计算机组成原理(第三版)第6章

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,*,*,计算机组成原理与汇编语言程序设计,（第,2,版）,徐 洁 俸远桢 主编,第,6,章,11/27/2024,1,第,3,篇 存储系统与 输入,/,输出系统,硬件组成角度：,了解存储器及各种,I/O,设备的组成原理，以及连接整机的方法。,控制,I/O,传送的角度,：,3,种控制方式，以及控制方式对接口和,I/O,程序的影响。,软件组成角度,：,3,个层次：用户程序对,I/O,设备的调用，,OS,中的驱动程序，,I/O,设备控制器中的控制程序。,11/27/2024,2,第,6,章 存储系统,本章主要内容：,存储器的分类、技术指标,各类存储原理,主存储器的组织,高速缓冲存储器,外部存储器,物理存储系统的组织,虚拟存储系统的组织,11/27/2024,3,第,1,节 概述,6.1.1,存储器的分类,1.,按存储器在系统中的作用分类,（,1,）内部存储器,主要存放,CPU,当前使用的程序和数据。,速度快,容量有限,（内存、主存）,（,2,）外部存储器,存放大量的后备程序和数据。,速度较慢,容量大,（辅存、外存）,（,3,）高速缓冲存储器,存放,CPU,在当前一小段时间内多次使用的程序和数据。,速度很快,容量小,11/27/2024,4,2.,按存取方式分类,随机存取：,可按地址对任一存储单元进行读写，,（,1,）随机存取存储器（,RAM,）,访问时间与单元地址无关。,（,2,）只读存储器（,ROM,）,随机存取存储器的特例，只能读不能写。,（,3,）顺序存取存储器（,SAM,）,访问时，读,/,写部件按顺序查找目标地址，访问时间与数据位置有关。,（,4,）直接存取存储器（,DAM,）,访问时,读,/,写部件先直接指向一个小区域，再在该区域内顺序查找。访问时间与数据位置有关。,11/27/2024,5,3.,按存储介质分类,（,1,）磁芯存储器,利用不同的剩磁状态存储信息，,容量小、速度慢、体积大、可靠性低。,已淘汰,（,2,）半导体存储器,MOS,型,双极型,集成度高、功耗低，,作主存,集成度低、功耗大，速度快，,作,Cache,容量大，,长期保存信息，,利用磁层上不同方向的磁化区域表示信息。,非破坏性读出，,作外存。,（,3,）磁表面存储器,速度慢。,11/27/2024,6,（,4,）光盘存储器,速度慢。,激光控制，利用,光斑的有无,表示信息。,容量很大，,非破坏性读出，,长期保存信息，,作外存。,4.,按信息的可保存性分类,断电后信息消失,易失性（挥发性）存储器,断电后信息仍然保存,永久性存储器,6.1.2,主存的主要技术指标,1.,存储容量,主存所能容纳的二进制信息总量。,11/27/2024,7,2.,存取速度,存取时间,存取周期,访问时间、读写时间,读写周期,3.,可靠性,规定时间内存储器无故障读写的概率。,用平均无故障时间来衡量。,4.,存取宽度,一次可以存取的,数据位数或字节数。,常用容量单位：,Byte,、,K,B,、,M,B,、,G,B,、,T,B,11/27/2024,8,第,2,节 存储原理,6.2.1,半导体存储器的存储原理,MOS型,电路结构,PMOS,NMOS,CMOS,工作方式,静态,MOS,动态,MOS,存储信息原理,静态存储器,SRAM,动态存储器,DRAM,依靠,双稳态电路,内部交叉反馈的机制存储信息。,功耗较小,容量大,速度较快,作主存,。,功耗较大,速度快,作,Cache,。,制造工艺,双极型,依靠,电容,存储电荷的原理存储信息。,11/27/2024,9,1.,半导体,静态存储器,的存储原理,（,1,）组成,6,管,单元,T1,、,T3,：,MOS,反相器,Vcc,触发器,T3,T1,T4,T2,T2,、,T4,：,MOS,反相器,T5,T6,T5,、,T6,：,控制门管,(,行,),Z,Z,：,字线，选择存储单元,W,W,（,2,）定义,存 “,0”,：,T1,导通，,T2,截止；,存 “,1”,：,T1,截止，,T2,导通。,W,、,W,：,位线，完成读,/,写操作,A,B,11/27/2024,10,（,3,）工作,T5,、,T6,导通，选中该单元。,Z,：,加高电平，,（,4,）保持,Vcc,W,T3,T1,T4,T2,T5,T6,Z,W,读出：,根据,W,、,W,上有无电流，读,1/0,。,Z:,加低电平，,T5,、,T6,截止，位线与双稳态电路分离，保持原有状态不变。,写入：,W,低,、,W,高电平，写,0,W,高,、,W,低电平，写,1,静态单元是非破坏性读出，读后不需重写。,B,A,11/27/2024,11,2.,半导体,动态存储器,的存储原理,（,1,）,4,管,单元,（,a,）,组成,T1,、,T2,：,记忆管,C1,、,C2,：,柵极电容,T3,、,T4,：,控制门管,Z,：,字线,W,、,W,：,位线,（,b,）,定义,“,0”,：,T1,导通，,T2,截止,“,1”,：,T1,截止，,T2,导通,T1,T2,T3,T4,Z,W,W,C1,C2,（,C1,有电荷，,C2,无电荷）；,（,C1,无电荷，,C2,有电荷）。,（,c,）,工作,Z,加高电平，,T3,、,T4,导通，选中该单元。,11/27/2024,12,（,d,）,保持,写入：,在,W,、,W,上分别加高、低电平，写,1/0,。,读出：,W,、,W,先,预充电,至高电平，断开充电回路，再根据,W,、,W,上有无电流，读,1/0,。,Z,加低电平,，,T3,、,T4,截止，,该单元未选中，保持原状态。,需定期向电容补充电荷,(,动态刷新,),，所以称动态。,四管单元是非破坏性读出，读出过程即实现刷新。,T1,T2,T3,T4,Z,W,W,C1,C2,11/27/2024,13,（,2,）单管单元,组成,C,：,记忆单元,C,W,Z,T,T,：,控制门管,Z,：,字线,W,：,位线,定义,保持,写入：,Z,加高电平，,T,导通，,在,W,上加高,/,低电平，写,1/0,。,读出：,W,先预充电，,断开充电回路；,Z,：,加低电平，,T,截止，该单元未选中，保持原状态。,单管单元是破坏性读出，读出后需重写。,“,0”,：,C,无电荷，电平,V0,（,低）,“,1”,：,C,有电荷，电平,V1,（,高）,工作,Z,加高电平，,T,导通；,根据,W,线电位的变化，读,1/0,。,11/27/2024,14,6.2.2,磁表面存储器的存储原理,1.,记录介质与磁头,介质：,磁层（矩磁薄膜），依附在基体上,磁头：,读写部件,2.,读写原理,（,1,）写入,磁头线圈中加入磁化电流（写电流），并使磁层移动，在磁层上形成连续的,小段磁化区域,（位单元）。,（,2,）读出,磁头线圈中不加电流，磁层移动。当位单元的,转变区,经过磁头下方时，在线圈两端产生,感应电势,。,11/27/2024,15,3.,磁记录编码方式,写电流波形的组成方式。,提高可靠性,提高记录密度,减少转变区数目,具有自同步能力,（,1,）归零制（,RZ,）,I,0,t,0 0 1 1 0 1,每一位有两个转变区，记录密度低。,（,2,）不归零制（,NRZ,）,0 0 1 1 0 1,I,0,t,转变区少,，,无自同步能力。,11/27/2024,16,（,3,）不归零,-1,制（,NRZ1,）,写,1,时电流极性变，写,0,时电流极性不变。,0 0 1 1 0 1,I,0,t,转变区少，无自同步能力。,用于早期低速磁带机。,（,4,）调相制（,PM,）,I,0,t,0 0 1 1 0 1,转变区多，有自同步能力。,I,0,t,0 0 1 1 0 1,转变区多，有自同步能力。,用于早期磁盘。,用于快速启停磁带机。,（,5,）调频制（,FM,）,也叫相位编码制,PE,每个单元都有极性转变,11/27/2024,17,写,1,时位单元中间电流变，相邻的,0,交界处电流变。,转变区少，有自同步能力。,用于磁盘。,（,6,）改进型调频制（,MFM,）,I,0,t,0 0 1 1 0 1,可压缩位单元长度：,I,0,t,0 0 1 1 0 1,（,7,）群码制（,GCR,）,记录码中连续的,0,不超过,2,个；,按,NRZ1,方式写入。,转变区少，有自同步能力。,用于数据流磁带机。,11/27/2024,18,6.2.3,光存储器的存储原理,1.,形变型光盘,（,1,）定义,有孔为,1,，无孔为,0,（,2,）写入,写,1,，高功率激光照射介质，形成凹坑；,写,0,，不发射激光束，介质不变。,（,3,）读出,低功率激光扫描光道，根据反射光强弱判断是,1,或,0,。,形变不可逆，不可改写,2.,相变型光盘,写入,写,1,，高功率激光照射介质，晶粒直径变大；,写,0,，不发射激光束，晶粒不变。,读出,低功率激光扫描光道，根据反射率的差别判断是,1,或,0,。,相变可逆，可改写,11/27/2024,19,3.,磁光型光盘,可改写,写入前：外加磁场，使介质呈某种磁化方向,读出,热磁效应写，磁光效应读,写,1,，,激光照射并外加磁场改变磁化方向,；,写,0,，,未被照射区域，磁化方向不变。,低功率激光扫描光道，根据反射光的偏转角度判断是,1,或,0,。,第,3,节 主存储器的组织,6.3.1,主存储器的逻辑设计,需解决：,芯片的选用、,地址分配与片选逻辑、,信号线的连接。,写入,11/27/2024,20,例：,某半导体存储器，总容量,4KB,。,其中固化区,2KB,，,选用,EPROM,芯片,2716,（,2Kx8/,片）；工作区,2KB,，,选用,SRAM,芯片,2114,（,1Kx4/,片）。地址总线,A15,A0,（,低），双向数据总线,D7,D0,。,给出地址分配和片选逻辑，并画出逻辑框图,。,（,1,）计算芯片数,ROM,区：,2Kx8,1,片,2716,RAM,区：,位扩展,2,片,1Kx4,1Kx8,2,组,1Kx8,2KB,4,片,2114,字扩展,（,2,）地址分配与片选逻辑,存储器寻址逻辑,芯片内的寻址,芯片外的,地址分配,与,片选逻辑,1.,存储器逻辑设计,11/27/2024,21,大容量芯片在地址低端,小容量芯片在地址高端,。,存储空间分配：,A,15,A,14,A,13,A,12,A,11,A,10,A,9,A,0,0,0 00,1 0,11,1 0,00,4KB,需,12,位地址寻址：,ROM,A11A0,64KB,2KB,1Kx4,RAM,1Kx4,1Kx4,1Kx4,1 1,11,1 1,00,0,1 11,低位地址分配给芯片，高位地址形成片选逻辑。,芯片 芯片地址 片选信号 片选逻辑,2K,1K,1K,A10A0,A9A0,A9A0,CS0,CS1,CS2,A,11,A,11,A,10,A,11,A,10,11/27/2024,22,（,3,）连接方式,扩展位数,2716,4,A10A0,D7D4,D3D0,4,4,R/W,A11 A10,CS0,A11,A11 A10,扩展单元数,连接控制线,CS1,CS2,2114,2114,4,4,A9A0,2114,2114,4,4,A9A0,4,形成片选逻辑电路,地址,数据,11/27/2024,23,2.,动态存储器的刷新,单管存储单元：定期向电容补充电荷,最大刷新周期：,2ms,刷新方法：,各芯片同时，片内按行,刷新一行所用时间,刷新周期：,对主存的访问,由,CPU,提供行、列地址，随机访问。,读,/,写,/,保持：,动态刷新：,由刷新地址计数器提供行地址，定时刷新。,2ms,内集中安排所有刷新周期,死区,用在实时要求不高的场合,（,1,）集中刷新,R/W,刷新,R/W,刷新,2ms,50ns,11/27/2024,24,（,2,）分散刷新,各刷新周期分散安排在存取周期中。,R/W,刷新,R/W,刷新,100ns,用在低速系统中,2ms,例,.,各刷新周期分散安排在,2ms,内。,用在大多数计算机中,128,行,15.6,微秒,每隔,15.6,微秒提一次刷新请求，刷新一行；,2,毫秒内刷新完所有行。,R/W,刷新,R/W,刷新,R/W,R/W,R/W,15.6,微秒,15.6,微秒,15.6,微秒,刷新请求,（,DMA,请求）,（,3,）异步刷新,刷新请求,（,DMA,请求）,11/27/2024,25,6.3.2,主存储器与,CPU,的,连接,（,2,）,较大系统模式,CPU,存储器,地址,数据,R/W,（,1,）,最小系统模式,CPU,存储器,地址,地址锁存器,收发缓冲器,总线控制器,数据,控制,1.,系统模式,（,3,）,专用存储总线模式,2.,速度匹配与时序控制,总线周期,时钟周期,异步控制,同步控制,扩展同步控制,CPU,与主存间建立专用高速存储总线,CPU,内部操作,访存操作,11/27/2024,26,3.,数据通路匹配,解决主存与数据总线之间的宽度匹配,8086,存储器匹配方式如下：,D,7,D,0,奇地址（高字节）,存储体,512K,8,A,18, A,0,D,15, D,8,D,7, D,0,A,0,A,19, A,1,D,7,D,0,偶地址（低字节）,存储体,512K,8,A,18, A,0,4.,主存的控制信号,读写命令、存储器选择命令等,11/27/2024,27,6.3.3 Pentium CPU,与存储器组织,1.,主存连接与读写组织,通过系统控制器连接,CPU,与主存储器,11/27/2024,28,2.,读写时序,（,1,）非,流水线周期,基本存储周期包括,2,个时钟周期,非流水线的读周期时序,11/27/2024,29,（,2,）,插入等待状态周期,在,T2,之后插入等待状态，直到 有效,插入,4,个等待状态的读周期时序,11/27/2024,30,（,3,）,猝发周期,在,一个猝发周期的,5,个时钟周期内，可以传送,4,个,64,位的数据。,11/27/2024,31,6.3.4,高级,DRAM,1.,增强型,DRAM,改进,CMOS,制造工艺，集成小容量,SRAM Cache,2.,带,Cache,的,DRAM,集成,SRAM,存储矩阵,3.,同步,DRAM(SDRAM),两个交互工作的存储阵列与,CPU,同步工作,4.DDR SDRAM,更先进的同步电路，,DLL,技术,5.Rambus DRAM,主要解决存储器带宽问题,6.RamLink,主要对处理器与存储器的接口进行改革,11/27/2024,32,第,4,节 高速缓冲存储器,Cache,6.4.1 Cache,的工作原理,原理：,基于程序和数据访问的,局部性,目的：,减少访存次数，加快运行速度,方法：,在,CPU,和主存之间设置小容量的高速存储器。,Cache,与,CPU,及主存的关系,11/27/2024,33,6.4.2 Cache,的组织,1.,地址映像,（,1,）,直接映像,主存的页只能复制到某一固定的,Cache,页。,容易实现，但缺乏灵活性,Cache,与主存空间划分成相同大小的,页,（块）,11/27/2024,34,（,2,）全相连映像,主存的每一页可映像到,Cache,的任一页。,映像关系灵活，但速度慢。,11/27/2024,35,（,3,）组相连映像,主存与,Cache,都分组,比直接映像灵活，比全相联映像速度快。,主存页与,Cache,组号固定映像,Cache,组内自由映像,11/27/2024,36,2.,替换算法,（,1,）先进先出算法,FIFO,（,2,）最近最少使用算法,LRU,按,页面调入,Cache,的先后顺序决定调出顺序,近期使用最少的页面先调出,3.Cache,的读,/,写过程,读,将主存地址同时送往主存和,Cache,Cache,命中,Cache,失败,从主存读,写,写回法,写直达法,同时写,Cache,和主存,将,数据送访存源,Cache,页被替换时，才写入主存,11/27/2024,37,4.,多层次,Cache,存储器,片内,Cache,（,L1,）,片外,Cache,（,L2,）,集成在,CPU,芯片内,统一,Cache,安装在主板上,分离,Cache,指令和数据在同一个,Cache,中,在取指令和取数的,负载,之间,自动平衡,。,指令和数据分别在不同的,Cache,中，,避免,了,Cache,在指令预取器和执行单元之间的,竞争,。,L1,6.4.3,PentiumII,CPU,的,Cache,组织,L1(32K),分离,Cache,L2（512KB）,16K,数据,+ 16K,指令,四路组相联,11/27/2024,38,双重独立总线,为,解决数据,Cache,的一致性，支持,MESI,协议,CPU到L2,CPU,到,主存,第,5,节 外部存储器,主要技术指标,存储密度,单位,长度,内存储的二进制位数,存储容量,：,一台外部存储器所能存储的,二进制信息总量,主要特点：,大容量、永久存储,位密度,面密度,单位,面积,内存储的二进制位数,作用：存访暂不运行的程序和数据,11/27/2024,39,速度指标,平均寻址时间,数据传输率,平均寻道时间,平均旋转延迟,Kb/s、KB/s,误码率：,读出时出错的概率,6.5.1,硬磁盘存储器,1.,硬盘的基本结构与分类,适用于调用较频繁的场合，常作主存的直接后援。,硬盘,硬盘驱动器,硬盘适配器,硬盘控制逻辑及接口,盘片、磁头,定位系统、传动系统,组成,11/27/2024,40,按盘片是否可换分类,可换盘片式,固定盘片式,按盘片尺寸分类,14,、,8,英寸,5.25,、,3.5,、,2.5,英寸,1.8,、,1.3,英寸,2.,信息分布,盘组：,多个盘片，双面记录。,各记录面上相同序号的磁道构成一个圆柱面。,圆柱面：,扇区（定长记录格式）,数据块,记录块（不定长记录格式）,无扇区化分,磁道：,盘片旋转一周，磁化区构成的闭合圆环,11/27/2024,41,存储密度,道,密度,位,密度,单位长度内的磁道数,磁道上单位长度内的二进制位数,各道容量相同,各道,位密度,不同,内圈位密度最高。,非格式化容量,=,内圈位密度,内圈周长,总磁道数,格式化容量,=,扇区容量,每道扇区数,总磁道数,3.,磁头定位系统,驱动磁头寻道并精确定位,（,1,）步进电机定位机构,（,2,）音圈电机定位机构,用于小容量硬盘,用于较大容量硬盘,11/27/2024,42,4.,寻址过程与数据存取,驱动器号、圆柱面号、磁头号、,扇区号（记录号）、交换量。,寻址信息,寻址操作,定位（寻道）：,磁头径向移动,寻找起始扇区：,盘片旋转,数据传输率,外部传输率,内部传输率,5.,硬盘控制逻辑,硬盘适配器和硬盘驱动器的功能如何划分？,（,1,）按,ST506/412,标准划分,（,2,）按,IDE,标准划分,（,3,）按,SCSI,标准划分,11/27/2024,43,6.,硬盘的软件管理层次与调用方法,软件层次：,编程界面,INT 13H,INT 21H,磁盘扇区读,/,写、检查,磁盘文件操作,硬盘控制功能划分,11/27/2024,44,6.5.2,软磁盘存储器,软盘,存储器,软盘驱动器,1.,组成,软盘片,独立装置,软盘控制器,主机与软盘驱动器之间的 数据交换及控制,2.,信息分布与寻址信息,单片，双面记录。,依靠磁道上记录格式分，,容量,1.2MB,的软盘，每面,80,道。,盘片：,扇区：,磁道：,存放数据块,512KB,寻址信息：,台号、磁头号、磁道号、扇区号、交换量,驱动器号,记录面号,扇区数,可拆,11/27/2024,45,3.,磁道记录格式,例：定长记录格式,磁道时间,磁道,索引脉冲,间隔 扇区,1,扇区,2,扇区,n,间隔,扇区,i,标志区：,标志信息、,标志区校验码,CRC,数据区：,地址标志、,数据字段、数据区,CRC,4.,机械结构,（,1,）主轴驱动装置,（,2,）磁头定位装置,（,3,）加载机构,直流电机带动盘片旋转,步进电机、开环控制,使磁头位于与盘片接触的读,/,写位置,微型机中广泛使用,IBM34,系列磁道格式,11/27/2024,46,6.5.3,光盘存储器,1.,光盘存储器的种类,（,1,）只读型光盘（,CD-ROM,）,固定型光盘,（,2,）只写一次型光盘（,WORM,）,CD-R,为主,（,3,）可擦写型光盘,磁光盘（,MO,）,相变光盘（,PCD,）,热,-,磁效应,热,-,光效应,2.,光盘盘片结构,夹层结构,3,层结构：,基片、反射层、存储介质层，,保护层,3.,光盘存储器的组成,盘片、驱动器和控制器,如：,CD-RW,两张基片粘接，记录面朝里,11/27/2024,47,6.5.4,磁带存储器,容量大、速度慢、价格低，适用于脱机保存信息。,1.,快速启停式磁带机,多道并行读写,方式,:,文件,之间用间隔隔开，,数据块,间有间隔，允许在两个,数据块间快速启停,。,构成：,走带机构、磁带缓冲结构、带盘驱动结构、磁头,2.,数据流式磁带机,，各道采用,正反向单道串行记录,方式,数据块的,间隔很短,，工作时,不在间隔段启停,11/27/2024,48,3.,磁带的记录格式,英寸标准磁带的记录格式,英寸,开盘式,英寸盒式,多用于微型机、小型机,按,文件,存储，文件内分,数据块,按,数据块,存储,11/27/2024,49,第,6,节 物理存储系统的组织,6.6.1,存储系统的层次结构,CPU,Cache,主存,外存,主存,-Cache,层次,CPU Cache,主存,命中,不命中,Cache,主存,-,辅存层次,为,虚拟存储,提供条件,CPU,主存 外存,增大容量,通过硬件和软件实现,提高速度,通过硬件实现,11/27/2024,50,6.6.2,磁盘冗余阵列（,RAID,）,多台磁盘存储器组成大容量外存子系统,技术基础：,数据分块技术,RAID0,级：,无,冗余无校验,RAID1,级：,镜像磁盘阵列,高效、安全性低,安全性高、利用率低,RAID2,级：,数据按位交叉，海明纠错,RAID3,级：,数据按位交叉、奇偶校验,RAID5,级：,类似,RAID4,，,RAID6,级：,分块、双磁盘容错,RAID4,级：,数据按扇区交叉、奇偶校验,校验盘多,1,个冗余盘,无专用校验盘,写磁盘时效率低,RAID7,级：,独立接口,RAID10,级：,RAID0,级,+ RAID0,级,11/27/2024,51,6.6.3,并行存储技术,1.,单体多字并行主存系统,按统一地址码并行地访问多个并行工作的存储器,2.,多体交叉存取,主存分成若干独立存储体。,CPU,交叉访问多个体，缩短平均访存时间。,M0,M1,M2,M3,0,1,2,3,4,5,6,7,存储器控制部件,CPU,CPU,每隔,存取周期从主存读,/,写一个数据。,11/27/2024,52,第,7,节 虚拟存储系统的组织,6.7.1,概述,将主存空间与,外存空间,统一编址，组成,逻辑地址,空间，即虚拟存储器；,用户使用逻辑地址（,虚地址,）空间编程；,操作系统进行程序调度,、存储空间分配、地址转换等相关工作。,6.7.2,虚拟存储器的组织方式,1.,页式虚拟存储器,虚存、实存都分页，,页面大小固定；,虚,地址：,虚页号,+,页内地址,面向存储器物理结构,11/27/2024,53,页表记录虚页的相关信息,虚实地址转换过程,每个作业建立一个页表,11/27/2024,54,2.,段式虚拟存储器,用户程序分段，,各段大小可变；,虚,地址：,段号,+,段内地址,段表记录段的相关信息,虚实地址转换过程,面向程序逻辑结构,11/27/2024,55,3.,段页式虚拟存储器,用户程序分段，,每段又分为大小相同的页；,虚,地址：,段号,+,段内页号,+,页内地址,主存分为大小相同的页；,虚实地址转换过程,11/27/2024,56,6.7.3 Pentium CPU,支持的虚拟存储器,Pentium,保护模式下的逻辑地址形式：,段选择器 ：偏移地址,采用段页式虚拟存储器,1.,分段方式地址转换,11/27/2024,57,2.,分页方式地址转换,（,1,）,4KB,分页方式,每页,4KB,，,采用两级页表,11/27/2024,58,（,2,）,4MB,分页方式,每页,4MB,，,减少一次访存，加快访存速度,11/27/2024,59,1.,分段部件的地址转换,逻辑地址,32,位线性地址,32,位物理地址,分页,不分页,2.,分页部件的地址转换,32,位线性地址,32,位物理地址,页,目录号,+,页面号,+,页内地址,4KB,方式,页面号,+,页内地址,4MB,方式,6.7.4,存储管理部件,3.,存储管理格式,11/27/2024,60,11/27/2024,61,