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电子技术基础电子技术基础第一章第一章 半导体器件半导体器件1.1半导体材料半导体材料1.2 PN结的形成及特性结的形成及特性1.3 PN结的反向击穿结的反向击穿1.4半导体二极管半导体二极管1.5半导体二极管的分析方法及应用半导体二极管的分析方法及应用第一章半导体器件1.1半导体材料第一章 半导体材料1.6特殊二极管特殊二极管1.7双极型三极管（双极型三极管（BJT）1.8单极型三极管场效应管（单极型三极管场效应管（FET）1.9常用新型半导体器件常用新型半导体器件 第一章半导体材料1.6特殊二极管1.1半导体材料半导体材料根据导电性能的不同，自然界中的许多不同物质大体可以分为导体、绝缘体和半导体三大类。电阻率小于 的物质称为导体，例金属材料。电阻率大于 的物质称为绝缘体，例如塑料、橡胶、陶瓷等材料。导电能力介于导体和绝缘体之间的，电阻率 在 范围的物质称为半导体。1.1半导体材料根据导电性能的不同，自然界中的 在电子器件中，常用的半导体材料有：元素半导体，如硅（Si）、锗（Ge）等：化合物半导体，如砷化镓（GaAs）等。1.1.1本征半导体 本征半导体是纯净的不含杂质的，结构完整的半导体晶体。在电子器件中，常用的半导体材料有：元素半导体本征激发 本征半导体中存在着两种运载电荷的粒子，即载流子。带负电荷的自由电子和带正电荷的空穴。1.1.2杂质半导体1.N（电子）型半导体 在硅（或锗）的晶体内掺入少量五价元素杂质，如磷、砷、锑等。本征激发本征半导体中存在着两种运载电荷的粒子，即 N型半导体自由电子称为多数载流子（简称多子），而空穴为少数载流子（简称少子）。2、P（空穴）型半导体在硅（或锗）中掺入硼、铝等3价元素 P型半导体空穴为多数载流子（多子），而自由电子是少数载流子（少子）。N型半导体自由电子称为多数载流子（简称多子）1.2 PN结的形成及特性载流子在内电场的作用下的定向运动称为漂移。载流子从高浓度区域向低浓度区域的运动称为扩散。1.2.1 PN结的形成1.2PN结的形成及特性载流子在内电场的作用下的定向运动称1.2.2 PN结的单向导电性1外加正向电压 2.外加反向电压1.2.2PN结的单向导电性1外加正向电压2.外加反向1.3 PN结的反向击穿 PN结处于反向偏置时，在一定的电压范围内，流过PN结的电流很小，但反向电压增大到一定数值时，反向电流急剧增加，这个现象称为PN结反向击穿。常见的有齐纳击穿和雪崩击穿。1.3PN结的反向击穿PN结处于反向偏置时1.4半导体二极管1.4.1二极管的结构与类型1.4.2二极管的伏安特性1.4半导体二极管1.4.1二极管的结构与类型1.4.2二极配套ppt课件-电子技术基础1.4.3二极管的主要参数1.最大整流电流 2.最高反向工作电压 3.反向击穿电压 4.反向电流 5.最高工作频率 1.4.3二极管的主要参数1.最大整流电流2.最高反向工作1.4.4半导体二极管使用注意事项 1.半导体二极管在电路应用中要注意极性连接。2.避免靠近发热元件，保证散热良好。工作在高频或脉冲电路的二极管引线要尽量短，不能用长引线或把引线弯成圈来达到散热目的。3.注意二极管的参数，不允许超过最大值。4.不允许不同材料的二极管互相替换。硅管和锗管不能互相代替。1.4.4半导体二极管使用注意事项1.5半导体二极管的分析方法及应用1.5.1二极管的分析方法 二极管是一种非线性器件，因此其电路的分析一般要采取非线性电路的分析方法，一般比较复杂。多采用图解法。但前提是已知二极管的V-I特性曲线。1.5半导体二极管的分析方法及应用1.5.1二极管的分析方法例 1.5.1二极管电路如图1-12a所示，设二极管的V-I特性如图b所示。已知电源 和电阻，求二极管的电压 和二极管电流。例1.5.1二极管电路如图1-12a所示，设二极管的V1.5.2二极管的简化模型 1理想模型1.5.2二极管的简化模型2恒压降模型2恒压降模型1.5.3半导体二极管的应用 1.判断二极管的工作状态例1.5.2二极管的电路如图1-15所示，判断二极管是导通还是截止？1.5.3半导体二极管的应用例1.5.2二极管的电路如图1-2.整流电路例 1.5.3二极管的电路如图1-16所示，已知 为正弦波，利用二极管的理想模型，定性的画出 的波形。2.整流电路例1.5.3二极管的电路如图1-16所示，已知例1.5.4如图1-17所示二极管电路，利用二极管的理想模型，定性的画出 的波形。例1.5.4如图1-17所示二极管电路，利用二极管的理想模型3.限幅电路 在电子电路中，为了降低信号的幅度，满足电路工作的需要，或者为了保护某些器件不受大的信号电压作用而损坏，可以利用二极管限制信号的幅度。3.限幅电路配套ppt课件-电子技术基础配套ppt课件-电子技术基础4钳位电路4钳位电路5峰值采样电路5峰值采样电路1.6特殊二极管 除了前面介绍了普通二极管，还有一些特殊二极管，如稳压二极管，光电子器件（包括发光二极管、光电二极管、激光二极管等）1.6.1稳压二极管1.6特殊二极管1.6.1稳压二极管配套ppt课件-电子技术基础配套ppt课件-电子技术基础配套ppt课件-电子技术基础1.6.2变容二极管1.6.3双向二极管1.6.4肖特基二极管1.6.2变容二极管1.6.3双向二极管1.6.4肖特基二极1.6.5光电子器件 光电子器件对于现代化的光电子系统应用是越来越广泛，光电子系统具有抗干扰能力强，传输损耗小，性能稳定的优点。发光二极管和光电二极管就属于光电子器件。下面分别对两种器件简单介绍。1.发光二极管2.光电二极管1.6.5光电子器件1.发光二极管2.光电二极管1.7双极型三极管（BJT）双极型三极管（BJT）也叫晶体三极管，简称三极管，由于导电载流子含有自由电子和空穴因此得名。它是通过一定工艺，将两个PN结结合在一起的器件。按使用的半导体材料分，有硅管和锗管；按照功率分，有大、中、小功率管；按工作频率分，有低频功率管和高频功率管；按结构分；NPN管和PNP 管1.7双极型三极管（BJT）1.7.1 BJT的结构及符号1.7.1BJT的结构及符号1.7.2三极管的电流分配与放大作用 三极管的结构特点是三极管具有电流放大的内部条件（即制造时使基区很薄且杂质浓度远低于发射区等）。三极管放大时必须的外部条件：半导体三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压（即发射结正向偏置、集电结反向偏置）。1.7.2三极管的电流分配与放大作用三极管配套ppt课件-电子技术基础1.7.3半导体三极管的特性曲线1.7.3半导体三极管的特性曲线配套ppt课件-电子技术基础1.7.4 三极管的主要参数1、电流放大系数1.7.4三极管的主要参数1、电流放大系数2、极限参数（1）集电极最大允许电流（2）集电极最大允许耗散功耗（3）集电极-发射极反向击穿电压 2、极限参数（1）集电极最大允许电流（2）集电极最大允许耗3、极间反向电流3、极间反向电流1.7.5温度对三极管参数及特性的影响 1.温度对BJT参数的影响2.温度对BJT特性曲线的影响1.7.5温度对三极管参数及特性的影响2.温度对BJT特性曲1.8单极型三极管场效应管（FET）场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）简称场效应管。晶体三极管有两种极性的载流子，即自由电子和空穴参与导电，因此成为双极结型晶体管，而FET仅有一种载流子多数载流子（要么是自由电子，要么是空穴）参与导电，所以称为单极型晶体管。1.8单极型三极管场效应管（FET）场效应晶1.8.1绝缘栅型场效应管（MOSFET）1.N沟道增强型MOSFET的结构与电路符号1.8.1绝缘栅型场效应管（MOSFET）1.N沟道增强型M2.N沟道增强型MOSFET管的工作原理2.N沟道增强型MOSFET管的工作原理3、特性曲线（1）转移特性曲线（2）漏极特性曲线3、特性曲线（2）漏极特性曲线1.8.2绝缘栅型场效应管的主要参数（1）开启电压（2）直流输入电阻 1.8.2绝缘栅型场效应管的主要参数（1）开启电压（2）直1.8.3结型场效应管的结构和类型1、结型场效应管的结构和类型1.8.3结型场效应管的结构和类型1、结型场效应管的结构和类2工作原理2工作原理3、伏安特性曲线3、伏安特性曲线P沟道的结型场效应管的电流、电压和N沟道管子的极性相反，请读者自行分析。P沟道的结型场效应管的电流、电压和N沟道管子的极性相反，请读4、主要参数结型场效应管的参数和绝缘栅型场效应管基本相同，只是不用开启电压，而用夹断电压。1.8.5 场效应管使用注意事项4、主要参数结型场效应管的参数和绝缘栅型场效应管基本相同，只1.9常用新型半导体器件 1.9.1静电感应晶体管（SIT、BSIT）1、静电感应晶体管SIT 1.9常用新型半导体器件2、双极模式静电感应晶体管BSIT的结构2、双极模式静电感应晶体管BSIT的结构1.9.2晶闸管 1.9.2晶闸管本章小结本章小结配套ppt课件-电子技术基础配套ppt课件-电子技术基础 第2章基本放大电路 基本放大电路一般是指由三极管或场效应管组成的放大电路。无论是日常使用的收音机、电视机、精密的测量仪器或复杂的自动控制系统，其中都有各种各样的放大电路。本章介绍的基本放大电路知识，是进一步学习电子技术的重要基础，必须予以高度重视。第2章基本放大电路基本放大电路一般是指由三极第2章基本放大电路2.1概述2.2共射极放大电路2.3放大电路的分析2.4温度对静态工作点的影响2.5共集电极放大电路2.6共基极放大电路第2章基本放大电路2.1概述第2章基本放大电路 2.7放大电路的频率响应2.8多级放大电路2.9绝缘栅型场效应管放大电路2.10功率放大电路第2章基本放大电路2.7放大电路的频率响应2.1概述2.1.1放大器的用途与分类所谓“放大”是指在输入信号的作用下，利用有源器件的控制作用将直流电源提供的部分能量转换为与输入信号成正比的输出信号。根据信号的强弱来分类，放大电路可分为小信号放大电路和大信号放大（又称功率放大）电路。根据被放大信号的频率的高低来分类，放大电路又可分为低频（又称音频）信号放大电路，中频信号放大电路和高频信号放大电路。2.1概述所谓“放大”是指在输入信号的作用下2.1.2放大器的主要性能指标2.1.2放大器的主要性能指标2.1.2放大器的主要性能指标2.1.2放大器的主要性能指标2.2共射极放大电路2.2共射极放大电路2.2.1共射极放大电路的组成图2-4是基本共射极放大电路的原理图。2.2.1共射极放大电路的组成图2-4是基本共射极放大电路的2.2.2共射极放大电路的工作原理以图2-5为例，说明放大电路的工作原理2.2.2共射极放大电路的工作原理以图2-5为例，说明放大电2.3放大电路的分析2.3.1静态分析法放大电路的静态分析可以采用估算法和图解法。2.3放大电路的分析放大电路的静态分析可以采用估算法和图解法1、放大电路静态分析的估算法1、放大电路静态分析的估算法配套ppt课件-电子技术基础2、放大电路静态工作点的图解分析法2、放大电路静态工作点的图解分析法2.3.2动态分析法放大电路的动态分析有两种方法：即小信号模型法和图解法。放大电路的动态分析，研究对象只限于交流量，就可将图2-5中所示的直流电压源视为交流“接地”，耦合电容都视为短路，得到图2-9的交流通路。2.3.2动态分析法放大电路的动态分析有两种方法：即小信号模小信号模型法可以计算放大电路参数：放大电路的电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。小信号模型法可以计算放大电路参数：放大电路的电压放大倍数、输配套ppt课件-电子技术基础配套ppt课件-电子技术基础配套ppt课件-电子技术基础配套ppt课件-电子技术基础2、放大电路的动态图解分析2、放大电路的动态图解分析2.3.3放大电路静态工作点对非线性失真的影响2.3.3放大电路静态工作点对非线性失真的影响配套ppt课件-电子技术基础2.4温度对静态工作点的影响2.4温度对静态工作点的影响2.4.1基极分压式射极偏置电路1放大电路静态工作点的稳定2.4.1基极分压式射极偏置电路配套ppt课件-电子技术基础配套ppt课件-电子技术基础配套ppt课件-电子技术基础配套ppt课件-电子技术基础配套ppt课件-电子技术基础配套ppt课件-电子技术基础配套ppt课件-电子技术基础2.5共集电极放大电路2.5.1共集电极放大电路的组成2.5共集电极放大电路2.5.2共集电极放大电路的分析1电路静态分析2.5.2共集电极放大电路的分析配套ppt课件-电子技术基础配套ppt课件-电子技术基础2.6共基极放大电路2.6.1共基极放大电路的组成2.6共基极放大电路2.6.2共基极极放大电路的分析1电路静态分析2.6.2共基极极放大电路的分析配套ppt课件-电子技术基础2.6.3三极管三种基本放大电路的性能比较三极管三种基本放大电路的性能比较见书图表2.6.3三极管三种基本放大电路的性能比较三极管三种基本放大2.7放大电路的频率响应2.7放大电路的频率响应1.BJT的高频小信号模型1.BJT的高频小信号模型2.8多级放大电路2.8多级放大电路2.8.1多级放大电路的耦合方式前后级放大电路的连接方式称之为耦合。常见的耦合方式有直接耦合、阻容耦合、变压器耦合、光电耦合四种方式。2.8.2多级放大电路的性能分析2.8.1多级放大电路的耦合方式前后级放大电路的连接方式称之2.9绝缘栅型场效应管放大电路2.9绝缘栅型场效应管放大电路2.9.2共源极放大电路的分析1.静态分析2.9.2共源极放大电路的分析配套ppt课件-电子技术基础配套ppt课件-电子技术基础2.10功率放大电路2.10.1功率放大电路的特点与分类2.10功率放大电路2.10.1功率放大电路的特点与分类2.10.2功率放大电路的工作状态与效率2.10.2功率放大电路的工作状态与效率2.10.3射极输出器2.10.3射极输出器2.10.4乙类双电源互补对称功率放大电路2.10.4乙类双电源互补对称功率放大电路配套ppt课件-电子技术基础配套ppt课件-电子技术基础配套ppt课件-电子技术基础2.10.5甲乙类互补对称功率放大电路2.10.5甲乙类互补对称功率放大电路第3章集成运算放大器及其应用第3章集成运算放大器及其应用3.1概述3.1.1集成运放的结构特点和分类集成运放内部电路结构框图3.1概述3.1.1集成运放的结构特点和分类集成运放内部电（1）输入级：输入级是提高运算放大器质量的关键部分。要求其输入电阻高，为了能减小零点漂移和抑制共模干扰信号，输入级都采用具有恒流源效果的差动放大电路，也称差动输入级。（2）中间级：中间级的主要作用是提供足够大的电压放大倍数，故而也称电压放大级。要求中间级本身具有较高的电压增益，为了减少前级的影响，还应具有较高的输入电阻。另外，中间级还应向输出级提供较大的驱动电流，并能根据需要实现单端输入双端差动输出，或双端差动输入单端输出。（3）输出级：输出级的主要作用是输出足够的电流，以满足负载的需要，同时还需要有较低的输出电阻和较高的输入电阻，以起到将放大级和负载隔离的作用，输出级一般由射极输出器组成，以降低输出电阻，提高带负载能力。（4）偏置电路：偏置电路的作用是为各级提供合适的工作电流，一般由各种恒流源电路组成。（1）输入级：输入级是提高运算放大器质量的关键部分。要求其输3.1.2集成运放的主要性能指标1.极限参数供电电压范围、功耗、工作温度范围、最大差模输入电压、最大共模输入电压2.电气参数输入失调电压、输入失调电流、输入偏置电流、零点漂移、开环差模电压放大倍数、开环共模电压放大倍数、差模输入电阻、差模输出电阻、最大输出电压、共模抑制比3.1.2集成运放的主要性能指标1.极限参数3.2直接耦合放大器 1.前后级静态工作点相互影响 在阻容耦合放大器中，由于电容的隔直作用，各级的静态工作点是相互独立的。而直接耦合放大器，前级的输出端与后级的输入端直接相连，因此前后级的静态工作点就会互相影响、互相牵制，使电路设计和调试比较困难。图中的电阻R和稳压管V是为了保证前、后级均有合适的静态工作点而设置的。2.零点漂移 一个理想的直接耦合放大器，当输入信号为零时，其输出电压应保持不变。但实际上，将直接耦合的多级放大器输入端短接后，测其输出电压时，它并不一定保持恒定，而是缓慢地、无规则地变化着，会偏离原来的起始值上下飘动，这种现象称为“零点漂移”（简称“零漂”）。3.2直接耦合放大器1.前后级静态工作点相互影响3.3 差动放大电路3.3差动放大电路差动放大电路也称为差分放大电路。典型的差动放大电路是由两个特性相同的晶体管VT1和VT2组成的理想对称电路，对称位置上的电阻元件参数也相同。电路采用正、负两个电源供电，晶体管VT1和VT2的发射极经同一反馈电阻RE接至负电源。由于典型的差动放大电路在结构上对称性，因而它们的静态工作点也必然相同。整个电路有两个输入端（两管的基极）和两个输出端（两管的集电极）。静态（ui1=ui2=0V）时，两管的偏流由通过RE供给，由于电路完全对称，两个晶体管集电极电位相等，所以输出电压uo=0V。可见，输入信号为零时，输出信号也为零。差动放大电路也称为差分放大电路。典型的差动放大电路是由两个特差模信号差动放大电路中两个晶体管的基极信号电压ui1、ui2大小相等、相位相反，即，这样的信号称为“差模信号”，用uid表示，uid在数值上等于两输入信号的差值。这种输入方式为“差模输入”。共模信号温度变化时，电源电压波动等引起的零点漂移折合到放大电路输入端的漂移电压，相当于在差模放大电路的两个输入端同时加了大小和极性完全相同的输入信号，即，将这种大小和极性完全相同的信号称为“共模信号”，用uic表示。这种输入方式为“共模输入”。比较输入差动放大电路的两个输入信号，既非共模，也非差模，他们的大小和相对极性是任意的，这种输入常作为比较放大来运用，在控制测量系统中是常见的。差动放大电路工作原理差模信号差动放大电路工作原理3.4集成运放的理想模型3.4.1理想集成运放电压传输特性 3.4集成运放的理想模型3.4.1理想集成运放电压传输特性3.4.2理想集成运放的性能指标1.输入为零时，输出恒为零。2.开环差模电压放大倍数Aud=。3.差模输入电阻rid=。4.差模输出电阻ro=0。5.共模抑制比KCMR=。6.失调电压、失调电流及温漂为0。3.4.2理想集成运放的性能指标1.输入为零时，输出恒为零。3.4.3理想集成运放工作在线性区的特点集成运放应用广泛，其工作区域不是线性区，就是非线性区。在分析集成运放的应用电路时，用理想集成运放代替实际集成运放所带来的误差很小，在工程计算中是允许的。1.虚短当集成运放工作在线性区时，它的输出信号与输入信号应满足uo=Aud（u+-u-），由于uo是有限的，而Aud为无穷大，所以有u+-u-=0，即 u+=u-2.虚断由于理想集成运放的差模输入电阻rid为无穷大，所以运放的输入电流为零，即 i+=i-=0 3.4.3理想集成运放工作在线性区的特点集成运放应用广泛，3.4.4理想集成运放工作在非线性区的特点3.4.5集成运放的正确使用1.理想集成运放的输出电压uo的特点当集成运放的输入信号过大、开环工作或加正反馈时，由于uid0，且理想集成运放的电压增益为无穷大，所以输出电压就会趋向最大电压值。考虑到集成运放输出管内部饱和压降的影响，输出电压受到限制，只能达到电源电压的90左右，称这样的输出电压为正、负饱和输出电压，即输出为正向饱和电压+Uom，或负向饱和电压-Uom。在非线性区内，虚短现象不复存在。2.理想集成运放的输入电流特点因为rid=，所以i+=i-=0，即虚短现象仍然存在。另外，集成运放工作在非线性区时u+u-，其净输入电压u+-u-的大小取决于电路的实际输入电压及外接电路的参数。1.调零与消除自励振荡2.集成运放的安全保护3.4.4理想集成运放工作在非线性区的特点3.4.5集成运3.5负反馈放大电路3.5.1概述3.5.2反馈的概念3.5负反馈放大电路3.5.1概述3.5.2反馈的概念3.5.3反馈的类型及判别3.5.4负反馈的四种组态1.正反馈和负反馈2.直流反馈和交流反馈3.串联反馈和并联反馈4.电压反馈和电流反馈3.5.3反馈的类型及判别3.5.4负反馈的四种组态1.正（a）电压串联负反馈（b）电压并联负反馈（c）电流串联负反馈（d）电流并联负反馈（a）电压串联负反馈3.5.5负反馈对放大电路性能影响1.提高放大倍数的稳定性2.扩展频带3.减小非线性失真4.抑制内部干扰和噪声5.改变输入电阻和输出电阻3.5.5负反馈对放大电路性能影响1.提高放大倍数的稳定性3.6集成运放在信号运算中应用3.6.1比例运算电路1.反相比例运算电路 3.6集成运放在信号运算中应用3.6.1比例运算电路1.反2.同相比例运算电路 2.同相比例运算电路3.6.2加法运算电路 3.6.2加法运算电路3.6.3减法运算电路 3.6.3减法运算电路3.6.4积分运算电路 3.6.4积分运算电路3.6.5微分运算电路3.6.5微分运算电路3.7有源滤波电路（a）低通（b）高通（c）带通（d）带阻滤波器的功能是让某些频率的信号比较顺利通过，而其它频率的信号受到较大抑制。在实际的电子系统中，输入信号往往包含一些不需要的信号成分，可以用滤波器将其衰减到足够小的程度，或者将有用的信号挑选出来。3.7有源滤波电路（a）低通（b）高通3.7.1低通滤波电路（LPF）3.7.2高通滤波电路（HPF）3.7.3带通滤波电路（BPF）3.7.4带阻滤波电路（BEF）3.7.1低通滤波电路（LPF）3.7.2高通滤波电路（H3.8电压比较器当集成运放处于开环或正反馈方式时，运放的工作范围将跨越线性区，进入非线性区。此时运放的同相输入端和反相输入端不再虚短，输出电压也不随输入电压连续线性变化，当时，输出是正向饱和电压；当时，输出是反向饱和电压，即工作在非线性去的运放只有两种输出状态，分别将这两种状态称为输出高电平与输出低电平。集成运放在非线性区的典型应用电路是构成各种电压比较器。电压比较器是模拟信号和数字信号间的桥梁，在数字仪表、自动控制、电平检测、波型产生等方面应用极广。3.8电压比较器当集成运放处于开环或正反馈方式时，运放的工作3.8.1单值电压比较器（a）基本电路 （b）传输特性3.8.1单值电压比较器3.8.2滞回电压比较器3.8.3集成电压比较器（a）基本电路 （b）传输特性3.8.2滞回电压比较器3.8.3集成电压比较器3.9波形发生电路3.9.1正弦波振荡电路1.正弦波振荡电路概述（1）自励振荡条件（2）起振与稳幅（3）振荡电路的组成与分类 3.9波形发生电路3.9.1正弦波振荡电路1.正弦波振荡电3.9.2 RC正弦波振荡电路 RC正弦波振荡电路适用于低频振荡，它般用来产生零点几赫兹到数百千兹的低频信号。1.RC桥式振荡器RC串并联选频网络3.9.2RC正弦波振荡电路RC正弦波振荡电路适用于低频RC桥式振荡器RC桥式振荡器3.9.3 LC正弦波振荡电路LC正弦波振荡电路采用LC并联回路作选频网络。它主要用来产生频率高于1MHz以上的高频正弦波信号。按反馈电路的形式不同，常见的LC正弦波振荡电路有变压器反馈式、电感三点式、电容三点式。3.9.3LC正弦波振荡电路LC正弦波振荡电路采用LC并联3.9.4石英晶体振荡电路石英晶体振荡器是目前精确度和稳定度最高的振荡器，被广泛应用到军、民用通信电台、微波通信设备、程控电话交换机、无线电综合测试仪、移动电话发射台、高档频率计数器、GPS、卫星通信、遥控移动设备等各种系统中。石英晶体振荡电路选用石英晶体谐振器作为选频网络。石英晶体谐振器，简称晶振，具有极高的频率稳定性。3.9.4石英晶体振荡电路石英晶体振荡器是目前精确度和稳定度3.9.5非正弦波发生电路1.方波发生电路3.9.5非正弦波发生电路1.方波发生电路2.三角波发生电路2.三角波发生电路3.9.6集成函数发生器函数信号发生器在电路实验和设备检测中具有十分广泛的用途。函数信号发生器可以由晶体管、集成运放等通用器件制作，还可以是用专门的函数发生器集成电路产生。目前广泛应用的函数发生器芯片是ICL8038（国产5G8038），可以产生300KHz以下的方波、三角波、正弦波三种信号。3.9.6集成函数发生器函数信号发生器在电路实验和设备检测中第4章直流稳压电源第4章直流稳压电源在工农业生产中和科学实验中的大多数场合，主要采用交流电。但是在电子电路的仪器设备中，一般都需要直流电源供电。直流电源的来源大致分为三种，即电池（包括干电池、蓄电池和太阳能电池)、直流发电机和利用电网提供的50Hz的工频交流电经过整流、滤波和稳压后获得的直流电源。电子技术的应用电路中，除少数小功率便携式系统采用化学电池作为直流电源外，绝大多数都采用上述第3种电源形式，这种电源形式称为直流稳压电源。在工农业生产中和科学实验中的大多数场合，主要采用交流电。但是4.1 整流电路4.1.1 单相半波整流电路大功率的直流稳压电源一般采用三相交流电获取，小功率的直流电源由于功率比较小，通常采用单相交流供电获取。整流电路的功能是将交流电压变换成直流脉动电压。整流电路的类型有以下几种分类：按电源相线数可分为单相整流和三相整流；按输出波形可以分为半波整流和全波整流；按所用器件可分为二极管整流和晶闸管整流；按电路结构可分为桥式整流和倍压整流。这里主要介绍单相二极管半波和全波整流电路。4.1整流电路4.1.1单相半波整流电路大功率的直4.1.2 单相桥式整流电路4.1.2单相桥式整流电路4.2 滤波电路4.2.1 电容滤波电路电容滤波电路是最简单的滤波器，它是在整流电路的负载上并联一个电容C，电容为带有正负极性的大容量电容器，如电解电容、钽电容等。4.2滤波电路4.2.1电容滤波电路电容滤波电路是4.2.2 电感滤波电路电感滤波的桥式整流电路一般适用于低电压、大电流的负载电路。在桥式整流电路和负载电阻RL间串入一个电感器L，就构成一个含有电感滤波环节的桥式整流滤波电路。4.2.2电感滤波电路电感滤波的桥式整流电路一般适用于低4.2.3 复式滤波电路在滤波电容C之前加一个电感L构成了LC滤波电路。这样可使输出至负载RL上的电压的交流成分进一步降低。该电路适用于高频或负载电流较大并要求脉动很小的电子设备中。4.2.3复式滤波电路在滤波电容C之前加一个电感L构成了4.3 稳压电路交流电压经过整流和滤波后，虽然变为直流电压，但是仍存在较小的交流分量，使输出的直流电压并不稳定，而且这些交流量的平均值还会随电网电压的波动、温度的变化而变化，当电路中的负载电阻较大或变化时，输出电压也会随之变化。电子设备中的直流电源和电子电路的供电电源，一般要在滤波电路和负载之间加接稳压环节，以达到稳压供电的目的，使电子设备和电子线路能够稳定可靠地工作。4.3稳压电路交流电压经过整流和滤波后，虽然变为直流电压4.3.1 并联型稳压电路并联型稳压电路是最简单的一种稳压电路。这种电路主要用于对稳压要求不高的场合，有时也作为基准电压源。并联型稳压电路，又称稳压管稳压电路，因其稳压管VDZ与负载电阻RL并联而得名。4.3.1并联型稳压电路并联型稳压电路是最简单的一种稳压4.3.2 串联型稳压电路串联型稳压电路由于调整元件与负载串联。电路组成：调整电路：作用是调节自身的压降，保证输出电压不变。比较放大电路：将输出电压同参考电压比较后所得的控制信号加以放大。基准电压电路：获得恒定不变的电压，作为比较输出电压变化与否的标准。取样电路：用于取出一部分输出电压。4.3.2串联型稳压电路串联型稳压电路由于调整元件与负载4.3.3 集成稳压器集成电路的发展带来了集成稳压器的产生，把调整管、采样电路、基准稳压源、比较放大器、比较器以及保护电路等全部集成在一个硅片上，就构成了集成稳压器。1.固定输出的三端集成稳压器2.可调输出三端集成稳压器3.使用三端集成稳压器时应注意的事项4.3.3集成稳压器集成电路的发展带来了集成稳压器的产生4.4 串联式开关型稳压电源4.4串联式开关型稳压电源4.5 采用集成PWM电路开关电源集成脉宽调制器（PWM）电路将基准电压源、三角波电压发生器、比较器等集成到一块芯片上，制成各种封装的集成电路，其特点是：能使电路简化、使用方便、工作可靠、性能提高。使用PWM的开关电源，既可以降压，又可以升压，既可以把市电直接转换成需要的直流电压（ACDC变换)，还可以用于使用电池供电的便携设备（DCDC变换）。4.5采用集成PWM电路开关电源集成脉宽调制器（PWM）配套ppt课件-电子技术基础配套ppt课件-电子技术基础配套ppt课件-电子技术基础第5章门电路和组合逻辑电路第5章门电路和组合逻辑电路数字电路设计，简称数字设计，又称为逻辑电路设计或逻辑设计（Logic Design），设计的最根本目的是构建数字系统。在数字电路中，因为电子器件的导通与截止，电压或者电流通常只有两个状态：高电平或者低电平，有电流或者无电流。这样的两个状态可用逻辑1（真）或逻辑0（假）来表示。通常数字信号用0、1符号构成的序列表示。数字电路输入与输出的0、1序列间的逻辑关系便是该数字电路的逻辑功能的体现。因而，数字电路就是实现各种逻辑关系的电路。数字电路通常由逻辑门、触发器、计数器、寄存器等逻辑器件构成，分析的重点是电路输入、输出序列间的逻辑关系。数字电路设计，简称数字设计，又称为逻辑电路设计或逻辑设计（L5.1 逻辑代数与逻辑函数5.1.1 逻辑代数与逻辑函数概述1847年，英国数学家乔治布尔首先提出了描述客观事物逻辑关系的数学方法布尔代数。1938年，克劳德香农将布尔代数用于设计电话继电器开关电路（Switching Circuit）,因此又称开关代数（Switching Algebra）。后来，布尔代数被广泛地应用于解决数字逻辑电路的分析与设计上，所以也叫做逻辑代数（Logic Algebra）。逻辑代数像普通代数一样，用字母表示变量，称为逻辑变量。每个逻辑变量的取值只有0和1两种可能，这里的0和1已不再表示数量的大小，而是代表两种不同的逻辑状态。如在逻辑推理中表示条件的有或无、事件的真或假、肯定或否定，在电路中表示电压的高或低、开关的接通或断开、晶体管的饱和或截止、熔丝的接通或断开等。5.1逻辑代数与逻辑函数5.1.1逻辑代数与逻辑函5.1.2 逻辑运算5.1.2逻辑运算5.1.3 逻辑代数的公理与定理5.1.3逻辑代数的公理与定理配套ppt课件-电子技术基础5.1.4 逻辑函数的基本定理1.代入定理2.反演定理3.对偶定理5.1.4逻辑函数的基本定理1.代入定理5.1.5 逻辑函数的表示方法常用的逻辑函数表示方法有：逻辑真值表（或逻辑状态表）逻辑表达式逻辑图波形图5.1.5逻辑函数的表示方法常用的逻辑函数表示方法有：5.1.6 逻辑函数的标准形式1.最小项和最大项在有n个变量的逻辑函数中，若m为包含n个变量的与运算，而且这n个变量均以原变量或反变量的形式在m中出现且仅出现一次，则称m为该组变量的最小项（Minterm）。在有n个变量的逻辑函数中，若M为包含n个变量的或运算，而且这n个变量均以原变量或反变量的形式在M中出现且仅出现一次，则称M为该组变量的最大项（Maxterm）。5.1.6逻辑函数的标准形式1.最小项和最大项2.逻辑函数的标准形式（1）与或逻辑标准形式即最小项之或的形式。利用互补律可以把任何一个逻辑函数化为最小项之或的标准形式。这种标准形式在逻辑函数的化简以及计算机辅助分析和设计中得到了广泛的应用。（2）或与标准形式即最大项之与的形式。利用互补律在缺少某一变量的和项中加上该变量，然后利用分配律展开，就可以把任何一个逻辑函数化为最大项之与的标准形式。2.逻辑函数的标准形式5.1.7 逻辑函数的化简1.逻辑函数的最简形式化简逻辑函数的意义在于，用尽可能少的电子器件实现同一功能的逻辑电路，从而降低成本，提高设备的可靠性。化简逻辑函数的准则是：在与或、或与逻辑函数中，要求其中包含的与项或或项最少，而且每个与项或或项里的因子也不能再减少。化简逻辑函数的目的就是要消去多余的与项和每个与项中多余的因子，以得到逻辑函数式的最简形式。5.1.7逻辑函数的化简1.逻辑函数的最简形式2.公式化简法公式化简法的原理就是反复使用逻辑代数的公理和定理消去函数式中多余的与项和多余的因子，以求得函数式的最简形式。公式化简法经常使用的方法有以下几种。（1）并项法：利用合并律将两项合并为一项，并消去Y和这一对因子。而且，根据代入定理可知，和Y都可以使任何复杂的逻辑式。（2）吸收法：利用吸收律将XY消去。X和Y可以是任何复杂的逻辑式。（3）消因子法：利用吸收律将中的或重的消去。X、Y均可以是任何复杂的逻辑式。（4）消项法：利用添加律将YZ项消去。其中X、Y、Z均可以是任何复杂的逻辑式。（5）添加项法：逆行利用添加律公式可以在逻辑函数式中添加一项，消去两项，从而达到化简的目的。其中X、Y、Z均可以是任何复杂的逻辑式。2.公式化简法3*.卡诺图法化简逻辑函数（1）逻辑函数的卡诺图表示法卡诺图（Karnaugh Map）是逻辑函数真值表的图表形式，是由美国工程师卡诺（Karnaugh）首先提出来的。图中列出了二、三、四变量最小项的卡诺图。3*.卡诺图法化简逻辑函数（1）逻辑函数的卡诺图表示法（2）用卡诺图表示逻辑函数既然任何一个逻辑函数都能表示为若干最小项之或的形式，那么自然也就可以设法用卡诺图来表示任意一个逻辑函数。具体的方法是首先把逻辑函数化为最小项之或的形式，然后在卡诺图上与这些最小项对应的位置上填入1，在其余的位置上填入0，就得到了表示该逻辑函数的卡诺图。也就是说，任何一个逻辑函数都等于它的卡诺图中填入1的那些最小项之或。（2）用卡诺图表示逻辑函数5.1.8 具有无关项逻辑函数1.约束项、任意项和逻辑函数式中的无关项在分析某些具体的逻辑函数时，经常会遇到输入变量的取值不是任意的情况。对输入变量取值所加的限制称为约束。同时，把这一组变量称为具有约束的一组变量。2.无关项在化简逻辑函数中的应用化简具有无关项的逻辑函数时，如果能合理利用这些无关项，一般都可得到更加简单的化简结果。合并最小项时，究竟把卡诺图上的作为1（即认为函数式中包含了这个最小项），还是作为0（即认为函数式中不包含这个最小项）对待，应以得到的相邻最小项的圈最大，而且圈的数目最少为原则。5.1.8具有无关项逻辑函数1.约束项、任意项和逻辑函5.2 逻辑门电路5.2.1 半导体二极管、三极管和场效应管的开关特性 逻辑代数中的各个逻辑变量和逻辑函数的取逻辑代数中的各个逻辑变量和逻辑函数的取值只能是值只能是“0”“0”或或“1”“1”，这里的，这里的“0”“0”和和“1”“1”表示的是两种不同的逻辑状态，就像真表示的是两种不同的逻辑状态，就像真与假、有与无、开与关、导通与截止、高电与假、有与无、开与关、导通与截止、高电平与低电平等。在电路中通常用高电平与低平与低电平等。在电路中通常用高电平与低电平表示这两种逻辑状态，用电路的通与断电平表示这两种逻辑状态，用电路的通与断实现这两种逻辑状态。实现这两种逻辑状态。5.2逻辑门电路5.2.1半导体二极管、三极管和场5.2.2 分离元件门电路1.二极管与门（Diode AND Gate）2.二极管或门（Diode OR Gate）3.三极管或非门（Transistor NOT Gate）5.2.2分离元件门电路1.二极管与门（DiodeA5.2.3 TTL门电路1.TTL与非门工件原理及外部特性2.其它类型的TTL门电路（1）TTL与门电路（2）TTL或非门和与或非门电路（3）集电极开路门电路（OC门）（4）TTL三态门电路（TTL Three-State Gate Circuit）5.2.3TTL门电路1.TTL与非门工件原理及外部特5.2.4 ECL门电路1.ECL门电路结构2.ECL门电路的工作特点5.2.4ECL门电路1.ECL门电路结构5.2.5 MOS门电路MOS集成逻辑门电路有PMOS、NMOS和CMOS三种类型。用N沟道增强型MOS管构成的集成电路称为NMOS电路；用P沟道增强型MOS管构成的集成电路称为PMOS电路；用N沟道增强型MOS管和P沟道增强型MOS管互补构成的集成电路称为CMOS电路。5.2.5MOS门电路MOS集成逻辑门电路有PMOS、N1.NMOS门电路2.CMOS门电路（1）CMOS非门（2）CMOS与非门（3）CMOS或非门（4）CMO与或非门（5）CMOS传输门（6）CMOS三态门（7）CMOS漏极开路门（OD门）（CMOS Open-Drain Gate）（8）施密特触发器输入门（Schmitt-Trigger Input Gate）3CMOS门电路特点和使用中应注意的问题1.NMOS门电路5.3 组合逻辑电路的分析与设计组合逻辑电路（Combinational Logic Circuits）由门电路组合而成，在电路结构上没有反馈回路，在功能上不具备记忆能力，即某一时刻的输出状态只取决于该时刻的输入状态，而与电路过去的状态无关。5.3组合逻辑电路的分析与设计组合逻辑电路（Combin5.3.1 组合逻辑电路的结构5.3.1组合逻辑电路的结构5.3.2 组合逻辑电路的分析组合逻辑电路的一般分析步骤如下:（1）根据给定的逻辑电路图，分别用符号标注各级门的输出。（2）从输入端到输出端，逐级写出逻辑函数表达式，并写出最后的输出逻辑函数的表达式。（3）利用代入规则，将电路中添加的标注符号消除，得到电路的输出函数与输入变量的逻辑函数表达式。（4）利用公式化简法、卡诺图化简法或表格化简法对逻辑函数进行化简。（5）列出真值表或画出波形图。（6）判断电路的逻辑功能，或评定电路的技术指标。上述的分析步骤中，前面5个步骤都不难，只需细心即可。但最后一步往往需要经过认真分析才可以得出结论，有时可能还需要借助于分析者的实际经验。上述的分析步骤也不是一成不变的，有些简单的逻辑电路，可以不加标注就直接写出输出逻辑函数与输入变量之间的关系。5.3.2组合逻辑电路的分析5.3.3 组合逻辑电路的设计设计步骤（1）逻辑抽象（Logic Abstract）。分析设计题目要求，确定输入变量和输出逻辑函数的数目及其关系。许多设计要求往往没有直接给出明显的逻辑关系，因此要求设计者对所设计的逻辑问题有一个全面的理解，对每一种可能的情况都能作出正确的判断，有时还需要给予逻辑定义。如开关的状态用逻辑描述时，可以定义“开（ON）”为逻辑1，“关（OFF）”为逻辑0。（2）根据设计要求和定义的逻辑状态，列出真值表。（3）由真值表写出逻辑函数表达式，并用公式法或表格法化简，或直接用卡诺图化简后写出最简逻辑函数表达式。（4）根据要求使用的门电路类型，将逻辑函数转换为与之相适应的形式。（5）根据逻辑函数表达式画出逻辑电路图。在组合逻辑电路的设计中，逻辑抽象是关键，需要仔细分析各种逻辑关系和因果关系，必须包括所有情况，不能遗漏。5.3.3组合逻辑电路的设计设计步骤5.3.4 常用组合逻辑器件1.编码器（Encoder）将一个数字、文字、人名或者信号用数字代码来表示的过程，称为编码。能完成编码功能的电路或装置成为编码器。n位二进制数编码可以表示2n种不同的情况。一般而言，m个不同的信号，至少需要用n位二进制数进行编码，m和n之间的关系为m2n。普通编码器优先编码器5.3.4常用组合逻辑器件1.编码器（Encoder）2.译码器（Decoder）译码是编码的逆过程，是将数字代码翻译成它原来所代表的文字、数字或信息等的过程。能完成译码功能的电路或装置，称为译码器。数字译码器主要有二进制译码器、BCD码译码器和显示译码器等。假设译码器有n个输入端，m个译码输出端，如果m=2n，则称为全译码器，如果mUR1且u2UR2时，比较器C1的输出uC1=0，比较器C2的输出uC2=1，R-S锁存器被置为0，VT导通，同时uo为低电平。（2）u1UR2时，比较器C1的输出uC1=10，比较器C2的输出uC2=1，R-S锁存器状态保持不变，从而VT的状态保持不变，同时uo的状态也保持不变。（3）u1UR1且u2UR1且u26.6.3 施密特触发器及由555定时器构成的施密特触发器（1）施密特触发器输出有两种稳定状态0态和1态。（2）施密特触发器采用电平触发，也就是说，它输出是高电平还是低电平取决于输入信号的电平。（3）对于正向和负向增长的输入信号，电路有不同的阈值电平UT+和UT-。当输入信号电压uI上升时，与UT+比较，大于UT+,输出状态翻转；当输入信号电压uI下降时，与UT-比较，小于UT-，输出状态翻转。第（3）个特点是施密特触发器最主要的特点，是与普通电压比较器的区别所在。施密特触发器分为同相施密特触发器和反相施密特触发器两种。6.6.3施密特触发器及由555定时器构成的施密特触发器6.6.4 单稳态触发器及由555定时器构成的单稳态触发器单稳态触发器（OneshotMonostableMultivihrator），又称单稳态振荡器（MonostableMultivihrator），是广泛应用于脉冲整形、延时和定时的常用电路。它具有以下特点。（1）有稳态和暂稳态两个不同的工作状态。（2）在外界触发脉冲的作用下，能从稳态翻转到暂稳态，在暂稳态维持一段时间以后，再自动返回稳态。（3）暂稳态维持时间的长短取决于电路本身的参数，与触发脉冲的宽度和幅度无关。6.6.4单稳态触发器及由555定时器构成的单稳态触发器6.6.5 多谐振荡器及由555定时器构成的多谐振荡器多谐振荡器是一种自激振荡器。在接通电源后，不需要外加触发信号，便能自动产生矩形波形。由于矩形波中含有高次谐波，故把矩形波振荡器称为多谐振荡器，特点：（1）电路的输出高电平和低电平的切换是自动进行的，不需要外界的触发信号。（2）多谐振荡器工作时没有一个稳定状态，属于无稳态电路。6.6.5多谐振荡器及由555定时器构成的多谐振荡器多谐第第7章章 半导体存储器和可编程逻辑器半导体存储器和可编程逻辑器件件第7章半导体存储器和可编程逻辑器件7.1 半导体存储器半导体存储器半导体存储器是一种能存储大量二值信息（或数据）的半导体器件。半导体存储类种类很多，从存、取功能上可以分为只读存储器（ReadOnlyMemory,ROM）和随机存储器（RandAccessMemory，RAM）两大类。只读存储器中的信息数据可以长期掉电保存。根据数据的写入方式，只读存储器分为固定ROM（又称有掩模ROM）可编程ROM（ProgrammableRead-only，Memory,PROM）和可擦除的可编程的ROM（ErasableProgrammableRead-OnlyMemory，EPROM）几种不同类型。随机存取存储器可以随时读出或写入数据，但断电后，数据将会丢失。随机存储器根据存储单元工作原理的不同，可分为静态存储器（StaricRandomAccessMemory，SRAM）和动态存储器（DynamicRandomAccessMemory，DRAM）。7.1半导体存储器半导体存储器是一种能存储大量二值信息（7.2 只读存储器只读存储器7.2.1 掩模只读存储器（掩模只读存储器（ROM）固定ROM，也称掩模型ROM，它是在生产过程最后一道掩模工艺是按照用户的要求写入信息，一旦生产完毕，就不可能再改变。ROM的电路结构包含存储矩阵（Storagematrix）、地址译码器（AddressDecoder）和输出缓冲器（OutputBuffer）三个组成部分。7.2只读存储器7.2.1掩模只读存储器（ROM）7.2.2 可编程只读存储器（可编程只读存储器（PROM）PROM不是由厂家生产时写入信息，而是由开发设计人员根据自己的需要，用电的方法写入，一旦写入后信息不再改变，这类PROM只能写入一次。PROM的总体结构与掩模ROM一样，同样由存储矩阵、地址译码器和输出电路组成。不过在出厂时已经在存储矩阵的所有交叉点上全部制作了存储元件，即相当于在所有存储单元中都存入了1。7.2.2可编程只读存储器（PROM）PROM不是由厂7.2.3 可擦的可编程只读存储器可擦的可编程只读存储器（EPROM）可擦除的可编程ROM中存储的数据不仅可以由设计人员写入信息，而且可以擦除重写几百次，因而在需要经常修改ROM中内容的场合它便成为一种比较理想的器件。7.2.3可擦的可编程只读存储器（EPROM）可擦除的可7.3.1 静态随机存储器（静态随机存储器（SRAM）SRAM电路通常由存储矩阵、地址译码器和读/写控制电路（也称为输入输出电路）三部分组成。7.3.1静态随机存储器（SRAM）SRAM电路通常由存7.3.2 动态随机存储器（动态随机存储器（DRAM）DRAM动态存储单元 单管动态MOS存储单元的电路 DRAM总体结构 为了提高集成度的同时减少器件引脚的数目，目前的大容量DRAM多半都采用1位输入、1位输出和地址分时输出的方式。7.3.2动态随机存储器（DRAM）DRAM动态存储单7.4 可编程逻辑器件可编程逻辑器件可编程逻辑器件（PLD）是作为一种通用型器件生产的，然而它的逻辑功能又是由用户通过对器件编程来自行设定。它可以把一个数字系统集成在片PLD上，而不必由芯片制造厂去设计和制作专用集成芯片。PLD具有通用型器件批量大、成本低和专用型器件构成系统体积小、电路可靠等优点。7.4可编程逻辑器件可编程逻辑器件（PLD）是作为一种通7.4.1 可编程阵列逻辑器件可编程阵列逻辑器件可编程阵列逻辑器件（PAL），是20世纪70年代末出现的一种低密度、一次性可编程逻辑器件。最简单的PAL电路结构形式包含一个可编程的与逻辑阵列和一个固定的或逻辑阵列。7.4.1可编程阵列逻辑器件可编程阵列逻辑器件（PAL）7.4.2 通用阵列逻辑器件通用阵列逻辑器件通用阵列逻辑器件（GAL）是继PAL器件之后，在20世纪80年代中期推出的一种低密度可编程逻辑器件。它在结构上采用了输出逻辑宏单元（OLMC）结构形式。在工艺上吸收了E2PROM的浮栅技术，从而使GAL器件具有可擦除、可重新编程、数据可长期保存和可重新组合结构的特点。因此GAL器件比PAL器件功能更加全面，结构更加灵活，它可取代大部分中、小规模的数字成电路和PAL器件，增加了数字系统设计的灵活性。7.4.2通用阵列逻辑器件通用阵列逻辑器件（GAL）是继7.4.3 复杂可编程逻辑器件与现场可复杂可编程逻辑器件与现场可编程门阵列编程门阵列复杂可编程逻辑器件（CPLD）采用CMOSEPROM、E2PROM、FLASH存储器和SRAM等编程技术，从而构成了高密度、高速度和低功耗的可编程逻辑器件。CPLD的I/O端数和内含触发器多达数百个，其集成度远远高于可编程逻辑器件PAL和GAL。因此，采用CPLD设计数字系统，体积小、功耗低、可靠性高，且有更大的灵活性。CPLD大致可分为两类，一类是由GAL器件发展而来的，其主体仍是与阵列和宏单元结构，称为CPLD的基本结构；另一类是分区阵列结构的CPLD。生产厂商主要有Xilinx、Altera和Lattice3家公司，其它厂商还有Cypress、Actel等公司。7.4.3复杂可编程逻辑器件与现场可编程门阵列复杂可编程7.5 可编程逻辑器件的开发可编程逻辑器件的开发可编程逻辑器件集成度高、速度快、功耗低，结构灵活、使用方便，具有用户可定义逻辑功能和加密功能，可以实现各种逻辑设计，是数字系统设计的理想集成电路器件。然而，要使PLD实现设计要求的逻辑功能，必须借助于适当的PLD开发工具，即PLD开发软件和硬件，两者结合使用，完成从设计，验证到器件最终实现其预定的逻辑功能。为此，一些PLD的生产厂商和软件公司相继研制了各种功能完善、成熟的PLD开发系统。7.5可编程逻辑器件的开发可编程逻辑器件集成度高、速度快第第8章章 数模与模数转换器数模与模数转换器第8章数模与模数转换器8.1 概述概述随着大规模集成电路和计算机技术的飞速发展，数字技术渗透到各个技术领域，各种以数学