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Headline Title Goes Here (Arial 32),F10E2,CHChung,JUN. 2004,P.,17,Confidential,Security C,Bullet point 1 will be here (Arial 24),Bullet point goes here (Arial 20),Bullet point goes in here (Arial 18),Bullet point goes here (Arial 18),Bullet point 1 will be here (Arial 24),Bullet point goes here (Arial 20),Bullet point goes in here (Arial 18),Bullet point goes here (Arial 18),金属沉积制程简介,F10 E2 TF PE,钟承翰,2004/6/25,Wafer,在,IC,Fab,中的流程,金属在,IC,制程中的作用,金属互联与高架桥公路,金属在,IC,制程中的作用,截面图：,金属导线：,ALCU,金属接点：,TiSi2, WSi2,保险丝:,ALCU,金属通道:,W,黏着层, 阻绝层:,Ti/TIN,金属,PVD,机台：,AMAT ENDURA,多重,chamber,制程,制程种类：,Mark Shielding, Ti-,silicide, CVD TIN,优点： 纯度高,速度快,缺点： 填洞能力差,金属,CVD,机台：,AMAT CENTURA,或,NVLS ALTUS,单一,chamber,制程,制程种类：,WCVD, CVD-TIN,WSix,优点： 纯度低,速度慢,缺点： 填洞能力好,什么是,PVD,PVD,是物理气相沉积(,P,hysical,V,apor,D,eposition),的缩写，由,帶能量的離子撞擊,金属靶材,致使表面的原子飛散出來, 附著於基板上形成薄膜之現象.,Endura,chamber,配置,Mark Shielding,Ti-,silicide,CVD TIN,E/F,去水气，转边,E/F,去水气，转边,E/F,去水气，转边,C/D,去除,氧化层,1/3,沉积,ALCU,1,沉积,Ti,1/4,沉积,IMP Ti,2/4,沉积,TIN,4,沉积,TIN,2/3,沉积,CVD TIN,A,传送,A,传送,A,传送,B,冷却,B,冷却,B,冷却,Mark shielding:,为了要遮住给黄光对准用的眼睛。,图解：,新,ALCU,靶材,旧,ALCU,靶材,PVD TIN:,夹在金属线的上下，有二种不同目的。,DC,Longthrow,DC,Collimator,Plasma,DC,RF,Vectra,IMP,Standard PVD,PVD,制程的填洞能力,PCII(pre-clean),是用在,degas,之后，是为了去除,silicon,或者,metal,表面的氧化物和颗粒等一些东西，目的是为了降低,contact/via,的接触电阻。,IMP TI(ionized metal plasma),能提供较好的台阶覆盖(与,Co-Ti,相比)，同时,PM cycle,长，,cost,低。,为什么用,CVD TIN?,得到,TIN,的方法有两种：,PVD TIN-,物,理轰击,CVD TIN-,化,学气象反应(热反应),CVD TIN,的优点,台阶覆盖(,step coverage),比较好,PVD TIN,CVD TIN,W CVD,简介,SiH4,Si,+H2,，,WF6 + SiH4 - W + SiF4,WF6 + H2 - W+HF,W CVD,对孔(,contact/via),的填充能力优于用溅镀的方法来填充。,Monitor,项目与影响,Monitor,的目的是确保制程结果不会超出控制规范(,O,ut,O,f,C,ontrol),厚度异常会导致蚀刻的残留或过蚀刻，这样就会有局部线路短路或者断路，从而导致整个器件的报废。,厚度：,颗粒：,颗粒同样也可能会让局部线路短路或者断路。,漏率：,漏率过大会让制程,chamber,达不到要求的真空度，影响到金属薄膜的品质，也会增加,chamber,内的颗粒数。,Mark Shielding,：,Mark Shielding OOC,时，将会导致,Mark,的位置被薄膜掩盖住，到,Photo,时会导致无法对准。,AlCu,Delay Time,：,AlCu,Delay Time,定义为,AlCu,镀完到,TiN,镀完的时间，如果这个时间过长，,AlCu,薄膜将会转变得难蚀刻，残留会导致器件短路。,M,注意事项,控片准备：,PVD,TiN, Ti,Silicide,AlCu,的厚度和,Dep,-PD,控片为,(,Bare Silicon+Thermal Oxide 1k) (,两面均为,蓝色,),Scrubber,和,Enhance-PD,控片为,bare silicon,严禁含有光阻的晶片直接进,PVD,机台,时间控制：,AlCu,Delay time OOC(,O,ut,O,f,C,ontrol),Ti,silicide,Q-time,Run,货时间异常,4个,stage,的,Scrubber,机台，,lot,置于,STAGE 1、2,则空,Boat,应对应置于,Stage 3,、,4,，,run,完后,slot,位置颠倒(原来,slot1,变为,slot25,) 。,3个,stage,的,Scrubber,机台,wafer run,完后回到原来位置,
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