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电子科技大学中山学院集成电路工艺基础集成电路工艺基础0909金属化和多金属化和多层互连层互连电子科技大学中山学院金属材料的应用金属材料的应用v金属材料的用途及要求：金属材料的用途及要求：栅电极栅电极与栅氧化层之间有良好的界面特性和稳定性与栅氧化层之间有良好的界面特性和稳定性合适的功函数，满足合适的功函数，满足NMOS和和PMOS阈值电压阈值电压对称的要求对称的要求多晶硅的优点多晶硅的优点可以通过改变掺杂的类型和浓度来调节功函数可以通过改变掺杂的类型和浓度来调节功函数与栅氧化层有很好的界面特性与栅氧化层有很好的界面特性多晶硅栅工艺具有源漏自对准的特点多晶硅栅工艺具有源漏自对准的特点电子科技大学中山学院金属材料的应用金属材料的应用v金属材料的用途及要求：金属材料的用途及要求：互连材料互连材料电阻率小电阻率小易于淀积和刻蚀易于淀积和刻蚀好的抗电迁移特性好的抗电迁移特性AlCu电子科技大学中山学院金属材料的应用金属材料的应用v金属材料的用途及要求：金属材料的用途及要求：接触材料接触材料良好的金属良好的金属/半导体接触特性（好的界面性半导体接触特性（好的界面性和稳定性，接触电阻小，在半导体材料中的和稳定性，接触电阻小，在半导体材料中的扩散系数小）扩散系数小）后续加工工序中的稳定性；后续加工工序中的稳定性；保证器件不失效保证器件不失效Al硅化物（硅化物（PtSi、CoSi）电子科技大学中山学院集成电路对金属化材料特性的要求集成电路对金属化材料特性的要求v基本要求：基本要求：1 低阻的欧姆接触，低阻的互连引线低阻的欧姆接触，低阻的互连引线2 抗电迁移性能好抗电迁移性能好3 附着性好附着性好4 耐腐蚀耐腐蚀5 易淀积和刻蚀易淀积和刻蚀6 易键合易键合7 互连层绝缘性好，层间不发生互相渗透和扩散，要互连层绝缘性好，层间不发生互相渗透和扩散，要求有一个扩散阻挡层。求有一个扩散阻挡层。电子科技大学中山学院集成电路对金属化材料特性的要求集成电路对金属化材料特性的要求v晶格结构和外延生长的影响晶格结构和外延生长的影响薄膜的晶格结构决定其特性薄膜的晶格结构决定其特性v电学特性电学特性电阻率、电阻率、TCR、功函数、肖特基势垒高度等、功函数、肖特基势垒高度等v机械特性、热力学特性以及化学特性机械特性、热力学特性以及化学特性电子科技大学中山学院铝在集成电路中的应用铝在集成电路中的应用v Al的优点：的优点：电阻率低电阻率低与与n+,p+硅或多晶硅能形成低阻的欧姆接触硅或多晶硅能形成低阻的欧姆接触与硅和与硅和BPSG有良好的附着性有良好的附着性易于淀积和刻蚀易于淀积和刻蚀v故成为最常用互连金属材料故成为最常用互连金属材料电子科技大学中山学院金属铝膜的制备方法（金属铝膜的制备方法（PVD）v真空蒸发法（真空蒸发法（电子束蒸发）电子束蒸发）利用高压加速并聚焦的电子束加热蒸发源使之利用高压加速并聚焦的电子束加热蒸发源使之蒸发淀积在硅片表面蒸发淀积在硅片表面v溅射法溅射法射频、磁控溅射射频、磁控溅射污染小，淀积速率快，均匀性，台阶覆盖性好污染小，淀积速率快，均匀性，台阶覆盖性好电子科技大学中山学院Al/Si接触中的现象接触中的现象v 铝硅互溶铝硅互溶v Al与与SiO2的反应的反应电子科技大学中山学院 铝硅互溶铝硅互溶v铝硅相图铝硅相图相图表示两种组分与温度的关系相图表示两种组分与温度的关系Al-Si系具有系具有低共熔特性低共熔特性Al-Si系的共熔温度为系的共熔温度为577，相应的组分配比为，相应的组分配比为Si占占11.3%，Al占占88.7%淀积淀积Al时时Si衬底的温度不得高于衬底的温度不得高于577 插图表示插图表示Si在在Al中的固熔度中的固熔度400 时，时，Si在在Al中的固熔度为中的固熔度为0.25%（重量比）（重量比）Al在在Si中的溶解度低，中的溶解度低，Si在在Al中的溶解度较高。中的溶解度较高。故退火时，故退火时，有相当可观的有相当可观的Si原子会溶到原子会溶到Al中中电子科技大学中山学院vSi在在Al中的扩散系数中的扩散系数在一定的退火温度下，退火时间为在一定的退火温度下，退火时间为ta时，时，Si原原子的扩散距离为子的扩散距离为 其中其中D为扩散系数为扩散系数 铝硅互溶铝硅互溶电子科技大学中山学院Al与与SiO2的反应的反应vAl与与SiO2的反应的反应 4Al+3SiO2 3Si+2Al2O3吃掉吃掉Si表面的表面的SiO2，降低接触电阻降低接触电阻改善改善Al引线与下面引线与下面SiO2 的黏附性的黏附性电子科技大学中山学院Al/Si接触中的尖楔现象接触中的尖楔现象电子科技大学中山学院Al/Si接触中的尖楔现象接触中的尖楔现象电子科技大学中山学院Al/Si接触中的尖楔现象接触中的尖楔现象v Si溶解与溶解与Al中，消耗的中，消耗的Si体积为：体积为：v 假定假定Si在接触孔面积在接触孔面积A内是均匀消耗的，则内是均匀消耗的，则消耗掉的消耗掉的Si层的厚度为：层的厚度为：电子科技大学中山学院影响尖楔因素影响尖楔因素vAl-Si界面的氧化层的厚度界面的氧化层的厚度薄氧薄氧(尖楔较浅）尖楔较浅）厚氧厚氧(尖楔较深）尖楔较深）v衬底晶向衬底晶向111：横向扩展：横向扩展、双极集成电路、双极集成电路100：垂直扩展：垂直扩展、pn结短路结短路、MOS集成电路集成电路（尖楔现象严重）（尖楔现象严重）电子科技大学中山学院Al/Si接触的改进接触的改进vAl/Si接触的改进方法：接触的改进方法：铝铝-硅合金金属化引线硅合金金属化引线铝铝-掺杂多晶硅双层金属化结构掺杂多晶硅双层金属化结构铝铝-阻挡层结构阻挡层结构电子科技大学中山学院铝铝-硅合金金属化引线硅合金金属化引线-第第1种解决方案种解决方案v用用Al-Si合金代替纯铝作为接触和互连材料合金代替纯铝作为接触和互连材料。v可消弱尖楔问题，却引起新的问题可消弱尖楔问题，却引起新的问题硅的分凝问题硅的分凝问题在较高合金退火温度下溶解在较高合金退火温度下溶解在在Al中的中的Si，在冷却过程中又从，在冷却过程中又从Al中析出。中析出。未溶解的硅形成一个个硅单晶节瘤未溶解的硅形成一个个硅单晶节瘤欧姆接触电阻变大，引线键合困难欧姆接触电阻变大，引线键合困难电子科技大学中山学院双层金属化双层金属化-第第2种解决方案种解决方案v 铝铝-重掺杂多晶硅（重掺杂多晶硅（P,As）在淀积铝膜前一般先淀积一层重在淀积铝膜前一般先淀积一层重P（As）掺）掺杂多晶硅杂多晶硅提供溶解于铝中所需的硅原子，从而抑制了尖提供溶解于铝中所需的硅原子，从而抑制了尖楔现象楔现象铝铝-掺杂多晶硅双层金属化结构成功应用于掺杂多晶硅双层金属化结构成功应用于nMOS工艺中。工艺中。电子科技大学中山学院铝铝-阻挡层结构阻挡层结构-第第3种解决方案种解决方案v 可在铝、硅之间淀积一层薄金属层，代替重磷掺可在铝、硅之间淀积一层薄金属层，代替重磷掺杂多晶硅，称该薄金属层为阻挡层。一般用杂多晶硅，称该薄金属层为阻挡层。一般用硅化硅化物物代替金属，因为硅化物可以和硅表面的氧化层代替金属，因为硅化物可以和硅表面的氧化层发生反应，从而与硅有很好的附着作用和低的欧发生反应，从而与硅有很好的附着作用和低的欧姆接触电阻。姆接触电阻。电子科技大学中山学院电迁移现象电迁移现象v在在较高的电流密度较高的电流密度作用下，互连引线中的金属原作用下，互连引线中的金属原子将会子将会沿着电子运动方向进行迁移沿着电子运动方向进行迁移，这种现象就，这种现象就是电迁移是电迁移(EM)。本质是导体原子与通过该导体的电子流互相作本质是导体原子与通过该导体的电子流互相作用，对于铝就是铝原子沿着晶粒间界的扩散。用，对于铝就是铝原子沿着晶粒间界的扩散。v结果：结果：一个方向形成空洞，使互连引线开路或断开。一个方向形成空洞，使互连引线开路或断开。另一个方向则由于铝原子的堆积而形成小丘，另一个方向则由于铝原子的堆积而形成小丘，造成光刻困难以及多层布线之间的短路。造成光刻困难以及多层布线之间的短路。电子科技大学中山学院中值失效时间中值失效时间v 表征电迁移现象的物理量是互连引线的中值失效表征电迁移现象的物理量是互连引线的中值失效时间时间MTF（Median Time to Failure），即），即50%互互连引线失效的时间。连引线失效的时间。电子科技大学中山学院改进电迁移的方法改进电迁移的方法-第第1种方法种方法v结构的选择结构的选择采用竹状结构的铝引线，组成多晶硅的晶粒从采用竹状结构的铝引线，组成多晶硅的晶粒从下而上贯穿引线截面，晶粒间界垂直电流方向，下而上贯穿引线截面，晶粒间界垂直电流方向，所以晶粒间界的扩散不起作用，铝原子在铝薄所以晶粒间界的扩散不起作用，铝原子在铝薄膜中的扩散系数和单晶体相似，从而可使膜中的扩散系数和单晶体相似，从而可使MTF值提高二个数量级。值提高二个数量级。电子科技大学中山学院改进电迁移的方法改进电迁移的方法-第第2种方法种方法v铝铝-铜合金和铝铜合金和铝-硅硅-铜合金铜合金Al-Si（1%2%）-Cu（4%）杂质在铝晶粒晶界分凝，可以降低铝原子在杂质在铝晶粒晶界分凝，可以降低铝原子在铝晶界的扩散系数，从而使铝晶界的扩散系数，从而使MTF提高一个数提高一个数量级。量级。缺点缺点:增大了电阻率增大了电阻率不易刻蚀、易受不易刻蚀、易受Cl2腐蚀腐蚀电子科技大学中山学院改进电迁移的方法改进电迁移的方法-第第3种方法种方法v三层夹心结构三层夹心结构可以在两次铝之间增加大约可以在两次铝之间增加大约500A厚的过渡金属厚的过渡金属层。这三层金属通过层。这三层金属通过400退火退火1小时后，在两小时后，在两层铝之间形成金属间化合物，可以防止空洞穿层铝之间形成金属间化合物，可以防止空洞穿越整个金属引线，也可以降低铝在晶粒间界的越整个金属引线，也可以降低铝在晶粒间界的扩散系数，使扩散系数，使MTF提高提高23个数量级。个数量级。v寻找新的互连金属材料寻找新的互连金属材料-第第4种方法种方法电子科技大学中山学院铜及低铜及低K介质介质v互连引线的延迟时间常数互连引线的延迟时间常数 低电阻率材料（低电阻率材料（Cu）低低K介质材料介质材料电子科技大学中山学院以以Cu作为互连材料的工艺流程作为互连材料的工艺流程v0.18um以下的工艺所需以下的工艺所需v双大马士革（双大马士革（Dual-Damascence)工艺工艺工艺流程工艺流程互连互连+通孔同时淀积，通孔同时淀积，CMP时仅需对互连材料时仅需对互连材料进行进行优点：工艺简化，成本降低优点：工艺简化，成本降低返回返回电子科技大学中山学院低低K介质材料和淀积技术介质材料和淀积技术v低低 K介质材料介质材料介电常数比介电常数比SiO2 低的介质材料，一般小于低的介质材料，一般小于3.5 降低寄生降低寄生C，提高速度，提高速度电子科技大学中山学院大规模集成电路与多层互连大规模集成电路与多层互连v 集成电路技术按摩尔定律发展，器件特征尺寸减集成电路技术按摩尔定律发展，器件特征尺寸减小，集成度不断提高。小，集成度不断提高。互连线所占面积成为决定芯片面积的主要因素互连线所占面积成为决定芯片面积的主要因素互连线延迟可以与器件门延迟相比较互连线延迟可以与器件门延迟相比较v 互连系统已经成为限制集成电路技术进一步发展互连系统已经成为限制集成电路技术进一步发展的重要因素，单层金属互连无法满足需求，必须的重要因素，单层金属互连无法满足需求，必须使用多层金属互连技术。使用多层金属互连技术。电子科技大学中山学院多层金属互连技术对多层金属互连技术对VLSI的意义的意义v可以使可以使VLSI的集成密度大大增加，从而进一步提的集成密度大大增加，从而进一步提高集成度。高集成度。互连是器件之间的互连互连是器件之间的互连v可以降低互连线导致的延迟时间可以降低互连线导致的延迟时间v 可以在更小的芯片面积上实现相同的电路功能可以在更小的芯片面积上实现相同的电路功能v 互连线每增加一层，需要增加两块掩膜版互连线每增加一层，需要增加两块掩膜版电子科技大学中山学院多层互连的工艺流程多层互连的工艺流程电子科技大学中山学院平坦化平坦化（a）无平坦化）无平坦化（b）经部分平坦化后的介电层外）经部分平坦化后的介电层外观观（CVD SiO2后回刻）后回刻）（c）具备局部平坦度的介电层）具备局部平坦度的介电层（使用牺牲层技术）（使用牺牲层技术）（d）具备全面性平坦度的介电）具备全面性平坦度的介电层层（CMP）电子科技大学中山学院平坦化平坦化电子科技大学中山学院CMP（IBM，1980）电子科技大学中山学院CMP电子科技大学中山学院CMPv工艺过程工艺过程硅片被压在研磨盘上，硅片与研磨盘之间有一层研磨硅片被压在研磨盘上，硅片与研磨盘之间有一层研磨剂，硅片与研磨盘都以一定速率转动，利用剂，硅片与研磨盘都以一定速率转动，利用研磨剂提研磨剂提供的化学反应和硅片在研磨盘上承受的机械研磨，把供的化学反应和硅片在研磨盘上承受的机械研磨，把硅片表面突出的部分除去硅片表面突出的部分除去，最终实现平坦化。，最终实现平坦化。v问题问题:终点探测（需要使用中止层）终点探测（需要使用中止层）研磨产物的清洗研磨产物的清洗电子科技大学中山学院改善台阶覆盖性的办法改善台阶覆盖性的办法v保形覆盖的原因是反应物在吸附、反应时保形覆盖的原因是反应物在吸附、反应时有显著的表面迁移，决定吸附原子迁移率有显著的表面迁移，决定吸附原子迁移率的因素的因素吸附原子的种类、能量吸附原子的种类、能量衬底温度衬底温度离子对吸附原子的轰击离子对吸附原子的轰击v 反应室的类型和淀积环境反应室的类型和淀积环境v BPSG回流回流电子科技大学中山学院v 真空蒸发，采用行星旋转式真空淀积装置，通过真空蒸发，采用行星旋转式真空淀积装置，通过蒸发源和衬底相对方向的连续改变，有效地消除蒸发源和衬底相对方向的连续改变，有效地消除蒸发死角，从而增加薄膜的均匀度。蒸发死角，从而增加薄膜的均匀度。vCMP工艺工艺改善台阶覆盖性的办法改善台阶覆盖性的办法电子科技大学中山学院接触与互连的现状与发展接触与互连的现状与发展v现状现状互连线密度大（占到芯片总面积的互连线密度大（占到芯片总面积的7080%）连线的宽度窄（电阻增大，电流密度增加）连线的宽度窄（电阻增大，电流密度增加）vAl的问题的问题电迁移严重、电阻率偏高、浅结穿透等电迁移严重、电阻率偏高、浅结穿透等vCu工艺问题工艺问题电镀或化学镀的方法（与电镀或化学镀的方法（与CMOS工艺的兼容性不很好）工艺的兼容性不很好）PVD（生成的空洞多，抗电迁移性能差）（生成的空洞多，抗电迁移性能差）CVD（可靠性不好）（可靠性不好）缺乏刻蚀工艺缺乏刻蚀工艺v低介电系数介质材料低介电系数介质材料多孔电介质材料极脆，给集成工艺带来很大挑战。多孔电介质材料极脆，给集成工艺带来很大挑战。电子科技大学中山学院后部工序后部工序v主要流程主要流程划片；装片；焊引线；封装；成品测试；打印划片；装片；焊引线；封装；成品测试；打印包装包装v1.划片用激光束、金刚刀、金刚砂轮划片用激光束、金刚刀、金刚砂轮电子科技大学中山学院装片就是把芯片装配到管壳底座或框架上去。装片就是把芯片装配到管壳底座或框架上去。常常用的方法有树脂粘结，共晶焊接，铅锡合金焊接等用的方法有树脂粘结，共晶焊接，铅锡合金焊接等。装片装片框架框架银浆银浆芯片芯片将芯片装到框架上将芯片装到框架上(用用银浆粘接粘接)引脚引脚v2.装（粘）片装（粘）片电子科技大学中山学院为了使芯片能与外界传送及接收信号，就必须在为了使芯片能与外界传送及接收信号，就必须在芯片的接触电极与框架的引脚之间，一个一个对芯片的接触电极与框架的引脚之间，一个一个对应地用键合线连接起来。这个过程叫键合应地用键合线连接起来。这个过程叫键合。框架内引脚芯片接处电极键合引线v3.3.焊引线焊引线电子科技大学中山学院v4.封装封装陶瓷、塑料封装陶瓷、塑料封装v5.5.性能测试性能测试电性能测试电性能测试v6.打印包装打印包装 打印型号商标打印型号商标,厂家厂家 包装包装MOS电路需要屏蔽导电塑料电路需要屏蔽导电塑料电子科技大学中山学院集成电路可靠性集成电路可靠性v影响集成电路可靠性的因素影响集成电路可靠性的因素连线及焊接缺陷连线及焊接缺陷 寄生效应（寄生效应（CMOS中中Latch-up 效应）效应）台阶开路（电迁徙台阶开路（电迁徙)氧化物击穿氧化物击穿阈值电压波动阈值电压波动
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