第8章二极管和晶体管

*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,电子技术,本章要求：,一、理解,PN,结的单向导电性,，晶体管,（三极管）的,电流分配,和,电流放大作用,；,二、了解二极管、稳压管和三极管的基本构造、工,作原理和特性曲线，理解主要参数的意义；,三、,会分析,含有,二极管,的电路。,8.1,半导体的导电特性,半导体的导电特性：,(,可做成温度敏感元件，如热敏电阻,),。,掺杂性,：,往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电,能力明显改变,(,可做成各种不同用途的半导,体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。,光敏性：,当受到光照时，导电能力明显变化,(,可做,成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极,管、光敏三极管等,),。,热敏性：,当环境温度升高时，导电能力显著增强,本征半导体,完全纯净的、具有晶体结构的,锗、硅、硒,，称为本征半导体。,晶体中原子的排列方式,硅单晶中的共价健结构,共价健,共价键中的两个电子，称为,价电子,。,Si,Si,Si,Si,价电子,Si,Si,Si,Si,价电子,价电子在获得一定能量（温度升高或受光照）后，即可挣脱原子核的束缚，成为,自由电子,（带负电），同时共价键中留下一个空位，称为,空穴,（带正电）,。,本征半导体的导电机理,本征激发：,空穴,温度愈高，晶体中产生的自由电子便愈多。,自由电子,在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子来,填补,，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当于,空穴的运动,（相当于正电荷的移动）。,本征半导体的导电机理,当半导体两端加上外电压时，载流子定向运动（,漂移,运动,），在半导体中将出现两部分电流,(1),自由电子作定向运动,电子电流,(2),价电子递补空穴,空穴电流,注意：,(1),本征半导体中载流子数目极少,其导电性能很差；,(2),温度愈高， 载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好。所以，,温度对半导体器件性能影响很大。,自由电子和,空穴成对地产生的同时，又不断复合。,在一定温度下，载流子的产生和复合达到,动态平衡,，,半导体中载流子便维持一定的数目。,半导体有两种导电粒子（,载流子,）：,自由电子、空穴,8.1.2 N,型半导体和,P,型半导体,掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式，称为,电子,半导体或,N,型,半导体。,掺入五价元素,Si,Si,Si,Si,p+,多余电子,磷原子,在常温下即可变为自由电子,失去一个电子变为正离子,在本征半导体中掺入微量的,杂质,（某种,元素,）,形成,杂质半导体,。,多数载流子（,多子,）：,自由电子,少数载流子（,少子,）：,空穴,8.1.2 N,型半导体和,P,型半导体,掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为,空穴,半导体或,P,型,半导体。,掺入三价元素,Si,Si,Si,Si,多子,：空穴,少子,：自由电子,B,硼原子,接受一个电子变为负离子,空穴,无论,N,型或,P,型半导体都是中性的，,对外不显电性,。,1.,在杂质半导体中多子的数量与,（,a.,掺杂浓度、,b.,温度）有关。,2.,在杂质半导体中少子的数量与,（,a.,掺杂浓度、,b.,温度）有关。,3.,当温度升高时，少子的数量,（,a.,减少、,b.,不变、,c.,增多）。,a,b,c,4.,在外加电压的作用下，,P,型半导体中的电流,主要是,，,N,型半导体中的电流主要是 。,（,a.,电子电流、,b.,空穴电流）,b,a,8.2,PN,结及其单向导电性,PN,结：,P,型半导体和,N,型半导体交界面的特殊薄层,1.,PN,结加正向电压,（正向偏置）,P,接正、,N,接负,外电场,I,F,P,N,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,多子在外电场作用下定向移动，形成较大的正向电流。,PN,结加正向电压时，,正向电阻较小，处于导通状态。,低阻态,+,2. PN,结加反向电压,（反向偏置）,外电场,P,接负、,N,接正,少子在外电场作用下定向移动，形成很小的反向电流。,PN,结加反向电压时，,反向电阻较大，处于截止状态。,温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。,P,N,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,I,R,高阻态,8.3,半导体二极管,1.,基本结构（一个,PN,结）,(a),点接触型,(b),面接触型,结面积小、结电容小、正向电流小。用于检波和变频等高频电路。,结面积大、正向电流大、结电容大，用于工频大电流整流电路。,(c),平面型,用于集成电路制作工艺中。,PN,结结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。,阴极引线,阳极引线,二氧化硅保护层,P,型硅,N,型硅,(,c,),平面型,金属触丝,阳极引线,N,型锗片,阴极引线,外壳,(,a,),点接触型,铝合金小球,N,型硅,阳极引线,PN,结,金锑合金,底座,阴极引线,(,b,),面接触型,二极管的结构示意图,阴极,阳极,(,d,),符号,D,2.,伏安特性,硅管,0.5V,锗管,0,.1V。,反向击穿,电压,U,(BR),导通压降,外加电压大于死区电压二极管才能导通。,外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。,正向特性,反向特性,特点：非线性,硅0,.60.7V,锗0,.2,0.3V,U,I,死区电压,P,N,+,P,N,+,反向电流在一定电压,范围内保持常数。,3.,主要参数,1,）,最大整流电流,I,OM,二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。,2,）,反向工作峰值电压,U,RWM,是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，一般是二极管反向击穿电压,U,BR,的一半或三分之二。二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。,3,）,反向峰值电流,I,RM,指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，,I,RM,受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小,，,锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几百倍。,4.,二极管,的单向导电性,1,） 二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴极接负 ）时， 二极管处于正向导通状态，二极管正向电阻较小，正向电流较大。,2,） 二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴极接正 ）时， 二极管处于反向截止状态，二极管反向电阻较大，反向电流很小。,3,） 外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。,4,） 二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反向电流愈大。,二极管电路分析举例,定性分析：,判断二极管的工作状态,导通截止,否则，正向管压降,硅0,.60.7V,锗0,.2,0.3V,分析方法：,将二极管断开，分析二极管两端电位,的高低或所加电压,U,D,的正负。,若,V,阳,V,阴,或,U,D,为正，二极管导通,若,V,阳, V,阴,，二极管导通,若忽略管压降，二极管可看作短路，,U,AB,=,6V,否则，,U,AB,低于,6V,一个管压降，为,6.3,或,6.7V,例,1,：,取,B,点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。,D,6V,12V,3k,B,A,U,AB,+,解：,D:,钳位作用,A,B,D,1,D,2,R,Y,+3V,0V,二极管正向导通时的压降为,0.3V,二极管,D,1,优先导通，所以,Y,点电位,由于此时,二极管,D,2,外加反向电压，所以截止,例,2,：,D1,钳位,求：,V,Y,取,B,点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。,V,1,阳,=,6 V,，,V,2,阳,=0 V,，,V,1,阴,=,V,2,阴,=,12 V,U,D1,= 6V,，,U,D2,=12V,U,D2,U,D1,D,2,优先导通， 钳位，使,D,1,截止。,若忽略管压降，二极管可看作短路，,U,AB,= 0 V,例,3:,流过 D,2,的电流为,求：,U,AB,D,2,：钳位作用，,D,1,：隔离作用。,B,D,1,6V,12V,3k,A,D,2,U,AB,+,解：,u,i, 8V,，二极管导通，可看作短路,u,o,= 8V,u,i, E,，二极管导通，可看作短路,u,o,=,u,i,u,i, E,，二极管截止，可看作开路,u,o,=,E,D:,串联二极管限幅,8.4,稳压二极管,1.,符号,U,Z,I,Z,I,ZM,U,Z,I,Z,2.,伏安特性,稳压管正常工作时加反向电压,使用时要加限流电阻,稳压管反向击穿后，电流变化很大，但其两端电压变化很小，利用此特性，稳压管在电路中可起稳压作用。,_,+,U,I,O,3.,主要参数,(1),稳定电压,U,Z,稳压管正常工作,(,反向击穿,),时管子两端的电压。,(2),电压温度系数,环境温度每变化,1,C,引起,稳压值变化的,百分数,。,(3),动态电阻,(4),稳定电流,I,Z,、最大稳定电流,I,ZM,(5),最大允许耗散功率,P,ZM,=,U,Z,I,ZM,r,Z,愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。,8.5,晶体管,8.5.1,基本结构,N,N,P,基极,发射极,集电极,NPN,型,B,E,C,B,E,C,PNP,型,P,P,N,基极,发射极,集电极,符号：,B,E,C,I,B,I,E,I,C,B,E,C,I,B,I,E,I,C,NPN,型三极管,PNP,型三极管,基区：最薄，,掺杂浓度最低,发射区：掺,杂浓度最高,发射结,集电结：面积大,B,E,C,N,N,P,基极,发射极,集电极,结构特点：,集电区：,面积最大,8. 5. 2,电流分配和放大原理,1.,三极管放大的外部条件,B,E,C,N,N,P,E,B,R,B,E,C,R,C,发射结正偏、集电结反偏,PNP:,发射结正偏,V,B,V,E,集电结反偏,V,C,V,E,集电结反偏,V,C,V,B,2.,各电极电流关系及电流放大作用,I,B,(mA),I,C,(mA),I,E,(mA),0,0.02,0.04,0.06,0.08,0.10,0.001,0.70,1.50,2.30,3.10,3.95,0.001,0.72,1.54,2.36,3.18,4.05,结论,:,1,）三电极电流关系,I,E,=,I,B,+,I,C,2,）,I,C,I,B,，,I,C,I,E,3,）,I,C, ,I,B,把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。,实质,:,用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化，是,CCCS,器件,。,3.,三极管内部载流子的运动规律,B,E,C,N,N,P,E,B,R,B,E,C,I,E,I,BE,I,CE,I,CBO,基区空穴向发射区的扩散可忽略。,发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流,I,E,。,进入,P,区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流,I,BE,，多数扩散到集电结。,从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成,I,CE,。,集电结反偏，有少子形成的反向电流,I,CBO,。,3.,三极管内部载流子的运动规律,I,C,=,I,CE,+,I,CBO,I,CE,I,C,I,B,B,E,C,N,N,P,E,B,R,B,E,C,I,E,I,BE,I,CE,I,CBO,I,B,=,I,BE,-,I,CBO,I,BE,I,CE,与,I,BE,之比称为共发射极电流放大倍数,(,常用公式,),特性曲线,即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。,为什么要研究特性曲线：,1,）直观地分析管子的工作状态,2,）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的电路,重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线,发射极是输入回路、输出回路的公共端,共发射极电路,测量晶体管特性的实验线路,输入回路,输出回路,E,C,I,C,E,B,mA,A,V,U,CE,U,BE,R,B,I,B,V,+,+,+,+,1.,输入特性,特点,:,非线性,死区电压：硅管,0.5,V,，锗管,0.1,V,。,正常工作时发射结电压：,NPN,型硅管,:,U,BE, 0.60.7V,NPN,型锗管:,U,BE, 0.2 0.3V,I,B,(,A),U,BE,(V),20,40,60,80,0.4,0.8,U,CE,1V,O,2.,输出特性,I,B,=0,20,A,40,A,60,A,80,A,100,A,3,6,I,C,(,m,A ),1,2,3,4,U,CE,(V),9,12,O,放大区,输出特性曲线通常分三个工作区：,(1),放大区,在放大区有,I,C,=,I,B,，也,称为线性区，具有恒流特性。,条件：,发射结正向偏置,集电结反向偏置,I,B,=0,20,A,40,A,60,A,80,A,100,A,3,6,I,C,(,m,A ),1,2,3,4,U,CE,(V),9,12,O,（,2,）截止区,I,B, 0,以下区域为,截止区，有,I,C, 0,，,U,CE,U,CC,。,条件：,发射结反向偏置、集电结反向偏置,饱和区,截止区,（,3,）饱和区,U,CE,U,BE,时,，,饱和状态。,U,CE,0, I,C,U,CC,/ R,C,。,条件：,发射结正向偏置,集电结正向,偏置,主要参数,1.,电流放大系数,，,直流电流放大系数：,交流电流放大系数：,当晶体管接成共发射极电路时：,表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。,注意：,和,的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并且,I,CEO,较小的情况下，两者数值接近。,常用晶体管的,值在,20 200,之间。,2.,集,-,基极反向截止电流,I,CBO,I,CBO,是由少数载流子的漂移运动所形成的电流，受温度的影响大。,温度,I,CBO,I,CBO,A,+,E,C,3.,集,-,射极反向截止电流,(,穿透电流,),I,CEO,A,I,CEO,I,B,=0,+,I,CEO,受温度的影响大。,温度,I,CEO,，,所以,I,C,也相应增加。,三极管的温度特性较差。,4.,集电极最大允许电流,I,CM,5.,集,-,射极反向击穿电压,U,(BR)CEO,集电极电流,I,C,上升会导致三极管的,值的下降，当,值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为,I,CM,。,当集,射极之间的电压,U,CE,超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是,25,C,、,基极开路时的击穿电压,U,(BR),CEO,。,6.,集电极最大允许耗散功耗,P,CM,P,CM,取决于三极管允许的温升，消耗功率过大，温升过高会烧坏三极管。,P,C,P,CM,=,I,C,U,CE,硅,管允许结温约为,150,C,，,锗,管约为,70,90,C,。,I,C,U,CE,=P,CM,I,CM,U,(BR)CEO,安全工作区,由三个极限参数可画出三极管的安全工作区,I,C,U,CE,O,晶体管参数与温度的关系：,1,、温度每增加,10,C,，,I,CBO,增大一倍。硅管优,于锗管。,2、温度每升高,1,C,，,U,BE,将减小,(2,2.5)mV,，,即晶体管具有负温度系数。,3,、温度每升高,1,C,，,增加,0.5%1.0%,。,在以后的计算中，一般作近似处理：,=,。,I,B,=0,20,A,40,A,60,A,80,A,100,A,3,6,I,C,(,m,A ),1,2,3,4,U,CE,(V),9,12,0,Q,1,Q,2,在,Q,1,点，有,由,Q,1,和,Q,2,点，得,例1,：,U,CE,= 6 V,时， 在,Q,1,点,I,B,=40,A,I,C,=1.5mA；,在,Q,2,点,I,B,=60 A,I,C,=2.3mA。求,Q,1,、 Q,2,的,在,Q,2,点，有,（,1,）,V,1,=3.5V,，,V,2,=2.9V,，,V,3,=12V,。,例,2,：,测得工作在放大电路中几个晶体管三个极电位值,V,1,、,V,2,、,V,3,，判断管子的类型、材料及三个极。,NPN,型硅管，,1,、,2,、,3,依次为,B,、,E,、,C,（,2,）,V,1,=3V,，,V,2,=2.8V,，,V,3,=12V,。,（,3,）,V,1,=6V,，,V,2,=11.4V,，,V,3,=12V,。,（,4,）,V,1,=6V,，,V,2,=11.8V,，,V,3,=12V,。,NPN,型锗管，,1,、,2,、,3,依次为,B,、,E,、,C,PNP,型硅管，,1,、,2,、,3,依次为,C,、,B,、,E,PNP,型锗管，,1,、,2,、,3,依次为,C,、,B,、,E,例,3,：测得电路中三极管各极对地的电位值如下表所示，判断各管的工作状态及类型。,管号,V,B,（,V,）,V,C,（,V,）,V,E,（,V,）,T,1,-0.3,-5,0,T,2,2.73,2.3,2,T,1,：,U,BE,= -0.3V,，放大状态，,PNP,型,T,2,：,U,CE,= 0.3V,，饱和状态，,NPN,型,管子工作在放大状态，利用,I,B,对,I,C,的控制作用。,1,、用于交流放大电路中,I,C,=,I,CEO,0,，,c,、,e,之间相当于断路，,三极管相当于一个开关处于断开状态。,U,CES,0,，,c,、,e,之间相当于短路，,三极管相当于一个开关处于接通状态。,2,、用于数字电路中,管子工作在截止或饱和状态，利用其开关特性。,截止时,：,饱和时,：,“开”,“关”,半导体三极管应用,三极管型号的含义,(2),用字母表示三极管的材料与类型。如,A,表示,PNP,型锗管，,B,表示,NPN,型锗管，,C,表示,PNP,型硅管，,D,表示,NPN,型硅管,。,(3),由字母组成，表示器件类型，即表明管子的功能。 如,X,表示低频小功率管，,G,表示高频小功率管,，,D,表示低频大功率管，,A,表示高频大功率管。,三极管的型号一般由五部分组成,如,3AX31A,、,3DG12B,、,3CG14G,等。下面以,3DG12B,为例说明各部分的含义。,(1),用数字表示电极数目。“,3”,代表三极管。,(4),用数字表示三极管的同种器件型号的序号。,(5),由字母组成,表示三极管的同一型号中的不同规格号。,常见三极管的外形结构,实物照片,