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单击此处编辑母版标题样式,*,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,切片加工原理,一、加工流程:,晶棒的受入:,晶棒的粘结:,晶棒的加工:,硅片的交付:,切片加工原理,1.1晶棒的受入:,依据每天的生产打算,到仓库领用晶棒;,晶棒受入前进展品名/批号、晶棒长度、外观确实认;,依据生产预定表制作加工指示卡,并附在晶棒上;,依据加工指示卡上的日期先后进展粘接;,1.2晶棒的粘接:,目的:用粘接剂将晶棒与碳板粘接起来,以防止硅片在加工的过程中松散地掉落下来;,粘接过程如下:,切片加工原理,Graphite beam,Ingot,1.3,晶棒的加工:,将晶棒切成具有精准几何尺寸的薄晶片。,1.4,硅片的交付:,将符合客户要求的硅片交付至倒角。,切片加工原理,二、切片重要制程参数,2.1面方位:,切片常见的面方位有100及111两种;,检测装置为X光机利用 X射线的衍射,如图,n2dsin,2.2硅片厚度:,影响切片厚度的主要因素:,切片机的进给量、修刀程度;,检测装置:厚度测定仪,2.3WARP、BOW:,影响因素为刀片状况、切削液、作业员修刀技巧等;,检测装置:切片端面规及磨检ADE;,入射,-X,光,X光承受器,d,切片加工原理,三、切片工程的主要缺陷及产生缘由:,3.1切片工程的主要缺陷:,翘曲,厚薄片,崩边,3.2产生缺陷缘由:,作业员的加工技巧:,切片机状况:如动平衡不佳;,切削液流量及浓度:,ID刀片的加工状态:下面将具体介绍,切削液,的作用:,润滑、冷却、清洗,切片加工原理,四、,ID,内圆刀片及其产生缺陷的机理:,4.1 ID,刀片的种类:,序号,刀刃厚度(,uum,),刀体厚度(,um,),金刚石粒度,1,260,100,30-50,2,270,100,30-50,3,290,120,40-60,4,300,130,40-60,切片加工原理,4.2 ID刀片的外形:,4.3 ID,刀片“失效”模式:,切片加工原理,序号,“失效”模式,原因,产生不良类型,对策实施,1,金刚石无,1,、损伤层,2,、擦伤,3,、翘曲,刀片的更换,2,金刚石不均匀,1,、翘曲,2,、厚薄片,固定修刀或手动修刀,3,刀片张力下降,1,、擦伤,2,、翘曲,1,、张力的上调,2,、固定修刀,4,刀片有擦伤,1,、擦伤,2,、翘曲,刀片的更换,切片加工原理,4.4 ID,刀片的修整方法,修刀的作用:1、去除堵塞层;,2、去除特别突出的局部;,3、去除影响切削的电镀层;,4、金刚石的露出与修整;,5、刃厚及真圆度的调整;,倒角加工原理,一、加工流程:,硅片的受入:,硅片的洗净AC-2N):,硅片的倒角:,硅片的厚度分类:,硅片的交付:,1、避开边缘崩裂:,硅片在加工和使用过程中会受到片盒或机械手等的撞击,硅片 边缘会产生应力集中而导致裂开,裂开的颗粒会形成污染。,2、防止晶格缺陷的产生:,硅片在进入元器件的制造过程中会有较多的热周期,这些加热或冷却的过程特别快速,在某些区域会产生热应力,一旦热应力超过晶体的弹性强度,会产生差排及位错,而硅片的边缘正是热应力易于集中的区域,3、增加外延层及光阻层的平坦度:,外延生长过程中锐角区域的生长速率会比平面高,因此使用未经倒角的硅片简洁在边缘区域产生突起,倒角加工原理,二、倒角的目的:,三、倒角重要制程参数,2.1倒角角度:,常见的倒角角度)有11H型及22 G型两种;,影响因素为:1、磨石角度不良 2、磨石沟槽的磨损,检测装置为倒角轮廓仪;,2.2倒角宽幅:,影响倒角宽幅的主要因素:,1、硅片厚度;,2、硅片翘曲;,3、设备厚度有无补偿;,检测装置:显微镜,2.3OF方位:,影响因素为倒角机中心定位装置、晶棒本身;,检测装置:OF方位测定仪;,2.4 倒角直径:,影响因素为设备故障、设定错误;,测定装置:游标卡尺;,倒角加工原理,磨石剖面图,倒角加工原理,四、倒角工程的主要缺陷及产生缘由:,3.1倒角工程的主要缺陷:,倒角残留,宽幅不均,倒角崩边,裂纹,3.2产生缺陷缘由:,倒角残留:中心定位装置故障或中心定位不到位;,宽幅不均:硅片厚度不良、硅片翘曲、磨石精度不良;,倒角崩边:,1、硅片厚度薄片简洁产生崩边,2、磨石金刚石不均匀;,3、冷却水流量缺乏或位置的偏离;,裂纹:,1、倒角机吸附部件上有异物;,2、研削台上有毛刺;,五、无厚度补偿设备加工,H,型产品原理:,倒角加工原理,11,b,a,基准面,11,基准面,无厚度补偿设备,有厚度补偿设备,分析:,1右图为H型硅片剖析图,a为硅片厚度偏差,b为硅片宽幅偏差按规格b在/100um内为良品;,2从三角函数可得:ab*tg 100*tg11,100*0.19519.5。,即理论上硅片厚度偏差超过/-19.5um时,硅片将因宽幅超出规格而造成不良。,方法:,1将硅片按正常10um的厚度段进展分类;,2把相邻三个厚度段的中间值作为厚度规格值分别进展倒角;,这样硅片厚度偏差在+/-15um以内,Thank You,!,The End,
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