雷射二极体制程能力改善专题

範例二 雷射二極體製程能力改善專題 作者簡介： 組員：吳志銘 莊志祥 宋國隆 郭澤綿 一、流程簡介說明 相關製程參數(P)1:CHIP POSITION ON SUB 2:PREHEATING TEMP.TIME TEMPPD POSITION ON HEADER PD SIZESUB. POSITION ON HEADERFORCE POWER TEMP流程順序1.CHIP ON SUB.2.RTA3.PD ON HEADER4.SUB. ON HEADER5.W/B相關品質特性(Q)PUSH FORCE BEAM PATTERNPUSH FORCEImBEAM PATTERNPULL FORCE最重要之QPUSH FORCEPUSH FORCEImBEAM PATTERNPULL FORCE 二、P/Q因果關係圖 P代號Q代號RTA TEMPRTA TIMECHIP POSITIONSUB. POSITIONPD POSITIONPD SIZEBONDIG FORCEBONDING POWERBONDING TIMEPUSH FORCEPULL FORCEBEAM PATTERNIm 密切相關：有相關性： 三、品質（Q）製程能力診斷表 製程：LASER DIODE PACKAGE 數據期間：2/24/983/5/98 品質 特性重要性取樣頻率平均值()標準差()上限下限CpCaCpk安全區管理改善區技術改善區Push Force130 pcs/week195.5675.2692001200.1950.8080.037Pull Force230 pcs/week9.911.0531160.7910.6370.345Im3125PCS/LOT41.384.88220016.7940.5922.757 四、直方圖分析 1.製程：LASER DIODE PACKAGE 2.品質特性:Im 3.直方圖 4. 分析： 近似常態分配型 不屬常態分配型 離島型雙峰型偏態型5.研判：屬於常態分配型，可進行製程能力分析。 五、直方圖分析 1.製程：LASER DIODE PACKAGE 2.品質特性:PUSHFORCE 3.直方圖 4. 分析： 近似常態分配型 不屬常態分配型 離島型雙峰型偏態型5.研判：經分析是屬於偏態型，除進行技術研究外，並擬同時作製程能力分析。 六、直方圖分析 1.製程：LASER DIODE PACKAGE 2.品質特性:PUSHFORCE 3.直方圖 4. 分析： 屬常態分配型 不屬常態分配型 離島型雙峰型偏態型5.研判： 1： 2 pcs (pull force=7.2gf) , 1 pcs (pull force=8.3 gf) 經證實是由chip表面污染導致 pull force 下降。 2：1 pcs (pull force=11.9)經分析是由於金線線徑過大所致(1.3 mil)。 七、製程能力研判與對策 1.品質特性之綜合研判 分類品質特性安全區 管理改善區技術改善區SHEAR FORCEPULL FORCEIm 2.安全區對策 2.1有關製程參數之對策 製程參數標準化愚巧法PD size4 14 1 mil2PD position使 HEADER 凹槽大小與PD大小近似。 2.2有關品質特性之對策 品質特性目前檢驗頻率建議檢驗頻率Im125 pcs/lot125 pcs/lot 3.管理改善區對策 品質特性質對策說明pull force1：加強人員訓練，減少由於 CHIP殘膠，殘蠟及由於OPR 在製造過程中 tray particle造成的CHIP SURFACE CONTAMINATION。 2:利用相關回歸分析找出P與Q的因果關係，將製程平均植往規格中心修正。push force利用相關回歸分析找出P與Q的因果關係，將製程平均植往規格中心修正。 八、結論 1.Im： 根據製程能力分析的結果（Cp=6.794;Ca=0.592）落在製程能力改善方向圖的安全區，我們將PD SIZE&PD POSITION標準化，並使用管制圖加以管制。 2.PULL FORCE： 根據製程能力分析的結果（Cp=0.791;Ca=0.637）落在製程能力改善方向圖的管理改善區，我們將利用相關回歸分析或DOE找出bonding time,temperature,power與PULL FORCE的定量關係，以期獲得最佳的生產條件（P j組合）。 3.PUCH FORCE： 根據製程能力分析的結果，我們已利用相關回歸分析找出在操作時間為15秒的條件下，製程參數（合金化溫度）最佳操作範圍為252266C