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泓域咨询/六安存储器项目实施方案目录第一章 行业发展分析7一、 产业链下游应用场景丰富,市场需求广阔7二、 半导体存储产业链特征10第二章 项目绪论13一、 项目概述13二、 项目提出的理由14三、 项目总投资及资金构成15四、 资金筹措方案16五、 项目预期经济效益规划目标16六、 项目建设进度规划17七、 环境影响17八、 报告编制依据和原则17九、 研究范围18十、 研究结论18十一、 主要经济指标一览表19主要经济指标一览表19第三章 背景及必要性21一、 产业链上游存储晶圆市场格局及技术路线21二、 行业发展面临的机遇与挑战23三、 半导体存储器简介25四、 建设人力资源和人才强市27五、 推进合肥六安同城化发展29第四章 产品方案分析31一、 建设规模及主要建设内容31二、 产品规划方案及生产纲领31产品规划方案一览表31第五章 建筑工程说明33一、 项目工程设计总体要求33二、 建设方案34三、 建筑工程建设指标34建筑工程投资一览表34第六章 项目选址分析36一、 项目选址原则36二、 建设区基本情况36三、 推进开发区转型升级40四、 推进科技成果转化应用42五、 项目选址综合评价44第七章 发展规划45一、 公司发展规划45二、 保障措施49第八章 法人治理结构52一、 股东权利及义务52二、 董事55三、 高级管理人员59四、 监事62第九章 运营管理模式65一、 公司经营宗旨65二、 公司的目标、主要职责65三、 各部门职责及权限66四、 财务会计制度69第十章 原辅材料供应73一、 项目建设期原辅材料供应情况73二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理73第十一章 项目进度计划74一、 项目进度安排74项目实施进度计划一览表74二、 项目实施保障措施75第十二章 节能方案76一、 项目节能概述76二、 能源消费种类和数量分析77能耗分析一览表78三、 项目节能措施78四、 节能综合评价79第十三章 项目投资计划81一、 投资估算的编制说明81二、 建设投资估算81建设投资估算表83三、 建设期利息83建设期利息估算表84四、 流动资金85流动资金估算表85五、 项目总投资86总投资及构成一览表86六、 资金筹措与投资计划87项目投资计划与资金筹措一览表88第十四章 经济效益90一、 经济评价财务测算90营业收入、税金及附加和增值税估算表90综合总成本费用估算表91固定资产折旧费估算表92无形资产和其他资产摊销估算表93利润及利润分配表95二、 项目盈利能力分析95项目投资现金流量表97三、 偿债能力分析98借款还本付息计划表99第十五章 风险评估101一、 项目风险分析101二、 项目风险对策103第十六章 项目招标、投标分析106一、 项目招标依据106二、 项目招标范围106三、 招标要求106四、 招标组织方式107五、 招标信息发布108第十七章 项目总结109第十八章 附表附件111建设投资估算表111建设期利息估算表111固定资产投资估算表112流动资金估算表113总投资及构成一览表114项目投资计划与资金筹措一览表115营业收入、税金及附加和增值税估算表116综合总成本费用估算表117固定资产折旧费估算表118无形资产和其他资产摊销估算表119利润及利润分配表119项目投资现金流量表120第一章 行业发展分析一、 产业链下游应用场景丰富,市场需求广阔存储器产业链下游涵盖智能手机、平板电脑、计算机、网络通信设备、可穿戴设备、物联网硬件、安防监控、工业控制、汽车电子等行业以及个人移动存储等领域。不同应用场景对存储器的参数要求复杂多样,涉及容量、读写速度、可擦除次数、协议、接口、功耗、尺寸、稳定性、兼容性等多项内容。半导体存储器根据下游应用场景形成了不同的产品形态,NANDFlash主要包括嵌入式存储(用于电子移动终端低功耗场景)、固态硬盘(大容量存储场景)、移动存储(便携式存储场景)等,其中嵌入式存储与固态硬盘是NANDFlash的主要产品类别,市场规模占NANDFlash市场85%以上。NANDFlash中,嵌入式存储市场主要受智能手机、平板等消费电子行业驱动,固态硬盘下游市场主要包括服务器、个人电脑,移动存储广泛应用于各类消费者领域。DRAM中,LPDDR主要与嵌入式存储配合应用于智能手机、平板等消费电子产品,近年来亦应用于功耗限制严格的个人电脑产品,DDR主要应用于服务器、个人电脑等。1、智能手机市场随着移动通信技术的发展和移动互联网的普及,作为半导体存储下游重要的细分市场,智能手机的景气度是NANDFlash,特别是嵌入式存储市场发展的核心驱动力。全球智能手机市场得益于3G/4G通信网络的建设,出货量自2010年的3.05亿台迅速攀升至2016年的14.73亿台。2017年开始智能手机趋向饱和,主要是随着4G通信普及,4G智能手机增量市场触及天花板,智能手机整体出货量主要受存量市场手机单位容量增长驱动。2019年是5G商用化元年,随着5G逐渐普及,新一轮的换机周期开启。据Omida(IHSMarkit)预测,2020-2025年,5G智能手机出货量年均复合增长率(CAGR)将达到约44.95%。同时,智能手机对于NANDFlash需求不仅取决于手机出货量,同时取决于单台手机的存储容量。根据Omdia(IHSMarkit)数据,单台智能手机的RAM模块(LPDDR)和ROM模块(嵌入式NANDFlash)均在经历持续、大幅的提升。随着5G手机渗透率的逐步提升,智能手机的性能进一步升级,RAM扩容是CPU提升处理速率的必要条件。功能更为强大的移动终端将允许手机搭载功能更为复杂、占据存储容量更大的软件程序,且消费者通过移动终端欣赏更高画质、音质内容物的消费习惯亦会进一步持续推动智能手机ROM扩容。2、数据中心市场近年来,云计算、大数据、物联网、人工智能等市场规模不断扩大,数据量呈现几何级增长,数据中心固定投资不断增加。据国际数据公司(IDC)预测,全球数据总量预计2020年达到44ZB,我国数据量将达到8,060EB,占全球数据总量的18%。数据爆发式增长为存储行业带来巨大的需求空间。一方面互联网巨头纷纷自建数据中心,同时传统企业上云进程加快,两者共同带动服务器数据存储市场规模快速增长。根据国际数据公司(IDC)统计,2019年第四季度全球服务器出货量340万台,同比增长14%,服务器厂商收入同比增长7.5%至254亿美元。在数据中心作为新型基础设施加快建设的背景下,服务器/数据存储的市场规模将继续快速增长,该细分领域的需求将大幅增加。3、个人电脑(PC)市场个人电脑(PC)市场曾是磁性存储器的主要市场之一,由于NANDFlashSSD的制造成本较高,PC端数据存储过去主要使用机械硬盘(HDD)。HDD是以磁性材料为存储载体的存储器,在平整的磁性表面存储和检索数字数据。近年来,随着NANDFlash单位存储经济效益持续凸显,同时笔记本电脑,特别是轻薄笔记本电脑对存储物理空间限制严格,SSD对HDD的替代效应显著。同时,PC与其他消费电子产品相同,正在经历性能和数据存储需求的持续增长。随着消费者处理数据的需求不断增加,单台设备的存储容量需求亦持续增加。4、移动存储消费市场用户对于可靠的存储解决方案的需求是移动存储消费市场存在的前提,经过多年的发展,移动存储消费市场已经充分发展,产品形态以U盘、存储卡以及移动便携SSD产品为主,产品形态趋于成熟,需求稳中有降,整体市场进入成熟期,移动存储消费市场的品牌作用日益凸显。5、汽车电子市场随着汽车消费升级、新能源汽车的推广以及相关政策推动,汽车电动化和智能化将成为新趋势。随着智能化程度的不断加深,汽车正逐步完成由交通工具到移动终端的转变,同时也给存储行业带来新的市场机遇。当前,汽车产品中主要是信息娱乐系统、动力系统和高级驾驶辅助(ADAS)系统中需要使用存储设备,随着自动化程度提高,所需的存储容量也随之增长。根据Gartner的数据显示,2019年全球ADAS中的NANDFlash存储消费达到2.2亿GB,同比增长214.29%,未来几年增速有所放缓但仍将保持强劲增长,预计至2024年,全球ADAS领域的NANDFlash存储消费将达到41.5亿GB,2019年-2024年复合增速达79.9%。二、 半导体存储产业链特征半导体存储产业链形态与逻辑芯片产业有所不同。逻辑芯片产业从1990年代起,受降低成本和提升效率等要素驱动,原来主流的IDM(设计-制造垂直整合)模式向产业链分工模式切换,Fabless(设计)、Foundry(制造)、Test(测试)各环节开始独立,产业链纵向分化;而半导体存储器由于布图设计与晶圆制造的技术结合更为紧密,半导体存储主要晶圆厂仍采用IDM模式经营。同时,半导体存储器核心功能即为数据存储,存储晶圆标准化程度高,应用场景所需的功能则在NANDFlash主控芯片设计、固件开发以及SiP封装等产业链后端环节实现。因此存储原厂完成晶圆制造后,仍需开发大量应用技术以实现从标准化存储晶圆到具体存储产品的转化。由于以上的产业特征,部分存储原厂凭借晶圆优势向下游存储产品领域渗透,同时独立的存储器供应商(含品牌商)应运而生。存储原厂的竞争重心在于创新晶圆IC设计与提升晶圆制程,在产品应用领域,囿于产品化成本等要素限制,原厂仅能聚焦具有大宗数据存储需求的行业和客户(如智能手机、个人电脑及服务器行业的头部客户)。存储原厂的目标市场之外,仍存在极为广泛的应用场景和市场需求,包括细分行业存储需求(如工业控制、商用设备、汽车电子、网络通信设备、家用电器、影像监控、物联网硬件等)以及主流应用市场中小客户的需求。存储器厂商面向下游细分行业客户的客制化需求,进行晶圆分析、主控芯片选型与定制、固件开发、封装设计、芯片测试、提供后端的技术支持等,将标准化存储晶圆转化为存储产品,扩展了半导体存储器的应用场景,提升了半导体存储器在各类应用场景的适用性,推动实现存储晶圆的产品化,是半导体存储产业链承上启下的重要环节。领先的存储器厂商在存储晶圆产品化的过程中形成品牌声誉,推动存储产品企业塑造自身的品牌形象,进而巩固其市场地位并改善利润空间,推动其增加研发投入,形成良性循环。第二章 项目绪论一、 项目概述(一)项目基本情况1、项目名称:六安存储器项目2、承办单位名称:xxx集团有限公司3、项目性质:新建4、项目建设地点:xx(待定)5、项目联系人:白xx(二)主办单位基本情况公司以负责任的方式为消费者提供符合法律规定与标准要求的产品。在提供产品的过程中,综合考虑其对消费者的影响,确保产品安全。积极与消费者沟通,向消费者公开产品安全风险评估结果,努力维护消费者合法权益。公司加大科技创新力度,持续推进产品升级,为行业提供先进适用的解决方案,为社会提供安全、可靠、优质的产品和服务。公司满怀信心,发扬“正直、诚信、务实、创新”的企业精神和“追求卓越,回报社会” 的企业宗旨,以优良的产品服务、可靠的质量、一流的服务为客户提供更多更好的优质产品及服务。经过多年的发展,公司拥有雄厚的技术实力,丰富的生产经营管理经验和可靠的产品质量保证体系,综合实力进一步增强。公司将继续提升供应链构建与管理、新技术新工艺新材料应用研发。集团成立至今,始终坚持以人为本、质量第一、自主创新、持续改进,以技术领先求发展的方针。公司注重发挥员工民主管理、民主参与、民主监督的作用,建立了工会组织,并通过明确职工代表大会各项职权、组织制度、工作制度,进一步规范厂务公开的内容、程序、形式,企业民主管理水平进一步提升。围绕公司战略和高质量发展,以提高全员思想政治素质、业务素质和履职能力为核心,坚持战略导向、问题导向和需求导向,持续深化教育培训改革,精准实施培训,努力实现员工成长与公司发展的良性互动。(三)项目建设选址及用地规模本期项目选址位于xx(待定),占地面积约71.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。(四)产品规划方案根据项目建设规划,达产年产品规划设计方案为:xx件存储器/年。二、 项目提出的理由NANDFlash中,嵌入式存储市场主要受智能手机、平板等消费电子行业驱动,固态硬盘下游市场主要包括服务器、个人电脑,移动存储广泛应用于各类消费者领域。DRAM中,LPDDR主要与嵌入式存储配合应用于智能手机、平板等消费电子产品,近年来亦应用于功耗限制严格的个人电脑产品,DDR主要应用于服务器、个人电脑等。全市地区生产总值达到1669.5亿元,年均增长7%。财政收入达到231.4亿元,年均增长10.7%,其中一般公共预算收入132.9亿元。在工业领域大力实施“积树造林”“老树发新干”工程,规模以上工业增加值年均增长8.3%。“四上企业”达到1997家。社会消费品零售总额达到935亿元,年均增长10%。深入实施“精重促”行动,累计实施亿元以上项目1277个,固定资产投资年均增长11.2%。开展“千名行长进万企”行动,存款类金融机构存贷比达到81.7%。新能源、新材料、新一代信息技术、航空产业等一批战略性新兴产业从无到有、从弱到强,初步形成了有一定竞争力的产业集群。欧菲光安徽精卓、应流小型涡轮发动机、嘉悦新能源、迎驾野岭产业园、富春智慧物流、年产300万吨霍邱钢厂等一批产业标志性项目顺利实施,经济社会发展基础显著增强。三、 项目总投资及资金构成本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资27059.72万元,其中:建设投资22139.69万元,占项目总投资的81.82%;建设期利息477.60万元,占项目总投资的1.76%;流动资金4442.43万元,占项目总投资的16.42%。四、 资金筹措方案(一)项目资本金筹措方案项目总投资27059.72万元,根据资金筹措方案,xxx集团有限公司计划自筹资金(资本金)17312.68万元。(二)申请银行借款方案根据谨慎财务测算,本期工程项目申请银行借款总额9747.04万元。五、 项目预期经济效益规划目标1、项目达产年预期营业收入(SP):45200.00万元。2、年综合总成本费用(TC):39381.48万元。3、项目达产年净利润(NP):4222.68万元。4、财务内部收益率(FIRR):7.87%。5、全部投资回收期(Pt):7.90年(含建设期24个月)。6、达产年盈亏平衡点(BEP):24056.77万元(产值)。六、 项目建设进度规划项目计划从可行性研究报告的编制到工程竣工验收、投产运营共需24个月的时间。七、 环境影响本期工程项目设计中采用了清洁生产工艺,应用清洁原材料,生产清洁产品,同时采取完善和有效的清洁生产措施,能够切实起到消除和减少污染的作用;因此,本期工程项目建成投产后,各项环境指标均符合国家和地方清洁生产的标准要求。八、 报告编制依据和原则(一)编制依据1、一般工业项目可行性研究报告编制大纲;2、建设项目经济评价方法与参数(第三版);3、建设项目用地预审管理办法;4、投资项目可行性研究指南;5、产业结构调整指导目录。(二)编制原则1、坚持科学发展观,采用科学规划,合理布局,一次设计,分期实施的建设原则。2、根据行业未来发展趋势,合理制定生产纲领和技术方案。3、坚持市场导向原则,根据行业的现有格局和未来发展方向,优化设备选型和工艺方案,使企业的建设与未来的市场需求相吻合。4、贯彻技术进步原则,产品及工艺设备选型达到目前国内领先水平。同时合理使用项目资金,将先进性与实用性有机结合,做到投入少、产出多,效益最大化。5、严格遵守“三同时”设计原则,对项目可能产生的污染源进行综合治理,使其达到国家规定的排放标准。九、 研究范围报告是以该项目建设单位提供的基础资料和国家有关法令、政策、规程等以及该项目相关内外部条件、城市总体规划为基础,针对项目的特点、任务与要求,对该项目建设工程的建设背景及必要性、建设内容及规模、市场需求、建设内外部条件、项目工程方案及环境保护、项目实施进度计划、投资估算及资金筹措、经济效益及社会效益、项目风险等方面进行全面分析、测算和论证,以确定该项目建设的可行性、效益的合理性。十、 研究结论综上所述,该项目属于国家鼓励支持的项目,项目的经济和社会效益客观,项目的投产将改善优化当地产业结构,实现高质量发展的目标。十一、 主要经济指标一览表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积47333.00约71.00亩1.1总建筑面积80816.031.2基底面积30293.121.3投资强度万元/亩302.222总投资万元27059.722.1建设投资万元22139.692.1.1工程费用万元19337.752.1.2其他费用万元2341.462.1.3预备费万元460.482.2建设期利息万元477.602.3流动资金万元4442.433资金筹措万元27059.723.1自筹资金万元17312.683.2银行贷款万元9747.044营业收入万元45200.00正常运营年份5总成本费用万元39381.486利润总额万元5630.247净利润万元4222.688所得税万元1407.569增值税万元1569.0310税金及附加万元188.2811纳税总额万元3164.8712工业增加值万元11712.8113盈亏平衡点万元24056.77产值14回收期年7.9015内部收益率7.87%所得税后16财务净现值万元-4019.10所得税后第三章 背景及必要性一、 产业链上游存储晶圆市场格局及技术路线存储晶圆的设计与制造产业具有较高的技术和资本门槛,早期进入存储器领域的全球领先企业通过巨额资本投入不断积累市场竞争优势,全球存储晶圆市场被韩国、美国和日本的少数企业主导。国际领先的存储原厂凭借多年技术积累,不断提升晶圆制程以提高单位面积的存储密度和降低存储芯片功耗,随着制程工艺不断逼近极限,芯片设计与晶圆制造的研发门槛不断提高,研发资本投入不断增加。同时,主要存储原厂还需通过持续大额资本支出来投放成熟制程产能,维持规模优势和市场份额。1、NANDFlash市场竞争格局及技术路线NANDFlash全球市场高度集中,根据Omdia(IHSMarkit)数据,2020年全球NANDFlash市场规模为571.95亿美元,由三星电子、铠侠、西部数据、美光科技、SK海力士、英特尔六家公司主导,其中三星电子全球市场份额约34%,此外,SK海力士收购英特尔NANDFlash业务已于2021年获得主要市场监管当局批准,全球NANDFlash市场将进一步集中。技术路线方面,主要存储原厂在激烈竞争中不断提升NANDFlash存储密度。目前,存储密度提升的主要技术路径包括提高存储单元的可存储数位(bit)量和提升3DNANDFlash的堆叠层数。根据每个存储单元存储的可存储数位量,NANDFlash分为SLC、MLC、TLC、QLC。SLC(Single-levelCell)为每个存储单元存储的数据只有1位,而MLC(Multi-levelCell)、TLC(Triple-levelCell)和QLC(Quad-LevelCell)每个存储单元存储的数据分别为2位、3位与4位,存储密度梯度提升。传统NANDFlash为平面闪存(2DNAND),3DNAND使用多层垂直堆叠技术,拥有更大容量、更低功耗、更优耐用性以及更低成本的优势。三星电子2013年率先开发出可以商业化应用的24层3DNAND,2020年3DNAND高端先进制程进入176层阶段。2、DRAM市场竞争格局及技术路线DRAM全球市场相较于NANDFlash更为集中,2020年全球DRAM市场规模为663.83亿美元,由三星电子、SK海力士和美光科技三家公司主导。技术路线方面,行业龙头三星电子于2014年率先实现20纳米制程量产(4GbDDR3DRAM),将技术路线竞争引入20nm时代,此后DRAM制程大约每两年实现一次突破,从1Xnm(16nm-19nm)到1Ynm(14nm-16nm)到1Znm(12-14nm)。2021年1月,美光科技率先宣布量产1nm(接近10nm)DRAM产品,主流原厂开始进入1nm制程阶段。目前市场高端制程为1Znm,该制程生产的芯片主要标准规格包括DDR4X/5及LPDDR4X/5。3、中国大陆存储晶圆仍处于发展初期近年来,在集成电路产业政策和国家集成电路基金等市场资本的扶持推动下,中国在DRAM与NANDFlash两大存储核心领域均取得关键技术突破,以长江存储和长鑫存储为代表的本土存储晶圆原厂技术实力与国际主流原厂快速缩小;依托中国市场广阔需求,市场份额取得实质进展。尽管国产晶圆生产取得实质进展,但是国产晶圆在技术实力和市场规模方面与国际存储原厂仍有显著差距。二、 行业发展面临的机遇与挑战1、行业机遇(1)国家政策高度重视集成电路行业发展集成电路产业是现代信息产业的基础和核心产业之一。近年来,为加快推进我国集成电路及封装测试产业发展,国务院、国家发改委、工信部等政府部门从投资、融资、财政、税收、技术和人才等多方面推出了一系列法规和产业政策,国家层面也设立相应产业投资基金,给行业注入新动力。(2)下游应用行业蓬勃发展,国内市场对存储器芯片需求较大存储器行业的发展主要取决于下游的终端应用领域。随着一系列国家战略的持续深入实施,下游制造业的升级换代进程加快,其中消费电子、云计算、大数据、物联网、汽车电子等存储器应用的重要领域维持较快增速。下游市场处于蓬勃发展的态势,直接推动存储器产业链的持续扩张,有利于维持存储器行业需求端的规模增长。(3)存储产业链向大陆转移带来的机遇随着国内集成电路行业的发展,全球集成电路行业经历了向中国转移的过程,中国已经成为世界最大的集成电路芯片市场。在这一趋势带动下,存储晶圆厂和主控芯片代工厂商如台积电、三星电子、日月光等纷纷在大陆投资建厂和扩张生产线,下游晶圆加工工艺持续改进,国内封装测试企业技术水平达到国际先进水平,为存储器厂商提供了充足的产能基础和完整的产业链配套。(4)信创产业助力存储行业发展近年来,国家大力推动信创产业发展,从最上游的半导体材料到核心芯片、元器件、基础软件,再到整机、应用软件全面实现自主安全可控。而存储是信创产业的关键一环,当前信创产业处于全面提速阶段,必将对整个国产存储产业链起到带动作用。2、行业挑战(1)高端技术人才不足在市场需求增长、国家政策支持、产业中心转移等利好因素下,高端技术才是企业抓住机遇、发展壮大的关键。国内具备战略视野和产业运营经验的领军型人才和国际高端技术人才相对稀缺。(2)国内存储晶圆制造能力仍需进一步实现突破存储晶圆制造能力是存储产业实力的重要体现,当前世界先进的存储晶圆制造工艺及主要市场份额仍掌握在国外存储原厂手中,国内存储晶圆制造仍处于起步阶段,专利和技术积累相对薄弱,虽然长江存储、合肥长鑫等存储原厂已经实现量产,但与国外存储原厂在技术和市场份额方面仍存在较大差距。(3)我国集成电路基础技术有待提升国际市场上主流的集成电路公司大都经历了四十年以上的发展。国内同行业的厂商仍处于一个成长的阶段,与国际大厂依然存在技术差距,尤其是制造及封装测试环节所需的高端技术支持存在明显的短板,目前我国集成电路行业中的部分高端市场仍由国外企业占据主导地位。因此,产业链上下游的技术水平也在一定程度上限制了我国集成电路行业的发展。三、 半导体存储器简介存储器是指利用磁性材料或半导体等材料作为介质进行信息存储的器件,半导体存储器利用半导体介质贮存电荷以实现信息存储,存储与读取过程体现为电荷的贮存或释放,半导体存储是集成电路的重要分支。1、易失性存储易失性存储主要指随机存取存储器(RAM)。RAM需要维持通电以临时保存数据供主系统CPU读写和处理。由于RAM可以实现对数据的高速读写,因此通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。RAM根据是否需要周期性刷新以维持数据存储,进一步分为动态随机存取存储器(DRAM)和静态随机存取存储器(SRAM)。动态随机存取存储器(DRAM)需要在维持通电的同时,通过周期性刷新来维持数据,故称“动态”存储器。DRAM结构简单,因此单位面积的存储密度显著高于SRAM,但访问速度慢于SRAM;此外,由于DRAM需要周期性刷新以维持正确的数据,因此功耗较SRAM更高。DRAM作为一种高密度的易失性存储器,主要用作CPU处理数据的临时存储装置,广泛应用于智能手机、个人电脑、服务器等主流应用市场。2、非易失性存储非易失性存储主要指只读存储器(ROM),无需持续通电亦能长久保存数据的存储器。早期的ROM产品信息首次写入后即固定下来,以非破坏性读出方式工作,只能读出而无法修改或再次写入信息,故称“只读”存储器。ROM经过不断演变发展,经过掩膜只读存储器(MaskROM)、可编程只读存储器(PROM)、可编程可擦除只读存储器(EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)和快闪存储器(Flash)等阶段,已经突破原有的“只读”限制。Flash主要包括NANDFlash和NORFlash。NANDFlash是使用电可擦技术的高密度非易失性存储。NANDFlash每位只使用一个晶体管,存储密度远高于其他ROM;在正常使用情况下,Flash所存的电荷(数据)可长期保存;同时,NANDFlash能够实现快速读写和擦除。NANDFlash为大容量数据存储的实现提供了廉价有效的解决方案,是目前全球市场大容量非易失存储的主流技术方案。NORFlash特点在于允许CPU直接从存储单元中读取代码执行(eXecuteInPlace,XIP),即应用程序可直接在Flash内运行,而不必再读到系统RAM中;但NORFlash写入和擦除速度慢,因此不适宜作为大容量存储器,仅在小容量场景具有成本效益。四、 建设人力资源和人才强市深入实施人才强市战略,更大力度推进人才优先发展,营造人才发展的良好环境,加快各层次人才的培养和引进,打造高技能人才充裕的人力资源强市,最大限度地释放人才红利。培养高素质技能劳动者。强化职业技能培训,建立覆盖城乡全体劳动者的技能培训制度。加强技师、高级技师培养,造就一批具有精湛技艺、高超技能、较强创新能力的能工巧匠,推动全市劳动力由体力型向技能型转变、由技能型向工匠型转变。加强退役军人职业教育和技能培训,提高退役军人就业能力。加强高素质农民教育培训,培育一支有文化、懂技术、善经营、会管理的高素质农民队伍。建立健全技能培训与产业发展对接机制,鼓励企业、院校和各类培训机构提供有针对性的技能培训项目,加快六安技师学院综合型产教融合示范实训基地建设。支持引导相关部门、社会组织承接各类职业技能培训、职业技能竞赛活动,抓好各类重点群体就业创业培训,储备高素质蓝领队伍。大力开展招才引智。围绕“产业链”“创新链”,打造“人才链”,推进“产创才融合”,真正实现人尽其才。深挖“三皋”人才资源,扎实推进各类引才、引智计划,集聚各类优秀人才来我市创新创业。完善招才引智“绿色”通道机制,采取柔性引进、项目引进、专项资助引进等方式引进人才,全面落实人才引进各项政策。突出主导产业和重点领域,聚集培育一批研发水平高、自主创新能力强、带动作用明显的人才团队。扶持高层次科技人才团队在我市创新创业,争取更多人才团队纳入省市重点扶持范畴。积极吸引海外人才、留学生来我市创新创业。营造良好的人才发展环境。完善有利于创新创业的人才发展政策体系,在全社会大兴识才、爱才、重才、用才、容才之风。落实新时代“江淮英才计划”,强化对人才的物质和精神激励,保障人才以知识、技术、管理、技能等创新要素参与利益分配。围绕人才链构建服务链,全方位做好人才服务工作,建立人才荣誉制度,着力解决好人才落户、住房、医疗、创业投资、配偶就业和子女入学等问题。五、 推进合肥六安同城化发展突出更高质量一体化发展,加快合肥-六安同城化步伐,深化合肥都市圈协同发展,合力建设具有更强影响力的国际化都市圈和支撑全省发展的核心增长极。推进交通设施一体化,加快推进交通基础设施联网升级,打通市际“断头路”,基本消除国省干线公路“瓶颈”路段。提升铁路、公路、水路全面通达能力,形成“半日工作圈”“一日生活圈”“假日在六安”。推进科技创新一体化,对接合肥综合性国家科学中心,争创综合性国家产业创新中心及分行业国家产业创新中心、国家技术创新中心、国家制造业创新中心等国家级创新平台。推进产业发展一体化,健全产业链条,推进产业链接合肥、科创链接合肥、园区链接合肥、市场链接合肥,不断提升产业基础能力和产业链水平,促进产业集群集聚、超越行政区划、形成规模效应。推进开放合作一体化,发挥圈内海关特殊监管区域功能,加快我市外向型经济发展。推进生态文明一体化,推动巢湖流域综合治理,高质量打造环巢湖湿地公园群;积极探索水资源协同保护机制。第四章 产品方案分析一、 建设规模及主要建设内容(一)项目场地规模该项目总占地面积47333.00(折合约71.00亩),预计场区规划总建筑面积80816.03。(二)产能规模根据国内外市场需求和xxx集团有限公司建设能力分析,建设规模确定达产年产xx件存储器,预计年营业收入45200.00万元。二、 产品规划方案及生产纲领本期项目产品主要从国家及地方产业发展政策、市场需求状况、资源供应情况、企业资金筹措能力、生产工艺技术水平的先进程度、项目经济效益及投资风险性等方面综合考虑确定。具体品种将根据市场需求状况进行必要的调整,各年生产纲领是根据人员及装备生产能力水平,并参考市场需求预测情况确定,同时,把产量和销量视为一致,本报告将按照初步产品方案进行测算。产品规划方案一览表序号产品(服务)名称单位单价(元)年设计产量产值1存储器件xxx2存储器件xxx3存储器件xxx4.件5.件6.件合计xx45200.00随着国内集成电路行业的发展,全球集成电路行业经历了向中国转移的过程,中国已经成为世界最大的集成电路芯片市场。在这一趋势带动下,存储晶圆厂和主控芯片代工厂商如台积电、三星电子、日月光等纷纷在大陆投资建厂和扩张生产线,下游晶圆加工工艺持续改进,国内封装测试企业技术水平达到国际先进水平,为存储器厂商提供了充足的产能基础和完整的产业链配套。第五章 建筑工程说明一、 项目工程设计总体要求(一)设计依据1、根据中国地震动参数区划图(GB18306-2015),拟建项目所在地区地震烈度为7度,本设计原料仓库一、罐区、流平剂车间、光亮剂车间、化学消光剂车间、固化剂车间抗震按8度设防,其他按7度设防。2、根据拟建建构筑物用材料情况,所用材料当地都能解决。特殊建材(如:隔热、防水、耐腐蚀材料)也可根据需要就地采购。3、施工过程中需要的的运输、吊装机械等均可在当地解决,可以满足施工、设计要求。4、当地建筑标准和技术规范5、在设计中尽量优先选用当地地方标准图集和技术规定,以及省标、国标等,因地制宜、方便施工。(二)建筑设计的原则1、应遵守国家现行标准、规范和规程,确保工程安全可靠、经济合理、技术先进、美观实用。2、建筑设计应充分考虑当地的自然条件,因地制宜,积极结合当地的材料、构件供应和施工条件,采用新技术、新材料、新结构。建筑风格力求统一协调。3、在平面布置、空间处理、构造措施、材料选用等方面,应根据工程特点满足防火、防爆、防腐蚀、防震、防噪音等要求。二、 建设方案主要厂房在满足工艺使用要求,满足防火、通风、采光要求的前提下,力求做到布置紧凑、节省用地。车间立面造型简洁明快,体现现代化企业的建筑特色。屋面防水、保温尽可能采用质量较高、性能可靠的新型建筑材料。本项目中主要生产车间及仓库均为钢结构,次建筑为砖混结构。考虑当地地震带的分布,工程设计中将加强建筑物抗震结构措施,以增强建筑物的抗震能力。三、 建筑工程建设指标本期项目建筑面积80816.03,其中:生产工程56081.65,仓储工程13316.85,行政办公及生活服务设施6085.94,公共工程5331.59。建筑工程投资一览表单位:、万元序号工程类别占地面积建筑面积投资金额备注1生产工程15449.4956081.657545.231.11#生产车间4634.8516824.492263.571.22#生产车间3862.3714020.411886.311.33#生产车间3707.8813459.601810.861.44#生产车间3244.3911777.151584.502仓储工程8482.0713316.851268.992.11#仓库2544.623995.05380.702.22#仓库2120.523329.21317.252.33#仓库2035.703196.04304.562.44#仓库1781.232796.54266.493办公生活配套1517.696085.94874.713.1行政办公楼986.503955.86568.563.2宿舍及食堂531.192130.08306.154公共工程4846.905331.59634.02辅助用房等5绿化工程7521.21136.43绿化率15.89%6其他工程9518.6721.907合计47333.0080816.0310481.28第六章 项目选址分析一、 项目选址原则项目选址应符合城市发展总体规划和对市政公共服务设施的布局要求;依托选址的地理条件,交通状况,进行建址分析;避免不良地质地段(如溶洞、断层、软土、湿陷土等);公用工程如城市电力、供排水管网等市政设施配套完善;场址要求交通方便,环境安静,地形比较平整,能够充分利.用城市基础设施,远离污染源和易燃易爆的生产、储存场所,便于生活和服务设施合理布局;场址上空无高压输电线路等障碍物通过,与其他公共建筑不造成相互干扰。二、 建设区基本情况六安,安徽省辖地级市,位于安徽省西部,是长三角城市群成员城市,处于长江与淮河之间,大别山北麓,长江三角洲经济区西翼,地理意义上的“皖西”特指六安。全市总面积15451.2平方公里,辖3个区、4个县。根据第七次人口普查数据,截至2020年11月1日零时,六安市常住人口为439.3699万人。六安之名始于汉武帝,取衡山国内六县、安风、安丰等县首字,别衡山国为六安国,兼有“六地平安,永不反叛”之意。因舜封皋陶于六,故后世称六安为皋城。六安地处江淮,东衔吴越,西领荆楚,北接中原;地势西南高峻,东北低平,呈梯形分布;属于北亚热带向暖温带转换的过渡带,季风显著,四季分明。六安有312、206、105等3条国道,宁西、合九、阜六及沪汉蓉快速铁路通道等4条铁路,沪陕、沪蓉、济广、合阜、合安等5条高速公路穿过全境,距新建的合肥新桥国际机场仅半个小时车程,被国家交通部确立为陆路交通运输枢纽城市。2018年2月,六安市被中央文明办确定为20182020年创建周期全国文明城市提名城市。展望2035年,坚持全省赶平均目标不动摇,力争实现经济总量和城乡居民人均收入较2020年翻一番半,人均地区生产总值与全省差距明显缩小,经济实力、科技实力、综合实力大幅跃升,高质量发展新格局基本形成,进入创新型城市行列;基本实现新型工业化、信息化、城镇化、农业现代化,建成现代化经济体系,“一区四地一屏障”建设取得重大成效;基本实现治理体系和治理能力现代化,人民平等参与、平等发展权利得到充分保障,基本建成法治六安、法治政府、法治社会;建成创新型文化强市和教育强市、人才强市、体育强市、旅游强市、健康六安,国民素质和社会文明程度达到新高度,文化软实力显著增强;广泛形成绿色生产生活方式,生态环境优美宜居;对外开放形成新格局,大别山对外联通通道工程建设取得新进展,现代化综合交通体系和现代流通体系基本形成;城市发展质量明显提高,城镇化水平显著提升,人民基本生活保障水平与长三角平均水平大体相当,基本公共服务实现均等化,中等收入群体显著扩大,城乡区域发展差距和居民生活水平差距显著缩小;平安六安建设达到更高水平,建成人人有责、人人尽责、人人享有的社会治理共同体;人民生活更加美好,人的全面发展、全体人民共同富裕取得更为明显的实质性进展。“十四五”时期,国际国内环境发生深刻变化,我市发展既面临难得机遇,也面临严峻挑战。从国际国内形势看,全球经济格局深度调整,我国已进入高质量发展新阶段。全球化与逆全球化相互角力,新兴大国与守成大国竞争博弈加剧,世界大变局加速演变的特征更加明显。新冠肺炎疫情影响广泛深远,全球产业链供应链发生重大调整。面对百年未有“大变局”和百年不遇“大疫情”,更加彰显了我国的独特政治优势、制度优势和发展优势。我国实施扩大内需战略,国家加快构建以国内大循环为主体、国内国际双循环相互促进的新发展格局,国内市场主导国民经济循环特征更加明显,经济增长的内需潜力将不断释放,我国发展稳中向好、长期向好的基本面没有改变,为我市在新发展格局中实现更大作为带来了新的机遇。从全省发展情况看,安徽与沪苏浙一同站在长三角更高质量一体化发展的新舞台。省委、省政府深入实施五大发展行动计划、“一圈五区”“四个一”创新主平台、“三重一创”等重大战略举措,安徽呈现出经济总量位次前移、发展质量明显提高、战略地位显著提升的良好态势,在多重国家战略叠加之下,全省的发展动力正在加快转换,发展空间不断拓展优化,发展路径越来越清晰。这既为我市新一轮发展提供了重要契机,也形成了倒逼压力。从我市自身发展看,有利条件和发展机遇累积叠加,经济发展进入结构优化、动力转换、效益提升新阶段。我市集长三角一体化发展、长江经济带发展、中部地区崛起、大别山革命老区振兴、皖江城市带承接产业转移示范区、淮河生态经济带和合肥都市圈、合六经济走廊、皖北承接产业转移集聚区等多个重大战略叠加,是国家和安徽省的重要经济板块,具有“承东启西”“左右逢源”优势。合肥市经济总量迈上万亿新台阶后,合肥都市圈的辐射带动作用将明显增强。我市坚持绿色振兴发展战略,一批重大产业布局、重要民生工程、重点生态项目相继建成,脱贫攻坚取得决定性胜利,经济社会发展步入了快车道,取得了全方位成就。重大新兴产业基地和开发园区集聚力、承载力大幅增强,城乡协调发展格局全面优化,交通、能源、信息、水利等基础设施更加完善,我市比较优势、区位优势、资源优势、生态优势更加凸显,为“十四五”时期高质量发展创造了良好条件,有利于我市在新发展阶段更好地优化资源配置,抢抓机遇、乘势而上。同时,我市经济社会发展还存在一些困难和明显短板,主要表现为:经济总量不高、人均水平偏低的现状没有根本改变,大企业、大项目、技术含量高的项目不足,发展不平衡不充分的问题依然突出;生态保护和污染防治任重道远,教育、医疗、公共文化服务、养老、托育、住房等民生领域还有不少短板;公共卫生、防灾抗灾、安全生产等领域风险防范任务仍然繁重,社会治理体系和治理能力有待加强和提高。综合判断,今后五年我市仍处于大有作为的重要战略机遇期,是我市深度参与长三角高质量一体化发展、大别山革命老区振兴崛起的关键决胜期,是全面改善民生、建设新阶段现代化幸福六安的重要突破期,全市上下必须认清形势,保持战略定力,发扬老区斗争精神,切实增强使命感和责任感,牢固树立战略机遇意识,同心同德、顽强拼搏,在现代化建设新征程中开创新局面。三、 推进开发区转型升级围绕建设“工业强市主阵地、高质量发展增长源”的目标,按照“三融合三为主”的功能定位,推进开发区改革创新和高质量发展,持续强化开发区产业集聚功能,增强辐射带动能力。优化开发区产业布局。按照主业突出、板块联动、优势互补、特色鲜明的布局原则,引导产业有序协调发展。支持各开发区立足要素禀赋、产业基础,重点打造1个首位产业,培育2-3个主导产业,突出错位发展,避免同质竞争。以科技含量、环境影响、投资强度、产业效益作为选资标准,提高入园项目档次和质量,推动开发区上规模上水平上层次。支持开发区结合产业发展方向,推动生产要素、优惠政策向首位产业、主导产业和龙头企业倾斜,做大做强龙头企业,加快培育关联度高的上下游企业,延长产业链条,形成产业集聚和企业集群的良好态势。支持开发区对同类型项目、企业进行集中布局,建设专业化、特色化园中园。积极推动园区循环化改造,努力实现低碳发展、绿色发展,建设循环经济园区。加快完善路网、管网、电力、通讯、污水处理等配套设施,推进标准化厂房建设,提升开发区承载力。坚持产城一体、融合发展,强化公共服务设施配套,统筹社会事业发展。深化开发区改革创新。支持开发区争创国家和省级试点示范,支持舒城、霍山经济开发区争创国家级开发区,叶集经济开发区移区。积极推进“标准地”改革,促进工业项目高质量引进和高效率落地投产。完善项目进入和退出机制,以“亩均论英雄”、产业关联度等为导向,依法盘活闲置和低效利用土地,推进节约集约用地。强化市场主导、效益导向,创新开发区建设和管理机制,积极吸纳优质社会资本或专业机构参与开发区基础设施建设和运营,探索整体运营开发模式。落实容错机制,鼓励先行先试,采取“管委会+公司”模式。深化人事和薪酬制度改革,探索全员聘任制和绩效工资制。创建智慧园区,推进开发区数字化、企业智能化和项目管理智慧化。四、 推进科技成果转化应用以科技成果转化应用为重点,深入实施科技创新工程,着力构建创新水平、研发活动、体制机制与长三角融为一体的现代产业科技创新体系。培育创新型企业集群。强化企业创新主体地位和主导作用,加快创新资源、创新政策、创新服务向企业集聚。实施创新型领军企业培育和科技型企业培育工程,打造一批全国知名创新型领军企业。鼓励企业聚焦“卡脖子”关键核心技术突破,选择一批重大科技专项进行技术攻关,力争在航空、核电、氢能、电子信息、生物科技等领域取得重大突破,争取纳入国家(省级)重大专项,实现部分领域技术水平达到国际领先、重点产品达到国际先进或国内领先水平。支持企业争创“重点研发创新平台、新型研发机构、一室一中心”等省、市创新平台。鼓励企业加大研发投入,提升研发能力。支持企业申报科技创新项目,争取国家和省支持。促进科技成果产业化。加大财政对科技发展的投入,引导和带动社会资本投入创新活动。创新科技金融支持方式,支持政府股权基金加大对种子期、初创期科创企业的投资力度,推动具备条件的高新技术企业在上海科创板、深圳创业板上市融资。鼓励商业银行在开发区设立科技支行,支持开展知识产权质押融资。完善科技创新激励机制,抓好各项鼓励创新政策落实。推进科技成果使用权、处置权、收益权“三权”改革。完善专利工作资助和奖励办法,鼓励企业申请专利。强化知识产权保护。加强知识产权创造、保护、运用、管理和服务,坚决打击侵权行为。加强重点产业和区域优势特色产业自主知识产权创造,培育一批高价值高质量专利。引导重大科技成果转化的高价值专利创造和运用,推动完善科技计划知识产权过程管理。加强商标品牌建设,以产业优质品牌有效运用支撑产业价值提升。推进创新主体知识产权规范化管理,鼓励企业综合运用专利、商标组合策略,加强知识产权信息化服务平台建设,推动知识产权保护运用线上线下融合发展。协同打造创新策源地。推进“政产学研用金”协同创新,构建政府引导、企业主体、校院协作、社会参与的协同创新机制。积极对接长三角G60科创走廊,深度对接合肥综合性国家科学中心和沪苏浙科技资源,引导和支持重点行业、骨干企业联合高校院所建立院士工作站、博士后科研工作站、工程(重点)实验室、工程(技术)研究中心、技术创新中心等,加快高端装备、新能源、电子信息等重点产业领域科技创新平台建设。加强与中科院在皖机构、皖西学院等高校院所资源合作,鼓励国内外科研院所、高等院校来我市设立分支机构,积极探索市校、校企合作共建大学分院和产业技术研究院。积极参与长三角大型科学仪器协作共用网络建设,推进重点实验室、大型仪器中心与实验装置、分析测试平台等共享。五、 项目选址综合评价项目选址应统筹区域经济社会可持续发展,符合城乡规划和相关标准规范,保证城乡公共安全和项目建设安全,满足项目科研、生产要求,社会经济效益、社会效益、环境效益相互协调发展。 第七章 发展规划一、 公司发展规划(一)公司未来发展战略公司秉承“不断超越、追求完美、诚信为本、创新为魂”的经营理念,贯彻“安全、现代、可靠、稳定”的核心价值观,为客户提供高性能、高品质、高技术含量的产品和服务,致力于发展成为行业内领先的供应商。未来公司将通过持续的研发投入和市场营销网络的建设进一步巩固公司在相关领域的领先地位,扩大市场份额;另一方面公司将紧密契合市场需求和技术发展方向进一步拓展公司产品类别,加大研发推广力度,进一步提升公司综合实力以及市场地位。(二)扩产计划经过多年的发展,公司在相关领域领域积累了丰富的生产经验和技术优势,随着公司业务规模逐年增长,产能瓶颈日益显现。因此,产能提升计划是实现公司整体发展战略的重要环节。公司将以全球行业持续发展及逐渐向中国转移为依托,提高公司生产能力和生产效率,满足不断增长的客户需求,巩固并扩大公司在行业中的竞争优势,提高市场占有率和公司影响力。在产品拓展方面,公司计划在扩宽现有产品应用领域的同时,不断丰富产品类型,持续提升产品质量和附加值,保持公司产品在行业中的竞争地位。(三)技术研发计划公
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