等离子体化学气相沉积资料

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,*,山 东 科 技 大 学,8 等离子体化学气相沉积淀积PCVD,材料学院,2021年10月,主要内容,1、CVD技术根底,2、第二代薄膜技术PCVD根本特征,3、PCVD装置,4、PCVD膜的根本评价,5、PCVD技术应用,1、CVD技术根底,化学气相沉积Chemical Vapor Deposition，CVD，通常是指将气态物质经化学反响生成固态物质并沉积在基片上的化学过程。,反响式：A(g+BgCs+Dg,CVD的分类,按激活反响体系所采用的能量方式不同，分：,热CVD,等离子增强CVD(PECVD,PCVD),激光增强CVD(LECVD),光CVD,常规CVD优缺点,最早应用的是热激发的常压CVD，其反响温度大多在1000以上。,优点：,可制作金属、非金属及多成分合金薄膜,成膜速度快，能同时制作多工件的均匀镀层,在常压或低真空进展镀膜的绕射性好,纯度高，致密性好，剩余应力小，结晶良好,获得平滑沉积外表,辐射损伤低,缺点,反响温度太高,常压CVD虽已有种种应用，但高温工艺是其制约：,限定了化学薄膜合成的应用范围。对高温下易分解或者不稳定的物质不适用；,生成的薄膜易受高温热损伤，影响膜的性能；,对于基片的要求比较苛刻，使得选择余地少，本钱增加；,能源消耗大，操作条件差。,因此，CVD技术低温化是一直寻求的目标！,解决方法：,利用金属有机化合物做源物质的化学气相沉积MOCVD是一个有效途径。,AlR3R为烷基热分解沉积Al薄膜，反响温度200250,AlOC3H7)3热分解沉积Al2O3，反响温度420,但这种方法也有问题：,很多待沉积的物质，往往找不到适宜的金属有机化合物做源物质，即使找得到，合成源物质本身一般也很麻烦；,很多金属有机化合物本身易燃或有毒。,2、PCVD技术根本特征,等离子体化学气相沉积Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition),借助等离子体使含有薄膜组成原子的气态物质发生化学反响，在基片上沉积成膜的一种方式。,特别适合于功能材料薄膜和化合物膜。,通过气体放电来制备薄膜，从根本上改变了反响体系的能量供给方式，有效利用非平衡等离子体的反响特征。,气压10-1102Pa，TeTi，电子温度比气体温度约高12个数量级，这种热力学非平衡状态正适合于薄膜技术。,等离子体中的电子温度高达10000K，有足够能量通过碰撞过程使气体分子激发、分解和电离；,产生大量反响活性物质，而整个反响体系却保持较低温度；,原本在热力学平衡态下需要相当高温度才能发生的化学反响，假设利用非平衡等离子体便可在低得多的温度条件下实现；,即PCVD的根本特征：实现了薄膜沉积工艺的低温化。,另外，PCVD还可赋予所沉积薄膜以独特性能，而且是一种高生产能力、节省资源、节省能源的制膜工艺。,PCVD和常压CVD温度比较,薄膜物质,反应物,常压CVD,PCVD,Si,3,N,4,SiH,4,+NH,3,(N,2,),700-900,250-500,SiO,2,SiH,4,+N,2,O,900-1200,200-300,Al,2,O,3,AlCl,3,+O,2,700-1000,100-500,高聚物,有机单体,100,3、PCVD根本装置,根本类型：,按发生方法分为：,直流辉光放电,射频放电是应用最普遍的一种，分感应耦合和电容耦合两种,微波放电可与离子注入等手段相结合,直流辉光PCVD装置,以直流辉光放电等离子体增强措施沉积,TiN为例，说明直流PCVD设备构造的特点，,如下图示意图。设备由气源系统、离子沉积反响室、抽气系统组成。所需通入的氢气，氮气必须为高纯气。由于反响室的真空度=hCVD的高，故TiCI。不需用水浴加热便可气化。工件接电源负极，要有可靠的输电装置。沉积室壁接电源正极，工件可以吊挂，也可以用托盘摆放。离子沉积室一般可不设辅助加热源。离子沉积室用旋片式机械泵抽真空。本底(即预抽)真空度为110Pa，沉积真空度为510-2Pa左右。工件靠反响气体放电产生的氮离子、氢离子、钛离子轰击加热至沉积温度。同时，这些高能态气体粒子在工件附近形成的阴极位降区内反响生成TiN并沉积在工件上。为防止氯化氢对环境和泵体的污染、腐蚀，在抽气管路上设置液氮冷阱使氯化氢气冷凝。,射频放电PCVD、微波放电PCVD装置示意图,感应耦合型PCVD最早应用的,特点：构造简单，污染少。,存在的问题：,电场及气流分布不如平板型装置均匀，大面积沉积时膜厚均匀性差，一般基片面积以10cm2为限，适合作为小型实验装置；,由于高频线圈为开放式，空间干扰严重，如使用静电探针的话难度较大。,平行板电容耦合型PCVD装置,通常反响器外壳为不锈钢并且接地。,特点：,整体看，反响室处于零电位的导体所包围；,自偏压数值较大，阳极基片上正在生长的薄膜可免遭荷能粒子的轰击；,电场、气场和温度场的均匀性好。,加热方式如下两种：,反响室外部下端加热便于操作，减少污染；,将加热器放到反响室内更易于准确控温。,平行板电容耦合型PCVD装置适合于大面积薄膜沉积，工艺上也便于设计成自动化流水线。,对上述平行板耦合PCVD装置的改进：,电场强度中间强，四周弱，即由极板中心向四周有所减弱。,改进方法：,改从四周进气，中央排气。这样，与电场渐弱方向“逆向导入气体，可利用气体场浓度分布来弥补一下电场分布的变化，会更加有利于均匀成膜；,从上部用多孔喷头旋转喷气。,主要目的：通过改善气场分布来获得大面积均匀沉积。,PCVD装置中需要考虑的本卷须知,反响室问题：射频电极的屏蔽问题；,基片的放置问题：为防止污染，往往改为向上沉积或基片垂直放置；,基片的加热和测温问题：应考虑基片和基片台的温度差；,气体的导入与排气系统：要求严格控制反响室中的气压和气流流速；,废气处理：腐蚀性、易燃性、有毒气体，必须设置尾气平安处理装置，洗涤、吸收、除掉公害物质方可排入大气。,典型实用PCVD装置,1多室闸锁式PCVD装置示意图,适合多层沉积又不至于穿插污染。,2多电极式PCVD装置,可有效增加生产能力。,3旋转式PCVD装置,适合于圆筒形基体外表沉积薄膜，如复印机滚筒光敏外表等。,4、PCVD膜的根本评价,一般从组成、形貌、构造、物性、稳定性等方面考察。,评价质量的根本出发点：,膜厚膜质均一，化学稳定性好；,结晶性能好，外表和内部不含有异常生长局部，无针孔；,与基片密接性好，不产生应力；,具有预期的材料构造和物性；,多层覆膜时，对外表台阶的被覆性好。,PCVD工艺设计因素较多：,放电频率和功率；,反响室的构造和尺寸；,反响气体的组成、性质、流量和气压；,基片种类、温度、外表形状等。,目前大多数从放电功率、气压、流量、基片温度等操作参数来研究。,5、PCVD技术应用,5.1 PCVD技术的广泛适用性,几乎普及所有材料领域的薄膜制备和外表改性，特别是：,无机新材料,电子材料,光学材料,能源材料,机械材料,高分子材料,应用举例,集成电路及半导体器件金属布线Al线钝化工艺,200300下沉积，解决了常规CVD工艺的高温问题。,非晶薄膜，如非晶硅、非晶锗、非晶碳膜,非晶硅广泛用于太阳能电池，现在已有用-Si作薄膜晶体管的液晶壁挂电视机。,化合物半导体薄膜,GaN、AlN、GaAs、SnO2、TiO2,机械加工领域。,刀具、量具、表壳上沉积超硬耐磨涂层，如TiN。特点：硬度大，耐磨性强，耐蚀性好，有美观的金黄色；沉积温度可降至高速钢回火温度以下。,金刚石薄膜，或TiN、TiC、TaN、CrN可用溅射离子镀膜方法,TiN薄膜,金刚石薄膜微观形貌,5.2 非晶硅及太阳能电池,非晶硅作为光电转换材料的优点：,光能隙接近于获得最大理论转换效率的数值；,光吸收系数比单晶硅约大36倍；,光谱灵敏度与太阳光匹配良好。,PCVD工艺条件：,反响气体SiH4，气体流量20-30ml/min，气压10-100Pa，衬底温度200-300，放电功率4W电极直径150mm。,设备为多室闸锁式装置，通过变换通入反响器的气体种类，就能连续获得非晶硅太阳能电池的p i n多层构造。,非晶硅薄膜太阳能电池板,商品：,计算器、收音机、公园路灯、公共场所显示牌、海岛灯、航标、遥远地区电视机电源等。,开展：,工厂、学校、住宅电力供给大规模发电用太阳能电池阵列太阳能发电站。,5.3 PCVD低压合成金刚石,金刚石：,特点,：硬度大，热导率特别高，常温下为铜热导率的5倍以上，热膨胀系数特别小，不到铜的1/7，电阻率高，绝缘性好。,应用,：轴承、切削刀具、磨料磨具、录像磁盘用针、立体声唱针、集成电路宝石衬底、半导体激光元件散热器、半导体材料等。,当前对金刚石膜的研究方向：,生长机制问题；,成核控制、掺杂和缺陷的控制；,应用方面：,提高生长速率,增强膜与基片间的附着力,开发更低温度下的合成法,金刚石薄膜产品,小结,PCVD的技术特点？,PCVD装置的主要构成,PCVD膜的技术评价有哪些？,分析PCVD膜的主要工业应用及应用前景。,