晶体二极管及其应用电路课件

晶体二极管及其晶体二极管及其应用用电路路本章要点本章要点:半导体基础知识半导体基础知识PN结单向导电性结单向导电性半导体二极管结构、符号、伏安特性及应用半导体二极管结构、符号、伏安特性及应用特殊二极管特殊二极管本章难点本章难点:半导体二极管伏安特性 半导体二极管应用第第1章章半导体二极管及其应用半导体二极管及其应用2020/11/1421.1PN结结 在物理学中。根据材料的导电能力，可以将他们划分导在物理学中。根据材料的导电能力，可以将他们划分导体、绝缘体和半导体。体、绝缘体和半导体。典型的半导体是典型的半导体是硅硅Si和和锗锗Ge，它们都是它们都是4价元素价元素。硅原子硅原子锗原子锗原子硅硅和和锗锗最最外外层层轨轨道道上上的的四个电子称为四个电子称为价电子价电子。2020/11/1431.半导体特性半导体特性导电能力介于导体与绝缘体之间的，称之为半导体。导电能力介于导体与绝缘体之间的，称之为半导体。(1)热敏性：导体的导电能力对温度反应灵敏，受温度影响大。热敏性：导体的导电能力对温度反应灵敏，受温度影响大。当环境温度升高时，其导电能力增强，称为热敏性。利用当环境温度升高时，其导电能力增强，称为热敏性。利用热敏性可制成热敏元件。热敏性可制成热敏元件。(2)光敏性：导体的导电能力随光照的不同而不同。当光照增光敏性：导体的导电能力随光照的不同而不同。当光照增强时，导电能力增强，称为光敏性。利用光敏性可制成光强时，导电能力增强，称为光敏性。利用光敏性可制成光敏元件。敏元件。(3)掺杂性：导体更为独特的导电性能体现在其导电能力受杂掺杂性：导体更为独特的导电性能体现在其导电能力受杂质影响极大，称为掺杂性。质影响极大，称为掺杂性。.半导体基础知识半导体基础知识 动画演示2020/11/144 本征半导体的共价键结构本征半导体的共价键结构束缚电子束缚电子在在绝对温度温度T=0K时，所有的价所有的价电子都子都紧紧束束缚在共价在共价键中，不会成中，不会成为自自由由电子子，因此本征半因此本征半导体体的的导电能力很弱，接近能力很弱，接近绝缘体。体。2.本征半导体 本征半导体本征半导体化学成分纯净的半导体晶体。化学成分纯净的半导体晶体。制制造造半半导导体体器器件件的的半半导导体体材材料料的的纯纯度度要要达达到到99.9999999%，常常称为称为“九个九个9”。2020/11/145 这一现象称为这一现象称为本征激发本征激发，也称也称热激发热激发。当当温温度度升升高高或或受受到到光光的的照照射射时时，束束缚缚电电子子能能量量增增高高，有有的的电电子子可可以以挣挣脱脱原原子子核核的的束束缚缚，而而参参与与导导电电，成成为为自自由由电子电子。自由电子自由电子+4+4+4+4+4+4+4+4+4 自由电子产生的自由电子产生的同时，在其原来的共同时，在其原来的共价键中就出现了一个价键中就出现了一个空位，称为空位，称为空穴空穴。空穴空穴2020/11/146 可见本征激发同时产生可见本征激发同时产生电子空穴对。电子空穴对。外加能量越高（外加能量越高（温度温度越高），产生的电子空越高），产生的电子空穴对越多。穴对越多。与本征激发相反的与本征激发相反的现象现象复合复合在一定温度下，本征激在一定温度下，本征激发和复合同时进行，达发和复合同时进行，达到动态平衡。电子空穴到动态平衡。电子空穴对的浓度一定。对的浓度一定。常温常温300K时：时：电子空穴对的浓度电子空穴对的浓度硅：硅：锗：锗：自由电子自由电子+4+4+4+4+4+4+4+4+4空穴空穴电子空穴对电子空穴对2020/11/147自由电子自由电子 带负电荷带负电荷 逆电场运动逆电场运动 电子流电子流+4+4+4+4+4+4+4+4+4自由电子自由电子E总电流总电流载流子载流子空穴空穴 带正电荷带正电荷 顺电场运动顺电场运动 空穴流空穴流本征半导体的导电性取决于外加能量：本征半导体的导电性取决于外加能量：温度变化，导电性变化；光照变化，导电性变化。温度变化，导电性变化；光照变化，导电性变化。导电机制导电机制2020/11/1483.3.杂质半导体杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量杂质元素后的在本征半导体中掺入某些微量杂质元素后的半导体称为半导体称为杂质半导体杂质半导体。(1)(1)N型半导体型半导体 在本征半导体中掺入五价杂质元素，例在本征半导体中掺入五价杂质元素，例如磷，砷等，称为如磷，砷等，称为N型半导体型半导体。2020/11/149N型半型半导体体多余多余电子子磷原子磷原子硅原子硅原子多数载流子多数载流子自由电子自由电子少数载流子少数载流子空穴空穴+N型半导体施主离子施主离子自由自由电子子电子空穴子空穴对2020/11/1410在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓等。在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓等。空穴空穴硼原子硼原子硅原子硅原子多数载流子多数载流子空穴空穴少数载流子少数载流子自由电子自由电子P型半导体受主离子受主离子空穴空穴电子空穴子空穴对(2)(2)P型半导体型半导体2020/11/1411杂质半导体的示意图杂质半导体的示意图+N型半导体多子多子电子子少子少子空穴空穴P型半导体多子多子空穴空穴少子少子电子子少子浓度少子浓度本征激发产生，与温度有关本征激发产生，与温度有关多子浓度多子浓度掺杂产生与，温度无关掺杂产生与，温度无关2020/11/1412内电场E因多子浓度差因多子浓度差形成内电场形成内电场多子的扩散多子的扩散 空间电荷区空间电荷区 阻止多子扩散，促使少子漂移。阻止多子扩散，促使少子漂移。PNPN结合结合空空间电荷区荷区多子扩散电流多子扩散电流少子漂移电流少子漂移电流耗尽层耗尽层1.2.1 1.2.1 PN结结 1.PN结的形成结的形成2020/11/1413 动画演示少子漂移少子漂移补充耗尽层失去的多子，耗尽层窄，补充耗尽层失去的多子，耗尽层窄，E多子扩散多子扩散又失去多子，耗尽层宽，又失去多子，耗尽层宽，E内电场E多子扩散电流多子扩散电流少子漂移电流少子漂移电流耗尽层耗尽层动态平衡：动态平衡：扩散电流扩散电流漂移电流漂移电流总电流总电流0势垒势垒UO硅硅0.5V锗锗0.1V2020/11/14142.PN结的单向导电性结的单向导电性(1)加正向电压（正偏）加正向电压（正偏）电源正极接电源正极接P区，负极接区，负极接N区区 外电场的方向与内电场方向相反。外电场的方向与内电场方向相反。外电场削弱内电场外电场削弱内电场 耗尽层变窄耗尽层变窄 扩散运动漂移运动扩散运动漂移运动多子多子扩散形成正向电流扩散形成正向电流I I F F正向电流正向电流 动画演示2020/11/1415(2)加反向电压加反向电压电源正极接电源正极接N区，负极接区，负极接P区区 外电场的方向与内电场方向相同。外电场的方向与内电场方向相同。外电场加强内电场外电场加强内电场 耗尽层变宽耗尽层变宽 漂移运动扩散运动漂移运动扩散运动少子漂移形成反向电流少子漂移形成反向电流I I R RPN 在一定的温度下，由本征激在一定的温度下，由本征激发产生的少子浓度是一定的，发产生的少子浓度是一定的，故故IR基本上与外加反压的大小无基本上与外加反压的大小无关关，所以称为所以称为反向饱和电流反向饱和电流。但但IR与温度有关。与温度有关。动画演示2020/11/1416PN结加正向电压时，具有较大的正向结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻，扩散电流，呈现低电阻，PN结导通；结导通；PN结加反向电压时，具有很小的反向结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻，漂移电流，呈现高电阻，PN结截止。结截止。由此可以得出结论：由此可以得出结论：PN结具有单向导结具有单向导电性。电性。动画演示2020/11/14171.2 1.2 半导体二极管半导体二极管二极管二极管=PN结结+管壳管壳+引线引线NP1.结构结构符号符号阳极阳极+阴极阴极-1.2.1基本结构、种类与符号基本结构、种类与符号2020/11/1418 2.二极管按结构分三大类：按结构分三大类：(1)点接触型二极管点接触型二极管 PN结面积小，结电容小，结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。用于检波和变频等高频电路。2020/11/1419(3)平面型二极管平面型二极管 用于集成电路制造工艺中。用于集成电路制造工艺中。PN结面积可大可小，用结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。于高频整流和开关电路中。(2)面接触型二极管面接触型二极管 PN结面积大，用结面积大，用于工频大电流整流电路。于工频大电流整流电路。2020/11/1420半导体二极管的型号半导体二极管的型号国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：2AP9用数字代表同类器件的不同规格。用数字代表同类器件的不同规格。代表器件的类型，代表器件的类型，P为普通管，为普通管，Z为整流管，为整流管，K为开关管。为开关管。代表器件的材料，代表器件的材料，A为为N型型Ge，B为为P型型Ge，C为为N型型Si，D为为P型型Si。2代表二极管，代表二极管，3代表三极管。代表三极管。2020/11/14212020/11/1422.2.2VA特性曲线特性曲线 硅：硅：0.5V锗：锗：0.1V(1)正向特性正向特性导通压降导通压降反向饱和电流反向饱和电流(2)反向特性反向特性死区死区电压电压击穿电压击穿电压UBR实验曲线实验曲线uEiVmAuEiVuA锗锗硅：硅：0.7V锗：锗：0.3V2020/11/1423(1)正向特性：正向特性：对应于图对应于图1-12曲线的第曲线的第段，为二极管伏特性的正向特段，为二极管伏特性的正向特性部分。这时加在二极管两端的电压不大，从数值上看，只性部分。这时加在二极管两端的电压不大，从数值上看，只有零点几伏，但此时流过二极管的电流却较大，即此时二极有零点几伏，但此时流过二极管的电流却较大，即此时二极管呈现的正向电阻较小。一般硅管正向导通压降约为管呈现的正向电阻较小。一般硅管正向导通压降约为0.60.7V,锗管约为锗管约为0.20.3V。硅管的死区电压约为硅管的死区电压约为0.5V，锗管的死区电压约为，锗管的死区电压约为0.1V。(2)反向特性：反向特性：对应于对应于图图1-12曲线的第曲线的第段，是当二极管加反向电压的段，是当二极管加反向电压的情况。当外加反向电压时，由于少数载流子的漂移，可以形情况。当外加反向电压时，由于少数载流子的漂移，可以形成反向饱和电流，又由于少子的数目少，因此反向电流很小，成反向饱和电流，又由于少子的数目少，因此反向电流很小，用用IS表示。表示。2020/11/1424(3)反向击穿特性：反向击穿特性：对应于特性曲线的第对应于特性曲线的第段。当作用在二极管的反向电压段。当作用在二极管的反向电压高达某一数值后，反向电流会剧增，而使二极管失去单向导高达某一数值后，反向电流会剧增，而使二极管失去单向导电性，这种现象称为击穿，所对应的电压称为击穿电压。电性，这种现象称为击穿，所对应的电压称为击穿电压。二极管的反向击穿，亦即二极管的反向击穿，亦即PN结的反向击穿，可分为热击结的反向击穿，可分为热击穿与电击穿两种穿与电击穿两种。理想二极管的电流与端电压之间有如下关系理想二极管的电流与端电压之间有如下关系为温度温度电压当量，在室温当量，在室温T=300K时，(1-1)动画演示2020/11/14251.2.3主要参数主要参数1.最大整流电流最大整流电流Is：指二极管在长期运行时，允许通过的最指二极管在长期运行时，允许通过的最大大正向平均电流。正向平均电流。2.最高反向工作电压最高反向工作电压URM：指二极管运行时允许承受的最高指二极管运行时允许承受的最高反向电压。反向电压。3.反向电流反向电流IR：指二极管在加上反向电压时的反向电流值。指二极管在加上反向电压时的反向电流值。4.最高工作频率最高工作频率fM：此参数主要由此参数主要由PN结的结电容决定，结结的结电容决定，结电容越大，二极管允许的最高工作频率越低。电容越大，二极管允许的最高工作频率越低。2020/11/1426(2)应根据需要正确地选择型号。应根据需要正确地选择型号。1.2.4使用注意事项使用注意事项(1)在电路中应按注明的极性进行连接。在电路中应按注明的极性进行连接。(3)引出线的焊接或弯曲处，离管壳距离不得小于引出线的焊接或弯曲处，离管壳距离不得小于10mm。(4)应避免靠近发热元件，并保证散热良好。应避免靠近发热元件，并保证散热良好。(5)对整流二极管，建议反向电压降低对整流二极管，建议反向电压降低20%再使用。再使用。(6)切勿超过手册中规定的最大允许电流和电压值。切勿超过手册中规定的最大允许电流和电压值。(7)二极管的替换。硅管与锗管不能互相代用。二极管的替换。硅管与锗管不能互相代用。2020/11/14271.3二极管应用二极管应用1.3.1整流整流 所谓整流，就是将交流电变为单方向脉动的直流电。整流所谓整流，就是将交流电变为单方向脉动的直流电。整流电路是二极管的主要应用领域之一。利用二极管的单向导电性电路是二极管的主要应用领域之一。利用二极管的单向导电性可组成单相、三相等各种形式的整流电路，然后再经过滤波、可组成单相、三相等各种形式的整流电路，然后再经过滤波、稳压，便可获得平稳的直流稳压电源。稳压，便可获得平稳的直流稳压电源。1.3.2检波检波就原理而言，从输入信号中取出调制信号是检波，以整流就原理而言，从输入信号中取出调制信号是检波，以整流电流的大小电流的大小(100mA)作为界限，通常把输出电流小于作为界限，通常把输出电流小于100mA的的叫检波。叫检波。动画演示2020/11/14281.3.3钳位钳位利用二极管正向导通时压降很小的特性可组成钳位电利用二极管正向导通时压降很小的特性可组成钳位电路如图所示路如图所示.若若A点点VA=0，二极管，二极管D可正向导通，其压降很小，可正向导通，其压降很小，故故F点的电位也被钳制在点的电位也被钳制在0V左右，即左右，即VF0。二极管钳位电路二极管钳位电路2020/11/14291.3.4限幅限幅利用二极管正向导通后其两端电压很小且基本不变的特性，利用二极管正向导通后其两端电压很小且基本不变的特性，可以构成各种限幅电路，使输出电压幅度限制在某一电压值内。可以构成各种限幅电路，使输出电压幅度限制在某一电压值内。限制输出电压正半周幅度的限幅电路限制输出电压正半周幅度的限幅电路2020/11/1430限制输出电压负半周幅度的限幅电路限制输出电压负半周幅度的限幅电路2020/11/1431双向限幅电路双向限幅电路 动画演示2020/11/14321.3.5元件保护元件保护在电子线路中在电子线路中，常用二极管来保护其他元器件免受过高，常用二极管来保护其他元器件免受过高电压的损害，在如图所示的电路中，电压的损害，在如图所示的电路中，L和和R是线圈的电感和电是线圈的电感和电阻。阻。二极管保护电路二极管保护电路 动画演示2020/11/1433当稳压二极管工作在当稳压二极管工作在反向击穿状态下反向击穿状态下,工作工作电流电流IZ在在Izmax和和Izmin之间变化时之间变化时,其两端电其两端电压近似为常数压近似为常数稳定稳定电压电压 稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊二极管稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊二极管正向同正向同二极管二极管反偏电压反偏电压UZ反向击穿反向击穿UZ限流电阻限流电阻1.4.1稳压二极管稳压二极管1.4特殊二极管特殊二极管2020/11/1434稳压二极管稳压过程稳压二极管稳压过程稳压管稳压电路稳压管稳压电路稳压过程稳压过程2020/11/1435 稳压二极管的主要稳压二极管的主要参数参数(1)稳定电压稳定电压UZ(2)动态电阻动态电阻rZ 在规定的稳压管反向工作电流在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。下，所对应的反向工作电压。rZ=U/IrZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。(3)(3)最小稳定工作最小稳定工作电流电流IZmin 保证稳压管击穿所对应的电流，若保证稳压管击穿所对应的电流，若IZIZmin则不能稳压。则不能稳压。(4)(4)最大稳定工作电流最大稳定工作电流IZmax 超过超过Izmax稳压管会因功耗过大而烧坏。稳压管会因功耗过大而烧坏。2020/11/1436【例例1-1】在在图中，已知中，已知稳压二极管的二极管的，已知，已知，时,求求Uo稳压二极管的正向导通压降稳压二极管的正向导通压降。当稳压电路稳压电路解解 当，反向击穿稳压，正向导通，；同理，2020/11/14371.4.2发光二极管发光二极管发光二极管简称发光二极管简称LED，它是一种将电能转换为光能的半，它是一种将电能转换为光能的半导体器件。导体器件。发光二极管的符号如图所示。发光二极管的符号如图所示。发光二极管常用于作为显示器件，发光二极管常用于作为显示器件，可单个使用，也可作成可单个使用，也可作成7段式或矩段式或矩阵式，工作时加正向电压，并接入阵式，工作时加正向电压，并接入相应的限流电阻，工作电流一般为相应的限流电阻，工作电流一般为几毫安到几十毫安，正向导通时的几毫安到几十毫安，正向导通时的管压降为管压降为1.82.2V。发光二极管符号发光二极管符号2020/11/14381.4.3光敏二极管光敏二极管光敏二极管又称为光电二极管，它是将光能转换为电能的光敏二极管又称为光电二极管，它是将光能转换为电能的半导体器件。半导体器件。其结构与普通二极管相似，只是在管壳上留有一个能使其结构与普通二极管相似，只是在管壳上留有一个能使光线照入的窗口。其符号如图光线照入的窗口。其符号如图所所示。示。光敏二极管符号光敏二极管符号光敏二极管的特性曲线光敏二极管的特性曲线2020/11/14391.4.4变容二极管变容二极管用于自动频率控制用于自动频率控制(AFC)和调谐用的小功率二极管称和调谐用的小功率二极管称变容二极管。变容二极管符号如图所示。通过施加反向电变容二极管。变容二极管符号如图所示。通过施加反向电压，压，使其使其PN结的静电容量发生变化，因此，常用于自动结的静电容量发生变化，因此，常用于自动频率控制、扫描振荡、调频和调谐等用途。频率控制、扫描振荡、调频和调谐等用途。变容二极管符号变容二极管符号2020/11/14401.4.5隧道二极管隧道二极管隧道二极管是因为用含有大量杂质的本征半导体制作隧道二极管是因为用含有大量杂质的本征半导体制作PN结时，会产生极薄的耗尽层，若加正向偏压，则在达到结时，会产生极薄的耗尽层，若加正向偏压，则在达到扩散电位之前，由于隧道效应而发生电流流动。若接近扩扩散电位之前，由于隧道效应而发生电流流动。若接近扩散电位，则为通常的二极管特性，所以如图散电位，则为通常的二极管特性，所以如图1-26所示，在所示，在正向电压低的范围，显示出负的电阻。正向电压低的范围，显示出负的电阻。隧道二极管的电压电流特性隧道二极管的电压电流特性隧道二极管的优点是开隧道二极管的优点是开关特性好，速度快、工作频关特性好，速度快、工作频率高；缺点是热稳定性较差。率高；缺点是热稳定性较差。一般应用于某些开关电路或一般应用于某些开关电路或高频振荡等电路中。高频振荡等电路中。2020/11/14411.4.6肖特基二极管肖特基二极管肖特基二极管肖特基二极管(SchottkyBarrierDiode)是利用金属与半是利用金属与半导体接触形成金属导体接触形成金属-半导体结制作二极管。其金属材料采用半导体结制作二极管。其金属材料采用金、钼、镍、钛等材料，其半导体材料采用硅或砷化镓，多金、钼、镍、钛等材料，其半导体材料采用硅或砷化镓，多为为N型半导体。型半导体。它是高频和快速开关的理想器件，其工作频率可达它是高频和快速开关的理想器件，其工作频率可达100GHz。常用的肖特基二极管有常用的肖特基二极管有DB0-004、MBR1545、MBR2535型等。型等。2020/11/14421.4.7片式二极管片式二极管片式二极管的外型如图所示，外壳一般为黑色，内部为片式二极管的外型如图所示，外壳一般为黑色，内部为PN结，根据外型可分为圆柱形片式二极管图结，根据外型可分为圆柱形片式二极管图(a)和矩形片式二和矩形片式二极管图极管图b所示，它们都没有引线，其两个端面就为正、负极。所示，它们都没有引线，其两个端面就为正、负极。其中标有白色竖条的一端为负极，另一端则为正极。其中标有白色竖条的一端为负极，另一端则为正极。片式二极管的外形片式二极管的外形2020/11/14431.4.8快恢复二极管快恢复二极管1.快恢复二极管的特点快恢复二极管的特点快恢复二极管的结构与普通二极管不同，它不是一个单快恢复二极管的结构与普通二极管不同，它不是一个单一的一的PN结，而是在结，而是在P型与型与N型硅材料中间增加了一个基区型硅材料中间增加了一个基区I，构成构成PIN硅层，这种结构的二极管，由于基区很薄、反向恢硅层，这种结构的二极管，由于基区很薄、反向恢复电荷很少、故使该种二极管的反向恢复时间大为减少，其复电荷很少、故使该种二极管的反向恢复时间大为减少，其值一般为几百纳米以下。同时使它的正向压降较低，而使反值一般为几百纳米以下。同时使它的正向压降较低，而使反向峰值电压得到提高，其值可达几千伏。向峰值电压得到提高，其值可达几千伏。快恢复二极管快恢复二极管(FRD)的优点是反向恢复时间短、开关特的优点是反向恢复时间短、开关特性好、体积小。广泛用于脉宽调制器、不间断电源、开关电性好、体积小。广泛用于脉宽调制器、不间断电源、开关电源、变频调速器等电路中，作为高频大电流整流、续流二极源、变频调速器等电路中，作为高频大电流整流、续流二极管应用。管应用。2020/11/1444 快恢复二极管的内部结构和外形如图所示。其内部结构可分为单管和对管两种，在对管内部有两只快恢复二极管，由于这两只管子的接法不同，又可分为共阴对管和共阳对管。快恢复二极管的内部结构和外形快恢复二极管的内部结构和外形2020/11/14452.快恢复二极管的检测快恢复二极管的检测 将万用表置于R1k挡，测快恢复二极管的正、反电阻值，正向电阻值一般为几欧姆，反向电阻值为，如果测得的阻值为或0，则表明被测管损坏。对管的检测方法与上述方法基本相同，但必须首先确定其共用端是哪个引脚，然后再用上述方法对各个二极管进行检测。2020/11/14463.快恢复二极管的选用与使用快恢复二极管的选用与使用 快恢复二极管广泛应用于不间断电源、开关电源、交流电动机的变频调速器、脉宽调制脉宽调制器等电路中，作高频、高压、大电流整流、续流二极管用。具体选用时应根据具体电路的要求，选择合适参数的管子。在选用时如果单管的参数不能满足要求而对管能满足要在选用时如果单管的参数不能满足要求而对管能满足要求时，则可把对管当作单管使用。在使用对管中如有一只管求时，则可把对管当作单管使用。在使用对管中如有一只管子损坏，则可作单管使用。子损坏，则可作单管使用。2020/11/1447本章小结本章小结1半半导导体体材材料料中中有有两两种种载载流流子子：电电子子和和空空穴穴。电电子子带带负负电电，空空穴穴带带正正电电。在在纯纯净净半半导导体体中中掺掺入入不不同同的的杂杂质质，可可以以得得到到N型型半导体和半导体和P型半导体。型半导体。2采采用用一一定定的的工工艺艺措措施施，使使P型型和和N型型半半导导体体结结合合在在一一起起，就就形成了形成了PN结。结。PN结的基本特点是单向导电性。结的基本特点是单向导电性。3二二极极管管是是由由一一个个PN结结构构成成的的。其其特特性性可可以以用用伏伏安安特特性性和和一一系系列列参参数数来来描描述述。在在研研究究二二极极管管电电路路时时，可可根根据据不不同同情情况况，使用不同的二极管模型。使用不同的二极管模型。4.二极管的应有用。二极管的应有用。2020/11/1448谢谢大家！