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单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,*,信奥科芈与技术学院,School of Infomation Science&Technology,纳米电子蚤牛鞠论,阮雄飞,eit8n.2019,米疱子帮件鞠适轮,7.1另言,7.2隧穿论,7.2.1隧穿的波函数描述方法,7.2.2隧穿时间,7.2.3隧穿电流,724量子化电荷隧穿,7.1引言,电子器件的性能决定于其中电子的输运特性,而电,子输运特性与材料的能带结构密切相关。在一个特定的,能带结构中,载流子运动可能包括多种复杂的物理过程。,为了计算器件的特性,需要建立器件的输运模型。模,型应当包括两个方面信息。,(1)特定器件材料的能带结构与参数,(2)适当形式的输运理论,7.1引言,(1)特定器件材料的能带结构与参数,能带结构决定于组成器件的特定材料以及特定的材料,界面和结构。例如,在异质界面处,能带会产生偏移和变,化(如弯曲)。载流子的输运模型需要尽量精确的载流子有,效质量等由能带结构所决定的材料参数。,7.1引言,(2)适当形式的输运理论,该理论必须能够模拟器件的主要输运过程。纳米器,件一般来说是一个开放量子系统,在其中电子起码可以,在某一维方向运动。而且是与时间相关的。同时,输运,具有时间不可逆性和耗散性。输运过程中还存在多体作,用。器件与周围的环境既存在粒子交换也存在能量交换,而适用于这种开放器件系统的量子计算的通用多体形式,的量子理论尚没有建立起来,
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