资源描述
第一章晶体几何基本-1解释概念：等同点：晶体构造中,在同一取向上几何环境和物质环境皆相似的点。空间点阵:概括地表达晶体构造中档同点排列规律的几何图形。结点:空间点阵中的点称为结点。晶体：内部质点在三维空间呈周期性反复排列的固体。对称:物体相似部分作有规律的反复。对称型:晶体构造中所有点对称要素(对称面、对称中心、对称轴和旋转反伸轴）的集合为 对称型,也称点群。晶类:将对称型相似的晶体归为一类，称为晶类。晶体定向:为了用数字表达晶体中点、线、面的相对位置,在晶体中引入一种坐标系统的过程。空间群:是指一种晶体构造中所有对称要素的集合。布拉菲格子:是指法国学者.布拉菲根据晶体构造的最高点群和平移群对称及空间格子的平行六面体原则，将所有晶体构造的空间点阵划提成4种类型的空间格子。晶胞:可以反映晶体构造特性的最小单位。晶胞参数：表达晶胞的形状和大小的6个参数(a、b、c、 ）.1-2 晶体构造的两个基本特性是什么?哪种几何图形可表达晶体的基本特性？解答:晶体构造的基本特性:晶体是内部质点在三维空间作周期性反复排列的固体。晶体的内部质点呈对称分布,即晶体具有对称性。4种布拉菲格子的平行六面体单位格子可以表达晶体的基本特性。1-3 晶体中有哪些对称要素，用国际符号表达。解答:对称面,对称中心1，次对称轴n,n次旋转反伸轴n螺旋轴ns ,滑移面a、b、c、d-5一种四方晶系的晶面，其上的截距分别为a、4a、c，求该晶面的晶面指数。解答：在X、Y、Z轴上的截距系数:3、。截距系数的倒数比为：1/3:/：/6=:3:2晶面指数为:（432)补充：晶体的基本性质是什么？与其内部构造有什么关系?解答:自限性:晶体的多面体形态是其格子构造在外形上的反映。 均一性和异向性:均一性是由于内部质点周期性反复排列，晶体中的任何一部分在构造上是相似的。异向性是由于同一晶体中的不同方向上,质点排列一般是不同的，因而体现出不同的性质。对称性：是由于晶体内部质点排列的对称。最小内能和最大稳定性:在相似的热力学条件下,较之同种化学成分的气体、液体及非晶质体，晶体的内能最小。这是规则排列质点间的引力和斥力达到平衡的因素。晶体的稳定性是指对于化学构成相似,但处在不同物态下的物体而言,晶体最为稳定。自然界的非晶质体自发向晶体转变,但晶体不也许自发地转变为其她物态。第二章晶体化学基本2- 名词解释:配位数与配位体,同质多晶与多晶转变,位移性转变与重建性转变，晶体场理论与配位场理论。答:配位数:晶体构造中与一种离子直接相邻的异号离子数。配位体:晶体构造中与某一种阳离子直接相邻、形成配位关系的各个阴离子中心连线所构成的多面体。同质多晶:同一化学构成在不同外界条件下（温度、压力、pH值等），结晶成为两种以上不同构造晶体的现象。多晶转变：当外界条件变化到一定限度时，多种变体之间发生构造转变,从一种变体转变成为另一种变体的现象。位移性转变:不打开任何键，也不变化原子最邻近的配位数,仅仅使构造发生畸变，原子从本来位置发生少量位移，使次级配位有所变化的一种多晶转变形式。重建性转变:破坏原有原子间化学键，变化原子最邻近配位数,使晶体构造完全变化原样的一种多晶转变形式。晶体场理论:觉得在晶体构造中,中心阳离子与配位体之间是离子键，不存在电子轨道的重迭,并将配位体作为点电荷来解决的理论。配位场理论:除了考虑到由配位体所引起的纯静电效应以外，还考虑了共价成键的效应的理论。 图-1 MgO晶体中不同晶面的氧离子排布示意图22 面排列密度的定义为：在平面上球体所占的面积分数。(a)画出Mg(Cl型)晶体（11）、（1）和(10)晶面上的原子排布图；（b）计算这三个晶面的面排列密度。解:gO晶体中2做紧密堆积,Mg2填充在八面体空隙中。（a)(11)、（10)和(0)晶面上的氧离子排布状况如图2-1所示。（)在面心立方紧密堆积的单位晶胞中, （)面：面排列密度= (110)面:面排列密度=（100)面：面排列密度= 2- 试证明等径球体六方紧密堆积的六方晶胞的轴比c/1.63。证明:六方紧密堆积的晶胞中，轴上两个球直接相邻，=2r；c轴方向上,中间的一种球分别与上、下各三个球紧密接触,形成四周体,如图2-所示:图2-2 六方紧密堆积晶胞中有关尺寸关系示意图2-设原子半径为,试计算体心立方堆积构造的(100）、(）、（11)面的面排列密度和晶面族的面间距。解：在体心立方堆积构造中： （10）面：面排列密度 面间距=（10）面：面排列密度= 面间距= (11）面：面排列密度= 面间距= 2- 以aCl晶胞为例,试阐明面心立方紧密堆积中的八面体和四周体空隙的位置和数量。答:以Nal晶胞中（001)面心的一种球(Cl-离子）为例，它的正下方有1个八面体空隙(体心位置),与其对称,正上方也有1个八面体空隙；前后左右各有1个八面体空隙(棱心位置)。因此共有个八面体空隙与其直接相邻，由于每个八面体空隙由6个球构成，因此属于这个球的八面体空隙数为61=1。在这个晶胞中，这个球还与此外个面心、1个顶角上的球构成4个四周体空隙(即1/8小立方体的体心位置）；由于对称性，在上面的晶胞中,也有4个四周体空隙由这个参与构成。因此共有个四周体空隙与其直接相邻,由于每个四周体空隙由4个球构成，因此属于这个球的四周体空隙数为4=2。2-6 临界半径比的定义是：紧密堆积的阴离子正好互相接触，并与中心的阳离子也正好接触的条件下,阳离子半径与阴离子半径之比。即每种配位体的阳、阴离子半径比的下限。计算下列配位的临界半径比：（a)立方体配位；()八面体配位；(c）四周体配位;（d）三角形配位。解:(1）立方体配位在立方体的对角线上正、负离子互相接触,在立方体的棱上两个负离子互相接触。因此：（)八面体配位在八面体中，中心对称的一对阴离子中心连线上正、负离子互相接触,棱上两个负离子互相接触。因此：(）四周体配位在四周体中中心正离子与四个负离子直接接触，四个负离子之间互相接触（中心角)。因此:底面上对角中心线长为：(4)三角体配位在三角体中,在同一种平面上中心正离子与三个负离子直接接触,三个负离子之间互相接触。因此：2- 一种面心立方紧密堆积的金属晶体，其原子量为M,密度是.4cm。试计算其晶格常数和原子间距。解:根据密度定义,晶格常数原子间距=2-8 试根据原子半径R计算面心立方晶胞、六方晶胞、体心立方晶胞的体积。解:面心立方晶胞： 六方晶胞():体心立方晶胞:2- g具有N构造。根据O2-半径为014nm和M2+半径为.02m，计算球状离子所占据的体积分数和计算g的密度。并阐明为什么其体积分数不不小于4.5%?解：在MO晶体中,正负离子直接相邻,a0=2(r+r)24（)体积分数=（4/3)(0.3+.02)/0.424=8.52密度4(2.3)/6.023(0.2410-7)=3.5112(cm)MgO体积分数不不小于7.05%,因素在于r+/-=0.07/.14=0.4250.414,正负离子紧密接触，而负离子之间不直接接触，即正离子将负离子形成的八面体空隙撑开了,负离子不再是紧密堆积，因此其体积分数不不小于等径球体紧密堆积的体积分数7.5。2-0 半径为R的球，互相接触排列成体心立方构造，试计算能填入其空隙中的最大小球半径r。体心立方构造晶胞中最大的空隙的坐标为（0,1/2，1/4）。解:在体心立方构造中，同样存在八面体和四周体空隙,但是其形状、大小和位置与面心立方紧密堆积略有不同（如图2-3所示）。设：大球半径为R,小球半径为r。则位于立方体面心、棱心位置的八面体空隙可以填充的最大的小球尺寸为：位于立方体（0.5,0.25，0）位置的四周体空隙可以填充的最大的小球尺寸为：2-11 纯铁在9由体心立方构造转变成面心立方,体积随之减小1.06%。根据面心立方构造的原子半径R面心计算体心立方构造的原子半径R体心。解:由于面心立方构造中,单位晶胞4个原子, ；而体心立方构造中，单位晶胞2个原子, 因此， 解得:RF=1.0251RI，或0.755F第三章晶体构造3-1名词解释（a)萤石型和反萤石型()类质同晶和同质多晶（）二八面体型与三八面体型(d）同晶取代与阳离子互换(e)尖晶石与反尖晶石答:（a)萤石型：CaF2型构造中,Ca2+按面心立方紧密排列，F-占据晶胞中所有四周体空隙。反萤石型：阳离子和阴离子的位置与CaF型构造完全相反,即碱金属离子占据F-的位置，O2-占据Ca2+的位置。(b）类质同象：物质结晶时，其晶体构造中部分原有的离子或原子位置被性质相似的其他离子或原子所占有,共同构成均匀的、呈单一相的晶体，不引起键性和晶体构造变化的现象。同质多晶：同一化学构成在不同热力学条件下形成构造不同的晶体的现象。(c）二八面体型：在层状硅酸盐矿物中,若有三分之二的八面体空隙被阳离子所填充称为二八面体型构造三八面体型:在层状硅酸盐矿物中,若所有的八面体空隙被阳离子所填充称为三八面体型构造。（d)同晶取代:杂质离子取代晶体构造中某一结点上的离子而不变化晶体构造类型的现象。阳离子互换：在粘土矿物中，当构造中的同晶取代重要发生在铝氧层时，某些电价低、半径大的阳离子（如+、Na等)将进入晶体构造来平衡多余的负电荷,它们与晶体的结合不很牢固，在一定条件下可以被其他阳离子互换。(e)正尖晶石:在AB2O4尖晶石型晶体构造中，若A+分布在四周体空隙、而B3+分布于八面体空隙，称为正尖晶石;反尖晶石：若A+分布在八面体空隙、而B+一半分布于四周体空隙另一半分布于八面体空隙，通式为B(AB)O4,称为反尖晶石。3-2 (a)在氧离子面心立方密堆积的晶胞中,画出适合氧离子位置的间隙类型及位置,八面体间隙位置数与氧离子数之比为若干?四周体间隙位置数与氧离子数之比又为若干?(b）在氧离子面心立方密堆积构造中，对于获得稳定构造各需何种价离子，其中：(1）所有八面体间隙位置均填满;（）所有四周体间隙位置均填满；（3)填满一半八面体间隙位置；(4）填满一半四周体间隙位置。并对每一种堆积方式举一晶体实例阐明之。解:（a)参见2-5题解答。(b）对于氧离子紧密堆积的晶体,获得稳定的构造所需电价离子及实例如下：（1）填满所有的八面体空隙,价阳离子，MgO;(2）填满所有的四周体空隙，1价阳离子，Li2;（3)填满一半的八面体空隙，价阳离子,O；(4）填满一半的四周体空隙，价阳离子,ZnO。-3MO晶体构造，Mg2+半径为0.72nm,O半径为0.40n,计算MgO晶体中离子堆积系数（球状离子所占据晶胞的体积分数）；计算gO的密度。解：参见2-9题。- i2晶体，Li+的半径为0.074nm,O2-的半径为0.10nm，其密度为646g/c,求晶胞常数a0；晶胞中Li2O的分子数。解：按照已知密度计算:根据已知离子半径计算：LiO4的棱为小立方体的面对角线。从图3-1所示尺寸关系懂得:将已知数值代入上式并解方程得： 3-5试解释（a)在X型晶体构造中，NaCl型构造最多；（b）Mg2O4晶体构造中，按r/r-与CN关系，Mg+、A3+都填充八面体空隙，但在该构造中g2+进入四周体空隙，Al+填充八面体空隙;而在MFe2O4构造中，Mg2+填充八面体空隙，而一半F+填充四周体空隙。（）绿宝石和透辉石中Si：O都为1：,前者为环状构造，后者为链状构造。答:（a)在AX型晶体构造中,一般阴离子X的半径较大，而阳离子A的半径较小,因此X做紧密堆积，A填充在其空隙中。大多数X型化合物的r+/r在0.44.73之间，应当填充在八面体空隙，即具有NC型构造;并且aCl型晶体构造的对称性较高，因此AX型化合物大多具有NaC型构造。（b）按照阳、阴离子半径比与配位数之间的关系，Al3与Mg2+的配位数均应当为6，填入八面体空隙。但是，根据鲍林规则，高电价离子填充于低配位的四周体空隙时,排斥力要比填充八面体空隙中较大，稳定性较差,因此Al3+填入八面体空隙,而Mg2+填入四周体空隙。而在MgFeO4构造中，由于Fe的八面体择位能为0,可以进入四周体或八面体空隙,当配位数为4时，F+离子半径0.049nm,Mg离子半径0.057nm，Fe3在四周体空隙中更加稳定，因此Mg2+填充八面体空隙、一半e3+填充四周体空隙。(c）绿宝石和透辉石中:都为1:3。但是，绿宝石中的其他阳离子B2+和Al3+的离子半径较小,配位数较小(4或6）,互相间斥力较大,因此绿宝石通过SiO4顶角相连形成六节环，再通过Be2+和A+将六节环连接起来，离子堆积结合状态不太紧密,这样晶体构造较稳定。透辉石中是M2+和Ca2+,离子半径较大,配位数较大(分别为6和8)，互相间斥力较小，因此透辉石通过SO顶角相连形成单链,离子堆积结合状态比较紧密。3-6论述硅酸盐晶体构造分类原则及多种类型的特点，并举一例阐明之。解：硅酸盐矿物按照硅氧四周体的连接方式进行分类，具体类型见表-1。表3-1硅酸盐矿物的构造类型构造类型共用氧数形状 络阴离子 氧硅比实例 岛状 四周体SO- 4 镁橄榄石SiO4 组群状 2六节环 iO8 . 绿宝石Be3l2Si6O1 链状23 单链2O6- 32.5 透辉石CaMgiO6 层状 平面层Si4104- 2.5 滑石M3Si4O10(OH) 架状4 骨架SiO2 2 石英i2 3-7 堇青石与绿宝石有相似构造,分析其有明显的离子电导,较小的热膨胀系数的因素。答:堇青石Mg23S5O18具有绿宝石构造,以(3Al3+2Mg2）置换绿宝石中的（3Be2+A3+）。6个O4通过顶角相连形成六节环，沿c轴方向上下迭置的六节环内形成了一种空腔，成为离子迁移的通道，因而具有明显的离子电导；此外离子受热后，振幅增大，但由于可以向构造空隙中膨胀，因此不发生明显的体积膨胀,因而热膨胀系数较小。3- （）什么叫阳离子互换?(）从构造上阐明高岭石、蒙脱石阳离子互换容量差别的因素。（c)比较蒙脱石、伊利石同晶取代的不同,阐明在平衡负电荷时为什么前者以水化阳离子形式进入构造单元层,而后者以配位阳离子形式进入构造单元层。答:（a)在粘土矿物中,如果AO6层中部分l3+被Mg2、Fe2+替代时,某些水化阳离子(如Na+、2+等)进入层间,来平衡多余的负电荷,在一定条件下这些阳离子可以被其他阳离子互换，这种现象称为阳离子互换。（b）高岭石的阳离子互换容量较小，而蒙脱石的阳离子互换容量较大。由于高岭石是1：1型构造，单网层与单网层之间以氢键相连，氢键强于范氏键，水化阳离子不易进入层间,因此阳离子互换容量较小。而蒙脱石是为2:1型构造，复网层间以范氏键相连，层间联系较弱，水化阳离子容易进入复网层间以平衡多余的负电荷，因此蒙脱石的阳离子互换容量较大。（c)蒙脱石和伊利石均为2:1型构造。但是,蒙脱石的铝氧八面体层中大概有13的A3+被M2+所取代，平衡电荷的水化阳离子半径大,并且水化阳离子与负电荷之间距离远，覆网层之间的结合力弱,因此进入层间位置。伊利石的硅氧四周体层中约1/6的Si4+被Al+所取代，K+进入复网层间以平衡多余的负电荷,+位于上下二层硅氧层的六边形网络的中心,构成O2,K+与硅氧层中的负电荷距离近,结合力较强,因此以配位离子形式进入构造单元。9在透辉石MgSi2O6晶体构造中，2与阳离子Ca2+、Mg2、S4配位型式有哪几种，符合鲍林静电价规则吗?为什么?答:透辉石CagSi2O6,O2-与阳离子Ca2+、Mg、Si4配位型式有三种，即2个桥氧和2个非桥氧形成SO4,6个非桥氧形成O6,4个桥氧和4个非桥氧形成CaO。在教材的图-22b中，同步与1个Si4+、2个Mg和1个Ca2+配位的非桥氧，其静电价强度总和为/+221/6+8=23/，而同步与1个Si、1个g2+和1个Ca2配位的非桥氧,其静电价强度总和为41/4+21/6+21/819/12，不不小于其负电价；同步与2个i4+、2个Ca2+配位的桥氧,其静电价强度总和为21/+221/=5/2，不小于其负电价。因此不完全符合鲍林静电价规则。但是其总体电价仍然平衡的，晶体构造仍然是稳定的。因素在于M2+和2+两种离子的离子半径不同、配位数不同、配位氧离子不同（桥氧或非桥氧）。3-0同为碱土金属阳离子Be2+、M2、C2，其卤化物BeF2和O2构造同，Mg2与Ti(金红石型）构造同,CaF2则有萤石型构造,分析其因素。答:碱土金属离子e2+、Mg2+、Ca2+，随着原子序数的增大，离子半径逐渐增大,极化性能变化不大。当阴离子同为F-时，使得其+/-增大，配位数增大,由e2的4配位到MgF2的6配位，再到CaF的8配位。-1 金刚石构造中原子按面心立方排列,为什么其堆积系数仅为%。答:为了分析晶体构造以便起见，金刚石构造中原子可以当作按面心立方排列。但事实上由于原子之间是共价键,具有方向性和饱和性，每个原子只与4个C原子形成价键(紧密相邻),因此并没有达到紧密堆积(紧密堆积时每个原子同步与12个原子紧密相邻)，其晶体构造内部存在诸多空隙。因此其堆积系数仅为%,远远不不小于紧密堆积的74.05%。 第四章晶体构造缺陷习题与解答41名词解释（a）弗伦克尔缺陷与肖特基缺陷;（b）刃型位错和螺型位错解：(a）当晶体热振动时,某些能量足够大的原子离开平衡位置而挤到晶格点的间隙中,形成间隙原子，而本来位置上形成空位,这种缺陷称为弗伦克尔缺陷。如果正常格点上原子，热起伏后获得能量离开平衡位置,跃迁到晶体的表面,在原正常格点上留下空位,这种缺陷称为肖特基缺陷。(b）滑移方向与位错线垂直的位错称为刃型位错。位错线与滑移方向互相平行的位错称为螺型位错。4.试述晶体构造中点缺陷的类型。以通用的表达法写出晶体中多种点缺陷的表达符号。试举例写出aC中Ca2+置换KCl中+或进入到KC间隙中去的两种点缺陷反映表达式。解:晶体构造中的点缺陷类型共分：间隙原子、空位和杂质原子等三种。在X晶体中，间隙原子的表达符号为MI或XI；空位缺陷的表达符号为:VM或V。如果进入M晶体的杂质原子是A，则其表达符号可写成:AM或A(取代式)以及i(间隙式）。当CaCl2中a2+置换Cl中K而浮现点缺陷,其缺陷反映式如下:a2+2ClCaCl2中C2+进入到KCl间隙中而形成点缺陷的反映式为:aCl2+ +CCl4.3在缺陷反映方程式中,所谓位置平衡、电中性、质量平衡是指什么?解:位置平衡是指在化合物MaX中，M格点数与X格点数保持对的的比例关系，即M：X=a：。电中性是指在方程式两边应具有相似的有效电荷。质量平衡是指方程式两边应保持物质质量的守恒。4.（a）在Mg晶体中,肖特基缺陷的生成能为6ev,计算在25和60时热缺陷的浓度。 （b)如果g晶体中,具有百万分之一mo的l23杂质，则在160时，MgO晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势？阐明因素。解：（)根据热缺陷浓度公式:x()由题意 G=6v616210-19.61210-19JK=1.381-3 JKT12+73=2K T=160073=1329K: exp 1.9105173K: ex=8109（b）在Mg中加入百万分之一的AlO3杂质，缺陷反映方程为:此时产生的缺陷为 杂质。而由上式可知：AlO3 杂质当加入106 Al2O3时，杂质缺陷的浓度为 杂质l2O3=10-由(a）计算成果可知：在183 K，热=810-显然: 杂质 热，因此在1873K时杂质缺陷占优势。4.5对某晶体的缺陷测定生成能为8KJ/o,计算该晶体在000K和1500K时的缺陷浓度。解：根据热缺陷浓度公式：x(）由题意 G8K/ml=84000J/ol则 xp(）其中=.314J/molK当T=1000时， ex（)= xp=6.10当2=50K时, p（)= xp=3.45024.6试写出在下列二种状况，生成什么缺陷?缺陷浓度是多少？()在Al2O3中,添加.01ol%的r2,生成淡红宝石（b）在AlO3中，添加05m%的N，生成黄宝石。解：(a）在l2O3中，添加.0mol%的23，生成淡红宝石的缺陷反映式为:Cr2O生成置换式杂质原子点缺陷。其缺陷浓度为:01% =0.00%410-3%（b）当添加5mol%的NiO在Al23中,生成黄宝石的缺陷反映式为:NO+2OO生成置换式的空位点缺陷。其缺陷浓度为：50.%4.非化学计量缺陷的浓度与周边氛围的性质、压力大小有关,如果增大周边氧气的分压，非化学计量化合物Fe-xO及Z1+xO的密度将发生如何变化?增大?减少？为什么？解:（a)非化学计量化合物e1-x,是由于正离子空位,引起负离子过剩:2Fe Fe+ O(）Fe+ V+OOO2（g)OOV+2按质量作用定律,平衡常数K由此可得V PO1/即：铁空位的浓度和氧分压的/6次方成正比，故当周边分压增大时,铁空位浓度增长,晶体质量减小,则1x的密度也将减小。(b)非化学计量化合物n+xO,由于正离子填隙,使金属离子过剩:ZnO+2(g)根据质量作用定律Ke2得 PO-/6即：间隙离子的浓度与氧分压的16次方成反比，故增大周边氧分压,间隙离子浓度减小,晶体质量减小，则Z+xO的密度也将减小。.8非化学计量化合物FexO中，Fe3+/e2+=01,求FexO中的空位浓度及x值。解:非化学计量化合物FexO,可觉得是(ml)的F2O3溶入eO中，缺陷反映式为：Fe2O32Fe+ V+3OO2 此非化学计量化合物的构成为:FeeO已知:e3+/F2+=0.1则: = 0.044=+(1-3)-0.96又:V3+=44正常格点数N=109561956空位浓度为. 非化学计量氧化物Ti-x的制备强烈依赖于氧分压和温度:(a)试列出其缺陷反映式。（b)求其缺陷浓度体现式。解：非化学计量氧化物TiO2-x，其晶格缺陷属于负离子缺位而使金属离子过剩的类型。（）缺陷反映式为:Ti Ti?FNTO22+OOO+2e+O2（)缺陷浓度体现式： V 40试比较刃型位错和螺型位错的异同点。解:刃型位错和螺型位错的异同点见表4-1所示。 表- 刃型位错和螺型位错的异同点刃型位错螺型位错与柏格斯矢量的位置关系柏格斯矢量与刃性位错线垂直柏格斯矢量与螺型位错线平行位错分类刃性位错有正负之分螺形位错分为左旋和右旋位错与否引起晶体畸变和形成应力场引起晶体畸变和形成应力场，且离位错线越远，晶格畸变越小引起晶体畸变和形成应力场，且离位错线越远，晶格畸变越小位错类型只有几种原子间距的线缺陷只有几种原子间距的线缺陷第五章 固溶体习题与解答5试述影响置换型固溶体的固溶度的条件。解：1. 离子尺寸因素从晶体稳定性考虑,互相替代的离子尺寸愈相近,则固溶体愈稳定。若以r1和2分别代表半径大和半径小的两种离子的半径。当它们半径差30时,不能形成固溶体。、晶体的构造类型形成持续固溶体的两个组分必须具有完全相似的晶体构造。构造不同最多只能生成有限固溶体。3、离子的电价因素只有离子价相似或复合替代离子价总和相似时,才也许形成持续置换型固溶体。、电负性因素电负性相近,有助于固溶体的生成。5.2 从化学构成、相构成考虑，试比较固溶体与化合物、机械混合物的差别。解：从化学构成、相构成考虑，固溶体、化合物和机械混合物的区别 列下表5-1比较之 。表5-1 固溶体、化合物和机械混合物比较（以O溶质溶解在B2O3溶剂中为例)比 较项固溶 体化 合物机械 混合 物化学构成B2-xO（x =2）B2O4AO23相构成均匀单相单相两相有界面5.3试阐明固溶体、晶格缺陷和非化学计量化合物三者之间的异同点。列出简要表格比较。试看结束,请下载后继续查看。
展开阅读全文