纳米光电薄膜的光学特性课件

第第五五章章纳米光米光电薄膜薄膜的光学特性的光学特性第五章纳米光电薄膜的光学特性11、纳米粒子的光吸收米粒子的光吸收金属金属纳米粒子的光吸收米粒子的光吸收波波长/nm视觉颜色色波波长/nm视觉颜色色不可不可见黄色黄色紫色紫色橙色橙色蓝色色红色色青色青色不可不可见绿色色1、纳米粒子的光吸收金属纳米粒子的光吸收波长/nm视觉颜色波2纳米光电薄膜的光学特性课件3纳米粒子分散的丁米粒子分散的丁铎尔效效应纳米粒子分散的丁铎尔效应4让一束聚集的光一束聚集的光线通通过纳米粒子分散于溶胶介米粒子分散于溶胶介质中形成的分中形成的分散系，在入射光的垂直方向可看到一个散系，在入射光的垂直方向可看到一个发光的光的圆锥体，称体，称为丁丁铎尔效效应。让一束聚集的光线通过纳米粒子分散于溶胶介质中形成的分散系，在5丁丁铎尔效效应与分散粒子的大小及入射光的波与分散粒子的大小及入射光的波长有关有关分散粒子的直径大于入射光波分散粒子的直径大于入射光波长时，反射，反射分散粒子的直径小于入射光波分散粒子的直径小于入射光波长时，散射，散射丁铎尔效应与分散粒子的大小及入射光的波长有关分散粒子的直径大6特点：特点：1.1.散射光散射光强度与粒子的体度与粒子的体积平方成正比。平方成正比。2.2.散射光散射光强度与入射光波度与入射光波长的的4次方成反比。入射光的波次方成反比。入射光的波长越短，散射越越短，散射越强。3.3.分散相与分散介分散相与分散介质的折射率相差越大，粒子的散射光越的折射率相差越大，粒子的散射光越强4.4.散射光的散射光的强度与度与单位体位体积内胶体粒子数成正比。内胶体粒子数成正比。特点：7蓝移和移和红移移现象象以以块材料吸收材料吸收谱峰所在位置峰所在位置为基准基准吸收峰向短波方向移吸收峰向短波方向移动称称为蓝移移吸收峰吸收峰向向长波波方向移方向移动称称为红移移蓝移和红移现象吸收峰向短波方向移动称为蓝移吸收峰向长波方向移8/nm3004004505005506006507007501000E/eV 4.133.102.752.482.252.071.911.771.631.24/nm30040045050055060065070079 10纳米粒子的紫外光吸收特性米粒子的紫外光吸收特性纳米粒子体米粒子体积减小减小表面效表面效应尺寸效尺寸效应光学性光学性质发生生变化化纳米粒子的紫外光吸收特性纳米粒子体积减小表面效应尺寸效应光学11纳米粒子的米粒子的红外外线吸收和反射吸收和反射一些一些纳米粒子具有米粒子具有较强的的红外吸收作用，同外吸收作用，同时又又对其反射，其反射，可以提高衣物的保暖。可以提高衣物的保暖。某些某些对416m的的红外波吸收性能好的外波吸收性能好的纳米粒子。可以屏蔽米粒子。可以屏蔽人体人体红外外线纳米粒子的红外线吸收和反射12纳米光米光电薄膜的光吸收薄膜的光吸收谱纳米光米光电薄膜的光吸收薄膜的光吸收实验现象象材料的光吸收与入射光的波材料的光吸收与入射光的波长有关有关Ag-BaO薄膜的吸收薄膜的吸收谱（Ag粒子平均直径粒子平均直径10nm）波长为502nm光子能量2.47eV纳米光电薄膜的光吸收谱纳米光电薄膜的光吸收实验现象Ag-Ba13IV30nmI10nmI10nmIV30nm14纳米光电薄膜的光学特性课件15金属金属纳米粒子的表面等离子激元共振吸收米粒子的表面等离子激元共振吸收表面等离子激元共振：表面等离子激元共振：调节外部外部电场的交的交变频率，沿率，沿电场建建立起来的表面极化立起来的表面极化电荷提供的回复力将荷提供的回复力将使微粒内使微粒内电子气在子气在某一个合适的某一个合适的频率附近形成密度振率附近形成密度振荡共振。共振。金属纳米粒子的表面等离子激元共振吸收16如微粒体内自由如微粒体内自由电子气在某一个适合的子气在某一个适合的频率率处发生密度振生密度振荡共振，就会共振，就会产生生强烈的共振光吸收而出烈的共振光吸收而出现的峰的峰值，限域在，限域在金属微粒体内的金属微粒体内的导带中自由中自由电子气在光子气在光场作用下作用下发生的集生的集体振体振荡直接直接导致了金属致了金属纳米粒子体系的米粒子体系的选择性光吸收。性光吸收。粒子的大小粒子的大小形状形状分布分布表面特性表面特性如微粒体内自由电子气在某一个适合的频率处发生密度振荡共振，就17薄膜光吸收的有效介薄膜光吸收的有效介质理理论米氏（米氏（Mie）理）理论和和Maxwell-Garnett(M-G)有效介有效介质理理论最最早描述了金属早描述了金属纳米粒子米粒子-介介质复合体系的光学性复合体系的光学性质。该理理论假假设一个金属粒子孤立于介一个金属粒子孤立于介质中，光波波中，光波波长远大于粒大于粒子直径。子直径。当金属粒子在介当金属粒子在介质中的体中的体积分数分数较小，且粒子近似小，且粒子近似为球形球形时，该理理论可以很好地反映可以很好地反映实验结果；但随着金属体果；但随着金属体积分数的分数的增加，金属增加，金属纳米粒子的粒径相米粒子的粒径相应增大，且粒子形状偏离球增大，且粒子形状偏离球形形时，M-G理理论与与实验结果存在果存在较大偏差。大偏差。薄膜光吸收的有效介质理论18 19 20 21 22 23 24 25 26 27实验表明，当金属微粒所占体表明，当金属微粒所占体积分数分数较大大时，金属，金属纳米粒子米粒子复合体系的表面复合体系的表面 等离子共振吸收将与理等离子共振吸收将与理论计算存在算存在较大偏大偏差，具体表差，具体表现在：在：1)表面等离子表面等离子共振吸收峰的共振吸收峰的半高半高宽要比理要比理论值大大许多多;2)如果金属微粒体如果金属微粒体积分数的增加分数的增加导致了金属离子的致了金属离子的长大，大，实验中光的中光的吸收峰位在一定程度上表吸收峰位在一定程度上表现出与粒子尺寸的依出与粒子尺寸的依赖关系。关系。纳米光电薄膜的光学特性课件28 29 30吸收峰展吸收峰展宽增大的原因：增大的原因：随金属元素体随金属元素体积分数的增加，半分数的增加，半导体基体基质中出中出现金属小粒子金属小粒子相互聚集而成的大尺寸粒子，同相互聚集而成的大尺寸粒子，同时，小尺寸粒子仍然存在，小尺寸粒子仍然存在，这将将导致金属微粒尺寸分布更加不均，致金属微粒尺寸分布更加不均，导致金属致金属纳米粒子米粒子表面等离激元共振吸收峰展表面等离激元共振吸收峰展宽。吸收峰展宽增大的原因：31束束缚电子的子的带间跃迁吸收迁吸收当考当考虑金属金属纳米粒子米粒子-半半导体介体介质复合薄膜在近紫外波段的吸复合薄膜在近紫外波段的吸收特性收特性时，还必必须计入金属入金属纳米粒子体内束米粒子体内束缚电子子带间跃迁吸收迁吸收产生的影响生的影响。在近紫外波段，当在近紫外波段，当入射光子能量高于入射光子能量高于2.43eV时，薄膜的，薄膜的光子能量的升高而光子能量的升高而逐逐渐增加，增加，对应于于束束缚电子的子的带间跃迁吸收迁吸收束缚电子的带间跃迁吸收在近紫外波段，当32杂质能能级电子的子的跃迁吸收迁吸收杂质能能级Ba杂质杂质能级电子的跃迁吸收杂质能级Ba杂质33Ba在在BaO介介质中以中以杂质形形态存在，并形成以肖特基缺陷存在，并形成以肖特基缺陷为主主的点缺陷。的点缺陷。为了保了保证电中性，每个中性，每个O缺位有两个缺位有两个电子陷落子陷落其中，形成其中，形成n型型BaO半半导体中的施主型体中的施主型杂质能能级。Ba在BaO介质中以杂质形态存在，并形成以肖特基缺陷为主的点34杂质能能级上的上的电子也可以通子也可以通过吸收光子能量吸收光子能量跃迁到迁到导带，形，形成成杂质吸收。引起吸收。引起杂质吸收的最低光子能量等于吸收的最低光子能量等于杂质能能级上上电子的子的电离能，因此离能，因此杂质吸收吸收谱也具有也具有长波吸收极限。波吸收极限。与与带间跃迁吸收不同的是，随着波矢迁吸收不同的是，随着波矢对能能带极极值的偏离，的偏离，杂质波函数迅速下降，波函数迅速下降，杂质能能级上束上束缚电子子跃迁到迁到较高高导带能能级的概率逐的概率逐渐变得很小，即得很小，即杂质吸收光吸收光谱主要集中在吸主要集中在吸收限附近。收限附近。杂质能级上的电子也可以通过吸收光子能量跃迁到导带，形成杂质吸35总结：正是由于金属正是由于金属纳米粒子米粒子-半半导体介体介质复合薄膜光吸收受到体系复合薄膜光吸收受到体系中金属中金属纳米粒子等离激元共振、束米粒子等离激元共振、束缚电子子带间跃迁和迁和杂质能能级吸收的影响，体系光吸收的物理机理极吸收的影响，体系光吸收的物理机理极为复复杂。总结：36金金银纳米粒子米粒子-稀土氧化物薄膜的光吸收稀土氧化物薄膜的光吸收谱把金属把金属纳米粒子与半米粒子与半导体介体介质构成的复合材料与稀土元素相构成的复合材料与稀土元素相结合，可形成性能合，可形成性能优越的新型光越的新型光电功能材料。功能材料。制制备方法：方法：高真空（4x10-4Pa）下，沉积稀土薄膜薄膜（厚度约为200nm）加热高锰酸钾O2白光透光率恢复接近100%高真空蒸发贵金属金银纳米粒子-稀土氧化物薄膜的光吸收谱把金属纳米粒子与半导体37金金银纳米粒子米粒子-稀土氧化物薄膜稀土氧化物薄膜曲曲线IIIV分分别对应Ag粒子的粒径粒子的粒径为20nm、40nm和和70nm随着随着Ag量的增加量的增加Ag-La2O3介介质薄膜薄膜的光吸收峰位向的光吸收峰位向长波方向移波方向移动，即从，即从520nm左右移左右移动到到535nm左右，再移左右，再移动到到550nm左右。左右。金银纳米粒子-稀土氧化物薄膜曲线IIIV分别对应Ag粒子的38曲曲线IIIV分分别对应Au粒子的粒径粒子的粒径为10nm、30nm和和60nm曲线IIIV分别对应Au粒子的粒径为10nm、30nm和639图中，由于中，由于Au量的增加，量的增加，Au-La2O3介介质薄膜的光吸收薄膜的光吸收发生生明明显的的变化。当化。当Au量很少量很少时，薄膜透，薄膜透过率率为80%时，在，在光波光波长645nm附近有吸收峰；当附近有吸收峰；当Au量量较多，透多，透过率率为60%时，吸收峰消失，在波，吸收峰消失，在波长长505nm附近光吸收最小；附近光吸收最小；当当Au量再增加，透量再增加，透过率率为50%时，在光波，在光波长510nm附近附近光吸收最小。光吸收最小。图中，由于Au量的增加，Au-La2O3介质薄膜的光吸收发生40纳米光电薄膜的光学特性课件41金金银纳米粒子与稀土氧化物相互作用米粒子与稀土氧化物相互作用金属金属纳米粒子在可米粒子在可见光波段展光波段展现出很出很强的光吸收特性的光吸收特性金银纳米粒子与稀土氧化物相互作用42在在图5-14中，中，Nd2O3薄膜在光波薄膜在光波长3101200nm区域中没有区域中没有光吸收峰（曲光吸收峰（曲线I），沉），沉积了了Ag纳米粒子后，在米粒子后，在470nm左左右出右出现吸收峰（曲吸收峰（曲线II），可），可认为，Ag纳米粒子米粒子导致吸收致吸收峰的出峰的出现。由于。由于Ag纳米粒子的出米粒子的出现，光子作用在薄膜表，光子作用在薄膜表面面导致了致了Ag纳米粒子表面等离子激元共振吸收。米粒子表面等离子激元共振吸收。随着随着Ag粒子体粒子体积分数的增加和尺寸的增大，光吸收峰向分数的增加和尺寸的增大，光吸收峰向长波波方向移方向移动，同，同时随着随着Ag粒子体粒子体积分数和尺寸的增加分数和尺寸的增加变宽、变高（体高（体积分数大于分数大于5%）。）。介介质Nd2O3的介的介电常数将影响埋藏于其中的常数将影响埋藏于其中的Ag纳米粒子表面米粒子表面电场分布，改分布，改变Ag纳米粒子表面米粒子表面电子气的形状，从而改子气的形状，从而改变Ag纳米粒子表面等离子激元共振吸收，同米粒子表面等离子激元共振吸收，同时光折射系光折射系数也数也对薄膜的光吸收系数有影响。薄膜的光吸收系数有影响。在图5-14中，Nd2O3薄膜在光波长3101200nm区43 44 45 46 47 48金属金属纳米粒子与稀土氧化物介米粒子与稀土氧化物介质构成的薄膜，其光吸收除了构成的薄膜，其光吸收除了与金属粒子的等离子体激元共振与金属粒子的等离子体激元共振频率有关，率有关，还与金属与金属纳米米粒子所埋藏的介粒子所埋藏的介质的介的介电常数、金属粒子的体常数、金属粒子的体积分数、粒分数、粒子尺寸大小等因素密切相关。子尺寸大小等因素密切相关。实验得到的不同薄膜光吸收得到的不同薄膜光吸收曲曲线是是这些因素的些因素的综合作用合作用结果。果。金属纳米粒子与稀土氧化物介质构成的薄膜，其光吸收除了与金属粒49总结：Ag和和Au纳米粒子稀土氧化物复合薄膜，在光波米粒子稀土氧化物复合薄膜，在光波长为3101200nm范范围内出内出现吸收峰，吸收峰，Ag纳米粒子米粒子-稀土氧化稀土氧化物薄膜和物薄膜和Au纳米粒子米粒子-Sm2O3薄膜的光吸收峰位置随薄膜的光吸收峰位置随Ag和和Au粒子大小和数量向粒子大小和数量向长波方向波方向红移，而移，而Au-La2O3和和Au-Nd2O3薄膜的光吸收随薄膜的光吸收随Au量的增加量的增加变为金属性吸收。金属性吸收。Ag或或Au粒子与稀土氧化物之粒子与稀土氧化物之间的相互作用是影响薄膜的相互作用是影响薄膜 光吸光吸收特性的主要原因。收特性的主要原因。总结：50金属金属纳米粒子米粒子-半半导体薄膜在体薄膜在电场作用下的光吸收特性作用下的光吸收特性在薄膜厚度方向上加一个直流在薄膜厚度方向上加一个直流电压，在，在电场作用下薄膜的光作用下薄膜的光学性学性质会会发生生变化，化，对于于该问题的研究，有助于加深的研究，有助于加深对薄薄膜材料的能膜材料的能带结构、光构、光对薄膜中薄膜中电子的激子的激发过程以及内程以及内场助光助光电发射射现象的理解。象的理解。接下来，我接下来，我们将以将以Ag-BaO薄膜薄膜为例例进行行说明明金属纳米粒子-半导体薄膜在电场作用下的光吸收特性在薄膜厚度方51样品制品制备方法方法在在带有有SnO2透明透明导电层的玻璃上真空蒸的玻璃上真空蒸发沉沉积制制备一一层厚厚度度约为100nm、经超超额Ba激活的激活的Ag-BaO复合薄膜，并在复合薄膜，并在其上再沉其上再沉积一薄一薄层Ag薄膜，得到薄膜，得到SnO2/Ag-BaO/Ag三明三明治治结构，其中构，其中Ag薄膜和薄膜和SnO2层分分别作作为上下上下电极。极。样品制备方法52Ag-BaO薄膜在薄膜在电场作用下的光吸收特性作用下的光吸收特性随着电场强度的增大，复合薄膜在近紫外波段的光吸收逐渐增强，而在近红外波段的光吸收则呈减小趋势。Ag-BaO薄膜在电场作用下的光吸收特性随着电场强度的增大，53在垂直表面内在垂直表面内电场作用下的近紫外光吸收作用下的近紫外光吸收谱。Ag-BaO半半导体薄膜在近紫外波段的光吸收随体薄膜在近紫外波段的光吸收随电场强度的增度的增大而增大而增强，红外波段的光吸收外波段的光吸收 呈减小呈减小趋势与与Ag-BaO薄膜薄膜类似似在垂直表面内电场作用下的近紫外光吸收谱。与Ag-BaO薄膜类54准准经典理典理论量子力学量子力学观点点某些情况下某些情况下对半半导体材料的光学性能体材料的光学性能产生生显著影响著影响准经典理论量子力学观点某些情况下对半导体材料的光学性能产生55Franz-Keldysh效效应指出，当在半指出，当在半导体上加内体上加内电场时，其能，其能带将将发生生倾斜，价斜，价带中的中的电子在子在带隙中出隙中出现的概率由一个的概率由一个指数衰减的波函数描述；随着指数衰减的波函数描述；随着电场的增的增强，能，能带倾斜加斜加剧且且导致隧道距离致隧道距离缩短，短，带隙中隙中电子波函数的重叠度增大，子波函数的重叠度增大，因此，因此，电场的存在将使的存在将使电子以子以较大的概率隧穿大的概率隧穿带间势垒，且在且在带隙中某隙中某处发现电子的概率随着子的概率随着电场的增的增强而增大。而增大。Franz-Keldysh效应指出，当在半导体上加内电场时，56由于由于电场作用，作用，电子在子在带隙中出隙中出现概率用指数衰减函数概率用指数衰减函数 描述，描述，价价电子子进入入导带必必须隧穿一个三角形隧穿一个三角形势垒由于电场作用，电子在带隙中出现概率用指数衰减函数描述，价电57 58 59 6061薄膜在薄膜在电场作用下的近作用下的近红外波段光吸收特性外波段光吸收特性强场作用作用下的半下的半导体介体介质中中的的杂质电离离薄膜在电场作用下的近红外波段光吸收特性强场作用下的半导体介质62氧离子缺陷电场E氧离子缺陷电场E63Ag2O纳米粒子的光致米粒子的光致荧光光纳米粒子的米粒子的动态光致光致荧光光纳米粒子薄膜的光致米粒子薄膜的光致发光光单个个纳米粒子米粒子发光光 众多众多纳米粒子的米粒子的群体效群体效应强度困难分辨率Ag2O纳米粒子的光致荧光纳米粒子的动态光致荧光强度困难分辨64Ag2OAg2O纳米粒子并不存在受激米粒子并不存在受激荧光光现象象Ag2OAg2O纳米粒子并不存在受激荧光现象65Ag2O光激光激发在在Ag2O纳米粒子表面米粒子表面还原生成由原生成由28个原子构成个原子构成电中性或中性或带正正电的的Ag原子原子团簇簇（波（波长450480nm）Ag2O光激发在Ag2O纳米粒子表面还原生成由28个原子构66Ag2O写入写入强光Ag2O弱光读取取光学存光学存储材材料料存存储密度密度1012比特比特/cm2Ag2O写入强光Ag2O弱光读取光学存储材料存储密度101267优点：点：1）存）存储密度高，如按一定数据要求排列密度高，如按一定数据要求排列红绿两种两种荧光光顺序序 1012比特比特/cm2，每一个存，每一个存储点又有三种状点又有三种状态（三（三进制）：制）：不不发光，光，发红光和光和发绿光。光。2）激）激发光光强的的阀值小小优点：68Ag2O纳米粒子的制米粒子的制备超声粉碎法超声粉碎法液相液相均匀沉淀法均匀沉淀法真空蒸真空蒸发沉沉积法法真空蒸真空蒸发沉沉积Ag薄膜薄膜辉光放光放电氧化氧化真空真空中退火中退火Ag2O纳米粒子的制备超声粉碎法液相均匀沉淀法真空蒸发沉积法695.5.3Ag2O纳米粒子薄膜的光吸收米粒子薄膜的光吸收吸收峰吸收峰处于紫外波段于紫外波段5.5.3Ag2O纳米粒子薄膜的光吸收吸收峰处于紫外波段70波长460nmAg粒子表面等离子激元共振粒子表面等离子激元共振波长460nmAg粒子表面等离子激元共振715.5.4 Ag2O纳米粒子的光致米粒子的光致荧光光1）不同波段光激）不同波段光激发下的下的荧光光蓝色汞光灯色汞光灯黄色和黄色和绿色色绿色汞光灯色汞光灯红色色2）不同平均粒径）不同平均粒径纳米薄膜的米薄膜的荧光光平均粒径增大平均粒径增大荧光减弱光减弱平均粒径增大平均粒径增大蓝光激活光激活时间增加增加3）强度随度随时间变化化“闪烁”蓝光照射一段光照射一段时间，存在最大，存在最大值5.5.4Ag2O纳米粒子的光致荧光1）不同波段光激发下的72纳米光电薄膜的光学特性课件735.5.5Ag2O纳米粒子光致米粒子光致荧光机理的光机理的讨论在波在波长从从450480nm（2.582.75eV）蓝光激光激发下，并不是一种下，并不是一种荧光材料光材料5.5.5Ag2O纳米粒子光致荧光机理的讨论在波长从45074纳米光电薄膜的光学特性课件75Ag纳米粒子埋藏于米粒子埋藏于BaO中的光致中的光致荧光增光增强Ag纳米粒子是光致米粒子是光致荧光的光的“主角主角”Ag纳米粒子埋藏于BaO中的光致荧光增强Ag纳米粒子是光致荧765.6.2光致光致荧光增光增强机理机理光致光致荧光光产生于两个基本生于两个基本过程：程：1、第一、第一带间间接接跃迁迁辐射复合射复合2、等离子激元非平衡弛豫、等离子激元非平衡弛豫辐射射带间跃迁迁辐射射复合可分复合可分为：辐射复合和无射复合和无辐射复合射复合等离子激等离子激元振元振荡可分可分为：发射型和非射型和非发射型射型荧光增光增强和淬和淬灭主要取决于：主要取决于：Ag表面局域表面局域场的增的增强和和金属表金属表面的无面的无辐射能量射能量跃迁迁之之间的的竞争。争。5.6.2光致荧光增强机理光致荧光产生于两个基本过程：77两个概念两个概念内量子效率内量子效率:当当光子入射到光敏器材（如光子入射到光敏器材（如CCD等）的表面等）的表面时，被吸收的那部分光子会激被吸收的那部分光子会激发光敏材料会光敏材料会产生生电子空穴子空穴对，形成形成电流，此流，此时收集到的收集到的电子与被吸收的光子之比，就是子与被吸收的光子之比，就是内量子效率内量子效率(internal quantum efficiency)外量子效率外量子效率:当当光子入射到光敏器材的表面光子入射到光敏器材的表面时，部分光子会激，部分光子会激发光敏材料光敏材料产生生电子空穴子空穴对，形成，形成电流，此流，此时产生的生的电子子与所有入射的光子数之比称与所有入射的光子数之比称为 外量子效率外量子效率(External Quantum Efficiency,EQE）内量子效率内量子效率一般要高于外量子效率。一般要高于外量子效率。两个概念78第一第一带间间接接跃迁迁辐射射复合作复合作为一种一种电子子-空穴空穴对复合，其引复合，其引起的起的发光效率是由内量子效率和外量子效率的乘光效率是由内量子效率和外量子效率的乘积决定的。决定的。内量子效率取决于内量子效率取决于发光复合与非光复合与非发光复合的光复合的竞争争外量子效率主要由薄膜表面的外量子效率主要由薄膜表面的电磁反射条件决定，并受表面磁反射条件决定，并受表面形貌制形貌制约。第一带间间接跃迁辐射复合作为一种电子-空穴对复合，其引起的发79红光区光区荧光增光增强：1、Ag-BaO表面表面纳米量米量级的起伏，降低了的起伏，降低了镜面反射系数，光面反射系数，光吸收增吸收增强，跃迁概率增大，复合概率相迁概率增大，复合概率相应增加，内量子效增加，内量子效率增大；同率增大；同时，Ag纳米粒子表面效米粒子表面效应增增强了表面局域了表面局域场，发射光子数增多，外量子效率增加。射光子数增多，外量子效率增加。2、Ag纳米粒子与米粒子与BaO界面界面层中中电子陷阱引起的子陷阱引起的约束效束效应，减少了减少了载流子被无流子被无辐射复合中心捕射复合中心捕获的概率。的概率。红光区荧光增强：80蓝紫光紫光区区荧光增光增强：蓝紫紫光波段的光致光波段的光致荧光光发射主要来自表面等离子激元共振吸射主要来自表面等离子激元共振吸收引起的等离子激元与光子之收引起的等离子激元与光子之间的耦合作用。的耦合作用。Ag纳米粒子引起的米粒子引起的Ag-BaO薄膜在薄膜在蓝紫光区的紫光区的强烈烈选择吸收，吸收，加上非加上非发射型表面等离子激元振射型表面等离子激元振荡对荧光光辐射的射的贡献，献，这些些导致体系在致体系在蓝紫光区紫光区强烈的吸收，从而增烈的吸收，从而增强了了蓝紫光区紫光区的的荧光光辐射。射。蓝紫光区荧光增强：81