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4 HW H * A 4 fi RlVol. 2.Na 4200g. 1 t HMATERIALS RESEARCH AND APPttCATlONDec. 200t文 4:161 则 lMCIB04945H)5优质纳米晶硅薄膜的低温制备技术及其在太阳能电池中的应用进展赧城4屮邱胜桦I,旻菖丹I,李 平U余处迎2,林喊莫 aib电ft。ftBMA. fl号:TM914. 4Ah由于它具htSlKtfi电WKTS7 cm,)寛帝陳. 鳥光的丸电 nttft 引 学术帯NT和高 电a*Jk阳It电IB窗口材科驕K的 現巳成为|究聲食的跌门纳术|射出:歐用于 电池外仕发允二光ffftH、山体irtiA*电子从体尊尢魄 h伶方ar电有矗金血用.1低温麒备纳米晶硅薄腹的技术为r辭备迢用于以蔽購为*阳佳电池的 onn 技术技成n过盘可分为序大矣:一类Ulf赢 SUM.AfflMA 化为H*上0(駅常术品堆福襲1 團柏化廉IS1*4 大敏尺 t.9ttJKKRi!JK.T 层进行余佯为上层不r作为体 KJS.aAS可我I粒大第418.1.1.2金铸#晶化ama(ttt(rAioi 上一足金厲“en.wait ne)另广A金人4SI或It令JI的豪片上再-层芥晶| 车Aft与金说歸大大*300 左右*生可 作愣耳的金有AI.Au.Ni.PttTi,CrPd -不同 不. UT AI 的含$ 富价幅便fl.NltffittVAkft受背障对千产3kftSAk的取與比製一以的是, &* H Al 的界处.(b 于 A!扩 RHAH S-Si 共備Wtj Si- Aia 大界化篩谨7 AIIB &除子的tail扩敵”食f Al- Si 的妙成.ffi A!-Si ffl0JW.ttr(300 中的(BAS几孚町以略因此fi中的 値和酸以et的序式血a Si H和Al第畀面析出 iX4EBMi!iF* 发快的节 #体工艺餐术快建烬遇丸于快圧須处理的范 *.-*方式它的MWC6VR灯与怡 ttMifl火沪杠tt0(方法有參优A. T用 晁弟夕.产大总&易绘外化后的耒山an ttMtt少穴鹿力小.一4研丸发規対專晶H邊行快 长对厶粒尺寸的 a不大。但升速卓对晶篡尺寸的。慢大升 it*W大时砖轨牧小升連幕仪爪时遵林靛 孜大U1.1.4材料的不P!区第依次化力 SAift. HttrtMWWttX的醫尢m烬即光 点是邮以果用不同典刃的 内碎非界醴材科信列僅离的超 廈便由于堵化結厶的刃凤4!*因 此村廉的盘度不*离.从AI亀便用 为“底斥分T*AtflT其除冲时间极範(】030 于圧IT外柩是恋嚴扁悴庭上 ite 上修用射 的尢集魚乍 受光次BOtAHMH的络山状比.另外徽光很釣形状和 扫力佝也金化谊卷中品tl的生氏方佝 ttfi*的缺念是设*價工艺实理大H9枳1.2 为績米月&稈廉H时IM 较长.代敷处fl!不止同一豪第 中则庄转移罪JI確ZSI的M毎中的 41化生戊SiO引入真它条质对的性龍产 生不2的B的 Mtt *. aan术包朋,缩盘化学气 (HWCVD).ft(E H PECVD 和靈用!气H等. 1.2.1处It化事代梱浜积at气体超發庄衿底耐近度 焙2000 C的笹兹时气体的分子发生輪裂 #*h不18宜枳均勺詡H的制备命以应用范IB 受较大假1.2.2 PECVDAftjfi.ftfnitM的 IX 56 MHi 的 rf-PECVD n.x用较鼻的反应气压匹Eit*n*B功 . 0. 7 nm/s*mtt 的化第康 J&蒔 M:,l 的n化妁60%平均越尺寸般6. 0 nm.ieif 事为 10-B-10-4 a l - cmMin 的 SEMBteffi Iff*农本实购後19铸件下制备辖 功率丈小 en 中 flt有遐戌分.不变的T.XX 心化反丽下聲在定的射H功眾Bl代1131中 的A分I#功F增XKJfllto.内!申的心玄戍分fitW虫的升烏両增舗 RSfl的斤高mA(S)w H, KWK Rh- HSiH.+町啲增如!1品化亭变大生廉連 b.结合Rwm ft FT1R ig为庄蛊氢条件 下!(的作用在于通ilKHl反应宸飯厨的&-S.M剧剑耳究与(i用2001Si-Si raw H n 的価覆结输及Kit令料 (4RAffi6-fe厦的反的*金反n会i低a 化*枳逮M剧剑耳究与(i用2001上leiBAOii的化电和汎帜讹邑a高的压劳M剧剑耳究与(i用2001M剧剑耳究与(i用2001M剧剑耳究与(i用2001M剧剑耳究与(i用20011.2.3 的 FECVD 技术會人把研丸方合PECVDfca 合.试IS采用 PECVI)KttMeiM* &H9H用鹰H化令DKiOSiF. &a)*代鲁&烷代体.还有用龜合悴sic“ HJ作为弋体便Ann村底 低卜祥畀20OC.8fftW的第宋 育捋仇取內3“.但sei.代体nnnikn RR1SPB的HCI It仪U有棧大的Mtt性対 編役的舫离性产j*.2纳米晶硅薄腰太阳能电池厘人用住利用方ifi.ARj允伏电怡是址毎亲发 WA.MAai力妁研丸儈績.配純电检仍处于主号金位.但它的离世扩敵丄艺IH 制了其一歩寿低.以曾及 W6 F.AHIWARllRtARSU 大的生金力但其1定性和丸电 料扶製亭曲比不由于它AfrffttfiMK. 长时陽及光后会出理的不足住(为各w tt l(H*Atft 克了酸应兀煩离狙扩敢习J代半mi工业技术riKtnw低痕車从 内*8!的IKSuh HRXrS等人E次用炳米&御仆为人阳 總电k nA IB电池创电池# 构为 ghw/TCO/a Si “ H/nc Si H/lkck conua/Al( IB 2女的H 豪明龄创* 的左阳电总在长射阔尢關条件产具術-e-Si W 电宓叫M剧剑耳究与(i用20014S4H SV It 4 It 用200124S4H SV It 4 It 用2001iua * caMctvc-S H Boiiom HasIH (TopcllICOGianw3 2应!*4S4H SV It 4 It 用20014S4H SV It 4 It 用2001人还制备出了誹酱*m 此电曲是 gh.B/lTO/rt-SC: H/i na S H/w nc Si H/AI结恂的pin电也:.同WAAfl用嶽&H的爲电今性和离光敏件 电圧高达0. 94 V同时还值保麗72HU 上的壊克闻子丸电转豪做于仏刃&35%.升爲电 ffinmwrTSukti第人的 Am.中ns科学食半号体研究所的鼻佥撫用这井含白夕第 的幅变壊杆欄n作为本從层制备了*附电 曲:叫 Mn为 cUm/SO,/a &C:H/i-t-Si H/ n - Si i H/AI.初!&刑盹III的开踣iftlK V.O912 V.*AWf Fr-0.90.M电!度丿15“94 mA/cm,.)t 电怜Iftd 覇为 10. 008X,ft AM 1. S (JOO mWZcm1)的丸冬下尤的。minB.HK电压 nr仅豪裁了 2.9%. si示出优赵的丸魁性性3结语化学代mix枳尊方虑不込合大枳均jAH.aa 方医均不适碍于人爼工业化生I* 創箒鳥子体 代字花用宛枳因K血备大面帜、离均匀度的萍 方 Ar工艺荷单成勲a戍事低的优.e为 的术.HlWti有覚的 IX 枳AfitlVM的工ik化工产&低m条仟下曲科一屎 竦中ftKaimi a沉机光电性etts的绡 -产业化n*好的方法.h.* &太IB 电II的转伏效単还不10%应优化 设计紡耒醴左阳隹电池的艺參 左朗舗魁曲的兄吧斤豪牧亭大厦1佩生产戍車 使其週人艮用量研克色点之一.”文*1 DOOFFEY S. KHJVET D IONESCU A & aL Low pretfure cImmciI “pour 4*poBA!JV9irjlmorn().246 24.$ KIM H K【M O LEE G z al. MrrFull & lormtd by A? indue cd cotIIu4ykni with .nd vnthoiM sides at Al/fSi MtcdtceUX SoUr Entr(y Metenal & SoUr Cclb. KC2. 74.323-329.(w.佛圧2001.22(1.1-*5UH外中区朗上期便泡*火从屮雯 tLM*HAttetrJV.2oo2.nir-2o s! tAH制翼毎与承2OD11G(D. 170-175 (英晒x,XRDWCtHX*.H.2(l).W102 10J JM aaui t wor.wo3.$.4H-so3.(ii Mw.MBnF.qw.w hwPEcDaat科hoot 抄12 HUANG R UN X Y. LIN K XaL hizg*MNi ca initial growth o Mnorrynallnv *4kob film* pr pared from h/4rotm-40ifti SiCL at low tmpcrtarw Ji J E D ApfU PHyv 2OO 39 ( 44X3-4421 13 HUANG K LIN X Y HUANG W Y al. Hln o( hydrocnt on the lc*r-temperature ulbnc Mbron fOm duurf Z SO.,hll 7W M VKUng 2OM.513.3BM.U SUKT1 H SWAT1 R.初liortkm Jpo J ArI Pky*U$-49?.15: SVKT1 H. SWAT1 R. NanoeyEUlme dkim m in mm layer tn the film ghr e*lhJ. SoM Siau Comfnufuc4(M. IW. )Wi WHl 伯H3t W- JRti(tr-S H)/* 电池齡ft愆分VHJ& 学| O3.5:(l. 2P-3:4.来鼻耸!*H/p-rrrBlHl电ftui20M初I :3-MC1:H金町【H 9* 2OM(7332,4S4H SV It 4 It 用20014S4H SV It 4 It 用2001Research progress in preparation techniques of high quality nanocr)staliincsilicon thin film at low temperature and its application to thin film solar cellsCHEN CgT Q1U SbenrW LIU WU Yairdta1 LI PU YU Chio创* Lm Xsywf 1(I. tVM-o/ Wymi SLK43* C4cAbBlrmrli NAnocrystdliDe altcoe film it a new fuMixxuil tMtcna!B which Lu both the advantaes of c-Si and a-S H filmt and widely applied in opiockroMC device* such ns ihio film toUf Is. optical memo- net. light emitting diodes tnd rrp- ftftlion techmquci 0( thr high quality ruinocnrsillinc film at low temprnfurc and tt application fo solar cell is summarized.Key word*: nMcrytalline sihcoo thinsolar cdlsi low temperaturt preparation* progr
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