2-4单极型晶体管(场效应管)讲解

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,2-4 单极型晶体管,场效应管,学习要点：,结型场效应管导电特性,绝缘栅型场效应管MOS管的参数,单极型晶体管,2-4-1 结型场效应管,2-4-2 绝缘栅型场效应管(MOS管),2-4-3 场效应管特性参数,2-4-4 场效应管与三极管特性比较,退出,2-4-1 结型场效应管,双、单极型晶体管区分,1)双极型：属电流把握型,2)单极型：属电压把握型,场效应管分类(FET),1)结型JFET:“P沟道”，空穴导电,“N沟道”，电子导电,2)绝缘栅型MOS：“增加型PMOS、NMOS”,“耗尽型PMOS、NMOS”,1.构造与符号,(a)N沟道 (b)P沟道,导通条件N沟道：,u,GS,0、,u,DS,0,P沟道：,u,GS,0、,u,DS,UGS(th)0,PMOSuGSUGS(th)0,UGS(th)“开启电压”，即沟道形成的最小电压,增加型MOS管所特有,2耗尽型MOS管制造时内部已存在一个导电沟道,当uGS=0、uGS0时电流为常量IDSS称“漏极,饱和电流”,当uGS=UGS(off)时原有导电沟道夹断不导电,UGS(off)“夹断电压”，耗尽型MOS管所特有,3其它类型场效应管工作特性见书P63,2-4-3 场效应管特性参数,1.开启电压UGS(th)和夹断电压UGS(off),当uDS确定时，使iD为某一最小值刚导通时所外加,的G-S电压,增加型存在UGS(th),耗尽型存在UGS(off),2.饱和漏电流IDSS,耗尽型管特有参数，且为当uGS=0时的漏电流,3.低频跨导gm反映了栅源电压uGS对漏极电流iD的把握力气,4.极限参数,IDM：最大漏极电流。工作时允许的最大漏极电流。,PDM：最大耗散功率。PDMuDSiD,U(BR)DS：漏源击穿电压,U(BR)GS：栅源击穿电压,2-4-4 场效应管与三极管性能比较,半导体三极管,场效应管,导电结构,既利用多数载流子，又利用少数载流子，故称为双极型器件,只利用多数载流子工作称为单极型器件,导电方式,多子浓度扩散与少子漂移,多子漂移,控制方式,电流控制（,I,B,I,C,）,电压控制（,U,GS,I,D,）,放大系数,（=20200）,g,m,（15mA/V）,类型,PNP、NPN,P沟道、N沟道,受温度影响,大,小,噪声,较大,较小,抗辐射能力,差,强,制造工艺,较复杂,简单，特别是MOS管，易于集成,器件名称,性能,课前复习及提问：,1NPN管在放大状态下各极电位的关系？,2三极管在共射、共集组态下的电流关系？,3三极管的三个工作区是什么？,4NPN、PNP管的区分？,思考题：P67 1、2,作业题：P146 2-5,预习内容：1常用半导体发光器件的四大类型,2七段数码管的构造及使用,课后小结,见黑板,