电力电子技术第八章-吸收电路课件

8.1 吸收电路的功能与类型吸收电路的功能与类型 8.2 二极管的吸收电路二极管的吸收电路 8.3 晶闸管吸收电路晶闸管吸收电路 8.4 功率晶体管的吸收电路功率晶体管的吸收电路 8.5 关断吸收电路关断吸收电路 第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路8.6 过电压吸收电路过电压吸收电路 8.7 导通吸收电路导通吸收电路 小结小结8.8 桥路结构的吸收电路桥路结构的吸收电路 8.9 GTO吸收电路的考虑吸收电路的考虑 首首 页页8.1 吸收电路的功能与类型吸收电路的功能与类型 8.2 二极管的吸收电路二极管的吸收电路 下 页返回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路8.1 吸吸收收电电路路的的功功能能与与类类型型1.在器件关断瞬间，限制器件上的电压；在器件关断瞬间，限制器件上的电压；2.在器件导通瞬间，限制流过器件中的电流；在器件导通瞬间，限制流过器件中的电流；3.在器件导通时，通过不同器件组合限制电流上升率；在器件导通时，通过不同器件组合限制电流上升率；电力电子器件的开关过程中，将施加在变流器中电力电力电子器件的开关过程中，将施加在变流器中电力电子器件上的电气威胁降低到器件的额定值以内。电子器件上的电气威胁降低到器件的额定值以内。l吸收电路的功能吸收电路的功能 下下 页返回第八章页返回第八章 吸收电路吸收电路8.1 吸收电路的功能与类型在器件吸收电路的功能与类型在器件下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路4.在在器器件件关关断断期期间间，或或器器件件重重新新施施加加前前向向阻阻断断电电压压时，能够限制电压上升率；时，能够限制电压上升率；5.在在器器件件导导通通和和关关断断时时，能能够够改改变变器器件件在在开开关关期期间间的瞬态电压、电流波形。的瞬态电压、电流波形。吸收电路分类吸收电路分类 无极性串联无极性串联 R-C 吸收电路。吸收电路。有极性的串联有极性的串联R-C吸收电路。吸收电路。有极性的有极性的L-R吸收电路。吸收电路。下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路在器件关断期间，或器件重新吸收电路在器件关断期间，或器件重新下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路l谐振型吸收电路谐振型吸收电路 开关威胁的缓解可以开关威胁的缓解可以由许多经典的电力电由许多经典的电力电子变流电路实现。子变流电路实现。吸收电路是附加在基本变流器上的辅助电路，根吸收电路是附加在基本变流器上的辅助电路，根据应用情况的不同，吸收电路既可以单独使用，也据应用情况的不同，吸收电路既可以单独使用，也可以组合起来使用。可以组合起来使用。减轻电力电子器件在减轻电力电子器件在开关过程中的威胁。开关过程中的威胁。l吸收电路的作用吸收电路的作用 下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路谐振型吸收电路吸收电路谐振型吸收电路 开关威胁的开关威胁的下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路8.2 二二极极管管的的吸吸收收电电路路 UdLs sTiLs sRsIoDfCsiDf-uDf+附加在二极管上的附加在二极管上的吸收电路是为了最吸收电路是为了最大限度的减小过电大限度的减小过电压。压。端，以保护二极管免遭过电压的冲击。端，以保护二极管免遭过电压的冲击。RsCs串联电路通串联电路通常跨接在二极管两常跨接在二极管两下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路吸收电路8.2 二极管的吸收电路二极管的吸收电路 下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路Irr0tIoiDfG 二极管的反向恢复电流假定像图中所示那样逐渐二极管的反向恢复电流假定像图中所示那样逐渐关断，同时假定负载是感性的，在开关过程中，关断，同时假定负载是感性的，在开关过程中，其电流保持恒定值其电流保持恒定值I0不变。不变。下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路吸收电路Irr0tIoiDf 二极二极下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路8.2.1 8.2.1 容性吸收电路容性吸收电路容性吸收电路容性吸收电路 l容性吸收电路容性吸收电路 在在RsCs串联吸收电路中串联吸收电路中令令Rs=0时的吸收电路。时的吸收电路。二极管被强制关断二极管被强制关断阴极阴极阳极阳极UdTiLs sRsIrrCs+uCs-F二极管关断时的二极管关断时的等效电路，假定图等效电路，假定图中的开关为理想开中的开关为理想开关。关。下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路吸收电路8.2.1 容性吸收电路容性吸收电路 下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路f选取二极管在反向恢复电流的峰值时刻关断，并选取二极管在反向恢复电流的峰值时刻关断，并将此时刻在时间轴上定为将此时刻在时间轴上定为t=0，此时的电感的初始，此时的电感的初始电流为电流为Irr，吸收电路中电容上的初始电压假设为零。，吸收电路中电容上的初始电压假设为零。二极管被强制关断二极管被强制关断阴极阴极阳极阳极UdTiLs sRsIrrCs+uCs-下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路选取二极管在反向恢复电流的吸收电路选取二极管在反向恢复电流的下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路UdLs sTiLs sCs+uCs-F图中等效电路图中等效电路Rs=0，此时电，此时电容电压与二极管参考电压方容电压与二极管参考电压方向相反，根据电路原理的基向相反，根据电路原理的基本概念知，此时的电路方程本概念知，此时的电路方程为：为：自然谐振自然谐振角频率角频率下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路吸收电路UdLsTiLsCs+图中图中下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路根据式根据式，式式可以表示为：可以表示为：uCs(t)的最大值为：的最大值为：下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路根据式，吸收电路根据式，式可以表示为：式可以表示为：下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路0tUdiLs s(t)IrruCs(t)uCs.max二极管反向最高电压与采用下式计算得到的最大值二极管反向最高电压与采用下式计算得到的最大值UCs.max一样，当一样，当Cs取较小值时，二极管的最高电压就取较小值时，二极管的最高电压就会变得很大。会变得很大。FCs=Cbase下的电容下的电容电压电压uCs(t)和电感电和电感电流流iLs(t)的波形。的波形。下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路吸收电路0tUdiLs(t)Ir下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路8.2.2 8.2.2 增加吸收电阻的效果增加吸收电阻的效果增加吸收电阻的效果增加吸收电阻的效果 二极管被强制关断二极管被强制关断阴极阴极阳极阳极UdTiLs sRsIrrCs+uCs-f二极管关断时刻为二极管关断时刻为t=0，电感初始电流为，电感初始电流为Irr，电容，电容的初始电压为零。二极管电压的微分方程为：的初始电压为零。二极管电压的微分方程为：下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路吸收电路8.2.2 增加吸收电阻的增加吸收电阻的下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路将边界条件将边界条件和和 代入到代入到得：得：式中，式中，下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路将边界条件和吸收电路将边界条件和 代入到得：式代入到得：式下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路方程方程为最大值时所对应的时间为由为最大值时所对应的时间为由duDf/dt=0求解得到：求解得到：下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路方程为最大值时所对应的时间吸收电路方程为最大值时所对应的时间下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路得二极管最高反向电压为：得二极管最高反向电压为：将将t=tm代入到式代入到式式中，式中，下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路得二极管最高反向电压为：将吸收电路得二极管最高反向电压为：将下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路ttttiLs siDfiCsUduDfuCsRs iCs0G引入电阻引入电阻Rs，谐振的幅值得到有效抑制。二极管，谐振的幅值得到有效抑制。二极管所承受的最高反向电压取决于所承受的最高反向电压取决于Rs和和Cs。当。当Cs确定时，确定时，最高电压随最高电压随Rs变化。变化。下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路吸收电路ttttiLsiDfiCs下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路32.4121021Cs=Cbase保持保持Cs的值不变时，的值不变时，Rs的最优值为：的最优值为：Rs=Ropt=1.3Rbase该值可使二极管最高反向电压有效降低。该值可使二极管最高反向电压有效降低。F当当Cs=Cbase时，时，标准化后的二极标准化后的二极管最高电压随管最高电压随Rs/Rbase比值变化比值变化的函数曲线。的函数曲线。下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路吸收电路32.4121021Cs 下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路301201234Rs=Rs.optF吸收电路在不吸收电路在不同参数下的计算同参数下的计算曲线，吸收电路曲线，吸收电路的最优电阻和最的最优电阻和最高电压高电压Umax作为作为Cs的函数形式给出。的函数形式给出。下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路吸收电路301201234Rs=R下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路假定二极管是理想的假定二极管是理想的单向导电器件，它没单向导电器件，它没有电能损耗，则电阻有电能损耗，则电阻Rs中所消耗的能量可中所消耗的能量可以认为是电感和电容以认为是电感和电容中所储存的能量：中所储存的能量：301201234Rs=Rs.opt下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路假定二极管是理想的单向导电吸收电路假定二极管是理想的单向导电下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路301201234Rs=Rs.opt当谐振电流达到零时，当谐振电流达到零时，电感中的储能为零，电感中的储能为零，电阻上的压降也为零，电阻上的压降也为零，则储存在则储存在Cs中的能量中的能量为：为：下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路吸收电路301201234Rs=R下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路301201234Rs=Rs.opt储存在电容中的能量储存在电容中的能量等到二极管再次受到等到二极管再次受到正向偏压而导通时得正向偏压而导通时得到释放。二极管在瞬到释放。二极管在瞬间导通，耗散在二极间导通，耗散在二极管和吸收电阻中总能管和吸收电阻中总能量为：量为：下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路吸收电路301201234Rs=R下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路301201234Rs=Rs.opt当当Cs超过超过Cbase后，后，最高电压值的下降最高电压值的下降速度不高，但消耗速度不高，但消耗的总能量却随着的总能量却随着Cs的增加而线性增加。的增加而线性增加。下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路吸收电路301201234Rs=R下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路8.2.3 8.2.3 吸收电路分析吸收电路分析吸收电路分析吸收电路分析 UdC0 0DRsN2Cs+u0-N1F通过变压器耦合通过变压器耦合的单相二极管整流的单相二极管整流器工作在线性区域。器工作在线性区域。变压器原边的开关变压器原边的开关断开时，二极管开断开时，二极管开始导通始导通。下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路吸收电路8.2.3 吸收电路分析吸收电路分析 下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路u0Ls sDiLs sRsiDCs+-+-G当变压器原边的开关闭合时，漏电感和二极当变压器原边的开关闭合时，漏电感和二极管中的电流逐渐减小。管中的电流逐渐减小。下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路吸收电路u0LsDiLsRsiDC下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路RsCsLs s+-iLs s(0)=IrrDuCs(0)=0F选择二极管选择二极管Irr快快速返回的时刻作为速返回的时刻作为时间轴的原点，由时间轴的原点，由此所得到的等效电此所得到的等效电路如图所示。路如图所示。二极管被强制关断二极管被强制关断阴极阴极阳极阳极UdTiLs sRsIrrCs+uCs-下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路吸收电路RsCsLs+iLs(0)下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路UdLs sTiLs sRsIoDfCsiDf-uDf+二极管被强制关断二极管被强制关断阴极阴极阳极阳极UdTiLs sRsIrrCs+uCs-RsCsLs s+-iLs s(0)=IrrDuCs(0)=0下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路吸收电路UdLsTiLsRsIoD下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路u0LoutputI0UdN2 2N1 1D2 2D1 1N2 2F假设斩波器工作假设斩波器工作在连续电流模式，在连续电流模式，当变压器原边开关当变压器原边开关断开后，则输出电断开后，则输出电流的一半将从其中流的一半将从其中一个二极管流过。一个二极管流过。下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路吸收电路u0LoutputI0Ud下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路LoutputI0D2 2D1 1u0Rs2Rs1Cs2Cs1Ls siLs sLs s+-+-f在开关闭合时，如果正电压加在变压器原边，此在开关闭合时，如果正电压加在变压器原边，此时通过时通过D1的电流将增加，流过的电流将增加，流过D2的电流就会减少。的电流就会减少。下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路吸收电路LoutputI0D2D1下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路Rs2Cs22Ls s+-iLs sD2uCs2(0)=0iLs s(0 0)=)=I IrrG二极管二极管D2断流瞬间的断流瞬间的等效电路，每个二极等效电路，每个二极管有一个吸收电路跨管有一个吸收电路跨接在它的两端。接在它的两端。RsCsLs s+-iLs s(0)=IrrDuCs(0)=0下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路吸收电路Rs2Cs22Ls+iLs下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路UdcLfD4Us50HzCdcLfLs sD3D2D1电网等效电路电网等效电路f二极管二极管D1反向恢复电流被切断后，反向恢复电流被切断后，D4对感性电流对感性电流提供一个通道，二极管提供一个通道，二极管D1上的反向电压可被钳位在上的反向电压可被钳位在直流电容电压直流电容电压Udc的幅值。的幅值。下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路吸收电路UdcLfD4UsCdcL下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路MOVD4Us50HziLs sLs sD1电网等效电路电网等效电路UdcCdcD3D2f若单相全桥整流器处于连续导通状态，则滤波电若单相全桥整流器处于连续导通状态，则滤波电感放在如图所示的直流侧。感放在如图所示的直流侧。下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路吸收电路MOVD4UsiLsLsD下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路若交流侧的电抗若交流侧的电抗Xs(=w wLs s)为为5%，即表示为：，即表示为：式中，式中，Us：电源电压的有效值电源电压的有效值 Is1：负载电流基波分量的有效值负载电流基波分量的有效值在在120的理想方波情况下，的理想方波情况下，Is1=4Id/，根据实际波，根据实际波形的平滑性，可用形的平滑性，可用 近似。近似。下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路若交流侧的电抗吸收电路若交流侧的电抗Xs(=w下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路MOVD4Us50HziLs sLs sD1电网等效电路电网等效电路UdcCdcD3D2f一个一个RC吸收电路可用来保护所有的二极管。二极吸收电路可用来保护所有的二极管。二极管反向恢复电流的关断速度比管反向恢复电流的关断速度比50Hz交流输入电源交流输入电源us(t)的变化速度快，在二极管关断时的变化速度快，在二极管关断时us(t)的值可近似的值可近似认为是恒定的直流量。认为是恒定的直流量。下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路吸收电路MOVD4UsiLsLsD下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路8.3 晶晶闸闸管管吸吸收收电电路路 3652abcucn150HznPN4-+Ls sidubnuan-+-+F三相桥三相桥式整流器式整流器电路结构电路结构下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路吸收电路8.3 晶闸管吸收电路晶闸管吸收电路 3下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路w w t0a auanubnw w t1ubn-uan=ubaf设晶闸管设晶闸管T1和和T2正处于导通状态，在触发角正处于导通状态，在触发角a a时时触发触发T3，此时，电流，此时，电流id将由与将由与a相相连的晶闸管相相连的晶闸管T1向向与与b相相连的晶闸管相相连的晶闸管T3换流，换流电压为换流，换流电压为uba。下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路吸收电路w t0auanubnw 下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路UdLs sI0DLL4CdL3L2L5LL1F当当T3导通、导通、T1关断，关断，在在w wt1时进入反向恢时进入反向恢复阶段，其电流为复阶段，其电流为iLs=Irr。换流期间，。换流期间，图中电压源用一个图中电压源用一个在在w wt1时的时的uba(w wt1)值值代替，在代替，在整个瞬态过程中，可认为该值为恒定值。整个瞬态过程中，可认为该值为恒定值。下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路吸收电路UdLsI0DLL4CdL下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路线路阻抗为线路阻抗为5%时，式时，式 变为：变为：式中，式中，ULL：线电压的有效值：线电压的有效值 Id：负载电流。：负载电流。T3 导通导通T12Ls sPiLs siT1RsCs+-aF电压源取线电压的最电压源取线电压的最大值大值 ，此时相当，此时相当于于a a=90。下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路线路阻抗为吸收电路线路阻抗为5%时，式时，式 下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路T3 导通导通T12Ls sPiLs siT1RsCs+-a假定反向恢复时间假定反向恢复时间trr=10m ms，整个换流期间，整个换流期间的换流电压是恒定的的换流电压是恒定的 ，通过晶闸管，通过晶闸管T1的的di/dt为：为：下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路吸收电路T3 导通导通T12LsPiL下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路并在图中的电流反向恢复期间的电流变化率并在图中的电流反向恢复期间的电流变化率di/dt用用D Di/D Dt Irr/trr表示，因此，表示，因此，将式将式求得的求得的Ls s表达式带入到表达式带入到下式下式UdLs sTiLs sRsIoDfCsiDf-uDf+下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路并在图中的电流反向恢复期间吸收电路并在图中的电流反向恢复期间下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路上式中，上式中，trr的值取的值取10m ms。当。当Cs的取值为的取值为Cbase时，最接时，最接近于系统的最优值。近于系统的最优值。下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路上式中，吸收电路上式中，trr的值取的值取10m下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路二极管被强制关断二极管被强制关断阴极阴极阳极阳极UdTiLs sRsIrrCs+uCs-RsCsLs s+-iLs s(0)=IrrDuCs(0)=0根据右两图和下式根据右两图和下式可以得到：可以得到：下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路二极管被强制关断阴极阳极吸收电路二极管被强制关断阴极阳极U下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路可得到可得到Ls s的表达式。的表达式。将将w w=314.16代入式代入式中，中，将式将式可得吸收电容的表达式为：可得吸收电容的表达式为：代入式代入式下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路可得到吸收电路可得到Ls的表达式。的表达式。将将w下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路假定一个电阻的标幺值，使假定一个电阻的标幺值，使Rs=Ropt=1.3Rbase，Rbase的取值可用的取值可用 计算，再根据式计算，再根据式得到：得到：Rs=Ropt可由右式得到，可由右式得到，下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路假定一个电阻的标幺值，使吸收电路假定一个电阻的标幺值，使R下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路将晶闸管上的电压波形设定将晶闸管上的电压波形设定在在a a=90o的触发角处，此时的电的触发角处，此时的电压波形如图所示。每个吸收电压波形如图所示。每个吸收电路中总的能量损耗为路中总的能量损耗为:将式将式 带入到上式后得：带入到上式后得：下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路将晶闸管上的电压波形设定在吸收电路将晶闸管上的电压波形设定在下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路如果三相变流器的容量用如果三相变流器的容量用kVA表示，则在表示，则在50Hz工作频工作频率时每个吸收电路的功率损耗为率时每个吸收电路的功率损耗为:对于任一对于任一trr和交流线路电感可采用类似的方法进和交流线路电感可采用类似的方法进行计算。行计算。较保守的设计方法要求较保守的设计方法要求Cs大于大于Cbase。下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路如果三相变流器的容量用吸收电路如果三相变流器的容量用kV下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路8.4 功功率率晶晶体体管管的的吸吸收收电电路路 吸收电路吸收电路关断吸收电路关断吸收电路导通吸收电路导通吸收电路过电压吸收电路过电压吸收电路下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路吸收电路8.4 功率晶体管的吸收电功率晶体管的吸收电下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路UdLs sI0DLL4CdL3L2L5LL1H含有杂散电感的含有杂散电感的降压斩波电路降压斩波电路导通导通iC理想开关特性理想开关特性Iociucet40t3t2t1t5t6t0关断关断UdG U-I特性特性下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路吸收电路UdLsI0DLL4CdL下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路假定晶体管处于导通状态，导通电流假定晶体管处于导通状态，导通电流ic=I0。设晶体管。设晶体管在在t0时刻关断，关断期间晶体管电压开始上升，在时刻关断，关断期间晶体管电压开始上升，在t1时刻到来之前，电路中各支路的电流仍保持不变，此时刻到来之前，电路中各支路的电流仍保持不变，此时续流二极管开始导通，与此同时，晶体管中的电流时续流二极管开始导通，与此同时，晶体管中的电流开始衰减。开始衰减。Udt6I0uceI0t5t4t3t2t1t0iC下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路假定晶体管处于导通状态，导吸收电路假定晶体管处于导通状态，导下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路晶体管中电流的衰减速度取决于晶体管的特性和它的晶体管中电流的衰减速度取决于晶体管的特性和它的基极驱动电流。基极驱动电流。t0t1期间的晶体管电压为：期间的晶体管电压为：Udt6I0uceI0t5t4t3t2t1t0iC式中式中,Ls s=L1+L2+diC/dt为负值为负值 下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路晶体管中电流的衰减速度取决吸收电路晶体管中电流的衰减速度取决下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路Udt6I0uceI0t5t4t3t2t1t0tCt3时刻，电流衰减结束，晶体管的电压则下降到时刻，电流衰减结束，晶体管的电压则下降到Ud值，值，并在其后维持该值不变。并在其后维持该值不变。下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路吸收电路Udt6I0uceI0t5下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路Udt6I0uceI0t5t4t3t2t1t0tCt4时刻，电流开始上升，上升速率取决于晶体管的特时刻，电流开始上升，上升速率取决于晶体管的特性和基极驱动电流，晶体管电压为：性和基极驱动电流，晶体管电压为：式中式中,diC/dt为正，晶体管电压略低于为正，晶体管电压略低于Ud 下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路吸收电路Udt6I0uceI0t5下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路Udt6I0uceI0t5t4t3t2t1t0tC续流二极管的反向恢复电流的作用使续流二极管的反向恢复电流的作用使iC大于大于I0。续流。续流二极管的反向恢复电流在在二极管的反向恢复电流在在t5时刻结束，然后时刻结束，然后BJT的的电压开始下降，直到电压开始下降，直到t6时降为零。时降为零。下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路吸收电路Udt6I0uceI0t5下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路导通导通iC理想开关特性理想开关特性Iociucet40t3t2t1t5t6t0关断关断Ud6当晶体管的电压和电当晶体管的电压和电流同时都很大时，晶体流同时都很大时，晶体管在导通和关断时要承管在导通和关断时要承受很大的威胁。由于杂受很大的威胁。由于杂散电感的存在，使晶体散电感的存在，使晶体管上的过电压超过管上的过电压超过Ud，而二极管中的反向恢复而二极管中的反向恢复电流也会使晶体管电流超过电流也会使晶体管电流超过I0。可采用吸收电路来降。可采用吸收电路来降低这些威胁。低这些威胁。下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路导通吸收电路导通iC理想开关特性理想开关特性Ioc下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路8.5 关关断断吸吸收收电电路路 UdiCsDfTCsI0DsRsiDfF关断吸收电路在电流切断时关断吸收电路在电流切断时给晶体管提供一个零电压，给晶体管提供一个零电压，在在BJT两端跨接了一个两端跨接了一个RCD网络。为分析方便起见，线网络。为分析方便起见，线路上的杂散电感忽略不计。路上的杂散电感忽略不计。下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路吸收电路8.5 关断吸收电路关断吸收电路 Ud下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路晶体管关断时，它的电流晶体管关断时，它的电流iC以恒定的以恒定的diC/dt衰减，电流衰减，电流(I0iC)通过吸收电路的二极管通过吸收电路的二极管Ds流入电容。若电流的流入电容。若电流的下降时间为下降时间为tfi，则电容电流为：，则电容电流为：式中，式中，iCs在关断时刻在关断时刻（t=0）的值为零的值为零在二极管处于导通状态下，电容电压与晶体管两在二极管处于导通状态下，电容电压与晶体管两端的电压相同：端的电压相同：下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路晶体管关断时，它的电流吸收电路晶体管关断时，它的电流iC下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路CsI0UdDfiCI0-iC8只要电容电压小于或等只要电容电压小于或等于于Ud，表达式，表达式在整个电流下降区间内都在整个电流下降区间内都成立。成立。下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路吸收电路CsI0UdDfiCI0 下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路大大CsiCiCiCiDfiDfiDfI0tfitfitfiiCsiCsiCsUdUdUduCsuCsuCs吸收电容吸收电容Cs取较小值时，电容电压在电流下降时间结取较小值时，电容电压在电流下降时间结束之前很快达到束之前很快达到Ud，同时，续流二极管，同时，续流二极管Df导通，将电导通，将电容和晶体管的电压钳位在容和晶体管的电压钳位在Ud，因，因duCs/dt等于零，等于零，iCs接接着降到零。着降到零。下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路大吸收电路大CsiCiCiCiDfi下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路当当Cs=Cs1时，电流时，电流iCs达到下降时间达到下降时间tfi时，电容电压也时，电容电压也达到达到Ud。将。将t=tfi和和uCs=Ud代入下式代入下式大大CsiCiCiCiDfiDfiDfI0tfitfitfiiCsiCsiCsUdUdUduCsuCsuCs得：得：下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路当吸收电路当Cs=Cs1时，电流时，电流iC下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路大大CsiCiCiCiDfiDfiDfI0tfitfitfiiCsiCsiCsUdUdUduCsuCsuCs吸收电容吸收电容Cs取较大值时电压上升速率较慢，在取较大值时电压上升速率较慢，在tfi之后之后才达到才达到Ud。在。在tfi之后，电容电流等于之后，电容电流等于I0，因此，电容，因此，电容电压和晶体管电压线性上升到电压和晶体管电压线性上升到Ud。下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路大吸收电路大CsiCiCiCiDfi下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路ucECs=0Cs=Cs1iC大大Cs0UdRBSOA小小CsI0大大CsiCiCiCiDfiDfiDfI0tfitfitfiiCsiCsiCsUdUdUduCsuCsuCsCs取不同值取不同值时晶体管的时晶体管的关断损耗关断损耗 下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路吸收电路ucECs=0Cs=下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路UdDfTCsI0Cs 放电放电t200trrUduCEiCI0tri+trrf吸收电路由一个纯电容和一个用于关断吸收电路吸收电路由一个纯电容和一个用于关断吸收电路的二极管所组成。的二极管所组成。Cs使导通电流超过使导通电流超过I0，超过续流二，超过续流二极管的反向恢复电流。极管的反向恢复电流。下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路吸收电路UdDfTCsI0Cs 放放下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路Cs 放电放电t200trrUduCEiCI0tri+trrF晶体管在导通期间具晶体管在导通期间具有恒定的有恒定的diC/dt特性。根特性。根据据Cs值的不同，这个电值的不同，这个电荷等于下图其中的一个荷等于下图其中的一个阴影面积。阴影面积。大大CsiCiCiCiDfiDfiDfI0tfitfitfiiCsiCsiCsUdUdUduCsuCsuCs下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路吸收电路Cs 放电放电t200trrU下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路UdDfTCsI0Cs 放电放电t200trrUduCEiCI0tri+trr当没有吸收电容当没有吸收电容Cs时，由于电压下降时间相当快，时，由于电压下降时间相当快，可近似认为晶体管在导通时立即下降到零。可近似认为晶体管在导通时立即下降到零。下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路吸收电路UdDfTCsI0Cs 放放下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路电容放电时间内消耗在晶体管中的附加能量为：电容放电时间内消耗在晶体管中的附加能量为：UdDfTCsI0Cs 放电放电t200trrUduCEiCI0tri+trr下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路电容放电时间内消耗在晶体管吸收电路电容放电时间内消耗在晶体管下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路UdDfTCsI0DsRsiDfUd0iCI0IrruCEtrrIrr0iDff晶体管电压在导通时立即下降到零，电容中的能晶体管电压在导通时立即下降到零，电容中的能量消耗在吸收电阻中，其能量为：量消耗在吸收电阻中，其能量为：下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路吸收电路UdDfTCsI0DsRs下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路UdDfTCsI0DsRsiDfUd0iCI0IrruCEtrrIrr0iDf吸收电阻值的选择以限制通过自身的峰值电流小于吸收电阻值的选择以限制通过自身的峰值电流小于续流二极管反向恢复电流续流二极管反向恢复电流Irr为原则，即：为原则，即：下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路吸收电路UdDfTCsI0DsRs下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路将将Irr的值限制在的值限制在0.2I0附近，或者是更小的值，附近，或者是更小的值，式式 可近似的表示为：可近似的表示为：UdDfTCsI0DsRsiDfUd0iCI0IrruCEtrrIrr0iDf下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路将吸收电路将Irr的值限制在的值限制在0.2I下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路含有吸收电路含有Rs的电路结构的优越性的电路结构的优越性所有的电容能量都被电阻吸收，而电阻的散热比所有的电容能量都被电阻吸收，而电阻的散热比晶体管散热要容易得多；晶体管散热要容易得多；晶体管不会由于关断吸收电路的存在而产生附加晶体管不会由于关断吸收电路的存在而产生附加的能量耗散问题；的能量耗散问题；晶体管必须承受的峰值电流不会由于关断吸收电晶体管必须承受的峰值电流不会由于关断吸收电路的存在而增加。路的存在而增加。下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路吸收电路含有吸收电路吸收电路含有Rs的电路结构的电路结构下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路1.00.501.0WT+WRWTWR9Cs的选择：的选择：使关断开关轨迹保持在使关断开关轨迹保持在反偏安全运行区域之内；反偏安全运行区域之内；根据冷却条件，尽量减根据冷却条件，尽量减少晶体管的损耗；少晶体管的损耗；使晶体管关断消耗的能使晶体管关断消耗的能量与吸收电阻所吸收的能量与吸收电阻所吸收的能量之和尽可能的小。量之和尽可能的小。下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路吸收电路1.00.501.0WT+下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路电容就应该有充足的时间放电，它能使晶体管电压电容就应该有充足的时间放电，它能使晶体管电压在最短的时间内迅速降低到较低的电压等级。在最短的时间内迅速降低到较低的电压等级。根据式根据式 确定的确定的Rs和根据折中处理后的和根据折中处理后的Cs，晶体管导通状态下，电容放电的时间常数晶体管导通状态下，电容放电的时间常数t tc=RsCs，电容电压为，电容电压为:放电电压放电电压uCs(t)下降到下降到0.1Ud所需要的时间间隔为所需要的时间间隔为2.3t tc，导通时间为：导通时间为：ton2.3RsCs例例 下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路电容就应该有充足的时间放电吸收电路电容就应该有充足的时间放电下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路8.6 过过电电压压吸吸收收电电路路 UdDfTCovI0DovRovLs sUdLs sI0DLL4CdL3L2L5LL1G具有杂散电感的电路具有杂散电感的电路 G过电压吸收电路过电压吸收电路 下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路吸收电路8.6 过电压吸收电路过电压吸收电路 U下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路假定晶体管处于导通状假定晶体管处于导通状态，过电压吸收电容两端态，过电压吸收电容两端的电压的电压uCov=Ud。设在某一。设在某一时刻晶体管关断，由于时刻晶体管关断，由于BJT电流下降时间很短，电流下降时间很短，这样在这样在BJT关断后，关断后，BJT的的电流很快就衰减到零，此电流很快就衰减到零，此时流过时流过Ls s的电流基本上为的电流基本上为I0，输出电流则经续流二，输出电流则经续流二极管极管Df形成续流通道。形成续流通道。Ls sUdDovRovCov+-下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路假定晶体管处于导通状态，过吸收电路假定晶体管处于导通状态，过下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路UdiLs sCovD DuCovLs s+-Ud+-+-晶体管两端的过电压晶体管两端的过电压D DuCE用用图中已充电的电容等效电路计图中已充电的电容等效电路计算算:SCov的值越大，过电压的值越大，过电压D DUCE.max就越低。就越低。S由于由于Dov的存在，使的存在，使Ls s的电流过零后的反向电流的电流过零后的反向电流能通过能通过Rov放电，电容上的过电压逐渐衰减到放电，电容上的过电压逐渐衰减到Ud。S电容的放电时间常数电容的放电时间常数RovCov应足够小，以保证晶体应足够小，以保证晶体管在下一次关断之前，电容电压有足够的时间衰减管在下一次关断之前，电容电压有足够的时间衰减到到Ud。下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路吸收电路UdiLsCovDuCov下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路kUdRovCov放电放电0iLs suCEtfi没有没有CoviLs s0.1UduCELs s Cov充电充电有有Cov0F根据所观测根据所观测到的到的kUd值，可值，可将计算方程表将计算方程表示为示为:下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路吸收电路kUdRovCov放电放电0i下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路将将D DUEC.max=0.1Ud代入到式代入到式 中中得得Ls s的表达式，然后将的表达式，然后将Ls s的表达式代入到的表达式代入到 中可估算出：中可估算出：如果上式用变量如果上式用变量Cs1表示，则：表示，则：Cov=200kCs即使即使Cov的值较大，但耗散在的值较大，但耗散在Rov中的能量与耗散在关中的能量与耗散在关断吸收电路电阻中的能量具有相同的数量级。断吸收电路电阻中的能量具有相同的数量级。关断吸收电路和过电压保护吸收电路应同时使用。关断吸收电路和过电压保护吸收电路应同时使用。下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路将吸收电路将DUEC.max=0.1下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路8.7 导导通通吸吸收收电电路路 UdDfTI0DsRLsDLsLs sDfTI0RLsDLsLs sE导通吸收电路与晶体导通吸收电路与晶体管串联管串联 F导通吸收电路与续流导通吸收电路与续流二极管串联二极管串联 下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路吸收电路8.7 导通吸收电路导通吸收电路 Ud下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路晶体管两端的电压在导晶体管两端的电压在导通期间减少的幅值为：通期间减少的幅值为：Ud小小Ls siCtrruce大大Ls suceucetriiC式中，式中，tri为图中所示为图中所示Ls s取较小值时的电流上升时间。取较小值时的电流上升时间。对于较小的对于较小的Ls s值，值，di/dt的大小取决于晶体管特性和基的大小取决于晶体管特性和基极驱动电流，与没有导通吸收电路的情况相同。极驱动电流，与没有导通吸收电路的情况相同。下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路晶体管两端的电压在导通期间吸收电路晶体管两端的电压在导通期间下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路Ud小小Ls siCtrruce大大Ls suceucetriiCLs s值较大时电流上升率值较大时电流上升率di/dt=Ud/Ls s，晶体管两端，晶体管两端的电压在电流上升期间的电压在电流上升期间基本为零：基本为零：式中，式中，IF为二极管的前向电流，在晶体管导通期间，为二极管的前向电流，在晶体管导通期间，Ls s中的电流为中的电流为I0。下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路吸收电路Ud小小LsiCtrruce下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路?晶体管关断时，储存在吸收电感中的能量晶体管关断时，储存在吸收电感中的能量Ls s I02/2在吸收电阻在吸收电阻RLs中耗散掉。中耗散掉。?吸收电路的时间常数吸收电路的时间常数t tL=Ls s/RLs。(晶体管关断期间，导通吸收电路在晶体管两端产晶体管关断期间，导通吸收电路在晶体管两端产生的过电压为：生的过电压为：D DUCE.max=RLsI0(晶体管关断期间，电感中的电流须衰减到一个较晶体管关断期间，电感中的电流须衰减到一个较低的值，在晶体管下一次导通时吸收电路才能起到低的值，在晶体管下一次导通时吸收电路才能起到作用。因此，作用。因此，BJT关断的最小间隔时间应满足关断的最小间隔时间应满足:下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路晶体管关断时，储存在吸收电吸收电路晶体管关断时，储存在吸收电下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路Ls sCovCdDfTI0CsRsDsFUndeland吸收电路吸收电路包含了三种吸收电路，包含了三种吸收电路，同时还能够减少元器同时还能够减少元器件的数量。件的数量。下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路吸收电路LsCovCdDfTI0C下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路8.8 桥桥路路结结构构的的吸吸收收电电路路 CdI0Rs+Ds-T-Rs-Cs-T+Cs+Df+Df-Ds+Ud-F关断吸收电路关断吸收电路在降压斩波电路在降压斩波电路中可行，但这种中可行，但这种关断吸收电路不关断吸收电路不能在没有导通吸能在没有导通吸收电路的情况下收电路的情况下使用。使用。下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路吸收电路8.8 桥路结构的吸收电路桥路结构的吸收电路下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路CdI0Rs+Ds-T-Rs-Cs-T+Cs+Df+Df-Ds+Ud-F二极管二极管Df+在在T+关断时处于导通状关断时处于导通状态，电容态，电容Cs+的电的电压为零。当压为零。当T导通导通时，在时，在Df+的反向的反向恢复过程中将有一恢复过程中将有一个容性放电电流通个容性放电电流通过过T。下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路吸收电路CdI0Rs+Ds-T-下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路I0Rs+Cs-T+Df+Df-Cs+Ud-Rs-T-F在图中所示在图中所示RC吸收电路中的电容吸收电路中的电容取较小值，可降低取较小值，可降低dv/dt。下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路吸收电路I0Rs+Cs-T+D下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路CdI0Rs+Ds-T-Rs-Cs-T+Cs+Df+Df-Ds+Ud-CovDLs RLsF带有导通带有导通和关断吸收和关断吸收电路的桥路电路的桥路下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路吸收电路CdI0Rs+Ds-T-下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路CdI0T-CsT+Ls Df+Df-Ds1+Ud-CovDs2Rs桥臂模块桥臂模块f图中电路能够很方便地实现过电压保护，也可认图中电路能够很方便地实现过电压保护，也可认为是桥式电路中的为是桥式电路中的Undeland电路结构，它是将电容电路结构，它是将电容Cov以图示的方式进行连接，而以图示的方式进行连接，而Rs相当于代替了相当于代替了Rov，起到过电压保护中电容器的作用。起到过电压保护中电容器的作用。下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路吸收电路CdI0T-CsT+Ls 下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路8.9 GTO吸吸收收电电路路的的考考虑虑 tttt理想曲线理想曲线理想曲线理想曲线UGG-0iGIGTtfiuAKts 000iAuGKI0tgqtu2 UdttailF可控电可控电流的最大流的最大值取决于值取决于关断吸收关断吸收电路的电电路的电容容Cs。下下 页上页上 页返页返 回第八章回第八章 吸收电路吸收电路8.9 GTO吸收电路的吸收电路的下 页上 页返 回第八章第八章第八章第八章 吸收电路吸收电路吸收电路吸收电路2GTO关断时，会随着它的阳极关断时，会随着它的阳极-阴极间电压的增加阴极间电压的增加产生最大变化率的问题，这将导致对电容依赖性的产生最大变化率的问题，这将导致对电容依赖性的进一步增加。进一步增加。2当当GTO在关断时的电压变化率超过了最大变化率在关断时的电压变化率超过了最大变化率duAK/dt|max，因，因pn结上的大量位移电流，将引起结上的大量位移电流，将引起GTO的重新触发，使的重新触发，使GTO重新返回到导通状态。重新返回到导通状态。下下 页上页上 页返