版图设计基础new课件

第四章第四章 版图设计基础版图设计基础 第四章 版图设计基础 版图()是集成电路设计者将设计并模拟优化后的电路转化成的一系列几何图形，它包含了集成电路尺寸大小、各层拓扑定义等有关器件的所有物理信息。集成电路制造厂家根据这些信息来制造掩膜。版图设计的概念版图设计的概念 版图()是集成电路设计者将设计并模拟优化后的电 版图是包含集成电路的器件类型、器件尺寸、器件之间的相对位置及各个器件之间的连接关系等相关物理信息的图形，这些图形由位于不同绘图层上的基本几何图形构成。版图是包含集成电路的器件类型、器件尺寸、器件版图设计（物理层设计）版图设计的重要性：版图设计的重要性：集成电路设计的最终目标集成电路设计的最终目标 电路功能和性能的物理实现；电路功能和性能的物理实现；布局、布线方案决定着芯片正常工作、面积、速度；布局、布线方案决定着芯片正常工作、面积、速度；经验很重要。经验很重要。版版图图设设计计的的目目标标：实实现现电电路路正正确确物物理理连连接接，将将设设计计好好的的电电路路映映射射到到硅硅片片上上进进行行生生产产。芯芯片片面面积积最最小小，性性能能优优化化（连线总延迟最小）（连线总延迟最小）版图设计包括：版图设计包括：基本元器件版图设计；基本元器件版图设计；布局和布线；布局和布线；版图检验与分析。版图检验与分析。版图设计（物理层设计）版图设计的重要性：版图设计的目标：版图设计过程版图设计过程版图设计主要包括模块设计、芯片规划、布局、版图设计主要包括模块设计、芯片规划、布局、布线等，是一个组合规划和巧拼图形的工作。布线等，是一个组合规划和巧拼图形的工作。在一个规则形伏（一般为长方形）平面区域内在一个规则形伏（一般为长方形）平面区域内不重叠地布局多个模块（亦称部件），在各模不重叠地布局多个模块（亦称部件），在各模块之间按电路连接信息的要求逐行布线。版图块之间按电路连接信息的要求逐行布线。版图设计是从逻辑信息向几何信息的转换。设计是从逻辑信息向几何信息的转换。版图设计过程版图设计主要包括模块设计、芯片规划、布局、布线等版图设计过程版图设计过程（一）模块设计（一）模块设计芯片设计中最小的单位是元件，设计过程从元件，门，芯片设计中最小的单位是元件，设计过程从元件，门，基本单元，宏单元，芯片，从小到大进行。基本单元基本单元，宏单元，芯片，从小到大进行。基本单元和宏单元可视为模块。模块设计是最基本的环节。和宏单元可视为模块。模块设计是最基本的环节。（二）芯片规划（二）芯片规划根据已知的模块数量和线网连接表来估算芯片面积，其根据已知的模块数量和线网连接表来估算芯片面积，其中模块大约占用一半，另一半用来作为布线通道。中模块大约占用一半，另一半用来作为布线通道。三）布局三）布局布局是指如何把各个模块合理地排布在芯片上，怎样确布局是指如何把各个模块合理地排布在芯片上，怎样确定每个模块的最佳位置，以使占用芯片面积为最小且定每个模块的最佳位置，以使占用芯片面积为最小且布线结果又最好。布线结果又最好。版图设计过程（一）模块设计版图设计过程版图设计过程（四）布线（四）布线模块位置确定之后，把各个模块的相应端口按一定模块位置确定之后，把各个模块的相应端口按一定的规则和电路的要求，用互连线连接起来。布线的规则和电路的要求，用互连线连接起来。布线应达到下列要求：应达到下列要求：布线的总长度最短；布线的总长度最短；分布均匀；分布均匀；布通率尽可能达到布通率尽可能达到100。布线的优劣决定电路的工作速度和芯片面积大小。布线的优劣决定电路的工作速度和芯片面积大小。决定芯片工作速度的主要因素，实际上往往不是决定芯片工作速度的主要因素，实际上往往不是或双极晶体管本身，而是互连线造成的延迟。过或双极晶体管本身，而是互连线造成的延迟。过长的互连线使电路性能降低。当自动布线难以达长的互连线使电路性能降低。当自动布线难以达到到100的布通率时，可用人机交互方式进行人的布通率时，可用人机交互方式进行人工干涉。工干涉。版图设计过程（四）布线绘图层绘图层 版图设计师所需绘制版图的分层数目已经减小到制版工艺所要求的最小数目，这个最小数目的层称为绘图层。绘图层数目的最小化，降低了软件的计算需求，减小了人为错误并简化了分层管理，生成光学掩膜的掩膜层或者分层的形状有时会和绘图层不同绘图层 版图设计师所需绘制版图的分层数目已经减小到制版 掩膜层的层数可能比绘图层多很多。附加的掩膜层是从绘图层中自动生成的。为了适应制造工艺的变化，掩膜层的尺寸可能会根据绘图层做一定的调整。这个调整会由制版工艺自动生成。所提到的“层”，都是指绘图层 掩膜层的层数可能比绘图层多很多。附加的掩膜层是从绘图层绘图层绘图层N阱层（N）有源区层（）多晶硅栅层（）P选择层（P）N选择层（N）接触孔层（）通孔层（）金属层（）文字标注层（）焊盘层（）绘图层N阱层（N）N阱层（阱层（N）“N阱”用来确定N型衬底的区域。有源区层（）有源区层（）有源区是晶体管的源区和漏区建立的基础源区和漏区是通有源区是晶体管的源区和漏区建立的基础源区和漏区是通过多晶硅栅两旁的有源区来确定，有源区旁的场氧化区起隔过多晶硅栅两旁的有源区来确定，有源区旁的场氧化区起隔离作用。离作用。N阱层（N）“N阱”用来确定N型衬底的区域。有源区层（）N选择层和选择层和P选择层（选择层（N 、P）晶体管有源区是通过将N型杂质离子或P型杂质离子注入到N选择层或P选择层掩膜定义的衬底的区域中形成，所以N选择层或P选择层用来定义覆盖包含有源区的区域 N选择层（P选择层）和有源区共同形成了扩散区（或，又称或）N选择层和P选择层（N 、P）晶体管有源多晶硅栅层多晶硅栅层栅极通常用多晶硅来进行沉积。多晶硅还可以用来生成电阻互连，电阻较大，仅用于内部单元，防止走线太长而增加电阻值多晶硅栅层金属层金属层金属层在集成电路芯片中起到互连的作用金属层数的多少表示了集成电路芯片的复杂程度在版图设计中，金属层用线条来表示，线条拐角可以是90也可以是45，不同金属通常用M1、M2、M3等来表示，并用不同的颜色的线条来进行区别用来进行电源线和地线的布线。在布电源线的时候，金属线条的宽度通常要大于设计规则中定义的最小宽度，防止电流过大将金属线条熔断，造成断路现象金属层金属层在集成电路芯片中起到互连的作用接触孔层和通孔层接触孔层和通孔层接触孔包括有源区接触孔（）和多晶硅接触孔（）有源区接触孔用来连接第一层金属和或区域，在版图设计中有源区接触孔的形状通常是正方形。应该尽可能多地打接触孔，这是因为接触孔是由金属形成，存在一定的阻值，假设每个接触孔的阻值是R，多个接触孔相当于多个并联的电阻接触孔层和通孔层接触孔包括有源区接触孔（）和多晶硅接触孔（多晶硅接触孔：用来连接第一层金属和多晶硅栅，其形状通常也是正方形通孔：用于相邻两金属层的连接，其形状也是正方形。在面积允许的情况下应尽可能多的打通孔在版图设计中，接触孔只有一层，而通孔可能需要很多层。连接第一层和第二层金属的通孔表示为V1，连接第二层和第三层金属的通孔表示为V2多晶硅接触孔：用来连接第一层金属和多晶硅栅，其形状通常也是正文字标注层 用于版图中的文字标注，目的是方便设计者对器件、信号线、电源线、地线等进行标注，便于版图的查看，尤其是在进行验证的时候，便于查找错误的位置。在进行版图制造的时候并不会生成相应的掩膜层焊盘层 提供芯片内部信号到封装接脚的连接，其尺寸通常定义为绑定导线需要的最小尺寸文字标注层N wellactivepolyP+implantN+implantomicontactmetalA N wellactivepolyP+implantN+i 版图设计基础new课件P 2光刻胶光刻胶光光 P 2光刻胶光 P 2光刻胶光刻胶光刻胶光刻胶 P 2光刻胶光刻胶 P 2光刻胶光刻胶光刻胶光刻胶2P 2光刻胶光刻胶2P 22N P 22N N activeN N activeN P 2N 2光刻胶光刻胶 3N4P 2N 2光刻胶 3N4P 2N 2光刻胶光刻胶光刻胶光刻胶 3N4P 2N 2光刻胶光刻胶 3N4P 2N 2光刻胶光刻胶光刻胶光刻胶3N4P 2N 2光刻胶光刻胶3N4P 22场氧场氧场氧场氧场氧场氧N N 3N4P 22场氧场氧场氧N 3N4P 2场氧场氧场氧场氧场氧场氧N N P 2场氧场氧场氧N P 22场氧场氧场氧场氧场氧场氧N N P 22场氧场氧场氧N N polyN N polyN P 22 场氧场氧场氧场氧场氧场氧N N 光刻胶光刻胶P 22 场氧场氧场氧N 光刻胶P 22 场氧场氧场氧场氧场氧场氧N N 光刻胶光刻胶P 22 场氧场氧场氧N 光刻胶P 22场氧场氧场氧场氧场氧场氧N N P 22场氧场氧场氧N P 22场氧场氧场氧场氧场氧场氧N N P 22场氧场氧场氧N N P+implant N P+implantP 22 场氧场氧场氧场氧场氧场氧N N 光刻胶光刻胶P 22 场氧场氧场氧N 光刻胶P 22场氧场氧场氧场氧场氧场氧N N 光刻胶光刻胶 S/DP 22场氧场氧场氧N 光刻胶 S/DN N P 22 场氧场氧场氧场氧场氧场氧N N 光刻胶光刻胶光光S/DP 22 场氧场氧场氧N 光刻胶光S/D N N N N N 晶体管的版图晶体管的版图N P 1 N 晶体管的版图N P 1 晶体管的版图晶体管的版图N P 1晶体管的版图N P 1集成电路中的电阻分为:无源电阻和有源电阻，无源电阻通常是采用掺杂半导体或合金材料制作而成有源电阻则是将晶体管进行适当的连接和偏置，利用晶体管在不同的工作区所表现出来的不同电阻特性来做电阻方块电阻：方块电阻：()R =方块电阻与半导体的掺杂水平和掺杂区的结深有关方块电阻与半导体的掺杂水平和掺杂区的结深有关对于集成电路来说，方块电阻是基本单位，量纲是对于集成电路来说，方块电阻是基本单位，量纲是/只要知道材料的方块电阻，就可以根据所需要的电阻值计算只要知道材料的方块电阻，就可以根据所需要的电阻值计算出电阻的方块数，即电阻条的长度和宽度比出电阻的方块数，即电阻条的长度和宽度比 栅极多晶：栅极多晶：2-3/;金属：金属：20-100m/多晶：多晶：20-30/;扩散区：扩散区：2-200/集成电路中的电阻分为:无源电阻和有源电阻，方块电阻：方块电阻硅芯片上的电子世界电阻电阻：具有稳定的导电能力（半导体、导体）；电阻：具有稳定的导电能力（半导体、导体）；薄膜电阻薄膜电阻硅片硅片厚度：百纳米厚度：百纳米宽度：微米宽度：微米芯片上的电阻：薄膜电阻；芯片上的电阻：薄膜电阻；硅芯片上的电子世界电阻电阻：具有稳定的导电能力（半导体、导体集成电路中的无源电阻扩散电阻、多晶硅电阻、阱电阻（1）多晶硅电阻 最常用，结构简单。在场氧（非薄氧区域）。P型衬底电阻的版图设计电阻的版图设计多晶硅电阻（）电阻值：掺杂浓度、电阻值：掺杂浓度、多晶硅的厚度、多晶硅的厚度、多晶硅的长宽比、多晶硅的长宽比、集成电路中的无源电阻（1）多晶硅电阻P型衬底电阻的版图设计多多晶硅电阻版图设计多晶硅电阻版图设计比例电阻的版图结构需5K,10K,15K电阻，采用5K单位电阻：多晶硅电阻版图设计比例电阻的版图结构P型衬底（2）扩散电阻在源漏扩散时形成，有扩散和P扩散电阻。在 N阱工艺下，扩散电阻是做在上，P扩散是在N阱里。P型衬底N阱扩散电阻扩散电阻接地结反型隔离接电源结反型隔离P型衬底（2）扩散电阻P型衬底N阱扩散电阻扩散电阻接地P型衬底（3）阱电阻 阱电阻就是一N阱条，两头进行扩散以进行接触。N阱阱电阻（）P型衬底（3）阱电阻N阱阱电阻（）（4）集成电路中的有源电阻 利用管的沟道电阻。所占的芯片面积要比其他电阻小的多，但它是一个非线性的电阻（电阻大小与端电压有关）。在模拟集成电路中管可以做有源电阻，例如，把它的栅极和漏极相连，管始终处于饱和区就形成了一个非线性电阻。IDSVTPVVGSIO(b)IDSVTNVVGSIO(a)DSG+-IVDVSGI+-（4）集成电路中的有源电阻在模拟集成电路中管可以做有源电阻，集成电容*两端元件，电荷的容器*最基本的无源元件之一，是电源滤波电路，信号滤波电路，开关电容电路中必不可少的元件集成电容硅片硅片几十微米几十微米硅芯片上的电子世界电容电容：一对电极中间夹一层电介质的三明治结构；电容：一对电极中间夹一层电介质的三明治结构；硅芯片上的薄膜电容：硅芯片上的薄膜电容：下电极：金属或多晶硅下电极：金属或多晶硅氧化硅电介质氧化硅电介质上电极：金属或多晶硅上电极：金属或多晶硅硅片几十微米硅芯片上的电子世界电容电容：一对电极中间夹一层电集成电路中的集成电容集成电路中的集成电容金属金属-金属（多层金属工艺，）金属（多层金属工艺，）金属金属-多晶硅多晶硅多晶硅多晶硅-多晶硅（双层多晶硅工艺）多晶硅（双层多晶硅工艺）金属金属-扩散区扩散区多晶硅多晶硅-扩散区扩散区结电容结电容电容电容:多晶硅栅极与沟道（源多晶硅栅极与沟道（源/漏极）漏极）集成电路中的集成电容平板电容平板电容l结构，使用顶层金属与其下一层金属；下极板与衬底的寄生电容小；下极板与衬底的寄生电容小；精度好；精度好；l、结构，传统结构；第1层金属上电级第n层金属钝化层l常见结构：,；平板电容结构，使用顶层金属与其下一层金属；下极板与衬底的寄生比例电容的版图结构比例电容的版图结构P型衬底C2=8C1平板电容平板电容比例电容的版图结构P型衬底C2=8C1平板电容多晶硅-扩散区电容*电容作在扩散区上,它的上极板是第一层多晶硅，下极板是扩散区,中间的介质是氧化层。在沉积多晶硅之前，先在下电极板区域进行掺杂。多晶硅-扩散区电容电容：结构和晶体管一样,是一个感应沟道电容,当栅上加电压形成沟道时电容存在.一极是栅,另一极是沟道,沟道这一极由S(D)端引出电容的大小取决于面积,氧化层的厚度及介电数.电容：电容的大小取决于面积,电容：*非线性电容，适用于电源滤波电容：硅芯片上的电子世界电感电感：缠绕的线圈；电感：缠绕的线圈；硅芯片上的薄膜电感：硅芯片上的薄膜电感：硅片硅片几十微米几十微米硅芯片上的电子世界电感电感：缠绕的线圈；硅片几十微米关键尺寸与剖面图关键尺寸与剖面图D:边长/直径 W:线条宽度 S:线条间隔 N:匝数 P-silicon SubstrateOxideViaM1M2M2M3WSDN在硅衬底上形成一层厚的氧化硅，沉积第一层金属作为电感的一端，接着沉积介电层，刻蚀通孔，沉积第二层金属，刻蚀出电感的形状关键尺寸与剖面图D:边长/直径 P-silicon Sub硅芯片上的电子世界二极管二级管：结二级管：结硅芯片上的二极管：硅芯片上的二极管：P型衬底型衬底N阱阱硅芯片上的电子世界二极管二级管：结P型衬底N阱 N阱工艺中二极管结构有两种，一是，另一个是 P型衬底N阱PN直接做在衬底上P型端为衬底电位()P型衬底N阱NP做在阱里 N阱工艺中二极管结构有两种，一是，另一个是 P型衬底N阱P的设计的设计注：注：为形成反型层沟道，为形成反型层沟道，P衬底通常接电路的最低电位衬底通常接电路的最低电位()。N阱通常接最高电位（）。阱通常接最高电位（）。P衬底衬底栅极栅极漏极漏极源极源极基极基极栅极栅极nmos漏极漏极源极源极基极基极pmos的设计注：P衬底栅极漏极源极基极栅极nmos漏极源极基极pm硅芯片上的电子世界引线引线：良好导电的线；引线：良好导电的线；硅芯片上的导线：铝或铜薄膜；硅芯片上的导线：铝或铜薄膜；多晶硅薄膜。多晶硅薄膜。硅芯片上的电子世界引线引线：良好导电的线；硅芯片上的电子世界引线引线：良好导电的线；引线：良好导电的线；硅芯片上的导线：铝或铜薄膜；硅芯片上的导线：铝或铜薄膜；N阱阱P衬底衬底淀积介质层淀积介质层开接触孔开接触孔淀积第一层金属淀积第一层金属硅芯片上的电子世界引线引线：良好导电的线；N阱P衬底淀积介硅芯片上的电子世界引线硅芯片上的导线：铝或铜薄膜；硅芯片上的导线：铝或铜薄膜；N阱阱P衬底衬底淀积介质层淀积介质层开过孔开过孔淀积第二层金属淀积第二层金属硅芯片上的电子世界引线硅芯片上的导线：铝或铜薄膜；N阱P衬P衬底N阱 1 P衬底N阱 1 P衬底N阱 1 P衬底N阱 1 N阱阱P衬底衬底二氧化硅二氧化硅隔离隔离 2 N阱P衬底二氧化硅 2 N阱阱P衬底衬底二氧化硅二氧化硅隔离隔离 2 N阱P衬底二氧化硅 2 N阱阱P衬底衬底器件的栅极器件的栅极栅极电介质层栅极电介质层 3 N阱P衬底器件的栅极 3 N阱阱P衬底衬底器件的栅极器件的栅极栅极电介质层栅极电介质层 3 N阱P衬底器件的栅极 3 N阱P衬底 4 N阱P衬底 4 N阱P衬底 4 N阱P衬底 4 N阱P衬底漏极源极基极栅极 5 N阱P衬底漏极源极基极栅极 5 N阱P衬底漏极源极基极栅极 5 N阱P衬底漏极源极基极栅极 5 N阱P衬底 6 N阱P衬底 6 N阱P衬底 6 N阱P衬底 6 N阱P衬底 7 1N阱P衬底 7 1N阱P衬底 7 1N阱P衬底 7 1N阱P衬底 8 1N阱P衬底 8 1N阱P衬底 8 1N阱P衬底 8 1N阱阱P衬底衬底 9 2N阱P衬底 9 2N阱阱P衬底衬底 9 2N阱P衬底 9 2 10 钝化层钝化层开焊盘孔开焊盘孔 10 钝化层开焊盘孔 10 钝化层钝化层 10 钝化层串联晶体管的版图设计ADBCABCDADSDSDSD如果假设电流方向是D到A电子的流向是A到D。而电子的流向是源到漏。串联时方式串联晶体管的版图设计BCABCDADSDSDSD如果假设电流并联晶体管的版图设计两个晶体管只有一端连接在同一节点上ABSDDSDADB如果假设电流方向是D到A和D到B，电子的流向是A到D和B到D。而电子的流向是源到漏。两个晶体管的源极接在一起或两个晶体管的漏极接在一起并联晶体管的版图设计ABSDDSDADB如果假设电流方向是D并联晶体管的版图设计两个晶体管的源极和漏极都是并联连接关系SDDSDSSDDSS两个晶体管的源极接在一起两个晶体管的源极接在一起同时漏极接在一起同时漏极接在一起并联晶体管的版图设计SDDSDSSDDSS两个晶体管的源极接多指结构的晶体管版图设计多指结构的晶体管版图设计晶体管导电沟道长度=多晶管的宽度 晶体管导电沟道宽度=多晶管的长度导电沟道的宽度决定对门的驱动能力导电沟道宽度增加，增加了栅极的电阻在用标准单元库法进行设计的时候，要求元件的高度相同将大尺寸的晶体管转变成导电沟道宽度符合要求的小尺寸的晶体管多指结构的晶体管版图设计晶体管导电沟道长度=多晶管的宽度一个导电沟道为W的大尺寸晶体管可以等效为N个导电沟道为w（）小尺寸晶体管并联。一个导电沟道为W的大尺寸晶体管可以等效为N个导电沟道为w（）将第偶数个晶体管的源极和漏极颠倒位置，相邻的晶体管将第偶数个晶体管的源极和漏极颠倒位置，相邻的晶体管实现源极或漏极共享，减小版图实现源极或漏极共享，减小版图SDSDSDSD 将第偶数个晶体管的源极和漏极颠倒位置，相邻的晶体管SDS 可以将一个大尺寸的晶体管版图设计成N个小尺寸晶体管并联的阵列，而且小尺寸晶体管的相应端要连接在一起，这个由小尺寸晶体管陈列组成的新的晶体管叫做多指结构晶体管。多只结构的晶体管栅极有N个，扩散区有1个，栅极连接在一起，扩散区组成一个漏源间隔的结构，每奇数个扩散区连接在一起形成源区（或漏区），每偶数个扩散区连接在一起形成漏区（源区）DSDSDDSDS 当当N为偶数的时候，共享后版图两边的扩散区域为源区（漏区）为偶数的时候，共享后版图两边的扩散区域为源区（漏区）当当N为奇数时，两边的扩散区一边是源区，一边是漏区为奇数时，两边的扩散区一边是源区，一边是漏区 可以将一个大尺寸的晶体管版图设计成N个小尺寸晶体管并联衬底连接和保护环衬底连接和保护环闩锁效应 的有源区、P衬底、N阱以及的有源区构成结构。为了避免闩锁效应，应尽量减少N阱和P衬底的寄生电阻，可以通过的衬底通过P衬底接触连接到，将晶体管的衬底通过N衬底接触连接到。一些工作电流比较大的器件周围放置一圈阱/衬底接触可以进一步减小电阻，从而减小寄生三极管的增益，这一圈阱/衬底接触叫做保护环保护环主要由有源区层、选择层、接触孔组成扩散电阻扩散电阻衬底连接和保护环闩锁效应扩散电阻扩散电阻看版图画原理图：N VDDInOutvddgnd反相器反相器看版图画原理图：N VDDInOutvddgnd反相器OutAOutVDDGNDBAvddgndOut Bvdd并联串联Out=A B共用有源区OutAOutVDDGNDBAvddgndOut Bvdd并基本逻辑门的版图设计基本逻辑门的版图设计反相器基本逻辑门的版图设计反相器与非门的版图设计与非门的版图设计或非门的版图设计或非门的版图设计传输门的版图设计传输门的版图设计