HSPICE中的瞬态分析

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,HSPICE中的瞬态分析,瞬态分析的概念,瞬态分析(Transient analysis)即时域分析,目的是分析一个电路的输出或内部节点的电压或电流在某种输入信号的作用下,或在振荡状态下,随时间变化的规律.,瞬态分析类似于用示波器观察波形.,瞬态分析中使用的信号源,方波信号(Pulse),可以是电压源,也可以是电流源.以下以电压源为例.,语法:,VX 正端接点 负端接点,+PULSE V1 V2 TD TR TF PW PER,例:VIN 1 0 0 5 5N 5N 5N 20N 50N,参数定义,V1:起始电压,V2:脉冲电压,TD:延迟时间,TR:上升时间,TF:下降时间,PW:脉冲宽度,PER:周期,瞬态分析语句,在HSPICE中,使用.TRAN语句进行瞬态分析,除基本的瞬态分析外,还可同时对第二个参数进行扫描,有多种语句格式.,瞬态分析格式1,.TRAN 步长 停止时间,例:.TRAN 1n 10u,瞬态分析总是从0时刻开始的,只需要给出停止时间.,步长小,分析精度高,但运行时间长,占用资源大.,脉冲信号源参数研究,做一个简单的瞬态分析,研究脉冲信号源的参数定义.,CMOS反相器的瞬态分析,一个AMI06工艺的CMOS反相器,L都为0.6u,W均为1.5u.负载电容10f,输入信号为方波,频率100MHz.工作电压5V.,瞬态分析格式2,在进行瞬态分析时,可以对另一个参数进行扫描,可以是一个独立源,也可以是一个用户定义的参数.,格式:,.TRAN step stop SWEEP var start stop incr,例:.TRAN 0.01N 20N SWEEP SUPPLY 3 5 1,反相器在不同工作电压下的特性分析,分析CMOS反相器在3V,4V,5V时的延迟时间.,首先要使用.PARA语句定义一个参数SUPPLY,问题:,电压高时速度快,还是电压低时速度快?,瞬态分析格式3,在瞬态分析时,进行温度扫描,格式:,.TRAN step stop SWEEP TEMP start stop incr,例:,.TRAN 0.01n 20n SWEEP temp-40 80 40,问题:温度高快还是温度低快?,格式2和3的变化,非等间隔扫描,格式:,.TRAN 0.01n 20n sweep supply poi 3 3 3.3,4.5,实验二,以AMI06工艺最小尺寸反相器为例进行基本瞬态分析,在负载电容为0.1P,VDD=3V的条件测量平均延迟时间.,在瞬态分析时,改变W,分别为1.5U,3U,10U.,在瞬态分析时,改变CL,范围为0.05P-0.2P,步长0.05P.,