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第二章 晶体材料的结构,晶体学根底知识,立方晶系晶向与晶面,纯金属常见的晶体结构,材料的实际晶体结构,第一节 晶体结构根底知识,晶体结构概念,材料的性能不仅与其组成原子的本性及原子间结合键类型有关,还与晶体中原子在三维空间长程有序排列方式有关。原子在三维空间的有序排列特征称为晶体结构。,不同材料其原子可能具有不同的空间排列不同的晶体结构。,甚至同一种材料,在不同的环境下也有不同的原子排列同素异构。如: C, Fe,一、,晶格及晶胞,晶格:,晶体材料中原子的排列是具有长程有序(即:平移对称性)的。,将晶体中在三维空间有序排列的原子视为等径的刚球质点,并在三维空间中紧密堆积,然后用一些假想的平行直线,将所有质点的中心连接起来,便构成了一个三维的几何格架。这个抽象出来的用于描述原子在晶体中的位置和排列方式的,几何格架,,称为晶格。晶格中各线的,交点,称为结点(或阵点)。,第一节 晶体根底知识,第一节 晶体根底知识,晶胞,从晶格中取一个,最小,的立体单元(最小的平行六面体)称为晶胞。晶格是晶胞在空间的叠加。,晶胞的选择原则:,能充分反映整个空间点阵的,对称性,。,晶胞内的棱、角相等的数目最多,且具有尽可能多的直角。,体积要最小。,二、晶系,第一节 晶体根底知识,一、晶格常数,在晶胞中取某一点为原点(通常取在左下角后面一结点),建立坐标系,以晶胞的三个棱边作为坐标轴x,y,z(可以是垂直的,也可以不垂直)。以三边的长度a,b,c及相互间夹角,六个参数来表示晶胞的大小和形状,其中三棱边的长度a,b,c 称为晶格常数,它们反映了晶胞的大小。,按a、b、c是否相等,、是否为直角将全部晶体分为7个晶系,:,二,晶格常数与晶系,三、14,种晶胞(点阵)或,Bravais,点阵,第一节 晶体根底知识,1、7,个简单晶胞(晶胞中只含有一个原子),a=b=c,=90,a,b,c,=90 ,a=b,c,=90 =120 ,a,b,c, 90,a=b=c,= 90,a=b,c,=90,a,b,c,=90,角顶原子:8个单胞共有;,面上原子:2个单胞共有;,胞内原子:单胞独有,2、7,个复杂晶胞(晶胞中所含原子数大于,1,),a=b=c,=90,a=b,c,=90,a,b,c,=90,a,b,c,=90 ,a,b,c,=90,第二节 立方晶系晶向与晶面指数,一、晶向与晶面的概念,晶向:,在晶胞中,通过假设干原子中心(结点)连接一起的具有不同空间方位的直线晶向,任何两个结点间的连线即构成,一个晶向。,晶面:,在晶胞中,通过假设干原子中心构成的二维平面晶面,二、晶向指数的标定,1、 为什么要标定,:区别不同方位的晶向, 因为材料在不同晶向上会,表现出不同的性能。,标定形式: 采用miller指数(英国晶体学家,1939),2、 标定方法:,以晶胞中某一原子为原点,建立坐标系,以三棱边为坐标轴;以,a,b,c为单位矢量,;,2. 在晶向上任取两点,坐标为:(x,1,y,1,z,1,) (x,2,y,2,z,2,);,3. 计算x,2,-x,1,: y,2,-y,1,: z,2,-z,1,;,化成最小整数比u:v:w,;,放在方括号uvw中,不加逗号,负号记在上方,。,A(x,1,y,1,z,1,),B(x,2,y,2,z,2,),说明:(a)一个晶向指数表示的是一组互相平行,方向一致的所有晶向。因为晶体中的原子排列具有对称性,相互平行的直线上的原子排列完全一样,。如:AB=DE,坐标 : A(1,1,0),B(0,1,1),C(1,1,1),O,(,0,,,0,,,0,),举例:,求,AB, OC晶向指数,B(0,1,1),A(1,1,0),C(1,1,1),O(0,0,0),D,E,B(0,1,1),(b) 晶向族,B(0,1,1),A(1,1,0),C(1,1,1),O(0,0,0),D,E,B(0,1,1),如,:AO(OA), DE(ED), OB(BO),DC(CD) 等均为同等的, 可用,OA表示, 即: ,由于晶体中原子排列的对称性,存在许多,原子排列相同,,但,方向不同,的晶向,在晶体学上,这些晶向是同等的,统称为晶向族,用,uvw,表示,.,共,12,个,可见任意交换指数的位置和改变符号后的所有结果都是该族的范围。,原子排列相同的晶,向具有相同的性质,三、,晶面指数的标定,为什么标定:区别不同方位,不同原子排列的晶面,同样以,M,iller,指数标定,标定方法:,建立坐标系:以一个原子中心为原点,以三棱边为坐标轴,以a,b,c为单位矢量;,求出待标定晶面在三个坐标轴上的截距,如 m、n、p;,计算其倒数 b1 b2 b3,;,化成,最小,、,整数,比 h:k:l,;,放在圆方括号(hkl),不加逗号,负号记在上方,。,3,举例,标定右图中阴影晶面的指数,求截距 OX1,OY1,OZ,求倒数 1/1,1/1, 1/ 1,1,0,写出晶面指数 (110),求截距 OX-1,OY,OZ 1,求倒数 -1/1,1/,1/1 -1,0,1,写出晶面指数:,注意:,(hkl)表示一组相互平行的晶面。如A面,B面具有相同的晶面指数(001),,指数符号正好相反的晶面亦相互平行,;,假设待标定晶面通过原点,可将坐标系适当平移,再求截距,如,B,面平移至,A,面位置;,A,B,晶面族,原子排列情况相同,但空间位向不同的一组晶,面的集合, 称为晶面族,。,原子排列相同,的晶面性质相同。,表示方法:,用,大,括号hkl表示,。,举例:,可见任意交换指数的位置和改变符号后的所有结果都是该族的范围。,同学们自己排列 123晶面族,6个,三、三类典型的晶体结构,体心立方 BCC,Body-centered cubic,面心立方 FCC,Face-centered cubic,密堆六方 CPH,Close-packed hexagonal,1、,体心立方(,BCC),结构特征:,每,个角顶上各有一个原,子,体心中有一个原子,a=b=c,,,=,=,90,常见金属:,-Fe,,,V,,,Ta,,,Nb,,,Cr,,,Mo,,,W,等,2、面心立方 (FCC),特征:,每,个角顶上各有一个原子,各个面中心,有一个原子,a=b=c,,,=,=,90,常见金属:Ag,,,Au,,,Ni,Cu,Pd,,,Pt,,,-Fe等,三、密堆六方,特征:,12个顶角,各一个原子,、上下,面中心各一个原子,,体内3,个原子(位于对称中心处),a=b,c,=90, =120 ,通常: c/a=1.633,常见金属:Mg, Zn,,Ti,Zr,等,原子半径:,将晶体中原子视为等径刚球,并认为是紧密堆积的,原子半径视为晶胞中,最近邻,两原子中的距离一半。,致密度:,晶胞中原子自身所占的体积之和与晶胞总体积之比。,配位数:,配位数是指晶体中与任一原子,最近邻,且,等距离,的原子数目。配位数越高,晶体越紧密。,晶向及晶面的原子密度,晶向原子密度:该晶向上,单位长度,上的原子,数,如,FCC,在,110,晶向上,的原子密度为:,晶面的原子密度:晶面上,单位面积,上的原子数,如FCC晶胞中(111)面的密,度为:,一、体心立方,原子位置:立方体的八个顶角,和,晶胞,中心,各一个原子。,第三节 纯金属常见的晶体结构,体心立方中原子排列,不同晶向, 不同晶面上的原子密度不同,二、面心立方,原子位置:立方体的八个顶角,和每个侧面中心,各一个原子,面心立方中原子排列,第三节 纯金属常见的晶体结构,三、密堆六方,原子位置,12个顶角、上下底心,各一个原子,,体内3,各原子。,第四节 材料的实际晶体结构,一、多晶体结构,单晶体:,一块晶体材料,由一个,晶粒,组成。即整个材料是一个晶体,这块晶体就称之为“单晶体”。,如单晶硅,水晶石, 石,。,水晶石,石,冰晶体,第四节 材料的实际晶体结构,多晶体:,由众多外观不规则,,位向不同,的单晶体组成的几何体。一般实际材料均为多晶体。,多晶体中的各单晶体称为晶粒,两晶粒之间的界面称为晶界,。,晶界不一定是平整的,晶粒与晶界:,多晶体的组织与性能:,组织:,右图所示为纯Fe的显微结构,它是经抛光、腐蚀后的显微镜放大照片。,特点:,各不规则,明暗不同的几何图形晶粒,晶粒之间的界面晶界(晶界上缺陷多,易腐蚀),明暗不同由于取向不同,方位不同,耐腐蚀能力亦不同,引起明暗衬度不同。,组织,是通过人眼或显微镜,观察到的形貌、结构。,性能:,单晶体是各向异性:,通常原子排列的密排面。密排方向的强度最大。如,Fe(BCC)在方向上的强度远大于在方向上的强度,多晶体是各向同性:,多晶体材料中,尽管每个晶粒内部象单晶体那样呈现各向异性,每个晶粒在空间取向是随机分布,大量晶粒的综合作用,整个材料宏观上不出现各向异性。,二、晶体中的缺陷,晶体缺陷:,正常晶体中原子排列受到破坏缺陷。正常晶体中原子完全呈现周期性的重复的排列(,平移对称性,)。,实际晶体中的原子排列不是理想的,不具有完全的平移对称性,而是存在一些偏离了理想原子排列的区域,这些区域即构成缺陷。,缺陷会引起材料性能的巨大变化,如:理想完整晶体的强度通常是实际晶体的数十倍,甚至数百倍。,晶体缺陷的类型:,点缺陷,线缺陷,面缺陷,1、点缺陷,点缺陷:,在三维空间各方向上尺寸都很小,是原子尺寸大小的晶体缺陷。,点缺陷的类型,:,空位,在晶格结点位置应有原子的地方空缺,这种缺陷称为“空位”。,间隙原子,在晶格非结点位置,往往是晶格的间隙,出现了多余的原子。它们可能是同类原子,也可能是异类原子。,异类原子,在一种类型的原子组成的晶格中,不同种类的原子占据原有的原子位置。,2、线缺陷,线缺陷:,在三维空间的一个方向上的尺寸很大(晶粒数量级),另外两个方向上的尺寸很小(原子尺寸大小)的晶体缺陷。其具体形式就是晶体中的位错(,Dislocation,),位错的形式,:,刃型位错 螺型位错 混合型位错,刃型位错,螺型位错,位错的产生:在正常原子排列的晶体中,某一局部多了一层或少了一层原子面,实际晶体材料中都存在位错,而且位错对材料性能影响很大,如:,理想晶体Fe ,b,5600Mpa,实际晶体Fe ,b,1300Mpa,位错线附近的晶格有相应的畸变,有高于理想晶体的能量;,位错线附近异类原子浓度高于平均水平;,位错在晶体中可以发生移动,是材料塑性变形根本原因之一;,位错与异类原子的作用,位错之间的相互作用,对材料的力学性能有明显的影响。,位错,特点,3、面缺陷,面缺陷:,在三维空间的两个方向上的尺寸很大(晶粒数量级),另外一个方向上的尺寸很小(原子尺寸大小)的晶体缺陷。,面缺陷的形式,:,晶界面 亚晶界面 相界面,晶格像的实例,Si中(111)面的晶格像,Stacking Fault,Small angle grain boundary,Nano stacking fault,谢谢观看,/,欢送下载,BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH,
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