同济大学课程考核试卷

同济大学课程考核试卷（B卷开卷）2007 2008 学年第一学期 命题教师签名： 岳继光 审核教师签名： 课号：102214 课名：传感器与检测技术 考试考查： 考试 此卷选为：期中考试（）、期终考试（7 ）、重考（）试卷 年级专业学号姓名得分二、（10分）如图1 所示圆柱形钢材试件沿轴向和径向各贴一片R=240Q的金属应变片，另两片接入等臂差动电桥制成测力传感器。已知钢材卩=0.285,应变片灵敏度系数K=2,桥路电源电压为6V（DC）。当受拉伸力范围牛顿)时测得应变片R1的电阻值变化F=300N(，求桥路输出的电压范围Rl=0 0.48Ug” AR ,解：因为K = 匸/匕R11AR0.48所以 =1/ K =/ 2 = 0.0 0 1i R2401又因为 =卩 = 0.001 x 0.285 = 2.85 x 10-4 21E6x 2所以 U = -K( ) = 一(0.001 + 2085x 10-4)= 0.00386(V) = 3.86mV g 4124、 （20 分）运动参数测试系统采用应变计测量压力。为校准传感器，在同一工作条件下，按同一方向在全测量范围0200kP内对此传感器做了 20次测试，发现所得输入输出特性曲线具有一定的不一致性。经系统维修 并调整成电压输出后，可得传感器方程为：矚慫润厲钐瘗睞枥庑赖。矚慫润厲钐瘗睞枥庑赖賃。dV20 + 8 X104V = 1.2 xl02 Fdt1） 简述这种现象反映了此传感器的什么性能，如何表示。（5 分）解：重复性。反映了结果偶然误差的大小。（2分）8 =2C 3C x 100% qYFS3)2） 求此传感器系统时间常数和静态灵敏度。（5 分）解：a0=80x104a1= 20,b0=1.24x102t= a1/ a0=20 /80xl04 =2.5x10-3 (s) ,(2 分)K= b0/ a0=1.2x102/80x104=1.5x10-3(2 分)（3）此时重新检验测试出其最大误差为AFmax=0.8kP，试判断其精度等级。（5分）三、（10分）如图1所示平板式电容位移传感器。已知极板尺寸a=b=4mm，间隙d0= 0.5mm，极板间介质为空气。求：（1）沿横向 x 移动时该传感器敏度；（3 分）（2）沿纵向d （极板前后方向）移动0.2mm时的电容量；（3分）（3）提供一个标准电容C0请设计一个测量电路，使输出电压与动极板位移 dx 板成线性关系。（4 分）解：（1）（0=8.85x10-12（Fxm-1）C ab 1静态灵敏度 K= = r=-0.71 （pF/cm）（3 分）a3.6兀d a0图2应。 金属xSC解：A = x 100% =0.8/200x100% = 0.4%.属 0.5 级。FS（ 4） 简述“应变效应”金属电阻的相对变化与金属应变之间存在比例关系称为金属的电阻应变效丝的应变灵敏系数物理意义为单位应变引起的电阻相对变化 聞創沟燴鐺險爱氇谴净(2) C0= -Ka =0.71x0.4 = 0.284(pF) ab1x 16C= 3.6k (d d ) = 3.6, (0.5 0.2) C (pF) C2=202 (pF)(3 分)x(3) 线性电路(2分)USC= -ExCOxdx/(S)(2 分)四、（10分）测量位移的差动电感传感器如图2所示，激励源幅值为vp=5V； f=3000Hz的正弦波。用二极管检 波法设计一个以UAB输入、UCD为输出的测量电路。残骛楼諍锩瀨濟溆塹籟。残骛楼諍锩瀨濟溆塹籟婭。（ 1 ）画出电路的原理图。（ 6 分）（2）简述电路工作原理。（4 分）解:电路的原理图（6 分）七、（10分）用“霍尔效应”制成的电流传感器在恒磁场下测得电流IH与霍尔电势UH的实验数据如下:IH (mA)51015202530UH (mV)9.619.028.437.847.858.0（1） 简述“霍尔效应”。（5 分）霍尔效应”：半导体薄片在垂直磁场中，在一侧通以电流，则另一侧将产生电场。（5 分）（2） 合理选择一种直线拟合方法求其零点输出与灵敏度。（5 分）端基法（扣 2 分） y=a0+Kx工作原理：二极管检波原理Vp正半周：D2,D4 另一路Vp经传感器线/p经传感器线圈LlDVp负半周:圈 L2fBfD4CfD五、（10分）某液压式仿真转台内框马达需盘测量。求：内控制角位移；若要分辨1.40625。拟采用二进制光电码。13 通，FfRlC另一路D分）线圈Llf Vp （1分）3 经传感器线圈L2 Vp（1分）D2FF1A f经传感要在360（1）求二进制光电码盘的位数。（5分(1 分)最小二乘法（8 分）n工X Y X 工 Yi i i iK = i-.乌 =1.93n工 X2 (工 X )2iii=1i=1n=6; X=IH ; Y=UH解：0= 360/1.40625 = 256度=28度；故为8位二进制光电码盘；A_占（2）若采用微机测量系统，CPU读到一个数字量为（60H）；求其对应显示的角度。（5分）工X2 .Y 工X 工X Yiiii ia0=i=1i=1i=1i=1n工 X 2 (工 X )2iii=1i=1= -0.0350i =Ci 2i-10Ci 2i-1=0110 0000H = 96D0i =96x0=96x1.4 0625= 135 度六、（10分）一冶炼系统由利用“热电效应”制成的K型热电偶测温。已知冷端环境温度为30C而此时热表读到 的被测温度为800C彈贸摄尔霁毙攬砖卤庑。彈贸摄尔霁毙攬砖卤庑诒。附：分度号K热电偶输出（mV）00102030405060708090000.400.801.201.612.022.442.853.273.6880033.2833.6934.1034.5034.9135.3135.7236.1236.5236.931）简述“热电效应”。（5 分）热电效应两种不同的导体或半导体形成闭路，其两个节点分别置于不同温度的热源中，则该回路会产生热电动势。（5 分）謀荞抟箧飆鐸怼类蒋薔。謀荞抟2）用计算校正法修正后的真实被测温度。（5 分）UH = -0.035 + 1.93 IH 零点输出：0.035mV 灵敏系数 K = AY/AX 1.93 (mV/mA)八、（10分）用“光电效应”制成的光电耦合器在自动检测系统中常用来，隔离”1/0与MCU系统，以达到抗干扰目 的。鹅娅尽損鹌惨歷茏鴛賴。鹅娅尽損鹌惨歷茏鴛賴縈。（1）简述“光电效应”。（5 分）“光电效应”：分内、外光电效应； 外光电效应：在光电作用下，物体内的电子逸出物体表面，向外发射。（2分） 内光电效应：受光照的物体导电率发生变化或产生光生电动势的效应。（3 分）（2）画出一种光电耦合器的组成形式。（5 分）解：九、设计一个基于微处理器的多路数字采集系统并画出原理框图（10分）。E(T,0) = E(800,30) + E(30,0) = 33.28 + 1.20 = 34.48 mV查表：得T = 829C(5分)每框1分传感器传感器3/3