上次课主要内容回顾课件

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,上次课主要内容回顾,1.双极集成电路的基本制造工艺,什么是极？,怎么做隔离？,6次光刻和光刻目的,2.MOS集成电路的基本制造工艺,根据阱的导电类型进行的分类,P（N）阱硅栅CMOS工艺和元件的形成过程（5次离子注入、10次光刻）,第二章 集成电路中的晶体管及其寄生效应,2.1理想本征集成双极晶体管的EM模型,2.2集成双极型晶体管的有源寄生效应,2.3集成双极型晶体管的无源寄生效应,本次课主要内容回顾,2.1理想本征集成双极晶体管的EM模型,图2.1集成电路中的双极晶体管结构(a)剖面 (b)符号表示(c)极性规定,(a),(C),工作晶体管,寄生晶体管,图2.2双极晶体管的四种工作状态,双极晶体管的四种工作状态的判断,2.2集成双极晶体管的有源寄生效应,2.2.1 NPN管工作于正向工作区和截止区,寄生PNP管截止。只增加I,B,，I,C,的反向漏电流，和衬底漏电流I,S, 。,2.2.2 NPN管工作于反向工作区,寄生PNP管工作区于正向工作区。,定性分析：相当大的反向NPN管“发射极电流作为无用电流流向,I,S 。,解决寄生管影响的方法思路： I,S,减小,SF,减小,：,减小PNP管的集电极电流,掺金工艺：少子的寿命减少；,埋层工艺：少子基区渡越时间增加,。,管工作于饱和区,PNP管工作在正向工作区。,解决方法：,减小,SF,掺金工艺、埋层工艺,。,增大,V SBC(V =V,BE,-V,BC,),2.3集成双极晶体管的无源寄生效应,图2.3-1标有无源电阻寄生元件的集成NPN晶体管结构图,C,B,E,N+-BL,N+,N+,P,N-epi,P+,P+,P-SUB,rc3,rc2,rc1,rb,res,发射极串联电阻res,集电极串联电阻rcs,基区电阻rb,集成NPN晶体管中的寄生电阻,寄生电阻的计算方法,发射极串联电阻res：见黑板,集电极串联电阻rcs,基区电阻rb,1.截锥体模型,L,W,bL,aW,T,20 14 10 12 10 10 10 10 10 12 10 14 20,10 10 10,3.基区电阻r,B,的计算方法,B,E,rb3,rb2,rb1,图2.3-2标有无源电容寄生元件的集成NPN晶体管结构图,C,B,E,N+-BL,N+,N+,P,N-epi,P+,P+,P-SUB,集成NPN晶体管中的寄生电容,CjE,CjS,CjC,