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单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,二级,三级,四级,五级,11/10/2015,#,工科平台,晶体位错,1,位错是晶体中局部滑移区域的边界线，即是晶体中的一种线缺陷；它是决定金属等晶体力学性质的基本因素，也对晶体的其他许多性质（包括晶体生长）有着严,重的影响。,2,晶体位错,刃位错,(,棱位错,),螺旋位错,3,4,刃位错的位移,5,螺旋位错的位移,6,半,导体中,位错可起一定的施主和受主,作用,位错可使能带发生变化,位错是散射载流子的,中心,位错起复合中心,作用,位错将促进杂质,的沉积,Not Good,！,7,根据华北光电技术,研究所的一个实验,0,1/(2/Rh-1),(,0,为有效热应力，,R,为晶体半径，,h,为热交换系数,),(,有效热应力引起晶体位错,),(,随着晶体半径的,加大,晶体内热应力增大,晶体位错增多,),8,得出图像,当由环境冷却晶体变为环境加热晶体时，热应力递减。,环境温度应尽可能高于晶体温度,How,9,保温罩！,10,实验结果显示，加上保温罩后锑化铟晶体位错密度明显降低！,Success,11,与超导的联系,目前位错理论不仅仅局限于,塑性变形等问题,在滞弹性、断裂、相变、晶体的电磁性能、晶体的,光学性质以及超导体等领域位错理论也,愈来愈,重要。,透射电子显微镜,(TEM),观察表明沿,C,方向的位错缺陷会影响超导性能,。,该研究结果可能从结构,的观点,提供,FEP,体系超导,体的新解释。,报,道在,YBa,2,Cu,3,Ox,单晶,(,100),/ (,010),晶面上观察到螺旋状生长丘,该晶,面上螺旋位错密度达,1,0,5,个,/,cm,2,低于,YBa,2,Cu,3,Ox,（,001,）面上的位错,密度,(,约,1,0,9,个,/ cm,2,）,讨论了与螺旋生长机制相关联,的缺陷,及其临界电流,密度的影响。,12,Thank you,13,
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