大,反,反向,电,电流,I,RM,是指,二,二极,管,管在,常,常温,下,下承,受,受最,大,大反,向,向工,作,作电,压,压,U,RM,时的,反,反向,电,电流,。,。反,向,向电,流,流越,小,小，,二,二极,管,管的,单,单向,导,导电,性,性能,越,越好,。,。反,向,向电,流,流受,温,温度,的,的影,响,响很,大,大，,随,随着,温,温度,的,的升,高,高，,其,其值,增,增大,。,。,4,最,最高,工,工作,频,频率,最高,工,工作,频,频率,f,M,是指,允,允许,加,加在,二,二极,管,管两,端,端的,交,交流,电,电压,最,最高,频,频率,值,值。,使,使用,中,中，,若,若加,在,在二,极,极管,两,两端,的,的交,流,流电,压,压频,率,率超,过,过此,值,值，,二,二极,管,管的,单,单向,导,导电,性,性能,将,将变,差,差甚,至,至失,去,去。,f,M,值主,要,要取,决,决于PN,结,结结,电,电容,的,的大,小,小。,结,结电,容,容越,大,大，,二,二极,管,管允,许,许的,最,最高,工,工作,频,频率,越,越低,。,。,9.2.4,特,特,殊,殊二,极,极管,1,稳,稳压,二,二极,管,管,稳压,二,二极,管,管是,一,一种,特,特殊,的,的面,接,接触,型,型半,导,导体,硅,硅二,极,极管,，,，其,正,正常,工,工作,在,在反,向,向击,穿,穿区,，,，通,过,过反,向,向击,穿,穿特,性,性实,现,现稳,压,压作,用,用，,其,其符,号,号和,伏,伏安,特,特性,曲,曲线,如,如右,图,图所,示,示。,稳压,管,管二,极,极的,正,正向,特,特性,曲,曲线,与,与普,通,通二,极,极管,类,类似,，,，而,当,当外,加,加反,向,向电,压,压的,数,数值,增,增大,到,到一,定,定程,度,度时,，,，发,生,生击,穿,穿，,击,击穿,曲,曲线,很,很陡,，,，几,乎,乎平,行,行于,纵,纵轴,，,，所,以,以，,当,当电,流,流在,很,很大,范,范围,内,内变,化,化时,，,，稳,压,压二,极,极管,两,两端,的,的电,压,压变,化,化很,小,小。,利,利用,这,这一,特,特性,，,，稳,压,压二,极,极管,在,在电,路,路中,能,能起,稳,稳压,作,作用,。,。,只要,反,反向,电,电流,不,不超,过,过其,最,最大,稳,稳定,电,电流,，,，稳,压,压二,极,极管,就,就不,会,会形,成,成破,坏,坏性,的,的热,击,击穿,，,，因,此,此，,在,在电,路,路中,应,应与,稳,稳压,二,二极,管,管串,联,联适,当,当的,限,限流,电,电阻,。,。,（1,）,）,稳,稳,定,定,电,电,压,压,U,Z,稳,定,定,电,电,压,压,U,Z,是,指,指,流,流,过,过,规,规,定,定,电,电,流,流,时,时,稳,稳,压,压,二,二,极,极,管,管,两,两,端,端,的,的,反,反,向,向,电,电,压,压,值,值,。,。,即,即,使,使,是,是,同,同,一,一,型,型,号,号,的,的,稳,稳,压,压,管,管,，,，,其,其,稳,稳,压,压,值,值,也,也,有,有,一,一,定,定,的,的,离,离,散,散,性,性,，,，,使,使,用,用,时,时,要,要,进,进,行,行,测,测,试,试,，,，,按,按,需,需,选,选,用,用,。,。,（2,）,）,稳,稳,定,定,电,电,流,流,I,Z,稳,定,定,电,电,流,流,I,Z,只,是,是,稳,稳,压,压,二,二,极,极,管,管,稳,稳,定,定,工,工,作,作,时,时,的,的,参,参,考,考,电,电,流,流,值,值,，,，,通,通,常,常,为,为,工,工,作,作,电,电,压,压,等,等,于,于,U,Z,时,所,所,对,对,应,应,的,的,电,电,流,流,值,值,。,。,对,对,每,每,一,一,种,种,型,型,号,号,的,的,稳,稳,压,压,二,二,极,极,管,管,，,，,都,都,规,规,定,定,有,有,一,一,个,个,最,最,大,大,稳,稳,定,定,电,电,流,流,I,Zmax,。,（3,）,）,动,动,态,态,电,电,阻,阻,r,Z,动态电阻,r,Z,是指稳压范围内的电压变化量与相应电流变化量之比，即,稳压二极管的反向伏安特性曲线越陡，则动态电阻越小，稳压性能越好。,（4,）,）,电,电,压,压,温,温,度,度,系,系,数,数,U,电压温度系数,U,是指温度每增加1时，稳定电压的相对变化量，即,2,发,发,光,光,二,二,极,极,管,管,发,光,光,二,二,极,极,管,管,（,（LED,）,）,是,是,一,一,种,种,能,能,将,将,电,电,能,能,转,转,换,换,成,成,光,光,能,能,的,的,半,半,导,导,体,体,器,器,件,件,，,，,其,其,材,材,料,料,主,主,要,要,为,为,砷,砷,化,化,镓,镓,、,、,氮,氮,化,化,镓,镓,等,等,，,，,主,主,要,要,用,用,于,于,音,音,响,响,设,设,备,备,的,的,电,电,平,平,显,显,示,示,及,及,线,线,路,路,通,通,、,、,断,断,状,状,态,态,的,的,指,指,示,示,等,等,。,。,发光二,极,极管与,普,普通二,极,极管一,样,样，也,是,是由PN结构,成,成的，,同,同样具,有,有单向,导,导电性,，,，但它,在,在正向,导,导通时,能,能发出,可,可见光,或,或不可,见,见光。,发,发光二,极,极管的,电,电路符,号,号如下,图,图所示,。,。,3光,电,电二极,管,管,光电二,极,极管是,一,一种能,将,将光能,转,转换成,电,电能的,半,半导体,器,器件，,它,它主要,用,用于需,光,光电转,换,换的自,动,动探测,、,、计数,和,和控制,装,装置中,。,。,光电二,极,极管的,结,结构与,普,普通二,极,极管相,似,似，只,是,是在管,壳,壳上有,一,一个能,入,入射光,线,线的窗,口,口。光,电,电二极,管,管工作,在,在反向,偏,偏置状,态,态，其,反,反向电,流,流随光,照,照强度,的,的变化,而,而变化,。,。光电,二,二极管,的,的电路,符,符号如,下,下图所,示,示。,9.3,半,半,导,导体三,极,极管,9.3.1,三,三极,管,管的结,构,构,如下图,所,所示为,三,三极管,的,的结构,，,，它是,由,由三层,不,不同性,质,质的半,导,导体组,合,合而成,的,的。按,半,半导体,的,的组合,方,方式不,同,同，三,极,极管可,分,分为NPN型,和,和PNP型两,类,类。,无论是NPN,型,型管还,是,是PNP型管,，,，它们,均,均有三,个,个区：,发,发射区,、,、基区,和,和集电,区,区，并,相,相应地,引,引出三,个,个电极,：,：发射,极,极E、,基,基极B,和,和集电,极,极C。,同,同时，,在,在三个,区,区的交,界,界处形,成,成两个PN结,：,：发射,结,结和集,电,电结。,三极管,的,的电路,符,符号如,下,下图所,示,示，符,号,号中的,箭,箭头方,向,向表示,发,发射结,正,正向偏,置,置时的,电,电流方,向,向。,9.3.2,三,三极,管,管的类,型,型,三极管,的,的分类,方,方法很,多,多，除,可,可分为NPN,型,型和PNP型,之,之外，,还,还可进,行,行以下,分,分类。,按使用,的,的半导,体,体材料,不,不同，,三,三极管,可,可分为,硅,硅管和,锗,锗管。,按工作,频,频率不,同,同，三,极,极管可,分,分为高,频,频管和,低,低频管,。,。其中,，,，高频,管,管的工,作,作频率,不,不低于3MHz；低,频,频管的,工,工作频,率,率低于3MHz。,9.3.3,三,三极,管,管的电,流,流分配,与,与放大,原,原理,1三,极,极管实,现,现电流,放,放大作,用,用的条,件,件,（1）,内,内部结,构,构条件, 发,射,射区很,小,小，但,掺,掺杂浓,度,度高。, 基,区,区最薄,且,且掺杂,浓,浓度最,小,小（比,发,发射区,小,小23个数,量,量级）,。,。, 集,电,电结面,积,积最大,，,，且集,电,电区的,掺,掺杂浓,度,度小于,发,发射区,的,的掺杂,浓,浓度。,（2）,外,外部条,件,件,外部条,件,件是要,保,保证外,加,加电源,的,的极性,使,使发射,结,结处于,正,正向偏,置,置状态,，,，使集,电,电结处,于,于反向,偏,偏置状,态,态。,2实,验,验说明,下面通,过,过一个,实,实验来,说,说明三,极,极管各,电,电流之,间,间的关,系,系，实,验,验电路,如,如下图,所,所示。,改,改变可,变,变电阻,R,B,，则基,极,极电流,I,B,、集电,极,极电流,I,C,和发射,极,极电流,I,E,都会发,生,生变化,。,。测量,结,结果如,下,下表所,示,示。,由此实验及测量结果可得出如下结论：,（1）各极电流的关系满足：,I,E,I,B,I,C,，符合基尔霍夫电流定律。,（2）,I,C,和,I,E,比,I,B,大得多。,（3）从上表各列数据中求得,I,C,和,I,B,的变化量，加以比较。例如，选第4列和第5列的数据，可得,这说明，基极电流的少量变化可以引起集电极电流的较大变化，这就是三极管的电流放大作用。,3三,极,极管内,部,部载流,子,子的运,动,动,三极管,内,内部载,流,流子的,运,运动情,况,况如下,图,图所示,。,。,（1）,发,发射区,向,向基区,扩,扩散电,子,子,由于发,射,射结加,正,正偏电,压,压，因,此,此发射,结,结两侧,多,多子的,扩,扩散运,动,动大于,少,少子的,漂,漂移运,动,动，发,射,射区的,多,多子源,源,源不断,地,地越过,发,发射结,到,到达基,区,区，同,时,时，基,区,区的多,子,子源源,不,不断地,越,越过发,射,射结到,达,达发射,区,区，由,电,电子电,流,流和空,穴,穴电流,共,共同形,成,成了发,射,射极电,流,流,I,E,。,因基区,很,很薄且,掺,掺杂浓,度,度最小,，,，空穴,电,电流,I,EP,很小,，,，可,以,以忽,略,略不,计,计，,所,所以,，,，发,射,射极,电,电流,I,E,I,EN,。,（2,）,）电,子,子在,基,基区,的,的扩,散,散与,复,复合,由发,射,射区,扩,扩散,到,到基,区,区的,电,电子,浓,浓度,，,，在,靠,靠近,发,发射,结,结处,的,的浓,度,度要,高,高于,靠,靠近,集,集电,结,结处,的,的浓,度,度，,因,因此,，,，在,基,基区,中,中形,成,成了,电,电子,的,的浓,度,度差,，,，这,样,样，,电,电子,会,会向,集,集电,结,结继,续,续扩,散,散。,在,在扩,散,散过,程,程中,，,，绝,大,大部,分,分电,子,子扩,散,散到,集,集电,结,结边,沿,沿，,很,很少,部,部分,电,电子,与,与基,区,区的,多,多子,空,空穴,复,复合,，,，复,合,合掉,的,的空,穴,穴由,基,基区,电,电源,补,补充,，,，从,而,而形,成,成基,极,极电,流,流,I,B,的主,要,要部,分,分,I,BN,。,扩散,到,到集,电,电结,的,的电,子,子与,复,复合,掉,掉的,电,电子,的,的比,例,例决,定,定了,三,三极,管,管的,电,电流,放,放大,能,能力,，,，三,极,极管,的,的电,流,流控,制,制就,发,发生,在,在这,一,一过,程,程。,（3,）,）电,子,子被,集,集电,区,区收,集,集,集电,结,结反,偏,偏，,使,使得,其,其内,电,电场,很,很强,。,。这,个,个内,电,电场,阻,阻止,集,集电,区,区电,子,子向,基,基区,扩,扩散,，,，而,对,对基,区,区扩,散,散过,来,来的,电,电子,有,有很,强,强的,吸,吸引,力,力，,故,故从,基,基区,扩,扩散,来,来的,电,电子,在,在强,电,电场,的,的作,用,用下,将,将迅,速,速漂,移,移越,过,过集,电,电结,进,进入,集,集电,区,区，,形,形成,集,集电,极,极电,流,流,I,C,的主,要,要部,分,分,I,CN,。,同时,，,，集,电,电结,加,加反,向,向电,压,压使,基,基区,的,的少,子,子电,子,子和,集,集电,区,区的,少,少子,空,空穴,通,通过,集,集电,结,结形,成,成反,向,向饱,和,和电,流,流,I,CBO,。它,的,的数,值,值很,小,小，,但,但受,温,温度,影,影响,很,很大,，,，会,造,造成,管,管子,的,的工,作,作性,能,能不,稳,稳定,。,。所,以,以，,在,在制,造,造管,子,子时,，,，应,尽,尽量,设,设法,减,减小,I,CBO,。,4,电,电流,分,分配,关,关系,通过以上分析可知三极管各极电流的关系为：,实验表明，在发射结正偏，集电结反偏的条件下，三极管基极与集电极上的电流不是孤立的，它们之间存在一定的比例关系。这一比例关系是由管子的结构特点所决定的，管子做好之后这一比例关系就基本确定了。,为了反映,I,CN,和,I,BN,之间的比例关系，定义共发射极直流电流放大系数，即,上式可变换为：,上式中，,I,CEO,称为穿透电流。由于,I,CBO,很小，,I,CEO,也很小，分析时可忽略不计，所以今后电路分析中常用的关系式为：,9.3.4,三,三,极,极管,的,的特,性,性曲,线,线,1,输,输入,特,特性,曲,曲线,输入,特,特性,曲,曲线,是,是指,当,当集,射,极,极电,压,压,U,CE,为常,数,数时,，,，输,入,入电,路,路（,基,基极,电,电路,）,）中,基,基极,电,电流,I,B,与基,射,极,极电,压,压,U,BE,之间,的,的关,系,系曲,线,线,I,B,f,（,U,BE,），,如,如下,图,图所,示,示。,U,CE,0,时,时，,集,集电,极,极与,发,发射,极,极短,接,接，,三,三极,管,管相,当,当于,两,两个,二,二极,管,管并,联,联，,U,BE,即为,加,加在,并,并联,二,二极,管,管上,的,的正,向,向电,压,压，,故,故三,极,极管,的,的输,入,入特,性,性曲,线,线与,二,二极,管,管伏,安,安特,性,性曲,线,线的,正,正向,特,特性,相,相似,。,。,U,CE,1V时,，,，曲,线,线右,移,移，,因,因为,此,此时,集,集电,结,结已,反,反向,偏,偏置,，,，内,电,电场,足,足够,大,大，,可,可以,把,把从,发,发射,区,区进,入,入基,区,区的,电,电子,中,中的,绝,绝大,部,部分,拉,拉入,集,集电,区,区。,因,因此,，,，在,相,相同,的,的,U,BE,下，,U,CE,1V时,的,的基,极,极电,流,流,I,B,比,U,CE,0,时,时的,小,小。,但,但是,当,当,U,CE,超过1V,以,以后,，,，即,使,使其,再,再增,加,加，,只,只要,U,BE,不变,，,，,I,B,也不,再,再明,显,显减,小,小，,所,所以,通,通常,只,只画,出,出,U,CE,1V的,一,一条,输,输入,特,特性,曲,曲线,。,。,由上,图,图可,以,以看,出,出，,三,三极,管,管的,输,输入,特,特性,中,中也,存,存在,死,死区,电,电压,，,，只,有,有在,发,发射,结,结外,加,加电,压,压大,于,于死,区,区电,压,压时,，,，三,极,极管,才,才会,产,产生,基,基极,电,电流,。,。,2,输,输出,特,特性,曲,曲线,输出,特,特性,曲,曲线,是,是指,当,当基,极,极电,流,流,I,B,为常,数,数时,，,，输,出,出电,路,路（,集,集电,极,极电,路,路）,中,中集,电,电极,电,电流,I,C,与集,射,极,极电,压,压,U,CE,之间,的,的关,系,系曲,线,线,I,C,f,（,U,CE,）。,在,在不,同,同的,I,B,下，,可,可得,出,出不,同,同的,曲,曲线,，,，所,以,以，,三,三极,管,管的,输,输出,特,特性,曲,曲线,是,是一,组,组曲,线,线，,如,如下,图,图所,示,示。,（1,）,）放,大,大区,输出,特,特性,曲,曲线,的,的近,于,于水,平,平部,分,分是,放,放大,区,区。,在,在放,大,大区,，,，,I,C,和,I,B,成正,比,比关,系,系，,即,即,I,C,I,B,，所,以,以，,放,放大,区,区又,称,称为,线,线性,区,区。,放,放大,区,区具,有,有可,控,控性,（,（,I,B,可以控制,I,C,）和恒流,性,性（,I,C,几乎不随,U,CE,和负载的,变,变化而变,化,化）。三,极,极管工作,在,在放大区,的,的电压条,件,件是：发,射,射结正偏,，,，集电结,反,反偏。此,时,时，,U,CE,U,BE,。,（2）饱,和,和区,对应于,U,CE,较小的区,域,域是饱和,区,区。此时,，,，,U,CE,U,BE,。在饱和,区,区，,U,CE,略有增加,，,，,I,C,迅速上升,，,，但,I,C,I,B,，,I,B,不能控制,I,C,，因此，,三,三极管不,能,能起放大,作,作用。,U,CE,U,BE,的情况称,为,为临界饱,和,和状态，,对,对应点的,轨,轨迹称为,临,临界饱和,线,线。饱和,时,时，集电,极,极与发射,极,极之间的,电,电压称为,饱,饱和压降,。,。三极管,工,工作在饱,和,和区的电,压,压条件是,：,：发射结,正,正偏，集,电,电结也正,偏,偏。,（3）截,止,止区,基极电流,I,B,0对应,曲,曲线下方,的,的区域是,截,截止区。,在,在截止区,，,，,I,B,0，,I,C,0，三,极,极管不导,通,通，同样,也,也失去了,电,电流的放,大,大作用。,三,三极管工,作,作在截止,区,区的电压,条,条件是：,发,发射结反,偏,偏，集电,结,结也反偏,。,。,由以上分,析,析可知，,当,当三极管,饱,饱和时，,U,CE,0，发,射,射极与集,电,电极之间,如,如同一个,开,开关的接,通,通，其间,电,电阻很小,；,；当三极,管,管截止时,，,，,I,C,0，发,射,射极与集,电,电极之间,如,如同一个,开,开关的断,开,开，其间,电,电阻很大,。,。可见，,三,三极管除,了,了具有放,大,大作用外,，,，还具有,开,开关作用,。,。,9.3.5 三,极,极管的主,要,要参数,1电流,放,放大系数,当三极管接成共发射极电路时，在静态（无输入信号）下，集电极电流,I,C,和基极电流,I,B,的比值称为共发射极直流电流放大系数，即,在动态（有输入信号）下，集电极电流变化量,I,C,和基极电流变化量,I,B,的比值称为共发射极交流电流放大系数,，即,2极间,反,反向电流,（1）集,电,电极基,极,极反向饱,和,和电流,I,CBO,I,CBO,是指发射,极,极开路时,，,，集电极,和,和基极之,间,间的反向,电,电流。,I,CBO,受温度影,响,响较大，,温,温度升高,，,，其值增,加,加。要求,I,CBO,越小越好,。,。室温下,，,，小功率,硅,硅管的,I,CBO,在1微安,以,以下，锗,管,管的,I,CBO,一般为几,微,微安到几,十,十微安，,所,所以硅管,的,的热稳定,性,性比较好,。,。,（2）集,电,电极发,射,射极穿透,电,电流,I,CEO,I,CEO,是指基极开路时，由集电区穿过基区流入发射区的电流。因,I,CEO,（1 ）,I,CBO,，温度升高时，,I,CEO,比,I,CBO,增加的更快，它对三极管的工作影响更大，所以，,I,CEO,是衡量管子质量好坏的重要参数，其值越小越好。,3极限,参,参数,（1）集,电,电极最大,允,允许电流,I,CM,三,极,极,管,管,工,工,作,作,在,在,放,放,大,大,区,区,时,时,，,，,若,若,集,集,电,电,极,极,电,电,流,流,超,超,过,过,一,一,定,定,值,值,，,，,其,其,电,电,流,流,放,放,大,大,系,系,数,数,就,会,会,下,下,降,降,。,。,三,三,极,极,管,管,的,的,值,下,下,降,降,到,到,正,正,常,常,值,值,的,的2/3,时,时,的,的,集,集,电,电,极,极,电,电,流,流,称,称,为,为,三,三,极,极,管,管,的,的,集,集,电,电,极,极,最,最,大,大,允,允,许,许,电,电,流,流,I,CM,。,因,因,此,此,，,，,使,使,用,用,三,三,极,极,管,管,时,时,，,，,若,若,I,C,超,过,过,I,CM,，,并,并,不,不,一,一,定,定,会,会,损,损,坏,坏,三,三,极,极,管,管,，,，,但,但,是,是,以,以,降,降,低,低,值,为,为,代,代,价,价,的,的,。,。,（2,）,）,集,集,电,电,极,极,发,发,射,射,极,极,反,反,向,向,击,击,穿,穿,电,电,压,压,U,（BR,）,）CEO,基,极,极,开,开,路,路,时,时,，,，,加,加,在,在,集,集,电,电,极,极,和,和,发,发,射,射,极,极,之,之,间,间,的,的,最,最,大,大,允,允,许,许,电,电,压,压,称,称,为,为,集,集,电,电,极,极,发,发,射,射,极,极,反,反,向,向,击,击,穿,穿,电,电,压,压,U,（BR,）,）CEO,。,当,当,电,电,压,压,U,CE,大,于,于,U,（BR,）,）CEO,时,，,，,I,CEO,会,突,突,然,然,大,大,幅,幅,度,度,上,上,升,升,，,，,说,说,明,明,三,三,极,极,管,管,已,已,被,被,击,击,穿,穿,。,。,（3,）,）,集,集,电,电,极,极,最,最,大,大,允,允,许,许,耗,耗,散,散,功,功,率,率,P,CM,集电极电流在流经集电结时将产生热量，使结温升高，从而会引起三极管的参数变化。当三极管因受热而引起的参数变化不超过允许值时，集电极所消耗的最大功率称为集电极最大允许耗散功率,P,CM,，其计算公式为：,由,I,CM,、,U,（BR,）,）CEO,、,P,CM,三,者,者,共,共,同,同,确,确,定,定,三,三,极,极,管,管,的,的,安,安,全,全,工,工,作,作,区,区,，,，,如,如,左,左,图,图,所,所,示,示,。,。,9.4,场,场,效,效,应,应,晶,晶,体,体,管,管*,场,效,效,应,应,晶,晶,体,体,管,管,（,（FET,）,）,是,是,一,一,种,种,利,利,用,用,输,输,入,入,回,回,路,路,的,的,电,电,场,场,效,效,应,应,来,来,控,控,制,制,输,输,出,出,回,回,路,路,电,电,流,流,的,的,半,半,导,导,体,体,器,器,件,件,，,，,属,属,于,于,电,电,压,压,控,控,制,制,器,器,件,件,。,。,它,它,只,只,依,依,靠,靠,一,一,种,种,载,载,流,流,子,子,参,参,与,与,导,导,电,电,，,，,故,故,又,又,称,称,为,为,单,单,极,极,型,型,三,三,极,极,管,管,。,。,它,它,具,具,有,有,输,输,入,入,阻,阻,抗,抗,高,高,、,、,噪,噪,声,声,低,低,、,、,热,热,稳,稳,定,定,性,性,好,好,、,、,抗,抗,辐,辐,射,射,能,能,力,力,强,强,、,、,功,功,耗,耗,小,小,、,、,制,制,造,造,工,工,艺,艺,简,简,单,单,和,和,便,便,于,于,集,集,成,成,化,化,等,等,优,优,点,点,。,。,根据结构不,同,同，场效应,管,管可分为结,型,型场效应管,（,（JFET,）,）和绝缘栅,场,场效应管（MOS管）,。,。由于MOS管的性能,更,更优越，发,展,展更迅速，,应,应用更广泛,，,，因此，本,节,节将仅介绍MOS管。,9.4.1,场,场效应,管,管的结构,1N沟道,增,增强型MOS管的结构,如下图所示,，,，N沟道增,强,强型MOS,管,管基本上是,一,一种左右对,称,称的结构，,它,它是在P型,硅,硅半导体上,生,生成一层SiO,2,薄膜绝缘层,，,，然后用光,刻,刻工艺扩散,两,两个高掺杂,的,的N型区，,从,从N型区引,出,出漏极D和,源,源极S两个,电,电极。在漏,极,极和源极之,间,间的绝缘层,上,上镀一层金,属,属铝作为栅,极,极G。P型,半,半导体称为,衬,衬底，用符,号,号B表示。,可以看出，,栅,栅极与其他,电,电极之间是,绝,绝缘的，工,作,作时，漏极,与,与源极之间,形,形成导电沟,道,道，称为N,沟,沟道。如左,图,图所示为N,沟,沟道增强型MOS管的,电,电路符号，,其,其箭头方向,由,由P（衬底,）,）指向N（,导,导电沟道）,；,；若箭头方,向,向由N（导,电,电沟道）指,向,向P（衬底,）,），则为P,沟,沟道，如右,图,图所示。,2N沟道,耗,耗尽型MOS管的结构,N沟道耗尽,型,型MOS管,的,的结构如左,图,图所示。它,也,也是在P型,硅,硅衬底上形,成,成一层SiO,2,薄膜绝缘层,，,，与增强型,所,所不同的是,，,，它在SiO,2,绝缘层中掺,有,有大量的正,离,离子，不需,要,要外电场作,用,用，这些正,离,离子所产生,的,的电场也能,在,在P型硅衬,底,底与绝缘层,的,的交界面上,感,感应出大量,或,或足够多的,电,电子，形成N型导电沟,道,道。N沟道,和,和P沟道耗,尽,尽型MOS,管,管的电路符,号,号如中图和,右,右图所示。,9.4.2MOS,管,管的工作原,理,理,1N沟道,增,增强型MOS管的工作,原,原理,（1）栅源,电,电压,U,GS,的控制作用,当,U,GS,0时，漏,源,源之间相当,于,于两个背靠,背,背的二极管,，,，在D、S,之,之间加上电,压,压，不管极,性,性如何，总,有,有一个PN,结,结反向，所,以,以不存在导,电,电沟道，不,会,会形成漏极,电,电流,I,D,。,当0,U,GS,U,GS（th,）,）,（,U,GS（th,）,）,称为开启电,压,压），即栅,极,极有一定的,较,较小电压时,，,，通过栅极,和,和衬底间的,电,电容作用，,在,在靠近栅极,下,下方，P型,半,半导体中的,空,空穴将会被,向,向下排斥，,从,从而出现一,薄,薄层电子的,耗,耗尽层。耗,尽,尽层中的电,子,子将向表层,运,运动，但数,量,量有限，不,足,足以形成沟,道,道，将漏极,和,和源极沟通,，,，所以漏极,电,电流,I,D,仍为零。,当,U,GS,U,GS,（,（th）,时，,栅,栅极,电,电压,较,较强,，,，在,靠,靠近,栅,栅极,下,下方,的,的P,型,型半,导,导体,表,表层,中,中聚,集,集了,较,较多,的,的电,子,子，,可,可以,形,形成,沟,沟道,，,，将,漏,漏极,和,和源,极,极沟,通,通。,如,如果,此,此时,加,加有,漏,漏源,电,电压,U,DS,，就,可,可以,形,形成,漏,漏极,电,电流,I,D,。栅,极,极下,方,方的,导,导电,沟,沟道,，,，因,其,其载,流,流子,（,（电,子,子）,与,与P,型,型区,载,载流,子,子（,空,空穴,）,）的,极,极性,相,相反,，,，所,以,以又,称,称为,反,反型,层,层。,随,随,U,GS,的继,续,续增,加,加，,导,导电,沟,沟道,变,变宽,，,，沟,道,道电,阻,阻变,小,小，,I,D,将不,断,断增,加,加。,（2,）,）漏,源,源电,压,压,U,DS,对漏,极,极电,流,流,I,D,的控,制,制作,用,用,当,U,GS,U,GS,（,（th）,，且,为,为某,一,一固,定,定值,时,时，,在,在漏,极,极和,源,源极,之,之间,加,加上,正,正电,压,压,U,DS,，会,有,有,I,D,形成,。,。如,下,下图,所,所示,为,为不,同,同的,漏,漏源,电,电压,U,DS,对沟,道,道的,影,影响,。,。根,据,据此,图,图可,得,得如,下,下关,系,系：,U,DS,U,DG,U,GS,U,GD,U,GS,U,GD,U,GS,U,DS,在,U,DS,为0,或,或较,小,小时,，,，沟,道,道电,阻,阻一,定,定，,I,D,随,U,DS,的增,大,大而,线,线性,增,增大,。,。,当,U,DS,较大,，,，且,U,GD,U,GS,（,（th）,时，,靠,靠近,漏,漏端,的,的耗,尽,尽层,变,变宽,，,，沟,道,道变,窄,窄，,出,出现,楔,楔形,，,，沟,道,道电,阻,阻增,大,大，,I,D,增大,缓,缓慢,。,。,当,U,DS,继续,增,增大,到,到使,U,GD,U,GS,（,（th）,时，,沟,沟道,在,在漏,端,端出,现,现预,夹,夹断,。,。若,U,DS,继续,增,增大,，,，沟,道,道的,夹,夹断,区,区将,逐,逐渐,延,延长,，,，增,大,大部,分,分的,U,DS,都降,在,在夹,断,断区,上,上，,I,D,趋于,饱,饱和,，,，不,再,再随,U,DS,增大,。,。,2N沟,道,道耗,尽,尽型MOS管,的,的工,作,作原,理,理,由于,耗,耗尽,型,型MOS,管,管自,身,身能,形,形成,导,导电,沟,沟道,，,，所,以,以只,要,要有,U,DS,存在,，,，就,会,会有,I,D,产生,。,。如,果,果加,上,上正,的,的,U,GS,，则,吸,吸引,到,到反,型,型层,中,中的,电,电子,增,增加,，,，沟,道,道加,宽,宽，,I,D,增大,。,。如,果,果加,上,上负,的,的,U,GS,，则,此,此电,场,场将,会,会削,弱,弱原,来,来绝,缘,缘层,中,中正,离,离子,的,的电,场,场，,使,使吸,引,引到,反,反型,层,层中,的,的电,子,子减,少,少，,沟,沟道,变,变窄,，,，,I,D,减小,。,。若,负,负,U,GS,达到,某,某一,值,值，,则,则沟,道,道中,的,的电,荷,荷将,耗,耗尽,，,，反,型,型层,消,消失,，,，管,子,子截,止,止，,此,此时,的,的值,称,称为,夹,夹断,电,电压,U,GS,（,（off,）,）,或,U,P,。,P沟,道,道MOS,管,管的,工,工作,原,原理,与,与N,沟,沟道MOS管,完,完全,相,相同,，,，只,不,不过,导,导电,的,的载,流,流子,不,不同,，,，供,电,电电,压,压的,极,极性,不,不同,而,而已,。,。,9.4.3MOS,管,管的,特,特性,曲,曲线,1N沟,道,道增,强,强型MOS管,的,的特,性,性曲,线,线,MOS管,的,的特,性,性曲,线,线包,括,括转,移,移特,性,性曲,线,线和,输,输出,特,特性,曲,曲线,。,。如,下,下图,所,所示,为,为N,沟,沟道,增,增强,型,型MOS,管,管的,转,转移,特,特性,曲,曲线,和,和输,出,出特,性,性曲,线,线。,（1,）,）转,移,移特,性,性曲,线,线,转移特性曲线又称为输入特性曲线，是指漏源电压,U,DS,一定时，漏极电流,I,D,与栅源电压,U,GS,之间的关系曲线,I,D,f,（,U,GS,）。,转移特性曲线的斜率,g,m,的大小反映了栅源电压,U,GS,对漏极电流,I,D,的控制作用。,g,m,的量纲为mA/V，所以，,g,m,又称为跨导，其定义为：,（,U,DS,为常数）,（2,）,）输,出,出特,性,性曲,线,线,输出,特,特性,曲,曲线,是,是指,栅,栅源,电,电压,U,GS,一定,时,时，,漏,漏极,电,电流,I,D,与漏,极,极电,压,压,U,DS,之间,的,的关,系,系曲,线,线,I,D,f,（,U,DS,）。,它,它可,分,分为,三,三个,区,区：,可,可变,电,电阻,区,区、,恒,恒流,区,区和,截,截止,区,区。,可变,电,电阻,区,区是输,出,出特,性,性曲,线,线的,最,最左,侧,侧部,分,分。,在,在这,个,个区,域,域，,U,DS,较小,，,，沟,道,道尚,未,未夹,断,断，,I,D,随,U,DS,的增,大,大而,线,线性,增,增大,，,，此,时,时，,场,场效,应,应管,近,近似,一,一个,线,线性,电,电阻,。,。当,U,GS,不同,时,时，,直,直线,的,的斜,率,率不,同,同，,相,相当,于,于电,阻,阻的,阻,阻值,不,不同,，,，所,以,以这,个,个区,域,域称,为,为可,变,变电,阻,阻区,。,。,恒流,区,区又称,为,为线,性,性放,大,大区,，,，是,输,输出,特,特性,曲,曲线,的,的中,间,间部,分,分。,在,在这,个,个区,域,域，,沟,沟道,预,预夹,断,断，,I,D,基本,上,上不,随,随,U,DS,发生,变,变化,，,，只,受,受,U,GS,的控,制,制。,当,当组,成,成场,效,效应,管,管放,大,大电,路,路时,，,，应,使,使其,工,工作,在,在该,区,区域,。,。,截止,区,区又称,为,为夹,断,断区,，,，是,输,输出,特,特性,曲,曲线,下,下面,靠,靠近,横,横坐,标,标的,部,部分,。,。在,这,这个,区,区域,，,，沟,道,道完,全,全夹,断,断，,I,D,0,。,。,2N沟,道,道耗,尽,尽型MOS管,的,的特,性,性曲,线,线,N沟,道,道耗,尽,尽型MOS管,的,的特,性,性曲,线,线如,下,下图,所,所示,。,。耗,尽,尽型MOS管,工,工作,时,时，,其,其栅,源,源电,压,压,U,GS,可以,为,为零,，,，也,可,可以,取,取正,值,值或,负,负值,，,，在,应,应用,中,中有,较,较大,的,的灵,活,活性,。,。,U,DS,为一,定,定值,，,，,U,GS,0,时,时，,对,对应,的,的漏,极,极电,流,流称,为,为饱,和,和漏,极,极电,流,流,I,DSS,。,9.4.4,场,场,效,效应,管,管与,三,三极,管,管的,比,比较,1,场,场效,应,应管,是,是电,压,压控,制,制器,件,件，,它,它依,靠,靠栅,源,源电,压,压,U,GS,控制,漏,漏极,电,电流,I,D,；三,极,极管,是,是电,流,流控,制,制器,件,件，,它,它依,靠,靠基,极,极电,流,流,I,B,控制集,电,电极电,流,流,I,C,。,2场,效,效应管,参,参与导,电,电的载,流,流子只,有,有多子,，,，为单,极,极型器,件,件；三,极,极管有,多,多子和,少,少子共,同,同参与,导,导电，,为,为双极,型,型器件,。,。场效,应,应管受,温,温度、,辐,辐射等,因,因素的,影,影响小,，,，噪声,系,系数低,；,；三极,管,管受温,度,度、辐,射,射等因,素,素的影,响,响大，,噪,噪声系,数,数高。,所,所以，,在,在环境,条,条件变,化,化很大,的,的情况,下,下，应,选,选用场,效,效应管,。,。,3场,效,效应管,的,的直流,输,输入电,阻,阻和交,流,流输入,电,电阻都,非,非常高,，,，可达,数,数百兆,欧,欧以上,；,；三极,管,管的发,射,射结始,终,终处于,正,正向偏,置,置，总,是,是存在,输,输入电,流,流，因,此,此，基,极,极和发,射,射极之,间,间的输,入,入电阻,较,较小，,一,一般只,有,有几百,欧,欧至几,十,十千欧,。,。,4场,效,效应管,的,的跨导,较,较小，,当,当组成,放,放大电,路,路时，,在,在相同,的,的负载,电,电阻下,，,，电压,放,放大倍,数,数比三,极,极管低,。,。,5场,效,效应管,的,的源极,未