TFT-LCD Array&Cell工艺流程

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,2016/8/19,#,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,2016/8/19,#,Array,基板,Process flow,工艺流程,目录,CONTENTS,显示家族,LTPS,的“家族地位”,LTPS,的“成长过程”,LTPS,的“恋爱经历”,Part 1,显示世界,第二次汇报,-Si,$,显示家族,0.50.7,高,265,1030,中,300350,IGZO,50100,低,250450,LTPS,N/A,N/A,低,250,OLED,注,：,最,优,次之,最,差,N/A,无数据,显示技术,电子迁移率,均匀度,开口,率,成本,良品,率,PPI,Part 2,LTPS,的”家族地位”,第二次汇报,29.8%,34.6%,2015,年,LTPS/Oxide,TFT,规格智能手机面板,2016,年,LTPS/Oxide,TFT,规格智能手机面板,2015-,2016,年智能,手机面板采用技术比重变化,数据来源：,Displaysearch,面板厂持续扩充,LTPS,产能,；,预期,未来,以,LTPS,技术为主的智能手机面板出货将持续增长,；,同时,AMOLED,面板也将抢占高端手机市场的比重,。,LTPS,的“家族地位”,Part 3,LTPS,的”自我介绍”,第二次汇报,LTPS,的“成长过程”,工艺流程图,Mask,Deposition,LTPS,的“成长过程”,Initial Cleaner,-,初清洗,Deposition,(CVD+PVD)-,化学,+,物理气象沉积,ELA,(Excimer Laser Annealing)-,准分子激光退火,黄光制程,(PHOTO),-,Cleaning, Coating,Exposure, Develop,工艺解析,剥离,(Stripper),-,去除光刻胶,IMP,(implantation,，,ion implantation doping)-,离子注入掺杂,RTA,(Rapid Thermal Anneal),-,快速热退火,注入前,LTPS,的“成长过程”,Etching,(wet+dry),:,干,/,湿蚀刻,干法蚀刻,工艺解析,注入后,退火后,Part 4,LTPS,的”恋爱经历”,第二次汇报,LTPS,的“恋爱经历”,他,Array,LTPS Overall,Layer,LTPS,的“恋爱经历”,Array,制成,12 Mask,LS,3L/Poly,NCD,NP,GI/GE/LDD,PP,ILD,SD,PLN,BITO,PV,TITO,LTPS,的“恋爱经历”,Array,制成,17 Mask,LS,3L/Poly,NCD,NP,GI/GE/LDD,PP,ILD,LS,：防止,Poly,受到强光照射产生光生载流,子,3L/Poly,：,缓,冲,层：防,止玻璃基,板杂质扩散,LTPS,中。,ELA,：,Excimer Laser Annealing,即准分子激光退火,，,Array,制成,89 Mask,LTPS,的“恋爱经历”,DHF CLN,：除去,poly,表面的氧化层，降低,M2 poly,接触阻抗。,Anneal,：热退火，形成,Mo/Si,固溶体，发生欧姆接触,，提,高电子迁移率,。,RTA,：活化（修复受损晶格，让杂质进行活性位置）,&,氢化（多晶硅晶粒间存在粒界态，多晶硅与氧化层间存在界面态，影响晶体管电性,。,PLN,：平坦层目的：,1.,平坦化，使配向更均匀；,2.,减小,couple,电容，降低,data line loading,。,SD,PLN,Array,制成,1012 Mask,LTPS,的“恋爱经历”,BITO,PV,TITO,Anneal,目的：提高,ITO,膜层的稳定性，,ITO,晶化，增加导电率。,PV,：,Passivation,钝化层，隔绝,ITO1,与,ITO2,LTPS,的“恋爱经历”,CF,她,CF,制成,LTPS,的“恋爱经历”,1.,与,Array,不同,，,CF,制程使用的负性光刻胶,，,在漏光区留下团。,2.BM,（,Black Matrix,，黑色矩阵）和,RGB,PS,都是相同的黄光工艺，只是涂布的材料分别是黑色，,RGB,和,PS,。,BM,涂布,曝光,显影,R,涂布,曝光,显影,GB,OC,LTPS,的“恋爱经历”,他,&,她,CF,Array,Cell,Cell,制成,LTPS,的“恋爱经历”,PI &Rubbing,ODF,Slim & ITO,E-Cell,