第1章 习题解答

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,第一章,第一章常用半导体器件,2011,年,9,月,习题解答,1,第一章,N,型半导体：,在本征半导体中掺入五价元素,(,如磷,),构成的杂质半导体。,P,型半导体：,在本征半导体中掺入三价元素,(,如硼,),构成的杂质半导体。,微变电阻,r,d,PN,结的电流方程,常温下（,T=300K,）,U,T,26mV,PN,结正向偏置,P,正,N,负,导通,PN,结反向偏置,P,负,N,正，截止,稳压管：稳定电压,U,Z,，,稳定电流,I,Z,、额定功耗,2,第一章,三极管：,由两个,PN,结背靠背组成,结构特点,符号,I,B,I,E,I,C,I,E,I,C,I,B,I,B,I,E,=I,C,+I,B,i,C,m,A,A,V,V,U,CE,U,BE,R,b,i,B,V,CC,V,BB,R,C,3,第一章,输入特性曲线,U,CE,1V,I,B,(,A),U,BE,(V),20,40,60,80,0.4,0.8,导通,压降：,硅管,U,BE,0.60.8V,锗管,U,BE,0.10.3V,U,CE,=0V,U,CE,=0.5V,开启电压：,硅管,0.5V,，,锗管,0.1V,。,4,第一章,输出特性曲线,i,C,(,m,A,),1,2,3,4,U,CE,(V),3,6,9,12,I,B,=0,20,A,40,A,60,A,80,A,100,A,放大区,I,C,=,I,B,截止区,I,B,0,I,C,0,饱和区,I,C,I,B,临界饱和,U,CE,=,U,BE,U,BC,=,0,5,第一章,输出特性三个区域的特点,:,(1),截止区：,发射结,反,偏,U,BE,U,ON,U,CE,U,BE,I,E,=I,C,+I,B,，,I,C,=,I,B,且,I,C,=,I,B,(3),饱和区：,发射结正偏，集电结正偏。,U,BE,U,ON,U,CE,U,BE,I,C,3.7V,时，,D,1,导通，,D,2,截止，,U,0,=3V+0.7V=3.7V,二极管正向导通反向截止,U,i,-3.7V,时，,D,1,截止，,D,2,导通，,U,0,=(-0.7V)+(-3V)=-3.7V,-3.7V,U,i,V,b,V,e,Si,管,:,V,be,=0.7V,Ge,管,:,V,be,=0.2V,PNP,型,V,e,V,b,V,c,Si,管,:,V,be,=-0.7V,Ge,管,V,be,=-0.2V,e,b,c,e,b,c,e,b,c,e,b,c,e,b,c,e,b,c,PNP,Si,NPN,Si,NPN,Si,PNP,Ge,PNP,Ge,NPN,Ge,23,第一章,1.10,电路如图所示，晶体管导通时,U,BE,0.7V,=50,。试分析,V,BB,为,0V,、,1V,、,1.5V,三种情况下,T,的工作状态及输出电压,u,O,的值,解：（,1,）当,V,BB,0,时，,T,截止, I,B,=0, I,C,=0,u,O,V,CC,-I,C,R,C,=V,CC,=12V,（,2,）当,V,BB,1V,时,，因为,（,3,）当,V,BB,3V,时,，因为,I,CQ,I,CM,所以,T,处于放大状态,V,CC,T,处于饱和状态,24,第一章,例：,电路如图所示，试问,大于多少时晶体管饱和？,解：临界饱和时,U,CES,U,BE,=0.7V,所以，,时，管子饱和。,25,第一章,1.11,电路如图所示，晶体管的,50,，,|,U,BE,|,0.2V,，饱和管压降,|,U,CES,|,0.1V,；稳压管的稳定电压,U,Z,5V,，正向导通电压,U,D,0.5V,。试问：当,u,I,0V,时,u,O,？当,u,I,5V,时,u,O,？,解：当,u,I,0,时，,晶体管截止，稳压管击穿，,u,O,U,Z,5V,。,当,u,I,5V,时，,晶体管饱和，,u,O,U,CES,=- 0.1V,。,或者：,晶体管饱和,26,第一章,1.12,分别判断图,P1.12,所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。,解：（,a,）可能 （,b,）可能 （,c,）不能,（,d,）不能，,T,的发射结会因电流过大而损坏。 （,e,）可能,27,第一章,