模拟电子线路ppt课件

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,下课,模 拟 电 子 线 路,主讲：李贤志 副教授,办公室：A201,电 话：3306878(O)3387761(H),Email:L,模 拟 电 子 线 路主讲：李贤志 副教,1,第3章 场效应管,返回,3.1 MOS场效应管,3.2 结型场效应管,3.3,场效应管应用原理,第3章 场效应管返回3.1 MOS场效应管3.2 结型场,2,3.1 MOS场效应管,返回,图3-1-1 N沟道EMOS管的结构示意图和电路符号,图3-1-2 N沟道EMOS管中沟道受V,GS,、V,DS,的变化,图3-1-3 V,GS,一定，I,D,随V,DS,变化的特性,图3-1-4 N沟道EMOS管的伏安特性,下一页,图3-1-5 原点附近的输出特性曲线族,图3-1-6 MOS管看作压控电流源,图3-1-7 亚阈区转移特性,图3-1-8 栅极保护二极管,图3-1-9 不同VUS对特性曲线的影响,图3-1-10 P沟道EMOS管,3.1 MOS场效应管返回图3-1-1 N沟道EMOS管,3,3.1 MOS场效应管,返回,图3-1-11 EMOS集成工艺,图3-1-12 DMOS管结构与电路符号,图3-1-13 N沟道DMOS管伏安特曲线,图3-1-14 MOS管的小信号电路模型,例题,图3-1-15 高频小信号模型,图3-1-16 例题1的电路,图3-1-17 例题2的电路,3.1 MOS场效应管返回图3-1-11 EMOS集成工,4,图3-1-1 N沟道EMOS管的结构示意图和电路符号,返回,图3-1-1 N沟道EMOS管的结构示意图和电路符号返回,5,图3-1-2 N沟EMOS管中沟道受V,GS,、V,DS,的变化,返回,图3-1-2 N沟EMOS管中沟道受VGS、VDS的变化返回,6,图3-1-3 V,GS,一定，I,D,随V,DS,变化的特性,返回,图3-1-3 VGS一定，ID随VDS变化的特性返回,7,图3-1-4 N沟道EMOS管的伏安特性,返回,图3-1-4 N沟道EMOS管的伏安特性返回,8,图3-1-5 原点附近的输出特性曲线族,返回,图3-1-5 原点附近的输出特性曲线族返回,9,图3-1-6 MOS管看作压控电流源,返回,图3-1-6 MOS管看作压控电流源返回,10,图3-1-7 亚阈区转移特性,返回,图3-1-7 亚阈区转移特性返回,11,图3-1-8 栅极保护二极管,返回,图3-1-8 栅极保护二极管返回,12,图3-1-9 不同V,US,对特性曲线的影响,返回,图3-1-9 不同VUS对特性曲线的影响返回,13,图3-1-10 P沟道EMOS管,返回,图3-1-10 P沟道EMOS管返回,14,图3-1-11 EMOS集成工艺,返回,图3-1-11 EMOS集成工艺返回,15,图3-1-12 DMOS管结构与电路符号,返回,图3-1-12 DMOS管结构与电路符号返回,16,图3-1-13 N沟道DMOS管伏安特性曲线,返回,图3-1-13 N沟道DMOS管伏安特性曲线返回,17,图3-1-14 MOS管的小信号电路模型,返回,图3-1-14 MOS管的小信号电路模型返回,18,图3-1-15 高频小信号电路模型,返回,图3-1-15 高频小信号电路模型返回,19,图3-1-16 例题1的电路,返回,图3-1-16 例题1的电路返回,20,图3-1-17 例题2的电路,返回,图3-1-17 例题2的电路返回,21,例题,返回,例题1,例题2,例题返回例题1例题2,22,例题1,返回,在图3116所示N沟道EMOS管电路中，已知R,G1,=1.2M,R,G2,=0.8M,R,S,=4k,R,D,=10k,V,DD,=20V，管子参数,n,C,ox,W/(2l)=0.25mA/V,2,V,GS(th),=2V,试求I,D,。,例题1返回在图3116所示N沟道EMOS管电路中，已知R,23,例题2,返回,图3117所示为双电源供电的N沟道EMOS管电路，已知，R,G,=1M,R,S,=4k,R,D,=5k,V,DD,=V,SS,=10V，管子参数,n,C,ox,W/(2l)=0.25mA/V,2,V,GS(th),=2V,求I,D,。,例题2返回图3117所示为双电源供电的N沟道EMOS管电,24,3.2,结型场效应管,返回,图3-2-1 N沟道JFET的结构示意图和电路符号,图3-2-2 P沟道JFET的结构示意图和电路符号,图3-2-3 N沟道JFET中当V,DS,=0时V,GS,对沟道宽度的影响,图3-2-4 N沟道JFET中V,GS,一定时V,DS,对沟道宽度的影响,图3-2-5 N沟道JFET的共源极输出特性曲线簇,图3-2-6 JFET看作压控电流源,3.2 结型场效应管返回图3-2-1 N沟道JFET的结构,25,图3-2-1 N沟道JFET的结构示意图和电路符号,返回,图3-2-1 N沟道JFET的结构示意图和电路符号返回,26,图3-2-2 P沟道JFET的结构示意图和电路符号,返回,图3-2-2 P沟道JFET的结构示意图和电路符号返回,27,图3-2-3 N沟道JFET中当V,DS,=0时V,GS,对沟道宽度的影响,返回,图3-2-3 N沟道JFET中当VDS=0时VGS对沟道宽度,28,图3-2-4 N沟道JFET中V,GS,一定时V,DS,对沟道宽度的影响,返回,图3-2-4 N沟道JFET中VGS一定时VDS对沟道宽度的,29,图3-2-5 N沟道JFET的共源极输出特性曲线簇,返回,图3-2-5 N沟道JFET的共源极输出特性曲线簇返回,30,图3-2-6 JFET看作压控电流源,返回,图3-2-6 JFET看作压控电流源返回,31,3.3,场效应管应用原理,返回,图3-3-1 N沟道EMOS管接成的有源电阻,图3-3-2 N沟道DMOS管接成的有源电阻,图3-3-3 用有源电阻接成的分压器,图3-3-4 开关示意图(a)及其理想伏安特性,图3-3-5 模拟开关,图3-3-6 分解成两个电路等效,图3-3-7 工作在非饱和区时R,on,随v,I,变化特性,图3-3-8 CMOS模拟开关,图3-3-9 用两个等效CMOS的模拟开关,图3-3-10 CMOS开关导通电阻随vI变化特性,图3-3-11 开关电容电路等效为电阻,3.3 场效应管应用原理返回图3-3-1 N沟道EMOS管,32,图3-3-1 N沟道EMOS管接成的有源电阻,返回,图3-3-1 N沟道EMOS管接成的有源电阻返回,33,图3-3-2 N沟道DMOS管接成的有源电阻,返回,图3-3-2 N沟道DMOS管接成的有源电阻返回,34,图3-3-3 用有源电阻接成的分压器,返回,图3-3-3 用有源电阻接成的分压器返回,35,图3-3-4 开关示意图(a)及其理想伏安特性,返回,图3-3-4 开关示意图(a)及其理想伏安特性返回,36,图3-3-5 模拟开关,返回,图3-3-5 模拟开关返回,37,图3-3-6 分解成两个电路等效,返回,图3-3-6 分解成两个电路等效返回,38,图3-3-7 工作在非饱和区时R,on,随v,I,变化特性,返回,图3-3-7 工作在非饱和区时Ron随vI变化特性返回,39,图3-3-8 CMOS模拟开关,返回,图3-3-8 CMOS模拟开关返回,40,图3-3-9 用两个等效CMOS的模拟开关,返回,图3-3-9 用两个等效CMOS的模拟开关返回,41,图3-3-10 CMOS开关导通电阻随vI变化特性,返回,图3-3-10 CMOS开关导通电阻随vI变化特性返回,42,图3-3-11 开关电容电路等效为电阻,返回,图3-3-11 开关电容电路等效为电阻返回,43,3.4,晶体三极管的伏安特性曲线,返回,图3-4-1 共发射极连接时端电流和端电压,图3-4-2 共发射极输入特性曲线族,图3-4-3 基区宽度调制效应,图3-4-4 共发射极输出特性曲线,图3-4-5 厄尔利电压,图3-4-6 与I,C,的关系,图3-4-7 共发射极反向工作区,图3-4-8 晶体三极管的安全工作区,3.4 晶体三极管的伏安特性曲线返回图3-4-1 共发射极,44,