光刻技术设计ppt课件

光刻技术 光刻工艺光刻技术刻蚀技术光刻技术 光刻工艺光刻技术刻蚀技术目 的v 光刻系统的主要指标光刻系统的主要指标v 基本光刻工艺流程基本光刻工艺流程v 光刻技术中的常见问题光刻技术中的常见问题 v 光刻掩模板的制造光刻掩模板的制造v 曝光技术曝光技术v 光刻设备光刻设备v 湿法腐蚀和干法刻蚀的原理湿法腐蚀和干法刻蚀的原理目 的 光刻系统的主要指标高分辨率。高分辨率。通常把线宽作为光刻水平的标志，线宽越来越细，要求光刻具有高分辨率。高灵敏度的光刻胶。高灵敏度的光刻胶。光刻胶的灵敏度通常是指光刻胶的感光速度。光刻胶灵敏度提高，曝光时间短，但往往使光刻胶的其他属性变差。低缺陷。低缺陷。在集成电路芯片的加工进程中，如果在器件上产生一个缺陷，即使缺陷的尺寸小于图形的线宽，也可能会使整个芯片失效。精密的套刻对准。精密的套刻对准。集成电路芯片的制造需要经过多次光刻，在各次曝光图形之间要相互套准。通常要采用自动套刻对准技术。误差误差 10%L对大尺寸硅片的加工。对大尺寸硅片的加工。为了提高经济效益和硅片利用率，一般在一个大尺寸硅片上同时制作很多个完全相同的芯片。对于光刻而言，在大尺寸硅片上满足前述的要求难度更大。IC 对光刻技术的基本要求高分辨率。通常把线宽作为光刻水平的标志，线宽越来越细，要求3.1 概述v光刻光刻(photolithography)是在光的作用下，是在光的作用下，使图像从母版向另一种介质转移的过程。母使图像从母版向另一种介质转移的过程。母版就是光刻版，是一种由透光区和不透光区版就是光刻版，是一种由透光区和不透光区组成的玻璃版。组成的玻璃版。v即将掩模版（光刻版）上的几何图形转移到即将掩模版（光刻版）上的几何图形转移到覆盖在半导体衬底表面的对光辐照敏感薄膜覆盖在半导体衬底表面的对光辐照敏感薄膜材料（光刻胶）上去的工艺过程材料（光刻胶）上去的工艺过程。3.1 概述光刻(photolithography)是在光的 光刻工艺就是利用光敏光敏的抗蚀涂层发生光化学反应光化学反应，按照确定的版图图形，结合刻刻蚀方法蚀方法在各种薄膜薄膜上（如SiO2等绝缘膜和各种金属膜）制备出制备出合乎要求的电路图形，包括形成金属电极和布线、表面钝化以及实现选择性掺杂。由于集成电路有一定的空间结构，需多次使用光刻多次使用光刻，每块集成电路一般要进行67次光刻，所以氧化工艺氧化工艺与光刻工艺光刻工艺的结合构成了整个平面工艺的基础。光刻工艺就是利用光敏的抗蚀涂层发生光化学v光刻是集成电路工艺中的关键性技术。在硅片表面涂上光刻胶薄层，通过掩模版对光刻胶辐照，使某些区域的光刻胶感光，利用光刻胶感光部分与未感光部分在显影液中的溶解速度相差非常大的特性，经过显影就可以在光刻胶上留下掩模版的图形。v 在集成电路制造中，利用这层剩余的光刻胶图形作为保护膜，可以对硅表面选定区域进行刻蚀，或进行离子注入，形成器件和电路结构，或者对未保护区进行掺杂。v 随着集成电路的集成度不断提高，器件的特征尺寸不断减小，期望进一步缩小光刻图形的尺寸。目前已经开始采用线宽为0.2-0.1m的加工技术。光刻是集成电路工艺中的关键性技术。在硅片表面涂上光刻胶薄层，v 分辨率、分辨率、v 焦深、焦深、v 对比度、对比度、v 特征线宽控制、特征线宽控制、v 对准和套刻精度、对准和套刻精度、v 产率以及价格。产率以及价格。光刻系统的主要指标包括光刻系统的主要指标包括:分辨率、光刻系统的主要指标包括:83.1.1 分辨率分辨率 分分辨辨率率是是指指一一个个光光学学系系统统精精确确区区分分目目标标的的能能力力。分分辨辨率率是是决决定定光光刻刻系系统统最最重重要要的的指指标标，能能分分辨辨的的线线宽宽越小，分辨率越小，分辨率越高越高。其由瑞利衍射定律决定：。其由瑞利衍射定律决定：k1=0.60.8NA=0.160.8提高分辨率：提高分辨率：NA，k1 ：曝光光源的波长 NA：曝光镜头的数值孔径 K1:比例系数83.1.1 分辨率 分辨率是指一个光学系统精确区分目93.1.1 分辨率分辨率 1 1、利用光源缩小利用光源缩小利用光源缩小利用光源缩小 光源光源波长波长(nm)术语术语技术节点技术节点汞灯汞灯436g线线0.5m mm汞灯汞灯365i线线0.5/0.35m mmKrF(激光激光)248DUV0.25/0.13m mmArF(激光激光)193193DUV90/6532nmF2(激光激光)157VUVCaF2 lenses等离子体等离子体13.5EUVReflective mirrors光源光源93.1.1 分辨率 1、利用光源缩小 l光源波长(nm)103.1.1 分辨率分辨率 1 1、使用光源缩小使用光源缩小使用光源缩小使用光源缩小 103.1.1 分辨率 1、使用光源缩小 l113.1.1 分辨率分辨率 2 2、减小分辨率因子减小分辨率因子减小分辨率因子减小分辨率因子 k k1 1 1 1 Pattern dependent k1 can be reduced by up to 40%113.1.1 分辨率 2、减小分辨率因子 k1 Patte123.1.1 分辨率分辨率 2 2、减小分辨率因子减小分辨率因子减小分辨率因子减小分辨率因子 k k1 1 1 1Mask design and resist processl nmk14360.83650.62480.3-0.41930.3-0.4Contrast436,365nm:=2-3,(Qf/Q02.5)248,193nm:=5-10(Qf/Q01.3)123.1.1 分辨率 2、减小分辨率因子 k1Mask d133.1.1 分辨率分辨率 3、增加、增加 NALens fabricationl nmNA4360.15-0.453650.35-0.602480.35-0.821930.60-0.93a anH2O 浸入式光刻浸入式光刻NA=nsinanH2O=1.44NA1.36133.1.1 分辨率 3、增加 NALens fabric143.1.2 光刻分辨率光刻分辨率v分辨率分辨率R=1/2L(mm-1)；直接用线宽直接用线宽L表示表示v存在物理极限，由衍射存在物理极限，由衍射决定：决定：L/2,Rmax 1/L L即每即每mm中包含的间距与宽度相等的线条数目。中包含的间距与宽度相等的线条数目。因光的波动性而产生的衍射效应限定了线宽因光的波动性而产生的衍射效应限定了线宽KrF激光光源，可产生激光光源，可产生0.25um常用光源波长常用光源波长436nm，最佳线宽，最佳线宽47um143.1.2 光刻分辨率分辨率LL即每mm中包含的间距与宽15物理极限物理极限v由量子理论的海森堡不确定关系式也得由量子理论的海森堡不确定关系式也得出其他离子束光刻极限：出其他离子束光刻极限：Lph；p=mv；E=mv2/2，h/=2mE Lh/2 2mEv粒粒子子质量愈大量愈大，L愈小，愈小，分辨率愈高分辨率愈高v动能能愈高，愈高，L愈小，愈小，分辨率愈高。分辨率愈高。15物理极限由量子理论的海森堡不确定关系式也得出其他离子束光163.1.3 焦深焦深 为为轴上光线到极限聚焦位置的光程差。根据瑞利判据：轴上光线到极限聚焦位置的光程差。根据瑞利判据：很小时，NA，焦深 焦深焦深163.1.3 焦深为轴上光线到极限聚焦位置的光程差。根据173.1.3 焦深焦深焦深焦深焦平面焦平面光刻胶光刻胶IC技术中，焦深只有技术中，焦深只有1m mm，甚至更，甚至更小小173.1.3 焦深焦深焦平面光刻胶IC技术中，焦深只有1m183.1.4 对比度对比度调制传递函数调制传递函数MTF对比度对比度183.1.4 对比度调制传递函数MTF对比度193.1.4 对比度对比度一般要求一般要求MTF0.5与尺寸有关与尺寸有关聚光透镜光圈 投影透镜镜片光刻胶193.1.4 对比度一般要求MTF0.5聚光透镜 光圈 203.1.4 对比度对比度特征尺寸大特征尺寸大特征尺寸小特征尺寸小2W横坐标：归一化的空间频率，线条数横坐标：归一化的空间频率，线条数/m mm/截止频率截止频率空间频率空间频率 1/(2W),W是等宽光栅的线条宽度，是等宽光栅的线条宽度，2W即即Pitch按照瑞利判据归一化，即按照瑞利判据归一化，即 01/R NA/0.61 （截止频率）（截止频率）203.1.4 对比度特征尺寸大特征尺寸小2W横坐标：归一化213.2 基本光刻工艺流程基本光刻工艺流程v一般的光刻工艺要经历底膜处理、涂胶、前一般的光刻工艺要经历底膜处理、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、刻蚀、去胶、检验烘、曝光、显影、坚膜、刻蚀、去胶、检验工序。工序。213.2 基本光刻工艺流程一般的光刻工艺要经历底膜处理、涂光刻技术设计ppt课件23底膜处理底膜处理v底膜处理是光刻工艺的第一步，其主要目底膜处理是光刻工艺的第一步，其主要目的是对硅衬底表面进行处理，以增强衬底的是对硅衬底表面进行处理，以增强衬底与光刻胶之间的与光刻胶之间的黏附性黏附性。v底膜处理包括以下过程：底膜处理包括以下过程：1、清洗；清洗；2、烘干；烘干；3、增粘处理。增粘处理。23底膜处理底膜处理是光刻工艺的第一步，其主要目的是对硅衬底涂涂 胶胶 在集成电路工艺中，光刻胶层的作用是在刻蚀(腐蚀)或离子注入过程中，保护被光刻胶覆盖的材料。因此，光刻胶层与硅片表面之间需要牢固地黏附。涂胶的目的是在硅片表面形成厚度均匀、附着性强、并且没有缺陷的光刻胶薄膜厚度均匀、附着性强、并且没有缺陷的光刻胶薄膜。在涂胶之前，硅片一般需要经过脱水烘焙脱水烘焙并且涂上用来增加光刻胶与硅片表面附着能力的化合物。涂 胶 在集成电路工艺中，光刻胶层的作用是在刻蚀(腐以光刻胶在SiO2表面的附着情况为例，由于SiO2的表面是亲水性亲水性的，而光刻胶是疏水性疏水性的，SiO2表面可以从空气中吸附水分子，含水的SiO2会使光刻胶的附着能力降低。因此在涂胶之前需要预先对硅片进行脱水处理，称为脱水烘焙。在150-200释放硅片表面吸附的水分子；在400左右使硅片上含水化合物脱水；进行750以上的脱水。脱水烘焙脱水烘焙以光刻胶在SiO2表面的附着情况为例，由于SiO2的表面是亲 在涂胶之前，还应在Si片表面上涂上一层化合物，其目的也是为了增强光刻胶与硅片之间的附着力。目前应用比较多的是六甲基乙硅氮烷六甲基乙硅氮烷(简称HMDS)。在实际应用中，HMDS的涂布都是以气相的方式进行的，HMDS以气态的形式输入到放有硅片的容器中，然后在硅片的表面完成涂布。还可以将脱水烘焙与HMDS的气相涂布结合起来进行。硅片首先在容器里经过100-200的脱水烘焙，然后直接进行气相涂布。由于避免了与大气的接触，硅片吸附水分子的机会将会降低，涂布HMDS的效果将会更加理想。涂布涂布HMDS 在涂胶之前，还应在Si片表面上涂上一层化合物，其目的涂胶工艺一般包括三个步骤：将光刻胶溶液喷洒到硅片表面上；加速旋转托盘(硅片)，直至达到需要的旋转速度；达到所需的旋转速度后，保持一定时间的旋转。涂 胶 把硅片放在一个平整的金属托盘上，有小孔与真空管相连，硅片就被吸在托盘上，硅片与托盘一起旋转。0 2000r/min3000 7000r/min40s 1min涂胶工艺一般包括三个步骤：涂 胶 把硅片放在一个平整v 光刻胶的膜厚与光刻胶本身的黏性有关v 对于同样的光刻胶，光刻胶的膜厚由旋转速度决定，转动速度越快，光刻胶层的厚度越薄，光刻胶的均匀性也越好。涂胶的过程应始终在超净环境中进行。同时喷洒的光刻胶溶液中不能含有空气，因为气泡的作用与微粒相似，都会在光刻工艺中引起缺陷。光刻胶的膜厚 光刻胶的膜厚与光刻胶本身的黏性有关光刻胶的膜厚涂胶：采用旋转涂胶工艺涂胶：采用旋转涂胶工艺前前 烘烘 在液态的光刻胶中，溶剂的成份占65-85，经过甩胶之后，虽然液态的光刻胶已经成为固态的薄膜，但仍含有10-30的溶剂，涂胶以后的硅片，需要在一定的温度下进行烘烤，使溶剂从光刻胶内挥发出来，这一步骤称为前烘。(前烘后光刻胶中溶剂含量降至到5左右)在前烘过程中，由于溶剂的挥发，光刻胶的厚度也会减薄，一般减小的幅度为10-20左右。前 烘 在液态的光刻胶中，溶剂的成份占65-85v降低灰尘的玷污；v减轻因高速旋转形成的薄膜应力，从而提高光刻胶的附着性。v光刻胶的显影速度受光刻胶中溶剂含量的影响。如果光刻胶没有经过前烘处理，对于正胶来说，非曝光区的光刻胶由于溶剂的含量比较高，在显影液中也会溶解变簿，从而使光刻胶的保护能力下降。前烘的作用前烘的作用降低灰尘的玷污；前烘的作用前烘的温度和时间需要严格地控制。前烘的温度和时间需要严格地控制。前烘的温度太低或时间太短v 光刻胶层与硅片表面的黏附性变差；v 由于光刻胶中溶剂的含量过高，曝光的精确度也会变差；v 太高的溶剂浓度使显影液对曝光区和非曝光区光刻胶的选择性下降，导致图形转移效果不好。前烘温度太高v 光刻胶层的黏附性也会因为光刻胶变脆而降低；v 过高的烘焙温度会使光刻胶中的感光剂发生反应，使光刻胶在曝光时的敏感度变差。前烘的温度和时间前烘的温度和时间1030 min，90100 C前烘的温度和时间需要严格地控制。前烘的温度和时间1030 前烘通常采用干燥循环热风、红外线辐射以及热平板传导等热处理方式。在ULSI工艺中，常用的前烘方法是真空热平板烘烤。真空热平板烘烤可以方便地控制温度，同时还可以保证均匀加热。在热平板烘烤中，热量由硅片的背面传入，因此光刻胶内部的溶剂将向表面移动而离开光刻胶。如果处于光刻胶表面的溶剂的挥发速度比光刻胶内部溶剂的挥发速度快，当表面的光刻胶已经固化时，再继续进行烘焙，光刻胶表面将会变得粗糙，使用平板烘烤就可以解决这个问题。前烘的加热方式前烘的加热方式 前烘通常采用干燥循环热风、红外线辐射以及热平板传导等34曝曝 光光v曝光是使光刻掩模版与涂上光刻胶的衬底对曝光是使光刻掩模版与涂上光刻胶的衬底对准，用光源经过光刻掩模版照射衬底，使接准，用光源经过光刻掩模版照射衬底，使接受到光照的光刻胶的光学特性发生变化。受到光照的光刻胶的光学特性发生变化。v曝光中要特别注意曝光光源的选择和对准。曝光中要特别注意曝光光源的选择和对准。34曝 光曝光是使光刻掩模版与涂上光刻胶的衬底对准，用光源经35简单的光学系统曝光图简单的光学系统曝光图 35简单的光学系统曝光图 显显 影影 显影后所留下的光刻胶图形将在后续的刻蚀和离子注入工艺中做为掩膜，因此显影也是一步重要工艺。严格地说，在显影时曝光区与非曝光区的光刻胶都有不同程度的溶解。曝光区与非曝光区的光刻胶的溶解速度反差越大，显影后得到的图形对比度越高。影响显影效果的主要因素包括：曝光时间；前烘的温度和时间；光刻胶的膜厚；显影液的浓度；显影液的温度；显影液的搅动情况等。以正胶为例，在显影过程中，曝光区的光刻胶在显影液中溶解，非曝光区的光刻胶则不会溶解。曝光后在光刻胶层中形成的潜在图形，显影后便显现出来，这一步骤称为显影。显 影 显影后所留下的光刻胶图形将在后续的刻蚀和离子显影的方式有许多种，目前广泛使用的是喷洒方法。可分为三个阶段：硅片被置于旋转台上，并且在硅片表面上喷洒显影液；然后硅片将在静止的状态下进行显影；显影完成之后，需要经过漂洗，之后再烘干。喷洒方法的优点在于它可以满足工艺流水线的要求。显影之后，一般要通过光学显微镜、扫描电镜(SEM)或者激光系统来检查图形的尺寸是否满足要求。如果不能满足要求，可以返工。因为经过显影之后只是在光刻胶上形成了图形，只需去掉光刻胶就可以重新进行上述各步工艺。显影方式与检测显影的方式有许多种，目前广泛使用的是喷洒方法。显影之38坚坚 膜膜v坚膜也叫后烘，坚膜也叫后烘，主要作用是除去光刻胶中剩余的溶剂，增强光刻胶对硅片表面的附着力，同时提高光刻胶在刻蚀和离子注入过程中的抗蚀性和保护能力。v坚膜温度要高于前烘和曝光后烘烤温度，较高的坚膜温坚膜温度要高于前烘和曝光后烘烤温度，较高的坚膜温度可使坚膜后光刻胶中的溶剂含量更少，但增加了去胶度可使坚膜后光刻胶中的溶剂含量更少，但增加了去胶时的困难。且光刻胶内部拉伸应力的增加会使光刻胶的时的困难。且光刻胶内部拉伸应力的增加会使光刻胶的附着性下降，因此必须适当的控制坚膜温度附着性下降，因此必须适当的控制坚膜温度。1030 min，100140 C38坚 膜坚膜也叫后烘，主要作用是除去光刻胶中剩余的溶剂，增v坚膜的温度和时间要合适。v若温度太低，时间过短，抗蚀剂胶膜没有烘透，胶膜就不坚固，腐蚀时易脱胶；v若温度过高，时间过长，则抗蚀剂胶膜因热膨胀而翘曲和剥落，腐蚀时也容易产生钻蚀或脱胶，还可能引起聚合物分解，产生低分子化合物，影响粘附性能，削弱抗蚀能力。v此外，坚膜时最好采用缓慢升温和自然冷却缓慢升温和自然冷却降温的方式，以及从背面烘烤的办法。坚膜的温度和时间要合适。腐腐 蚀蚀v腐蚀就是用适当的腐蚀剂，对未被胶膜覆盖的二氧化硅或其他性质的薄膜进行腐蚀，按照光刻胶膜上已经显示出来的图形，进行完整、清晰、准确的腐蚀，达到选择性扩散或金属布线的目的。它是影响光刻精度的重要环节。v对腐蚀剂的要求有：v(1)只对需要腐蚀的物质进行腐蚀。v(2)对抗蚀剂胶膜不腐蚀或腐蚀很小。v(3)腐蚀因子要大于一定的数值。腐蚀因子定义为：当腐蚀线条时，腐蚀的深度与一边的横向增加量的比值。它的值大则表明横向腐蚀速度小，腐蚀效果好，常用来衡量腐蚀的质量。v(4)腐蚀液毒性小，使用方便，腐蚀图形边缘整齐、清晰。腐 蚀腐蚀就是用适当的腐蚀剂，对未被胶膜覆盖的二氧化硅或其去去 胶胶v去胶是常规光刻工艺的最后一道工序，简单地讲，是使用特定的方法将经过腐蚀之后还留在表面的胶膜去除掉。v在集成电路工艺中，去胶的方法包括湿法去胶和干法去胶，在湿法去胶中又分为有机溶液去胶和无机溶液去胶。v有机溶液去胶主要是使光刻胶溶于有机溶液中（丙酮和芳香族的有机溶剂），从而达到去胶的目的。v无机溶液去胶的原理是使用一些无机溶液(如H2SO4和H2O2等)，将光刻胶中的碳元素氧化成为二氧化碳，把光刻胶从硅片的表面上除去。v98%H2SO4+H2O2+胶胶CO+CO2+H2OvO2+胶胶 CO+CO2+H2Ov干法去胶则是用等离子体将光刻胶剥除。干法去胶则是用等离子体将光刻胶剥除。光刻胶通过在氧等离子体中发生化学反应，生成气态的CO，CO2和H2O由真空系统抽走。v相对于湿法去胶，干法去胶的效果更好，但是干法去胶存在反应残留物的玷污问题，因此干法去胶与湿法去胶经常搭配进行。去 胶去胶是常规光刻工艺的最后一道工序，简单地讲，是使用特第四单元第四单元 光刻技术光刻技术42最终检验最终检验 v在基本的光刻工艺过程中，最终步骤是在基本的光刻工艺过程中，最终步骤是检验。衬底在入射白光或紫外光下首先检验。衬底在入射白光或紫外光下首先接受表面目检，以检查污点和大的微粒接受表面目检，以检查污点和大的微粒污染。之后是显微镜检验或自动检验来污染。之后是显微镜检验或自动检验来检验缺陷和图案变形。检验缺陷和图案变形。第四单元 光刻技术42最终检验 在基本的光刻工艺过程中，最终在光刻的过程中通常包括三个主要步骤：曝光、显影、刻蚀在光刻的过程中通常包括三个主要步骤：曝光、显影、刻蚀(或淀积或淀积)。在光刻的过程中通常包括三个主要步骤：曝光、显影、刻蚀(或淀积443.3 光刻技术中的常见问题光刻技术中的常见问题v半导体器件和集成电路的制造对光刻质量有半导体器件和集成电路的制造对光刻质量有如下要求：一是刻蚀的图形完整，尺寸准确，如下要求：一是刻蚀的图形完整，尺寸准确，边缘整齐陡直；二是图形内没有针孔；三是边缘整齐陡直；二是图形内没有针孔；三是图形外没有残留的被腐蚀物质。同时要求图图形外没有残留的被腐蚀物质。同时要求图形套刻准确，无污染等等。但在光刻过程中，形套刻准确，无污染等等。但在光刻过程中，常出现浮胶、毛刺、钻蚀、针孔和小岛等缺常出现浮胶、毛刺、钻蚀、针孔和小岛等缺陷。陷。443.3 光刻技术中的常见问题半导体器件和集成电路的制造对v浮胶就是在显影和腐蚀过程中，由于化学试剂不断浮胶就是在显影和腐蚀过程中，由于化学试剂不断侵入光刻胶膜与侵入光刻胶膜与SiO2或其它薄膜间的或其它薄膜间的界面界面，所引起，所引起的光刻胶图形的光刻胶图形胶膜皱起或剥落胶膜皱起或剥落的现象。的现象。v腐蚀时，如果腐蚀液渗透光刻胶膜的腐蚀时，如果腐蚀液渗透光刻胶膜的边缘边缘，会使图，会使图形边缘受到腐蚀，从而破坏掩蔽扩散的氧化层或铝形边缘受到腐蚀，从而破坏掩蔽扩散的氧化层或铝条的条的完整性完整性。若渗透腐蚀较轻，图形边缘出现针状。若渗透腐蚀较轻，图形边缘出现针状的局部破坏，习惯上就称为的局部破坏，习惯上就称为毛刺毛刺；若腐蚀严重，图；若腐蚀严重，图形边缘出现形边缘出现“锯齿状锯齿状”或或“绣花球绣花球”样的破坏，就样的破坏，就称它为称它为钻蚀钻蚀。当。当SiO2等掩蔽膜窗口存在毛刺和钻蚀等掩蔽膜窗口存在毛刺和钻蚀时，扩散后结面就很不平整，影响结特性，甚至造时，扩散后结面就很不平整，影响结特性，甚至造成短路。同时，光刻的分辨率和器件的稳定性、可成短路。同时，光刻的分辨率和器件的稳定性、可靠性也会变坏。靠性也会变坏。浮胶就是在显影和腐蚀过程中，由于化学试剂不断侵入光刻胶膜与Sv在氧化层上，除了需要刻蚀的窗口外，在其它区域在氧化层上，除了需要刻蚀的窗口外，在其它区域也可能产生大小一般在也可能产生大小一般在13微米的细小孔洞。这些微米的细小孔洞。这些孔洞，在光刻工艺中称为孔洞，在光刻工艺中称为针孔针孔。针孔的存在，将使氧化层不能有效地起到掩蔽的针孔的存在，将使氧化层不能有效地起到掩蔽的作用。在器件生产中，尤其在集成电路和大功率器作用。在器件生产中，尤其在集成电路和大功率器件生产中，针孔是影响成品率的主要因素之一。件生产中，针孔是影响成品率的主要因素之一。v小岛小岛，是指在应该将氧化层刻蚀干净的扩散窗口内，是指在应该将氧化层刻蚀干净的扩散窗口内，还留有没有刻蚀干净的氧化层局部区域，它的还留有没有刻蚀干净的氧化层局部区域，它的形状形状不规则不规则，很象，很象“岛屿岛屿”，尺寸一般比针孔大些，习，尺寸一般比针孔大些，习惯上称这些氧化层惯上称这些氧化层“岛屿岛屿”为小岛。为小岛。小岛的存在，使扩散区域的某些局部点，因杂质小岛的存在，使扩散区域的某些局部点，因杂质扩散受到阻碍而形成异常区。它使器件击穿特性变扩散受到阻碍而形成异常区。它使器件击穿特性变坏，漏电流增大，甚至极间穿通。坏，漏电流增大，甚至极间穿通。在氧化层上，除了需要刻蚀的窗口外，在其它区域也可能产生大小一v光刻三要素：光刻胶、掩膜版和光刻机v一、光刻胶光刻胶又叫光致抗蚀剂，它是由光敏化合物、基体树脂和有机溶剂等混合而成的胶状液体光刻胶受到特定波长光线的作用后，导致其化学结构发生变化，使光刻胶在某种特定显影溶液中的溶解特性改变3.4 光刻胶与掩膜版光刻胶与掩膜版光刻三要素：光刻胶、掩膜版和光刻机3.4 光刻胶与掩膜版显影液硅片光刻胶二氧化硅膜曝光后的光刻胶显影液硅片光刻胶二氧化硅膜曝光后第四单元第四单元 光刻技术光刻技术49v按曝光区在显影中被去除或保留来划分：按曝光区在显影中被去除或保留来划分：正（性）胶正（性）胶 负（性）胶负（性）胶v按其用途划分：按其用途划分：光学光刻胶光学光刻胶电子抗蚀剂电子抗蚀剂X-射线抗蚀剂射线抗蚀剂分类分类曝光前不可溶曝光前不可溶,曝光后可溶曝光后可溶曝光前可溶曝光前可溶,曝光后不可溶曝光后不可溶第四单元 光刻技术49按曝光区在显影中被去除或保留来划分：分第四单元第四单元 光刻技术光刻技术50光刻胶的特征量光刻胶的特征量v响应波长响应波长v灵敏度，又称光敏度，指最小灵敏度，又称光敏度，指最小曝光剂量曝光剂量E0 v抗蚀性，抗蚀性，指耐酸、碱能力指耐酸、碱能力v粘滞性，指粘滞性，指流动特性的定量指标流动特性的定量指标 v粘附性粘附性，指与硅、二氧化硅表面结合力的大小，指与硅、二氧化硅表面结合力的大小 v光刻胶的膨胀光刻胶的膨胀 v微粒数量和金属含量微粒数量和金属含量 v储存寿命储存寿命 第四单元 光刻技术50光刻胶的特征量响应波长51光学光刻胶光学光刻胶正胶和负胶进行图形转移示意图 51光学光刻胶正胶和负胶进行图形转移示意图 521、正胶、正胶v当前常用正胶为当前常用正胶为DQN，组成为光敏剂，组成为光敏剂 重氮醌重氮醌(DQ)，碱溶性的，碱溶性的酚醛树脂酚醛树脂(N)，和溶剂二甲苯等。，和溶剂二甲苯等。响应波长响应波长330-430nm 胶膜厚胶膜厚1-3m，显影液是，显影液是氢氧化钠等碱性物质。氢氧化钠等碱性物质。正胶正胶IC主导主导521、正胶当前常用正胶为DQN，组成为光敏剂 重氮醌(DQ53DQN显影原理显影原理v曝光的重氮曝光的重氮醌退化，易醌退化，易溶于显影液，溶于显影液，未曝光的重未曝光的重氮醌和树脂氮醌和树脂构成的胶膜构成的胶膜难溶于碱性难溶于碱性显影液。显影液。光刻胶曝光、水解和显影过程中的化学反应方程53DQN显影原理曝光的重氮醌退化，易溶于显影液，未曝光的重542、负胶、负胶v负胶多由长链高分子有机物组成。如由顺聚异戊二负胶多由长链高分子有机物组成。如由顺聚异戊二烯和对辐照敏感的交联剂，以及溶剂组成得负胶，烯和对辐照敏感的交联剂，以及溶剂组成得负胶，响应波长响应波长330-430nm，胶膜厚度，胶膜厚度0.3-1m，显影液，显影液二甲苯等。二甲苯等。负胶负胶542、负胶负胶多由长链高分子有机物组成。如由顺聚异戊二烯和55顺聚异戊二烯负胶显影原理顺聚异戊二烯负胶显影原理v曝光的顺聚异戊二烯在交联剂作用下交联，曝光的顺聚异戊二烯在交联剂作用下交联，成为体型高分子，并固化，不再溶于有机成为体型高分子，并固化，不再溶于有机溶剂构成的显影液，而未曝光的长链高分溶剂构成的显影液，而未曝光的长链高分子溶于显影液，显影时被去掉。子溶于显影液，显影时被去掉。顺聚异戊二烯顺聚异戊二烯+交联剂交联剂hv固化为体型分子固化为体型分子55顺聚异戊二烯负胶显影原理曝光的顺聚异戊二烯在交联剂作用下563 正、负胶比较正、负胶比较v正胶，显影容易，图形边缘齐，无溶涨现象，光正胶，显影容易，图形边缘齐，无溶涨现象，光刻的分辨率高，去胶也较容易。刻的分辨率高，去胶也较容易。在超大规模集成电路工艺中，一般只采用正胶。v负胶显影后保留区的胶膜是交联高分子，在显影负胶显影后保留区的胶膜是交联高分子，在显影时，吸收显影液而时，吸收显影液而溶涨溶涨，另外，交联反应是局部，另外，交联反应是局部的，边界不齐，所以图形分辨率下降。光刻后硬的，边界不齐，所以图形分辨率下降。光刻后硬化的胶膜也较难去除。但负胶比正胶相抗蚀性强。化的胶膜也较难去除。但负胶比正胶相抗蚀性强。适于加工线宽3m的线条563 正、负胶比较正胶，显影容易，图形边缘齐，无溶涨现象，第四单元第四单元 光刻技术光刻技术57其它光刻胶其它光刻胶1、电子束光刻胶、电子束光刻胶 2、X射线光刻胶射线光刻胶 第四单元 光刻技术57其它光刻胶1、电子束光刻胶 v正胶：曝光前不可溶正胶：曝光前不可溶,曝光后可溶曝光后可溶v负胶：曝光前可溶负胶：曝光前可溶,曝光后不可溶曝光后不可溶正胶：分辨率高，在超大规模集成电路工艺中，一般只采用正胶负胶：分辨率差，适于加工线宽3m的线条正胶：曝光前不可溶,曝光后可溶正胶：分辨率高，在超大规模集成第四单元第四单元 光刻技术光刻技术593.4 光刻掩模版的制造光刻掩模版的制造 掩模版就是将设计好的特定几何图形通过一定掩模版就是将设计好的特定几何图形通过一定的方法以一定的间距和布局做在基版上，供光的方法以一定的间距和布局做在基版上，供光刻工艺中重复使用。制造商将设计工程师交付刻工艺中重复使用。制造商将设计工程师交付的标准制版数据传送给一个称作图形发生器的的标准制版数据传送给一个称作图形发生器的设备，图形发生器会根据该数据完成图形的产设备，图形发生器会根据该数据完成图形的产生和重复，并将版图数据分层转移到各层光刻生和重复，并将版图数据分层转移到各层光刻掩模版（为涂有感光材料的优质玻璃板）上，掩模版（为涂有感光材料的优质玻璃板）上，这就是制版。这就是制版。第四单元 光刻技术593.4 光刻掩模版的制造 掩模版就60光刻版光刻版60光刻版61(A)电路图；电路图；(B)版图版图(A)(B)61(A)电路图；(B)版图(A)(B)掩模版的制备流程掩模版的制备流程v(1)空白版的制备v(2)数据转换 v(3)刻画 v(4)形成图形 v(5)检测与修补 v(6)老化与终检 掩模版的制备流程掩膜版上的图形掩膜版上的图形 v主线路单元v独立测试单元v测试器件单元v工艺检测单元v标准定位单元v其他单元 掩膜版上的图形 主线路单元64掩模板的基本构造及质量要求掩模板的基本构造及质量要求掩模版的基本构造 64掩模板的基本构造及质量要求掩模版的基本构造 掩膜版质量的要求掩膜版质量的要求v(1)玻璃衬底的选择 v用于掩膜版制备的玻璃衬底需满足以下几个条件。v热膨胀系数(CTE)要求越小越好，对于白玻璃，要求要求越小越好，对于白玻璃，要求9.310-6K-1；对于硼硅玻璃，；对于硼硅玻璃，要求要求4.510-6K-1；对于石英玻璃，要求；对于石英玻璃，要求0.510-6K-1。v透射率 在在360nm以上的波长范围内，透射率在以上的波长范围内，透射率在90%以上。以上。v化学稳定性 掩模版在使用和储存过程中，很难绝对避免与酸、碱、水和其它掩模版在使用和储存过程中，很难绝对避免与酸、碱、水和其它气氛接触。它们对玻璃都有不同程度的溶解力。气氛接触。它们对玻璃都有不同程度的溶解力。v选择方法 要求玻璃衬底表面平整、光滑、无划痕、厚度均匀，与遮光膜的要求玻璃衬底表面平整、光滑、无划痕、厚度均匀，与遮光膜的粘附性好。粘附性好。掩膜版质量的要求(1)玻璃衬底的选择(2)掩膜版的质量要求 v每个微小图形的图像质量要高，图形尺寸要准确，尽可能接近设计尺寸的要求，间距符合要求，而且图形不能发生畸变。v各块掩膜版间要能够精确地套准，对准误差尽可能小。(2)掩膜版的质量要求 每个微小图形的图像质量要高，图形尺v图形边缘清晰，过渡小，无毛刺。透光区与遮光区的反差要大(即光密度差要大)，也就是说透光区要能很好地透光并且对光的吸收要小，遮光区要能够很好地阻挡各类光线的通过(包括非曝光光源发射的光)。v掩膜版的表面光洁度要达到一定的要求，无划痕、针孔、小岛等缺陷，掩膜版还要坚固耐磨、不易变形。图形边缘清晰，过渡小，无毛刺。透光区与遮光区的反差要大(即68彩色版制备技术彩色版制备技术 彩色版是一种采用新型的透明或半透明掩模，因有颜色，彩色版是一种采用新型的透明或半透明掩模，因有颜色，即俗称彩色版，它可克服超微粒干版缺陷多，耐磨性差及即俗称彩色版，它可克服超微粒干版缺陷多，耐磨性差及铬版针孔多、易反光、不易对准等缺点。铬版针孔多、易反光、不易对准等缺点。彩色版种类很多，有氧化铁版、硅版、氧化铬版、氧化彩色版种类很多，有氧化铁版、硅版、氧化铬版、氧化亚铜版等，目前应用较广的是氧化铁彩色版。亚铜版等，目前应用较广的是氧化铁彩色版。氧化铁具备作为选择透明掩模材料的所有要求的最佳的氧化铁具备作为选择透明掩模材料的所有要求的最佳的化学和物理特性。据报道，在紫外区（化学和物理特性。据报道，在紫外区（300400nm）的透的透射率小于射率小于1%，在可见光区（，在可见光区（400800nm）透射率大于透射率大于30%。68彩色版制备技术 彩色版是一种采用新型的透明或半v氧化铁版在使用上还有以下优点：氧化铁版在使用上还有以下优点：v 在观察光源波长下是透明的，而在曝光光源波长下是在观察光源波长下是透明的，而在曝光光源波长下是不透明的。由于这一特性，掩模对可见光透明而阻挡紫外线不透明的。由于这一特性，掩模对可见光透明而阻挡紫外线通过，因而允许在光刻时通过掩模直接观察片子上的图形。通过，因而允许在光刻时通过掩模直接观察片子上的图形。v 具有较低的反射率，在接触曝光时，由于掩模与片子具有较低的反射率，在接触曝光时，由于掩模与片子之间的多次反射从而降低了铬掩模的有效分辨率，由于氧化之间的多次反射从而降低了铬掩模的有效分辨率，由于氧化铁掩模的反射率低，与正性胶配合能获得铁掩模的反射率低，与正性胶配合能获得0.51m的条宽。的条宽。因此制得的氧化铁掩模版具有较高的分辨率。因此制得的氧化铁掩模版具有较高的分辨率。v 氧化铁版由于是吸收（而不是反射）不需要的光，因氧化铁版由于是吸收（而不是反射）不需要的光，因而克服了光晕效应，加强了对反射性衬底的对比度，有利于而克服了光晕效应，加强了对反射性衬底的对比度，有利于精细线条光刻。精细线条光刻。v 氧化铁结构致密且无定形，针孔少。氧化铁结构致密且无定形，针孔少。v 氧化铁是比较耐磨的掩模材料。氧化铁是比较耐磨的掩模材料。v 复印腐蚀特性比较好，在一定程度上减少了掩模缺陷。复印腐蚀特性比较好，在一定程度上减少了掩模缺陷。氧化铁版在使用上还有以下优点：70其它光刻胶其它光刻胶1、电子束光刻胶、电子束光刻胶 2、X射线光刻胶射线光刻胶 70其它光刻胶1、电子束光刻胶 713.5 光学分辨率增强技术光学分辨率增强技术 光学分辨率增强技术包括移相掩模技术光学分辨率增强技术包括移相掩模技术（phase shift mask)、离轴照明技术离轴照明技术(off-axis illumination)、光学邻近效应校正技术光学邻近效应校正技术(optical proximity correction)、光瞳滤波技术、光瞳滤波技术（pupil filtering technology）等。713.5 光学分辨率增强技术 光学分辨率72移相掩模技术移相掩模技术 移相掩模的基本原理是在光掩模的某些移相掩模的基本原理是在光掩模的某些透明图形上增加或减少一个透明的介质层，透明图形上增加或减少一个透明的介质层，称移相器，使光波通过这个介质层后产生称移相器，使光波通过这个介质层后产生180的位相差，与邻近透明区域透过的光波的位相差，与邻近透明区域透过的光波产生干涉，抵消图形边缘的光衍射效应，从产生干涉，抵消图形边缘的光衍射效应，从而提高图形曝光分辨率。移相掩模技术被认而提高图形曝光分辨率。移相掩模技术被认为是最有希望拓展光学光刻分辨率的技术之为是最有希望拓展光学光刻分辨率的技术之一。一。72移相掩模技术 移相掩模的基本原理是在光掩模的73移相掩模技术移相掩模技术 通通过移相移相层后光波与正常光波后光波与正常光波产生的相位差可用生的相位差可用下式表达：下式表达：式中式中 d移相器厚度；移相器厚度；n移相器介移相器介质的折射率；的折射率；光波波光波波长。73移相掩模技术 通过移相层后光波与正常光波产生的相74移相掩模技术移相掩模技术附加材料造成附加材料造成光学路迳差异，光学路迳差异，达到反相达到反相74移相掩模技术附加材料造成75离轴照明技术离轴照明技术 离轴照明技术是指在投影光刻机中所有照明掩模的离轴照明技术是指在投影光刻机中所有照明掩模的光线都与主光轴方向有一定夹角，照明光经过掩模衍光线都与主光轴方向有一定夹角，照明光经过掩模衍射后，通过投影光刻物镜成像时，仍无光线沿主光轴射后，通过投影光刻物镜成像时，仍无光线沿主光轴方向传播。是被认为最有希望拓展光学光刻分辨率的方向传播。是被认为最有希望拓展光学光刻分辨率的一种技术之一。它能大幅提高投影光学光刻系统的分一种技术之一。它能大幅提高投影光学光刻系统的分辨率和增大焦深。辨率和增大焦深。离轴照明的种类有：二极照明、四极照明、环形照离轴照明的种类有：二极照明、四极照明、环形照明等。明等。75离轴照明技术 离轴照明技术是指在投影光刻机中所有照76离轴照明技术离轴照明技术 可以减小对分辨率的限制、增加成像的焦深且提高了可以减小对分辨率的限制、增加成像的焦深且提高了MTF76离轴照明技术 可以减小对分辨率的限制、增加成像的焦深且提77离轴照明技术离轴照明技术 部分相干照明部分相干照明()时，传统光刻截止分辨率光刻截止分辨率为R R传统/2NA(1+)。离。离轴照明照明时，所照明光都与，所照明光都与主光主光轴有一定的有一定的夹角，光角，光经过掩模衍射，由投影掩模衍射，由投影透透镜成像成像时，系，系统截止截止频率率为式中，式中，为照明照明倾斜角。斜角。显然离然离轴照明技照明技术有利：有利：提高分辨率提高分辨率。77离轴照明技术 部分相干照明()时，传统光刻截止78离轴照明技术离轴照明技术OAI的原理的原理例如：当例如：当 1NA（1S）时，）时，R可以可以提高提高1倍！倍！78离轴照明技术OAI的原理例如：当1NA（1S）时79离轴照明技术离轴照明技术实现方式：环形照明实现方式：环形照明 四极照明四极照明 两极照明两极照明 在投影曝光系统中，掩模图形的空间像的对比度在投影曝光系统中，掩模图形的空间像的对比度（MTF）依赖于投影物镜中参与成像的）依赖于投影物镜中参与成像的1级以上衍射级以上衍射光的比例。由于收集了较多高频信号，离轴照明技术光的比例。由于收集了较多高频信号，离轴照明技术通过降低成像光束中的低频成分来提高高频成分在总通过降低成像光束中的低频成分来提高高频成分在总光强中的比例，从而提高了空间像的对比度。光强中的比例，从而提高了空间像的对比度。79离轴照明技术实现方式：环形照明 80光学邻近效应校正技术光学邻近效应校正技术 光学邻近效应是指在光刻过程中，由于掩模上相邻微细图形的衍射光相互干涉而造成像面光强分布发生改变，使曝光得到的图形偏离掩模设计所要求的尺寸和形状。这些畸变将对集成电路的电学性质产生较大的影响。光刻图形的特征尺寸越接近于投影光学光刻系统的极限分辨率时，邻近效应就越明显。光学邻近效应校正的种类有：线条偏置法、形状调整法、加衬线法、微型灰度法。80光学邻近效应校正技术 光学邻近效应是指在光刻过程81光学邻近效应校正技术光学邻近效应校正技术 OPC实例 81光学邻近效应校正技术 OPC实例 82光瞳滤波技术光瞳滤波技术 光瞳滤波技术就是利用滤波器适当调整投影光学光瞳滤波技术就是利用滤波器适当调整投影光学光刻成像系统的光瞳处掩模频谱的零级光与高频光光刻成像系统的光瞳处掩模频谱的零级光与高频光的振幅或相位的关系，使高频光部分尽量多的通过，的振幅或相位的关系，使高频光部分尽量多的通过，减少低频光的通过，从而提高光刻图形成像对比度，减少低频光的通过，从而提高光刻图形成像对比度，达到提高光刻分辨率和增大焦深的目的。达到提高光刻分辨率和增大焦深的目的。光瞳滤波的种类有：振幅滤波、相位滤波和复合光瞳滤波的种类有：振幅滤波、相位滤波和复合滤波。滤波。82光瞳滤波技术 光瞳滤波技术就是利用滤波器适当调整83光瞳滤波技术光瞳滤波技术 光瞳滤波技术需要解决的问题：光瞳滤波技术需要解决的问题：不同的掩模图形对应不同的最优滤波器，这要求不同的掩模图形对应不同的最优滤波器，这要求滤波器在光瞳面上易于取放；滤波器在光瞳面上易于取放；滤波器在光瞳面内与掩模频谱的精确对准问题；滤波器在光瞳面内与掩模频谱的精确对准问题；滤波器对强紫外光长时间的吸收和反射引起的热滤波器对强紫外光长时间的吸收和反射引起的热量问题；量问题；滤波器的材料和移相器的制造还需作大量研究。滤波器的材料和移相器的制造还需作大量研究。83光瞳滤波技术 光瞳滤波技术需要解决的问题：843.6 紫外光曝光技术紫外光曝光技术光学相关波长范围参考图843.6 紫外光曝光技术光学相关波长范围参考图85紫外光曝光技术紫外光曝光技术v光源：主要是光源：主要是UV，DUV水银弧光灯：水银弧光灯：i线线365nm；h线线405nm；g线线436nm氙汞灯：氙汞灯：200-300nm准分子激光：准分子激光：KrF248nm；0.35-0.18 m工艺，工艺，ArF193nm，可用于，可用于0.13m的的CMOS工工艺艺85紫外光曝光技术光源：主要是UV，DUV86紫外光曝光技术紫外光曝光技术1:1曝光系统曝光系统4或或5倍缩小曝光系统倍缩小曝光系统接触式接触式接近式接近式投影式（步进）投影式（步进）86紫外光曝光技术1:1曝光系统4或5倍缩小曝光系统接触式接87接近式曝光接近式曝光S 5 m87接近式曝光S 5 m88s5m，=400nm，a 2m，R=250/mm。只能用于只能用于3m工工艺接近式曝光接近式曝光88s5m，=400nm，接近式曝光89投影式曝光投影式曝光数值孔数值孔径径两像点能分两像点能分辨最小间隔辨最小间隔NA在在0.2-0.45之间，取之间，取0.4=400nm,y=0.61m89投影式曝光数值孔径两像点能分辨最小间隔NA在0.2-0.90其它曝光技术其它曝光技术其它曝光技术的主要有：其它曝光技术的主要有：电子束光刻电子束光刻 X-射线光刻射线光刻 离子束光刻离子束光刻 新技术展望新技术展望 90其它曝光技术其它曝光技术的主要有：91电子束光刻电子束光刻v电子束光刻是采用电子束光刻机进行的光刻，电子束光刻是采用电子束光刻机进行的光刻，有两种方式：一是在一台设备中既发生图形又有两种方式：一是在一台设备中既发生图形又进行光刻，就是进行光刻，就是直写光刻直写光刻（不用光刻板的光刻）（不用光刻板的光刻）；另一种是两个系统，制版和光刻分别进行。；另一种是两个系统，制版和光刻分别进行。v电子束光刻已应用于制造高精度掩模版、移相电子束光刻已应用于制造高精度掩模版、移相掩膜版和掩膜版和x射线掩模版。射线掩模版。91电子束光刻电子束光刻是采用电子束光刻机进行的光刻，有两种92电子束光刻电子束光刻v电子抗蚀剂对电子抗蚀剂对10-30kV的电子束灵敏，有的电子束灵敏，有正正性抗蚀剂性抗蚀剂，负性抗蚀剂负性抗蚀剂。常用的正性抗蚀剂。常用的正性抗蚀剂有有PMMA（聚甲基丙烯酸甲酯）胶，分辨率（聚甲基丙烯酸甲酯）胶，分辨率可达可达10nm。EBR-9（丙烯酸盐基类），灵敏（丙烯酸盐基类），灵敏度比度比PMMA高高10倍，最小分辨率只有倍，最小分辨率只有0.2m。92电子束光刻电子抗蚀剂对10-30kV的电子束灵敏，有正性93电子束光刻电子束光刻v电子束的散射有前向散射和背散射，背散射角大，是造成电子束的散射有前向散射和背散射，背散射角大，是造成邻近效应的主要原因邻近效应的主要原因93电子束光刻电子束的散射有前向散射和背散射，背散射角大，是94X射线光刻射线光刻v以高强度的电子束轰击金属靶材，使其以高强度的电子束轰击金属靶材，使其发射发射X射线，射线，X射线作为曝光光源，射线作为曝光光源，在在 0.2-4nm。v掩膜版：为了掩膜版：为了X-射线能够透过，掩膜版射线能够透过，掩膜版很薄，对很薄，对X射线透明的射线透明的Si、SiN、BN和聚和聚酯薄膜为基片在上面淀积金薄膜，以此酯薄膜为基片在上面淀积金薄膜，以此作为空白版，金膜能吸收作为空白版，金膜能吸收X射线，以电射线，以电子束制版方法制备掩膜版版。子束制版方法制备掩膜版版。94X射线光刻以高强度的电子束轰击金属靶材，使其发射X射线，95X射线光刻射线光刻影响分影响分辨率的辨率的不是衍不是衍射，而射，而是是半阴半阴影影和和几几何畸变何畸变95X射线光刻影响分辨率的不是衍射，而是半阴影和几何畸变96X射线光刻射线光刻v在电子抗蚀剂中加入铯、铊等，能增加抗蚀剂对在电子抗蚀剂中加入铯、铊等，能增加抗蚀剂对X-射线的吸收能力，可以使之作为射线的吸收能力，可以使之作为X-射线抗蚀剂。射线抗蚀剂。如如PMMA。96X射线光刻在电子抗蚀剂中加入铯、铊等，能增加抗蚀剂对X-97X射线光刻射线光刻v 同步辐射同步辐射x射线射线源，是利用高源，是利用高能电子束在磁能电子束在磁场中沿曲线轨场中沿曲线轨道运动时发出道运动时发出的。的。v同步辐射方向同步辐射方向性强，准直性性强，准直性好，可以近似好，可以近似看作平行光源。看作平行光源。光源的线度尺光源的线度尺寸约为寸约为1mm，所以半阴影效所以半阴影效应和几何畸变应和几何畸变可以忽略。可以忽略。同步辐射同步辐射x射线光学系统射线光学系统97X射线光刻 同步辐射x射线源，是利用高能电子束在磁场中沿98离子束光刻离子束光刻 离离子子束束注注入入，是是利利用用元元素素离离子子本本身身所所具具有有的的化化学学性性质质-掺掺杂杂效效应应，通通过过将将高高能能杂杂质质离离子子注注入入到到半半导导体体晶晶体体表表面面，以以改改变变晶晶体体表表面面的的化化学学性性质质和和物物理理性性质质；另另一一方方面面则则可可以以利利用用离离子子本本身身具具有有的的能能量量来来实实现现各各种种工工艺艺目目的的。按按照照离离子子能能量量的的不不同同，工工艺艺目目的的也也不不同同，如如离离子子能能量量在在10keV以以下下时时，离离子子束束常常被被用用来来作作为为离离子子束束刻刻蚀蚀和和离离子子束束外外延延；当当能能量量在在几几十十至至70keV时时，则被用作离子束曝光。则被用作离子束曝光。98离子束光刻 离子束注入，是利用元素离子本身所具有99离子束光刻离子束光刻聚焦离子束系统截面示意图99离子束光刻聚焦离子束系统截面示意图100新技术展望新技术展望 1、浸入式光刻技术、浸入式光刻技术45,32,22 nmTechnology nodes譬如用水替代空气譬如用水替代空气全氟聚全氟聚烷基基醚油油100新技术展望 1、浸入式光刻技术45,32,22 n1012、纳米压印光刻、纳米压印光刻现有的主流纳米压印光刻1012、纳米压印光刻现有的主流纳米压印光刻102新技术展望新技术展望 3、极紫外光刻（、极紫外光刻（EUV）极紫外光刻原理图 102新技术展望 3、极紫外光刻（EUV）极紫外光刻原理图103新技术展望新技术展望 4、无掩模光刻、无掩模光刻(ML2)光学无掩模光刻示意图 带电粒子无掩模光刻示意图 103新技术展望 4、无掩模光刻(ML2)光学无掩模光刻示意104新技术展望新技术展望 4、无掩模光刻、无掩模光刻(ML2)光学无掩模光刻示意图 带电粒子无掩模光刻示意图 104新技术展望 4、无掩模光刻(ML2)光学无掩模光刻示意1053.7 光刻设备光刻设备 从平面工艺诞生以来，光刻设备可以分为五代。从平面工艺诞生以来，光刻设备可以分为五代。每一代又以那个时期获得每一代又以那个时期获得CD和分辨率所需的设备和分辨率所需的设备类型为代表。这五个精细光刻时代的代表是：类型为代表。这五个精细光刻时代的代表是：接触式光刻机；接触式光刻机；接近式光刻机；接近式光刻机；扫描投影光刻机；扫描投影光刻机；分步重复投影光刻机；分步重复投影光刻机；步进扫描光刻机。步进扫描光刻机。1053.7 光刻设备 从平面工艺诞生以来，光刻设备106接触式光刻机接触式光刻机 接触式光刻机系统106接触式光刻机 接触式光刻机系统107接近式光刻机接近式光刻机接近式光刻机上的边缘衍射和表面反射 107接近式光刻机接近式光刻机上的边缘衍射和表面反射 108扫描投影光刻机扫描投影光刻机 扫描投影光刻机108扫描投影光刻机 扫描投影光刻机109分步重复投影光刻机分步重复投影光刻机步进光刻机的曝光场 109分步重复投影光刻机步进光刻机的曝光场 110步进扫描投影光刻机步进扫描光刻机的曝光场110步进扫描投影光刻机步进扫描光刻机的曝光场第四单元第四单元 光刻技术光刻技术111光刻设备的发展趋势光刻设备的发展趋势 1、光刻设备加工硅片大尺寸化、单、光刻设备加工硅片大尺寸化、单片化、高精度化和全自动化片化、高精度化和全自动化 2、设备制造商垄断化、设备制造商垄断化 3、设备高价格化、设备高价格化 4、设备研制联合化、设备研制联合化第四单元 光刻技术111光刻设备的发展趋势 1、1123.8 刻蚀技术刻蚀技术3.8.1概述概述 3.8.2 湿法刻蚀湿法刻蚀3.8.3 干法刻蚀技术干法刻蚀技术3.8.4 刻蚀技术新进展刻蚀技术新进展1123.8 刻蚀技术3.8.1概述 1133.8.1 概述概述 理想的刻蚀工艺必须具有以下特点：理想的刻蚀工艺必须具有以下特点：各向异性刻蚀，即只有垂直刻蚀，没有横向钻蚀。各向异性刻蚀，即只有垂直刻蚀，没有横向钻蚀。良好的刻蚀选择性，即对作为掩模的抗蚀剂和处于良好的刻蚀选择性，即对作为掩模的抗蚀剂和处