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单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,第一章 半导体器件,一、半导体基础知识,N,型半导体,:,在本征半导体中加入,5,价元素,。,P,型半导体,:,在本征半导体中加入,3,价元素,自由电子是多子。,空穴是多子。,二、半导体二极管,1,、二极管的单向导,电,性,60,40,20,0.002,0.004,0,0.5,1.0,25,50,I,/mA,U,/V,正向特性,死区电压,击穿电压,U,(BR),反向特性,2,、稳压二极管,+,稳压管工作于反向击穿区。,二、半导体三极管,1,、符号,e,c,b,(a)NPN,型,c,b,e,(b)PNP,型,三极管放大的偏置条件：,发射结正偏，集电结反偏,I,E,=I,C,+I,B,I,C,I,E,三极管的电流关系：,2,、工作状态,放大：,发射结正偏、集电结反偏；,饱和：,发射结正偏、集电结正偏；,截止：,发射结反偏,。,e,结正偏，,c,结正偏,饱和,+10.75V,+10V,+10.3V,例,:,-1.3V,-1V,-10V,e,结正偏，,c,结反偏,放大,3,、,会判断,三极管的,三个电极,例：测得工作在放大电路中两个个晶体管三个电极,的电位,U,1,、,U,2,、,U,3,分别为：,（,1,）,U,1,=3.5V,、,U,2,=2.8V,、,U,3,=12V,（,2,）,U,1,=6V,、,U,2,=11.7V,、,U,3,=12V,判断它们是,NPN,型还是,PNP,型？是硅管还是锗管？并确定,e,、,b,、,c,。,第二章 放大电路的基本原理和分析方法,一、放大电路的主要技术指标,(1),放大倍数,(2),最大输出幅度,(3),输入电阻,(4),输出电阻,(5),通频带,二、放大电路的组成原则,1.,外加直流电源的极性必须使,发射结,正偏,，集电结,反偏,。则有：,2.,输入回路的接法应使输入电压,u,i,能够传送到三极管的基极回路，使基极电流产生相应的变化,i,B,。,3.,输出回路的接法应使变化量,i,C,能够转化为变化量,u,CE,，并传送到放大电路的输出端。,三、基本放大电路部分,重点要求共射极放大电路的分析计算,重点电路：,静态分析：,I,B,、,I,C,、,U,CE,动态分析：,A,u,、,A,us,、,R,i,、,R,o,固定偏流式电路,分压偏置式电路,静态工作点对输出波形的影响,四,、多级级联放大电路,1,、,三种常见的耦合方式,：,直接耦合,阻容耦合,变压器耦合,2,、,总电压放大倍数等于各级电压放大倍数的乘积,。,3,、,多级放大电路的输入电阻就是输入级的输入电阻；,4,、,输出电阻就是输出级的输出电阻。,第三章 放大电路的频率响应,由于放大电路中存在电抗性元件及晶体管极间电容，所以电路的放大倍数为频率的函数，这种关系称为频率响应或频率特性。,C,1,R,b,+V,CC,C,2,R,c,+,+,+,R,s,+,+,中频段：各种电抗影响忽略，,A,u,与,f,无关；,低频段：隔直电容压降增大，,A,u,降低。与电路中电阻构成,RC,高通电路；,高频段：三极管极间电容并联在电路中，,A,u,降低。而且，构成,RC,低通电路。,幅频特性,f,O,f,L,-,20dB/,十倍频,f,H,20dB/,十倍频,阻容耦合的单管共射电路的频率响应,1,、功率放大电路与电压放大电路对比,电压放大电路,功率放大电路,对电路要求,提供比较大的电压放大倍数,提供足够的输出功率和较高的效率，并尽量减小非线性失真。,BJT,工作状态,小信号状态,大信号状态,分析方法,微变等效电路法,或图解法,图解法,第四章,功率放大电路,2,、功放电路,OTL,乙类功放,存在交越失真,OCL,互补对称电路,3,、,OTL,放大电路与,OCL,放大电路对比,OTL,放大电路,OCL,放大电路,直流电源,单电源,双电源,最大输出功率,效率,静态输出电压,V,CC,/2,0,直流功率,BJT,导通角,乙类：,180,，甲乙类：大于,180,第五章 集成运算放大电路,差动电路形式,基本形式,长尾式,恒流源式,+V,CC,R,c2,VT,1,VT,2,R,c1,+,u,o,R,1,R,2,R,L,+,u,I,-,V,EE,R,e,u,I1,u,I2,静态工作点求解,动态参数求解,差分放大电路四种接法的性能比较,接法,性能,差分输入双端输出,差分输入单端输出,单端输入双端输出,单端输入单端输出,A,d,K,CMR,很高,很高,较高,较高,R,id,R,o,
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