芯片工艺流程课件

a1芯片生产工艺流程（课件）a2单晶拉制（1）a3单晶拉制（2）a4单晶拉制（3）a5单晶拉制（4）a6单晶拉制（5）a7环境和着装a8单项工艺-扩散(1)卧式4炉管扩散/氧化炉扩散/氧化进炉实景图a9单项工艺-扩散(2)立式扩散/氧化炉扩散/氧化进炉实景图a10单项工艺-扩散(3)扩散工序作业现场a11单项工艺-光刻(1)先进光刻曝光设备a12单项工艺-光刻(2)现场用光刻曝光设备a13单项工艺-光刻(3)检查用显微镜a14单项工艺-光刻(4)清 洗淀积/生长隔离层匀 胶（SiO2 Si3N4 金属金属）-HMDS喷淋（增加Si的粘性）-匀光刻胶a15单项工艺-光刻(5)前 烘对 版匀 胶-对每个圆片必须按要求对版-用弧光灯将光刻版上的图案转 移到光刻胶上。-增加黏附作用 -促进有机溶剂挥发a16单项工艺-光刻(6)显影/漂洗坚 膜腐 蚀-硬化光刻胶。-增加与硅片的附着性。-将圆片进行显影/漂洗，不需要的的光刻胶溶解到有机溶剂。去 胶-干法腐蚀/湿法腐蚀a17单项工艺-光刻(7)光刻工艺过程a18单项工艺-CVD（1）a19单项工艺-CVD（2）初级离子气体被吸收到硅片表面a20单项工艺-CVD（3）初级离子气体在硅片表面分解a21单项工艺-CVD（4）玻 璃 的 解 吸a22单项工艺-CVD（5）a23单相工艺-离子注入（1）a24单相工艺-离子注入（2）a25单相工艺-离子注入（3）a26单相工艺-蒸发（1）蒸发原理示意图a27单相工艺-蒸发（2）溅射原理示意图a28单相工艺-蒸发（3）a29单相工艺-清洗a30基础认知a31衬底材料扩散层外延层a32一次氧化a33基区光刻a34干氧氧化a35离子注入a36基区扩散a37发射区光刻a38发射区预淀积a39发射区扩散（*）a40发射区低温氧化（*）a41氢气处理a42N+光刻（适用于P型片）a43N+淀积扩散（适用P型片）a44N+低温氧化（适用P型片）a45氢气处理（适用P型片）a463B光刻a47铝蒸发a48四次光刻a49氮氢合金a50AL上CVD2a51氮气烘焙（适用N型片）2a52五次光刻2a53中测抽测2测试系统a54减薄、抛光2减薄和抛光部分a55蒸金/银2a56背金合金2a57芯片测试2测试系统a58N型片制造（一般）工艺流程a59P型片制造（一般）工艺流程