第六章金氧半二极体电晶体及其电性讨论2ppt课件

按一下以編輯母片標題樣式,按一下以編輯母片文字樣式,第二層,第三層,第四層,第五層,*,*,按一下以編輯母片標題樣式,按一下以編輯母片文字樣式,第二層,第三層,第四層,第五層,*,6.2.2 MOSFET,的種類,N,通道增強模式,N,通道空乏模式,P,通道增強模式,P,通道空乏模式,基板為,p,型半導體，汲極與源極為,n,型摻雜。,基板為,n,型半導體，汲極與源極為,p,型摻雜。,6.2.2 MOSFET的種類N通道增強模式基板為p型半導體,N,通道增強模式,(Enhamcement mode),N,通道增強模式：在零閘極電壓，氧化層下沒有電子反轉層，需加正閘極電壓才會有反轉層。,沒接通,電子由基底進入,N通道增強模式(Enhamcement mode)N通道,N,通道空乏模式,(Depletion mode),N,通道空乏模式：在零閘極電壓，氧化層下已有電子反轉層存在。,接通,電子由基底進入,N通道空乏模式(Depletion mode)N通道空乏模式,P,通道增強模式,P,通道增強模式：在零閘極電壓，氧化層下沒有電洞反轉層，需加負閘極偏壓才會有反轉層。,沒接通,電子由基底流出,P通道增強模式P通道增強模式：在零閘極電壓，氧化層下沒有電洞,P,通道空乏模式,P,通道空乏模式：在零閘極電壓，氧化層下已有電洞反轉層存在。,接通,電子由基底流出,P通道空乏模式P通道空乏模式：在零閘極電壓，氧化層下已有電洞,第六章金氧半二极体电晶体及其电性讨论2ppt课件,6.2.3,臨界電壓控制,基板偏壓效應（,Substrate bias effects,）,基板可不與源極接在一起另接偏壓，但必須保持源極到基板不為導通狀態（逆向偏壓），及,V,BS,必須大於或等於零。,V,BS,大於零時，能帶更彎曲，有更多的空乏區電荷：,Q,sc,增加，故臨界電壓也增加。,V,SB,=0,，反轉點能帶圖,V,SB,0,6.2.3 臨界電壓控制基板偏壓效應（Substrate,基板偏壓效應（續）,造成臨限電壓的增加,s,增加,，造成,S,的減少，,on-off,特性更佳。,S,大,S,小,基板偏壓效應（續）造成臨限電壓的增加S大S小,在,MOS,的製程上，,V,T,受到閘極材料種類以及基板摻雜濃度影響。,例如：對,NMOS,（,P,型基板）而言，增加受體摻雜（,B,），可增加,V,T,，反之，將硼摻入,PMOS,的基板（,N,型），可降低,V,T,的絕對值。,在MOS的製程上，VT受到閘極材料種類以及基板摻雜濃度影響。,調整,V,T,的方法：,1.,基板摻雜,調整VT的方法：1.基板摻雜,調整,V,T,的方法：,2,.,調整氧化層厚度,此為場氧化層可作為相鄰,MOS,隔離技術的原因,很大！,調整VT的方法：2.調整氧化層厚度此為場氧化層可作為相鄰M,Figure 6.21.,Cross section of a parasitic field transistor in an,n,-well structure.,Figure 6.21.Cross section of,調整,V,T,的方法：,3.,加基板偏壓,調整,V,T,的方法：,4.,選擇適當的閘極材料,利用調整功函數差來控制,V,T,調整VT的方法：3.加基板偏壓調整VT的方法：4.選擇,Figure 6.22.,Threshold voltage adjustment using substrate bias.,Figure 6.22.Threshold voltag,