第2章三极管及其放大电路PPT文档资料课件

模 拟 电 子 技 术1.3双极型双极型晶体管晶体管图图1.3.1 晶体管的几种常见外形晶体管的几种常见外形晶体三极管、半导体三极管，晶体三极管、半导体三极管，简称：简称：晶体管晶体管或或三极管三极管1.3双极型晶体管图1.3.1 晶体管的几种常见外形晶体三模 拟 电 子 技 术NNP发射极发射极 E基极基极 B集电极集电极 C发射结发射结集电结集电结 基区基区 发射区发射区 集电区集电区emitterbasecollectorNPN 型型PPNEBCPNP 型型ECBECB图图1.3.2 晶体管的结构和符号晶体管的结构和符号1.3.1 晶体管的结构及类型晶体管的结构及类型符号符号:NNP发射极 E基极 B集电极 C发射结集电结 基区 发模 拟 电 子 技 术内内部部结结构构发射区掺杂浓度高发射区掺杂浓度高基区薄且掺杂浓度低基区薄且掺杂浓度低集电结面积大集电结面积大内部发射区掺杂浓度高基区薄且掺杂浓度低集电结面积大模 拟 电 子 技 术1.3.2晶体管的电流放大作用晶体管的电流放大作用外部外部条件条件发射结正偏发射结正偏图图1.3.3 基本共射放大电路基本共射放大电路集电结反偏集电结反偏1.3.2晶体管的电流放大作用外部发射结正偏图1.3.3 基模 拟 电 子 技 术一、晶体极管内部载流子的运动一、晶体极管内部载流子的运动1)发射区向基区注入多子发射区向基区注入多子电子电子，形成发射极电流形成发射极电流 IE。I CN多数向多数向 BC 结方向扩散形成结方向扩散形成 ICN。IE少数与空穴复合，形成少数与空穴复合，形成 IBN。I BN基区空基区空穴来源穴来源基极电源提供基极电源提供(IB)集电区少子漂移集电区少子漂移(ICBO)I CBOIB即：即：IB=IBN ICBO 2)电子到达基区后，电子到达基区后，(基区空穴运动因浓度低而忽略基区空穴运动因浓度低而忽略)一、晶体极管内部载流子的运动1)发射区向基区注入多子电子，模 拟 电 子 技 术I CNIEI BNI CBOIB 3)集电区收集扩散过集电区收集扩散过 来的载流子形成集来的载流子形成集 电极电流电极电流 ICICI C=ICN +ICBO I CNIEI BNI CBOIB 3)集电区收集扩散过I模 拟 电 子 技 术二、二、晶体管的电流分配关系晶体管的电流分配关系当当管管子子制制成成后后，发发射射区区载载流流子子浓浓度度、基基区区宽宽度度、集电结面积等确定，故电流的比例关系确定，即：集电结面积等确定，故电流的比例关系确定，即：IB=I BN ICBO IC=ICN +ICBO穿透电流穿透电流(1.3.5)三、晶体管的共射电流放大放大系数三、晶体管的共射电流放大放大系数二、晶体管的电流分配关系当管子制成后，发射区载流子浓度模 拟 电 子 技 术IE=IC+IB(1.3.6)(1.3.7)(1.3.5)一般：一般：IBICBO电流放大倍数电流放大倍数(1.3.4)IE=IC+IB(1.3.6)(1.3.7)(1.3模 拟 电 子 技 术uiuoCEB共基极共基极(1.3.11)uiuoCEB共基极(1.3.11)模 拟 电 子 技 术1.3.3 晶体管的共射特性曲线晶体管的共射特性曲线一、输入特性一、输入特性曲线曲线输入输入回路回路输出输出回路回路与二极管特性相似与二极管特性相似1.3.3 晶体管的共射特性曲线一、输入特性曲线输入输出与模 拟 电 子 技 术O特性基本特性基本重合重合(电流分配关系确定电流分配关系确定)特性右移特性右移(因集电结开始吸引电子因集电结开始吸引电子)导通电压导通电压 UBE(on)硅管：硅管：(0.6 0.8)V锗管：锗管：(0.2 0.3)V取取 0.7 V取取 0.2 V图1.3.5 晶体管的输入特性曲线O特性基本重合(电流分配关系确定)特性右移(因集电结开始吸引模 拟 电 子 技 术二、输出特性二、输出特性曲线曲线50 A40 A30 A20 A10 AIB=04321iC/mAuCE/VO 2 4 6 8 1.截止区：截止区：2.IB 0 3.IC=ICEO 0条件：条件：发射结发射结uBE二、输出特性曲线50 A4iC/mAuCE/VO 模 拟 电 子 技 术iC/mAuCE/V50 A40 A30 A20 A10 AIB=0O 2 4 6 8 43212.放大区：放大区：放大区放大区截止区截止区条件：条件：发射结正偏发射结正偏 集电结反偏集电结反偏特点：特点：水平、等距水平、等距离、离、与横轴平行与横轴平行ICEOiC/mAuCE/V50 AO 2模 拟 电 子 技 术iC/mAuCE/V50 A40 A30 A20 A10 AIB=0O 2 4 6 8 43213.饱和区：饱和区：uCE u BEuCB=uCE u BE 0条件：条件：两个结正偏两个结正偏特点：特点：IC u ONiC/mAuCE/V50 AO 2模 拟 电 子 技 术1.3.4 晶体管的主要参数晶体管的主要参数1共射直流电流放大系数共射直流电流放大系数2共基直流电流放大系数共基直流电流放大系数3极间反向电流极间反向电流 ICBO、ICEO反向饱和电流反向饱和电流 ICBO：发射极开路时集电结的反向电流。：发射极开路时集电结的反向电流。穿透电流穿透电流ICEO：基极开路时的集电极与发射极之间的电流。：基极开路时的集电极与发射极之间的电流。一、直流参数一、直流参数 1 一般在一般在 0.98 以上。以上。1.3.4 晶体管的主要参数1共射直流电流放大系数2共基模 拟 电 子 技 术二、交流参数二、交流参数1.共射交流电流放大系数共射交流电流放大系数2.共基交流电流放大系数共基交流电流放大系数大多数场合，可以认为：大多数场合，可以认为：二、交流参数1.共射交流电流放大系数2.共基交流电流放模 拟 电 子 技 术3.特征频率特征频率 fT：由于由于PN结节电容的影响，三极管结节电容的影响，三极管值会随工作信号频率值会随工作信号频率的升高而变小。的升高而变小。1使使|下降为下降为1的的信号频率称为信号频率称为 特征频率特征频率fT。特征频率特征频率03.特征频率 fT：由于PN结节电容的影模 拟 电 子 技 术硅管能够承受的最高结温为硅管能够承受的最高结温为150，锗管为，锗管为70。图图1.3.7 晶体管的极限参数晶体管的极限参数三、极限参数三、极限参数1.最大集电极耗散功率最大集电极耗散功率PCM：取决定于晶体管能承受的最大温升。取决定于晶体管能承受的最大温升。PCM=iC uCE=常数常数uCE与与iC的乘积的乘积为双曲线的一支。为双曲线的一支。PCM=iC uCE。硅管能够承受的最高结温为150，锗管为70。图1.3.7模 拟 电 子 技 术2.最大集电极电流最大集电极电流 ICMiC在相当大的范围内在相当大的范围内值基本不变，但当值基本不变，但当iC的数值大到一的数值大到一定程度时定程度时值将减小。值将减小。使使值明显减小的值明显减小的iC即为即为ICM。对于合金型小功率管，定义当对于合金型小功率管，定义当UCE=1V时，由时，由PCM=iC uCE得出的得出的 iC 即为即为ICM。实际上，当晶体管的实际上，当晶体管的iC大于大于ICM时，晶体管不一定损坏，时，晶体管不一定损坏，但但明显下降。明显下降。ICM0与与IC的关系的关系2.最大集电极电流 ICMiC在相当大的范围内值基本模 拟 电 子 技 术3极间反向击穿电压极间反向击穿电压晶体管的某一电极开路时，另外两个电极间晶体管的某一电极开路时，另外两个电极间所允许加的最高反向电压即为极间反向击穿电所允许加的最高反向电压即为极间反向击穿电压，超过此值时管子会发生压，超过此值时管子会发生击穿现象击穿现象。下面是各种击穿电压的定义：下面是各种击穿电压的定义：3极间反向击穿电压晶体管的某一电极开路时，另外两个电极模 拟 电 子 技 术二、温度对输入特性曲线的影响二、温度对输入特性曲线的影响温度升高，输入特性曲线温度升高，输入特性曲线向左移。向左移。温度每升高温度每升高 1 C，UBE (2 2.5)mV。OT2 T1具有负温度系数具有负温度系数1.3.5 温度对晶体管特性及参数的影响温度对晶体管特性及参数的影响二、温度对输入特性曲线的影响温度升高，输入特性曲线向左移。温模 拟 电 子 技 术温度升高，输出特性曲线温度升高，输出特性曲线向上移。向上移。iCuCE T1iB=0T2 iB=0iB=0温度每升高温度每升高 1 C，(0.5 1)%。输出特性曲线间距增大。输出特性曲线间距增大。O三、温度对输出特性曲线的影响三、温度对输出特性曲线的影响温度升高，输出特性曲线向上移。iCuCE T1iB 模 拟 电 子 技 术总结总结：晶体管电路分析方法：晶体管电路分析方法三种工作状态分析三种工作状态分析状态电流关系 条 件放大放大I C=IB发射结正偏发射结正偏集电结反偏集电结反偏饱和饱和 I C Uon 则则导通导通以以 NPN为为 例：例：UBE UB UE放大放大UB UC UE饱和饱和PNP 管管UC UB UE放大放大饱和饱和UB UC UB 模 拟 电 子 技 术 例例1.3.1 现已测得某电路中几只晶体管三个极的直流电位现已测得某电路中几只晶体管三个极的直流电位如表如表132所示，各晶体管所示，各晶体管b-e间开启电压间开启电压Uon均为均为0.5V。试分别说明各管子的工作状态。试分别说明各管子的工作状态。放大放大饱和饱和放大放大截止截止 例1.3.1 现已测得某电路中几只晶体管三个极的直流模 拟 电 子 技 术例例132 在一个单管放大电路中，电源电压为在一个单管放大电路中，电源电压为30V，已知三只管子的参数如表已知三只管子的参数如表133所示，请选用一只管子，所示，请选用一只管子，并简述理由。并简述理由。例132 在一个单管放大电路中，电源电压为30V，模 拟 电 子 技 术第第 2 2 章章 基本放大电路基本放大电路2.1 放大的概念和放大电路的主要性能指标放大的概念和放大电路的主要性能指标2.2共射放大电路的工作原理共射放大电路的工作原理2.3放大电路的分析方法放大电路的分析方法2.4放大电路静态工作点的稳定放大电路静态工作点的稳定小结小结2.5晶体管单管放大电路的三种基本接法晶体管单管放大电路的三种基本接法2.6晶体管基本放大电路的派生电路晶体管基本放大电路的派生电路第 2 章 基本放大电路2.1 放大的概念和放大电路的模 拟 电 子 技 术2.1 放大的概念和放大电路的主要性能指标放大的概念和放大电路的主要性能指标2.1.1 放大的概念放大的概念一、一、放大的对象：放大的对象：对变化量的放大；对变化量的放大；二、二、放大的本质：放大的本质：能量的能量的控制控制和和转换转换；四、四、放大的前提：放大的前提：不失真的放大。不失真的放大。三、三、放大的基本特征：放大的基本特征：功率放大；功率放大；有源元件有源元件能控制能量转换；能控制能量转换；有源元件要工作在有源元件要工作在合适的工作区域合适的工作区域；2.1 放大的概念和放大电路的主要性能指标2.1.1 放大模 拟 电 子 技 术放大电路的性能指标放大电路的性能指标放大倍数放大倍数 Au；输入电阻；输入电阻 Ri ；输出电阻输出电阻 Ro；通频带；通频带 fbw。放大电路的性能指标放大倍数 Au；输入电阻 Ri ；模 拟 电 子 技 术一、放大倍数一、放大倍数放大倍数放大倍数是直接衡量放大电路放大能力的重要指标。是直接衡量放大电路放大能力的重要指标。设输入量为设输入量为 ，输出量为，输出量为则则例如：当例如：当 Xo=Uo ；Xi=Ui 时时（2.1.1）注意）注意 Auu下标下标一、放大倍数放大倍数是直接衡量放大电路放大能力的重要指标。设模 拟 电 子 技 术HomeNextBack电压放大倍数：电压放大倍数：（无量纲）（无量纲）互阻放大倍数：互阻放大倍数：（欧姆（欧姆）电流放大倍数：电流放大倍数：（无量纲）（无量纲）互导放大倍数：互导放大倍数：（西门子（西门子S)S)本本章章着着重重讨讨论论电电压压放大倍数。放大倍数。需需要要注注意意的的是是，在在实实际际应应用用时时，只只有有在在波波形形不不失失真真的的情情况况下下，测测试试的的放放大倍数才有意义。大倍数才有意义。HomeNextBack电压放大倍数：互阻放大倍数：电流放大模 拟 电 子 技 术二、输入电阻二、输入电阻 Ri从放大电路输入端看进去的等效电阻。从放大电路输入端看进去的等效电阻。输入端输入端输出端输出端信号源信号源一般来说，一般来说，Ri越大越好。越大越好。（1）Ri越大，越大，ii就越小，从信号源索取的电流越小。就越小，从信号源索取的电流越小。（2）当信号源有内阻时，）当信号源有内阻时，Ri越大，越大，ui就越接近就越接近uS。（2.1.5）二、输入电阻 Ri从放大电路输入端看进去的等效电阻。输入模 拟 电 子 技 术三.输出电阻中频段中频段中频段中频段通常希望通常希望通常希望通常希望R Ro o愈小愈好。愈小愈好。愈小愈好。愈小愈好。下页下页上页上页I Io oI Ii i放大放大放大放大电路电路电路电路R Ri i+-R Rs sR Ro o 放大电路技术指标测试示意图放大电路技术指标测试示意图+-U Ui i+-U Uo o首页首页三.输出电阻中频段通常希望Ro愈小愈好。下页上页IoIi放模 拟 电 子 技 术四、通频带四、通频带 fbw通频带通频带用于衡量放大电路对用于衡量放大电路对 不同频率信号的放大能力。不同频率信号的放大能力。放大倍数随频率放大倍数随频率变化曲线变化曲线幅幅频特性曲线频特性曲线下限截下限截止频率止频率上限截止上限截止频率频率通频带通频带：fbw=fHfL中频放中频放大倍数大倍数音频：音频：20Hz20kHz男音：男音：700Hz女音：女音：1kHz四、通频带 fbw通频带用于衡量放大电路对 不模 拟 电 子 技 术非线性失真系数非线性失真系数式中：式中：A1 基波幅值基波幅值A2 二次谐波幅值二次谐波幅值A3 三次谐波幅值三次谐波幅值（2.1.8）非线性失真系数式中：（2.1.8）模 拟 电 子 技 术在额定失真范围内的最大输出幅值在额定失真范围内的最大输出幅值以以有效值有效值Uom、峰值峰值UOP 或或 峰峰-峰值峰值UOPP 表示表示UopUoPPtUo六、最大不失真输出电压六、最大不失真输出电压在额定失真范围内的最大输出幅值UopUoPPtUo六、最大不模 拟 电 子 技 术七、最大输出功率与效率七、最大输出功率与效率电源消耗电源消耗功率功率七、最大输出功率与效率电源消耗功率模 拟 电 子 技 术2.2 基本共射放大电路的工作原理基本共射放大电路的工作原理2.2.1基本共射放大电路的组成及各元件的作用基本共射放大电路的组成及各元件的作用iBiCuBEuCE地地放大元件放大元件iC=iB，工作在放大区，集工作在放大区，集电结反偏，发射结电结反偏，发射结正偏。正偏。使发射结正偏，使发射结正偏，并提供适当的并提供适当的静态工作点静态工作点IB和和UBE。集电极电集电极电源，为电源，为电路提供能路提供能量。并保量。并保证集电结证集电结反偏。反偏。2.2 基本共射放大电路的工作原理2.2.1基本共射放大电模 拟 电 子 技 术二、常见的两种共射放大电路二、常见的两种共射放大电路1.直接耦合直接耦合共射放大电路共射放大电路图图2.2.4 直接耦合共射放大电路直接耦合共射放大电路特点：特点：信号源、负载信号源、负载与放大器直连与放大器直连共地共地单电源供电单电源供电二、常见的两种共射放大电路1.直接耦合共射放大电路图2.2.模 拟 电 子 技 术2.阻容耦合共射放大电路阻容耦合共射放大电路图图2.2.5 阻容耦合共射放大电路阻容耦合共射放大电路特点：具有隔直电容，信号源、负载不与放大器直连特点：具有隔直电容，信号源、负载不与放大器直连耦合电容耦合电容作用：作用：隔直流、通隔直流、通交流。交流。隔离输入输隔离输入输出与电路直流的联出与电路直流的联系，同时能使信号系，同时能使信号顺利输入输出。顺利输入输出。2.阻容耦合共射放大电路图2.2.5 阻容耦合共射放大模 拟 电 子 技 术2.2.2 共射放大电路工作原理共射放大电路工作原理一、静态工作点（一、静态工作点（Q）的必要性）的必要性IBQ、ICQ、UBEQ、UCEQ三极管电路中，其各极的电压和电流：三极管电路中，其各极的电压和电流：uBE、iB、uCE、iC 当当ui=0时，为三极管的静态（时，为三极管的静态（Quiescent）静态时的工作点称为静态工作点，记为静态时的工作点称为静态工作点，记为静态工作点对放大器的性能有至关重要的影响。静态工作点对放大器的性能有至关重要的影响。调整放大器，主要就是调整静态工作点。调整放大器，主要就是调整静态工作点。UBEQ=0.7v 硅硅0.2v 锗锗2.2.2 共射放大电路工作原理一、静态工作点（Q）的必要模 拟 电 子 技 术IBQICQUBEQUCEQ图图2.2.1 基本共射放大电路基本共射放大电路的静态工作点的静态工作点静态时，静态时，ui=0集电极电阻，将集电极电阻，将变化的电流转变变化的电流转变为变化的电压。为变化的电压。IBQICQUBEQUCEQ图2.2.1 基本共射放大电路模 拟 电 子 技 术二、为什么要设置静态工作点二、为什么要设置静态工作点目的：目的：在信号的整个周期中，使晶体管始在信号的整个周期中，使晶体管始终工作在线性放大状态终工作在线性放大状态二、为什么要设置静态工作点目的：在信号的整个周期中，使晶模 拟 电 子 技 术2.2.3基本共射放大电路的工作原理及波形分析基本共射放大电路的工作原理及波形分析图图2.2.3 基本共射放大基本共射放大电路的波形分析电路的波形分析交流信号驮载在交流信号驮载在直流分量上直流分量上直流分量直流分量脉动直流脉动直流uCE与与iC反相反相iB 与与 iC 同相同相 对于基本共射放大对于基本共射放大电路，只有设置合电路，只有设置合适的静态工作点，适的静态工作点，使交流信号驮载在使交流信号驮载在直流分量之上，以直流分量之上，以保证晶体管在输入保证晶体管在输入信号的整个周期内信号的整个周期内始终工作在放大状始终工作在放大状态，输出电压波形态，输出电压波形才不会产生非线性才不会产生非线性失真。失真。输入信号中，只有交流分量。输入信号中，只有交流分量。2.2.3基本共射放大电路的工作原理及波形分析图2.2.3 模 拟 电 子 技 术2.2.3基本共射放大电路的工作原理及波形分析基本共射放大电路的工作原理及波形分析 对于基本共射放大电路，只有设置对于基本共射放大电路，只有设置合适的静态工作点，方能保证晶体管合适的静态工作点，方能保证晶体管在输入信号的整个周期内始终工作在在输入信号的整个周期内始终工作在放大状态，输出电压波形才不会产生放大状态，输出电压波形才不会产生非线性失真。非线性失真。2.2.3基本共射放大电路的工作原理及波形分析 对于基模 拟 电 子 技 术放大电路的组成原则放大电路的组成原则一、组成原则一、组成原则（1）正确的电源电压，以便设置合适的）正确的电源电压，以便设置合适的Q点点，为输出提供，为输出提供能源；能源；（2）电阻取值得当，形成正确的）电阻取值得当，形成正确的Q点点（3）输入信号能够影响输出电流）输入信号能够影响输出电流（ui ube ib ic uce uo）（4）放大后的信号能够输出给负载）放大后的信号能够输出给负载放大电路的组成原则一、组成原则模 拟 电 子 技 术2.3 放大电路的图解分析方法放大电路的图解分析方法2.3.1 图解法求静态工作点图解法求静态工作点1.直流通路直流通路：在直流电源作用下直流电流流经的通路，也就：在直流电源作用下直流电流流经的通路，也就 是静态电流流经的通路，是静态电流流经的通路，用于研究静态工作点用于研究静态工作点。直流通路的特点：直流通路的特点：电容电容视为视为开路开路；电感电感线圈视为线圈视为短路短路(即忽略线圈电阻即忽略线圈电阻)；信号源信号源视为视为短路短路，但应保留其内阻。，但应保留其内阻。2.3 放大电路的图解分析方法2.3.1 图解法求静态工模 拟 电 子 技 术图图2.3.1（a）图图2.2.1 所示基本共射所示基本共射放大电路的直流通路放大电路的直流通路ui=0直流通路直流通路:图2.3.1（a）图2.2.1 所示基本共射放大电路的直模 拟 电 子 技 术举例举例:所有电容器看作开路。所有电容器看作开路。举例:所有电容器看作开路。模 拟 电 子 技 术阻容耦合共射放大电路的阻容耦合共射放大电路的Q点计算点计算(2.2.3a)(2.2.3b)(2.2.3c)UBEQIBQICQUCEQ阻容耦合共射放大电路的Q点计算(2.2.3a)(2.2.3b模 拟 电 子 技 术1.交流通路交流通路:交流通路交流通路：交流通路是输入信号作用下交流信号流经的通路，：交流通路是输入信号作用下交流信号流经的通路，用于研究动态（交流）参数。用于研究动态（交流）参数。交流通路的特点：交流通路的特点：容量大容量大的电容的电容(如耦合电容如耦合电容)视为视为短路短路 无内阻的无内阻的直流电源直流电源(如如VCC)视为视为短路短路 直流电源相当于接地直流电源相当于接地1.交流通路:交流通路：交流通路是输入信号作用下交流信号流经模 拟 电 子 技 术交流通路交流通路:图2.3.1(b)图2.2.1 所示基本共射放大电路的交流通路直流电源：直流电源：VCC、VBB看作短路看作短路交流通路:图2.3.1(b)图2.2.1 所示基本共射模 拟 电 子 技 术举例举例:电容器和直流电源都短路电容器和直流电源都短路:Rb1/Rb2P举例:电容器和直流电源都短路:模 拟 电 子 技 术 图图2.3.2 直接耦合共射放大电路及其直接耦合共射放大电路及其 直流通路和交流通路直流通路和交流通路直流工作点与直流工作点与Rs和和RL有关有关 图2.3.2 直接耦合共射放大电路及其 模 拟 电 子 技 术图图2.3.3 阻容耦合共射放大电路阻容耦合共射放大电路 的直流通路和交流通路的直流通路和交流通路RL=RC/RL 是阻容耦合是阻容耦合放大电路的总负载电阻放大电路的总负载电阻RL是负载电阻是负载电阻直流工作直流工作点与点与Rs和和RL无关无关直流直流交流交流图2.3.3 阻容耦合共射放大电路 的直流通路和模 拟 电 子 技 术分析放大电路应注意：分析放大电路应注意：在分析放大电路时，应遵循在分析放大电路时，应遵循“先静态，后动态先静态，后动态”。求解静态工作点时应利用求解静态工作点时应利用直流通路直流通路；求解动态参数时应利用求解动态参数时应利用交流通路交流通路。静态工作点静态工作点合适合适，动态分析才有意义。，动态分析才有意义。分析时不一定非画出直流通路不可。分析时不一定非画出直流通路不可。分析放大电路应注意：在分析放大电路时，应遵循“先静态，后动态模 拟 电 子 技 术课堂练习课堂练习试分析图试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路 课堂练习试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，模 拟 电 子 技 术3.图解法求静态工作点图解法求静态工作点图图2.3.4 基本共射放大电路基本共射放大电路Q点分析点分析:图解法用于分析放大电路的图解法用于分析放大电路的Q点、放大倍数和失真。点、放大倍数和失真。3.图解法求静态工作点图2.3.4 基本共射放大电路Q模 拟 电 子 技 术输出回路的图解分析输出回路的图解分析直流负载线直流负载线左边：三左边：三极管输极管输出特性出特性右边：输出负载线右边：输出负载线uCE=VCC iC Rc直流负载线与输直流负载线与输出特性曲线的出特性曲线的交点交点就是就是Q点。点。斜率：斜率：QVCC输出回路的图解分析直流负载线左边：三极管输出特性右边：输出负模 拟 电 子 技 术利用直流负载线求解利用直流负载线求解 Q 点（点（UCEQ 和和 ICQ）1.求出求出 IBQ对应对应的输出曲线的输出曲线2.作出直流作出直流负载线负载线3.交点为交点为Q点。点。利用直流负载线求解 Q 点（UCEQ 和 ICQ）1.求出模 拟 电 子 技 术 实际应用时实际应用时，一般不需要在晶体管特性曲线上作，一般不需要在晶体管特性曲线上作图，而是利用晶体管特性曲线可以求出图，而是利用晶体管特性曲线可以求出值，只值，只要知道了晶体管的要知道了晶体管的值，便可根据：值，便可根据：ICQ=IBQ 求出求出ICQ。图解法主要用来求解放大电路的图解法主要用来求解放大电路的最大不失真输最大不失真输出幅值出幅值。实际应用时，一般不需要在晶体管特性曲线上作图，而是利模 拟 电 子 技 术V=UCEQ+ICQ RLRL=RC/RL交流负载线方程：交流负载线方程：uCE=V iC RL式中：式中：交流负载线交流负载线交流负载线的特点：交流负载线的特点：1.经过经过Q点；点；2.斜率为斜率为V直流负载线直流负载线V=UCEQ+ICQ RLRL=RC/模 拟 电 子 技 术三、波形非线性失真的分析三、波形非线性失真的分析本节讨论本节讨论Q点位置与非线性失真的关系。点位置与非线性失真的关系。（一）（一）Q 点位置合适，电路有较小的非线性失真点位置合适，电路有较小的非线性失真 Q点位于负载线中部，且点位于负载线中部，且输入信号输入信号幅值幅值不是太不是太大大，能保证工作点始终位于三极管的放大区内，能保证工作点始终位于三极管的放大区内，称为称为Q点位置合适点位置合适。三、波形非线性失真的分析本节讨论Q点位置与非线性失真的关系。模 拟 电 子 技 术IBUBEQICUCEubeibibic假设在静态工假设在静态工作点的基础上，作点的基础上，输入一微小的输入一微小的正弦信号正弦信号 ui静态工作点静态工作点 Q点位置合适，不产生非线性失真。点位置合适，不产生非线性失真。UCE与与Ui反相！反相！IBUBEQICUCEubeibibic假设在静态工作点的基模 拟 电 子 技 术 输入信号输入信号 ui 过大，会形成输出过大，会形成输出“截幅失真截幅失真”。输入信号 ui 过大，会形成输出“截幅失真”。模 拟 电 子 技 术结论一：结论一：Q点设置合适，输出信号幅值不超过电路允许点设置合适，输出信号幅值不超过电路允许“最大不失真输出电压幅值最大不失真输出电压幅值”（Uom）时，输出信号）时，输出信号不失真。输出信号幅值过大，超过不失真。输出信号幅值过大，超过Uom，输出信号，输出信号将出现将出现上下部同时截幅失真上下部同时截幅失真。结论一：Q点设置合适，输出信号幅值不超过电路允许“最大不失模 拟 电 子 技 术Q点偏低，工作点易进入点偏低，工作点易进入截止区截止区，当信号稍大时，便会出现当信号稍大时，便会出现“截止截止失真失真”。上上uce顶部失真顶部失真ib低部失真低部失真（二）（二）Q 点偏低，首先出现点偏低，首先出现“截止失真截止失真”Q点位于输出负载线的底部，称为点位于输出负载线的底部，称为Q点偏低。点偏低。Q点偏低，工作点易进入截止区，当信号稍大时，便会出现“截止失模 拟 电 子 技 术截止失真的波形截止失真的波形uiuo截止失真的波形uiuo模 拟 电 子 技 术当当Q点偏低时，在输入信号幅值较大时，负点偏低时，在输入信号幅值较大时，负半周靠近峰值的某段时间内，晶体管半周靠近峰值的某段时间内，晶体管b-e间电压间电压总量总量UbeUon，晶体管截止，基极电流，晶体管截止，基极电流ib将产生将产生底部失真底部失真。集电极电流集电极电流 ic，和集电极电阻，和集电极电阻 Rc 上电压的上电压的波形必然随之产生同样的失真，所以输出电压波形必然随之产生同样的失真，所以输出电压一定失真。因晶体管截止而产生的失真称为一定失真。因晶体管截止而产生的失真称为“截截止失真止失真”。结论二：结论二：当Q点偏低时，在输入信号幅值较大时，负半周靠近峰值的某段时间模 拟 电 子 技 术Q点偏高，工作点易进入饱和区，当信号稍大时，点偏高，工作点易进入饱和区，当信号稍大时，便会出现便会出现“饱和失真饱和失真”。上上底部失真底部失真（三）（三）Q 点偏高，首先出现点偏高，首先出现“饱和失真饱和失真”Q点位于输出负载线的上部，称为点位于输出负载线的上部，称为Q点偏高。点偏高。Q点偏高，工作点易进入饱和区，当信号稍大时，上底部失真（三）模 拟 电 子 技 术结论三结论三Q点偏高，当输入信号较大时，晶体管工作点点偏高，当输入信号较大时，晶体管工作点进入饱和区，使输出波型产生进入饱和区，使输出波型产生饱和失真饱和失真。结论三Q点偏高，当输入信号较大时，晶体管工作点进入饱和区，模 拟 电 子 技 术应当指出：应当指出：应当指出，应当指出，截止失真截止失真和和饱和失真饱和失真都是比较极都是比较极端的情况。实际上，在输入信号的整个周期内，端的情况。实际上，在输入信号的整个周期内，即使晶体管始终工作在放大区域，也会因为即使晶体管始终工作在放大区域，也会因为输人输人特性和输出特性的非线性特性和输出特性的非线性使输出波形产生失真，使输出波形产生失真，只不过当输入信号只不过当输入信号幅值较小幅值较小时，这种失真非常小，时，这种失真非常小，可忽略不计可忽略不计而已。而已。应当指出：应当指出，截止失真和饱和失真都是比较极端的情况。模 拟 电 子 技 术因晶体管输入特性曲线的非线性，输出电压总因晶体管输入特性曲线的非线性，输出电压总是存在不可避免的失真现象。是存在不可避免的失真现象。tt因晶体管输入特性曲线的非线性，输出电压总是存在不可避免的失模 拟 电 子 技 术VCCUCEQUCES=VCC -UCEQUCEQ-UCESQ点居中点居中（四）最大不失真输出电压（四）最大不失真输出电压Uom当当Q点位于输出负点位于输出负载线中点时，不失载线中点时，不失真输出电压真输出电压Uom。当当Q点不在输出负载点不在输出负载线中点时，放大电路的线中点时，放大电路的最不失真输出电压最不失真输出电压Uom 由（由（VCC UCEQ）和（）和（UCEQ UCES）两者中较）两者中较小者决定。小者决定。VCCUCEQUCES=VCC -UCEQUCEQ 模 拟 电 子 技 术2.4 微变等效电路法微变等效电路法使用条件使用条件：晶体管工作在放大区。：晶体管工作在放大区。2.4 微变等效电路法使用条件：晶体管工作在放大区。模 拟 电 子 技 术i iB Bu uBEBEO OO Oi iC Cu uCECE2.4.12.4.1简化的简化的简化的简化的h h参数微变等效电路参数微变等效电路参数微变等效电路参数微变等效电路1.1.三极管的等效电路三极管的等效电路三极管的等效电路三极管的等效电路Q Q i iB B i iB B i iB BQ Q u uBEBE以共射接法三极管为例以共射接法三极管为例以共射接法三极管为例以共射接法三极管为例三极管特性曲线的局部线性化r rbebe=u uBEBE i iB B i iC C=i iB B输入端可等效为一个电阻。输入端可等效为一个电阻。输入端可等效为一个电阻。输入端可等效为一个电阻。输出端可等效为一个受输出端可等效为一个受输出端可等效为一个受输出端可等效为一个受控电流源。控电流源。控电流源。控电流源。下页下页上页上页首页首页iBuBEOOiCuCE2.4.1简化的h参数微变等效电路1模 拟 电 子 技 术由以上分析可得三极管的微变等效电路由以上分析可得三极管的微变等效电路由以上分析可得三极管的微变等效电路由以上分析可得三极管的微变等效电路三极管的简化h参数等效电路+-+-r rbebe u uBEBE i iC C i iB B u uCECE i iB Be ec cb b此电路忽略了三极管输出回路等效电阻此电路忽略了三极管输出回路等效电阻此电路忽略了三极管输出回路等效电阻此电路忽略了三极管输出回路等效电阻 r rce ce。+-b bc ce e+-u uBEBE u uCECE i iB B i iC C 下页下页上页上页首页首页由以上分析可得三极管的微变等效电路三极管的简化h参数等效电路模 拟 电 子 技 术三极管的动态输入电阻：三极管的动态输入电阻：（2.3.9）其中对于低频小功率管其中对于低频小功率管 rbb(100300）(T=300K)三极管的动态输入电阻：（2.3.9）其中对于低频小功率管 模 拟 电 子 技 术2.4.2 共射放大电路动态参数的分析共射放大电路动态参数的分析利用利用h参数等效模型可以求解放大电路动态参数参数等效模型可以求解放大电路动态参数:电压放大倍数（电压放大倍数（Au）、）、输入电阻（输入电阻（Ri）、）、输出电阻（输出电阻（Ro）2.4.2 共射放大电路动态参数的分析利用h参数等效模型可以模 拟 电 子 技 术例例2.3.3 在图在图2.2.5(a)所示电路所示电路中，已知中，已知VCC=12V，Rb=510k，Rc=3k；晶体管的；晶体管的rbb=150，=80，导通时的导通时的UBEQ=0.7V；RL=3k。(1)求出电路的求出电路的Au、Ri和和Ro；(2)若所加信号源内阻若所加信号源内阻Rs为为2k，求出求出usRs例2.3.3 在图2.2.5(a)所示电路中，已知VC模 拟 电 子 技 术图图2.2.5(a)阻容耦合共射放大电路阻容耦合共射放大电路 的的直流通路直流通路和和交流通路交流通路RL=RC/RL 是阻容耦合是阻容耦合放大电路的总负载电阻放大电路的总负载电阻直流工作直流工作点与点与Rs和和RL无关无关直流直流交流交流图2.2.5(a)阻容耦合共射放大电路 的直流通路模 拟 电 子 技 术 解：解：（1）先求出）先求出Q点和点和rbe,解：（1）先求出Q点和rbe,模 拟 电 子 技 术图图2.3.17 图图2.2.5(a)所示电路的交流等效电路所示电路的交流等效电路图2.3.17 图2.2.5(a)所示电路的交流等效模 拟 电 子 技 术（2.3.17）（2）根据）根据 的定义得：的定义得：（2.3.17）（2）根据 的定义得：模 拟 电 子 技 术归纳：归纳：晶体三极管交流晶体三极管交流动态参数动态参数分析分析步骤步骤:分析直流电路，求出分析直流电路，求出“Q”，计算，计算 rbe。画电路的交流通路画电路的交流通路。在交流通路上把在交流通路上把三极管三极管画成画成 h 参数模型参数模型。分析计算交流分析计算交流动态参数动态参数Au、Ri、Ro。归纳：分析直流电路，求出“Q”，计算 rbe。画电路模 拟 电 子 技 术交流通路：交流通路：图图2.3.1(b)图图2.2.1 所示基本共射放大电路的交流通路所示基本共射放大电路的交流通路交流通路：图2.3.1(b)图2.2.1 所示基本共射模 拟 电 子 技 术1.电压放大倍数电压放大倍数 Au （2.3.10）1.电压放大倍数 Au（2.3.10）模 拟 电 子 技 术2.输入电阻输入电阻 Ri （2.3.11）2.输入电阻 Ri（2.3.11）模 拟 电 子 技 术3.输出电阻输出电阻 Ro（2.3.12）3.输出电阻 Ro（2.3.12）模 拟 电 子 技 术Home2.4.1.静态工作点稳定的必要性静态工作点稳定的必要性 Next（1 1）必要性）必要性F静态工作点决定放大电路是否产生失真；静态工作点决定放大电路是否产生失真；F静态工作点影响电压放大倍数、输入电阻等动态参数；静态工作点影响电压放大倍数、输入电阻等动态参数；F静静态态工工作作点点的的不不稳稳定定，将将导导致致动动态态参参数数不不稳稳定定，甚甚至至使使放大电路无法正常工作。放大电路无法正常工作。（2 2）影响静态工作点稳定的因素）影响静态工作点稳定的因素 电电源源电电压压波波动动、元元件件老老化化、环环境境温温度度变变化化等等，都都会会引引起起晶晶体体管管和和电电路路元元件件参参数数的的变变化化，造造成成静静态态工工作作点点的的不不稳稳定。其中，定。其中，温度对晶体管参数的影响是最为主要的温度对晶体管参数的影响是最为主要的。Home2.4.1.静态工作点稳定的必要性 Next2模 拟 电 子 技 术HomeNextBack（3 3）温度对静态工作点的影响）温度对静态工作点的影响(a)温度变化对温度变化对ICEO的影响的影响(b)温度变化对输入特性曲线的影响温度变化对输入特性曲线的影响温度温度T 输出特性曲线上移输出特性曲线上移温度温度T 输入特性曲线左移输入特性曲线左移(c)温度变化对温度变化对 的影响的影响温度每升高温度每升高1，要增加要增加0.5%1.0%温度温度T 输出特性曲线族间距增大输出特性曲线族间距增大总之：总之：ICBO ICEO T VBE IB IC HomeNextBack（3）温度对静态工作点的影响(a)模 拟 电 子 技 术温度温度40温度温度20温度升高，输出特性温度升高，输出特性曲线上移，曲线上移，升高。升高。I IBQBQ=（Vcc-UVcc-UBEBE）/R/Rb b 当：当：TITICQCQQQ饱和失真饱和失真 （4）.静态工作点上移时输出波形分析静态工作点上移时输出波形分析要是要是Q点回到原来的位置则应是点回到原来的位置则应是I IBQBQ温度40温度20温度升高，输出特性曲线上移，升高。IB模 拟 电 子 技 术HomeNextBack2.5.2.典型的静态工作点稳定电路典型的静态工作点稳定电路 （1 1）电路组成）电路组成直流通路直流通路一、电路组成和一、电路组成和Q Q点稳定原理点稳定原理HomeNextBack2.5 放大电路静态工作点的稳定2.模 拟 电 子 技 术BHomeNextBack（2 2）Q Q点稳定原理点稳定原理目标：目标：温度变化时，使温度变化时，使I IC C维持恒定。维持恒定。如果温度变化时，如果温度变化时，B B点电位能基本点电位能基本不变不变，则可实现静态工作点的稳定。，则可实现静态工作点的稳定。分析分析B点电位基本不变的原因：点电位基本不变的原因：当当I1 IBQ 则则T IC IE IC UE、UB不变不变 UBE IB（直流负反馈直流负反馈）一般取一般取 I1=(510)IBQ，UBQ=3V5VI2=I1+IBQBHomeNextBack2.5 放大电路静态工作点的稳定（模 拟 电 子 技 术Q点稳定的过程：点稳定的过程：在稳定的过程中，在稳定的过程中，Re起起着重要作用，当晶体管的输着重要作用，当晶体管的输出回路电流出回路电流Ic变化时，通过变化时，通过发射极电阻发射极电阻Re上产生电压的上产生电压的变化来影响变化来影响 b e 间电压，间电压，从而使从而使Ic向相反方向变化，向相反方向变化，达到稳定达到稳定Q点的目的。点的目的。BQ点稳定的过程：在稳定的过程中，Re起着重要作用，当晶体模 拟 电 子 技 术反馈反馈 将将输出量输出量(Ic)通过一定的方式通过一定的方式(利用利用Re将将Ic的的变化转化成电压变化转化成电压UE的变化的变化)引引回到输入回到输入回路来影响回路来影响输入量输入量(UBE)的措施称为反馈。的措施称为反馈。负反馈负反馈 由于反馈的结果使输出由于反馈的结果使输出量的变化减小，故称为负反馈。量的变化减小，故称为负反馈。直流负反馈直流负反馈 由于反馈由于反馈出现在直流通路之中，出现在直流通路之中，故称为直流负反馈。故称为直流负反馈。B直流负反直流负反馈电阻馈电阻反馈 将输出量(Ic)通过一定的方式(利用Re将Ic的变模 拟 电 子 技 术总结总结Q点稳定的原因：点稳定的原因：（1）Re的直流负反馈作用；的直流负反馈作用；（2）在）在 情况下，情况下，UBQ在温在温度变化时基本不变度变化时基本不变B这种电路称为这种电路称为分压分压式式电流负反馈电流负反馈Q点点稳稳定电路定电路。总结Q点稳定的原因：（1）Re的直流负反馈作用；（2）在 模 拟 电 子 技 术HomeNextBack二、二、Q Q点的估算点的估算B已知已知I I1 1IIBQBQ（2.4.3）HomeNextBack2.4 放大电路静态工作点的稳定二、模 拟 电 子 技 术直流通路直流通路交流通路交流通路Ce的存在，交流通路中的存在，交流通路中Re被短路，发射极直接接地。被短路，发射极直接接地。注意：注意：Rb与与rbe并联并联而不是串联。而不是串联。三三、动动态态参参数数的的估估算算直流通路交流通路Ce的存在，交流通路中Re被短路，发射极直模 拟 电 子 技 术RiRoRo=RCRiRoRo=RC模 拟 电 子 技 术无无Ce电路的交流参数计算公式电路的交流参数计算公式bce无Ce电路的交流参数计算公式bce模 拟 电 子 技 术(2.4.8)Au仅决定于电阻取值，仅决定于电阻取值，不受温度影响。不受温度影响。(2.4.8)Au仅决定于电阻取值，不受温度影响。模 拟 电 子 技 术例例2.4.1 已知已知VCC=12 V，Rb1=5k，Rb2=15 k,Re=2.3 k，Rc=5.1 k,RL=5.1 k，=50，rbe=1 k,UBEQ=0.7 V。求：求：“Q”，Au，Ri。1)求求“Q”+VCCRCC1C2RLRe+Ce+Rb2Rb1+ui+uo 解解 IBQUCEQ(1+)ReRb1/Rb2例2.4.1 已知VCC=12 V，Rb1=5k模 拟 电 子 技 术 当无当无Ce时，电路的电压放大能力很差，因此在时，电路的电压放大能力很差，因此在实用电路中实用电路中常常将常常将Re分成两部分分成两部分，只将其中一部分，只将其中一部分接旁路电容。接旁路电容。(2)求解求解Au和和Ri。当有。当有Ce时：时：当无Ce时，电路的电压放大能力很差模 拟 电 子 技 术2.5 晶体管单管放大电路的三种基本接法晶体管单管放大电路的三种基本接法共射放大电路既实现了电流放大又实现了电压放大。共射放大电路既实现了电流放大又实现了电压放大。通过基极电流通过基极电流iB对集电极电流对集电极电流iC的控制作用，实现能量转换，的控制作用，实现能量转换，负载电阻从直流电源负载电阻从直流电源VCC中获得比信号源提供的大得多的输中获得比信号源提供的大得多的输出信号功率。出信号功率。共集放大电路共集放大电路以集电极为公共端，通过以集电极为公共端，通过iB对对iE的控制作的控制作用实现功率放大；用实现功率放大；共基放大电路共基放大电路以基极为公共端，通过以基极为公共端，通过iE对对iC的控制作用的控制作用实现功率放大。实现功率放大。共射、共集、共基共射、共集、共基是单管放大电路的是单管放大电路的三种基本接法三种基本接法。2.5 晶体管单管放大电路的三种基本接法共射放大电路既实模 拟 电 子 技 术2.62.6基本基本基本基本共集放大共集放大共集放大共集放大 电路电路电路电路一、电路的组成一、电路的组成电路电路直流通路直流通路交流通路交流通路2.6基本共集放大一、电路的组成电路直流通路交流通路模 拟 电 子 技 术IBQ=(VBB UBEQ)/Rb+(1+)ReIEQ=（1+）I BQUCEQ=VCC IEQ Re二、静态分析二、静态分析IBQIBQ=(VBB UBEQ)/Rb+(1+模 拟 电 子 技 术图图2.5.2 基本共集放大电路的交流等效电路基本共集放大电路的交流等效电路二、动态分析二、动态分析 1同相，射极跟随器同相，射极跟随器大大小小图2.5.2 基本共集放大电路的交流等效电路二、动态分析模 拟 电 子 技 术射极输出器射极输出器特点特点Au 1 输入输出同相输入输出同相Ri 大（大（高）高）Ro 小（小（低）低）用途：多极放大电路的用途：多极放大电路的输入级、输出级输入级、输出级 或中间隔离级或中间隔离级起缓冲级作用。起缓冲级作用。射极输出器特点Au 1 输入输出同相Ri 大（高模 拟 电 子 技 术2.7基本共基极放大电路基本共基极放大电路（1 1）电路组成）电路组成2.7基本共基极放大电路（1）电路组成模 拟 电 子 技 术（2 2）静态分析）静态分析IBQ=(VBB-VBEQ)/(1+)Re ICQ=IBQVCEQ=VCC-IC Q Rc-VE =VCC-IC Q Rc+VBEQ（2）静态分析IBQ=(VBB-VBEQ)/(1+模 拟 电 子 技 术（3 3）动态分析）动态分析（3）动态分析模 拟 电 子 技 术第2章三极管及其放大电路PPT文档资料课件模 拟 电 子 技 术2.当当Re=0时，时，Au 数值数值大小大小与共射电路相同。与共射电路相同。优点：优点：频带宽，用于无线电通讯。频带宽，用于无线电通讯。3.输入电阻小。输入电阻小。共基极放大电路电路特点：共基极放大电路电路特点：1.1.只能放大电压，不能放大电流，只能放大电压，不能放大电流，2.当Re=0时，Au 数值大小与共射电路相同。优点：模 拟 电 子 技 术2.5.3 三种接法的比较三种接法的比较本讲主要介绍了晶体管放大电路的三种组态：本讲主要介绍了晶体管放大电路的三种组态：共发射极共发射极放大电路既能放大电压，也能放大电流，放大电路既能放大电压，也能放大电流，输入电阻居中，输出电阻较大，频带较窄。常作低频电输入电阻居中，输出电阻较大，频带较窄。常作低频电压放大压放大。共集电极共集电极放大电路只能放大电流，不能放大电压。放大电路只能放大电流，不能放大电压。输入电阻最大、输出电阻最小，具有电压跟随的特点常输入电阻最大、输出电阻最小，具有电压跟随的特点常用于多级放大的输入级和输出级，有时还用作中间隔离用于多级放大的输入级和输出级，有时还用作中间隔离级（缓冲级），起阻抗变换的作用。级（缓冲级），起阻抗变换的作用。共基极共基极放大电路只能放大电压，不能放大电流。输放大电路只能放大电压，不能放大电流。输入电阻最小，频率特性最好。入电阻最小，频率特性最好。2.5.3 三种接法的比较本讲主要介绍了晶体管放大电路的三模 拟 电 子 技 术2.6晶体管基本放大电路的派生电路晶体管基本放大电路的派生电路2.6.1 2.6.1 复合管放大电路复合管放大电路一、复合管的组成及其电流放大系数一、复合管的组成及其电流放大系数为了进一步改善放大电路的性能，为了进一步改善放大电路的性能，用多只晶用多只晶体管构成复合管体管构成复合管来取代基本电路中的来取代基本电路中的一只晶体管一只晶体管；或将两种基本接法组合起来，以得到多方面或将两种基本接法组合起来，以得到多方面性能俱佳的放大电路。性能俱佳的放大电路。2.6晶体管基本放大电路的派生电路2.6.1 复合管放大电模 拟 电 子 技 术图图2.6.1 复合管复合管图2.6.1 复合管模 拟 电 子 技 术复合管的电流放大系数复合管的电流放大系数iC1iC212 1 2 iC =iC1+iC2=1 iB1+2 iB2iCiB1（1+1）iB1iE1=iB2 iC =1 iB1+2(1+1)iB1 =(1+2+12)iB1复合管的电流放大系数iC1iC212 1 模 拟 电 子 技 术复合管的电流放大系数复合管的电流放大系数iBiC复合管的电流放大系数iBiC模 拟 电 子 技 术复合管的组成原则复合管的组成原则:1在正确的外加电压下每只管子的各极电流均在正确的外加电压下每只管子的各极电流均有合适的通路，且有合适的通路，且均工作在放大区均工作在放大区；2为了实现电流放大，应将为了实现电流放大，应将第一只管的集电极第一只管的集电极或发射极电流或发射极电流做为做为第二只管子的基极电流第二只管子的基极电流。复合管的组成原则:1在正确的外加电压下每只管子的各极模 拟 电 子 技 术二、复合管共射放大电路二、复合管共射放大电路图图2.6.2 阻容耦合复合管共射放大电路阻容耦合复合管共射放大电路二、复合管共射放大电路图2.6.2 阻容耦合复合管共射放大模 拟 电 子 技 术 为什么要多级放大？为什么要多级放大？由由一一个个晶晶