集成电路制造工艺及常用设备培训课件

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,二级,三级,四级,五级,2020/4/25,#,集成电路,制造工艺及常用设备,集成电路,1.,高温氧化工艺,1.1,硅的热氧化,硅的热氧化是指在高温下，硅片表面同氧气或水进行反应，生成,SiO,2,。,硅的热氧化有：干氧、湿氧、水汽氧化三种。,1.高温氧化工艺1.1 硅的热氧化 硅的热氧,如果氧化前已存在厚度为,t,0,的氧化层，则（,3-11,）微分方程的解为：（,t,OX,：是总的氧化层厚度）,（,4-12,）,式中,在各种工艺条件下，参数,A,和,B,都是已知的，,t,是氧化时间。,是一个时间参数，单位是小时（,h,）。,（,3-13,）,1.2,硅热氧化的厚度计算,如果氧化前已存在厚度为 t0 的氧化层，则（,3.2,热氧化原理和方法,O,2,扩散,反应,SiO,2,Si,Si+O,2,=SiO,2,硅的热氧化分干氧和湿氧两种。干氧是在高温下氧分子与硅表面的原子反应生成,SiO,2,。,3.2 热氧化原理和方法O2 扩散反应SiO2SiSi+,1.3,不同的热氧化方式生长的,SiO,2,膜性质比较,干氧氧化的,SiO,2,膜结构致密，干燥、均匀,性和重复性好、掩蔽能力强、钝化效果好，,与光刻胶的接触良好，光刻时不易浮胶。,水汽氧化的,SiO,2,膜结构疏松，表面有斑点,和缺陷，含水量多，对杂质的掩蔽能力差，,所以在工艺中很少单独采用。,1.3 不同的热氧化方式生长的 SiO2 膜性质比较 干,湿氧氧化生长的膜致密性略差于干氧生长的,SiO,2,膜，但它具有生长速率快的优点，其掩蔽能力和钝化效果都能满足一般器件的要求。其缺点是表面有硅烷醇存在，使,SiO,2,膜与光刻胶接触不良，光刻时容易浮胶。同时，湿氧氧化后的,Si,片表面存在较多的位错和腐蚀坑。,湿氧氧化生长的膜致密性略差于干氧生长的 SiO2 膜，,在实际工艺应用中，生长高质量的几百,的,SiO,2,薄膜一般采用干氧的方式。,SiO,2,薄膜厚度需要几千,以上时，一般采用干氧,湿氧,干氧的方式，既保证了所需的厚度，缩短了氧化时间，又改善了表面的完整性和解决了光刻时的浮胶问题。,热氧化生长的,SiO,2,薄膜质量好，但是反应温度比较高。衬底只能用于单晶硅表面。,在实际工艺应用中，生长高质量的几百 的Si,离子注入可以通过分别调节注入离子的能量、数量，精确地控制掺杂的深度和浓度，所以可以制备理想的杂质分布。,离子注入的优点,2.,离子注入,离子注入可以通过分别调节注入离子的能量、数量，精确地,扩散法掺杂时受到化学结合力、扩散系数及,固溶度等方面的限制，而离子注入是一个物,理过程，所以它可以注入各种元素。,扩散法是在高温下掺杂，离子注入法掺杂一,般在室温下进行（也可以在加温或低温下进,行）。,扩散法掺杂时受到化学结合力、扩散系数及 扩散法,离子注入法可以做到高纯度的掺杂，避免有,害物质进入硅片。,热扩散时只能采用,SiO,2,等少数耐高温的介质,进行局部掺杂，但是离子注入法可以采用光,刻胶作为掩蔽膜，进行局部注入掺杂。,热扩散时，杂质在纵向扩散的同时进行横向,扩散，两者几乎一样，而离子注入的横向扩,散很小。,离子注入法可以做到高纯度的掺杂，避免有 热扩散时,在离子注入机中，利用电流积分仪测量注入的离子总数,N,：,式中：,N,S,单位面积的注入剂量（个,/cm,2,），,S,是扫描面积（,cm,2,），,q,是一个离子的电荷（,1.610,-19,库仑），,Q,是注入到靶中的总电荷量（库仑），,i,是注入的束流（安培），,t,是注入时间（秒）。,电流积分仪,（,6-8,）,在离子注入机中，利用电流积分仪测量注入的离子,如果束流是稳定的电流,I,，则：,（,6-9,）,（,6-10,）,其中：,N,S,单位面积的注入剂量（个,/cm,2,），,S,是扫描面积（,cm,2,），,q,是一个离子的电荷（,1.610,-19,库仑），,I,是注入的束流（安培），,t,是注入时间（秒）。,如果束流是稳定的电流I，则：（6-9）（6-10）其,例题：如果注入剂量是,510,15,，束流,1mA,，求注入一片,6,英寸硅片的时间,t=,（,1.610,-19,510,15,3.147.5,2,）,/1 10,-3,=141,秒,根据公式,（,4-6,）,例题：如果注入剂量是51015，束流1mA,注入剂量、标准偏差和峰值浓度之间的近似关系：,（,6-14,）,注入剂量、标准偏差和峰值浓度之间的近似关系：,对于原来原子排列有序的晶体，由于离子注入，在晶体中将大量产生缺陷，如空位等。对于高能、大剂量的重离子注入到硅单晶中，如,A,s,+,，将使局部晶体变成非晶体。,离子注入的损伤和退火效应,对于原来原子排列有序的晶体，由于离子注入，在,注入的离子在硅单晶中往往处于间隙位置，一般不能提供导电性能，因此，必须要使注入的杂质原子转入替位位置以实现电激活。,注入离子的激活,注入的离子在硅单晶中往往处于间隙位置，一般不,离子注入后的热退火,高能粒子撞击硅片表面，造成晶格损伤，因此为了消除离子注入造成的损伤和激活注入的杂质离子，离子注入后必须要进行热退火。最常用的是在,950,高温炉中在氮气保护下，退火,15,30,分钟。热退火后对杂质分布将产生影响，,LSS,理论的射程,R,P,和标准偏差,R,p,要作修正。,离子注入后的热退火 高能粒子撞击硅片表面，造成,光刻胶应该具有以下基本性能：,灵敏度高；分辨率高；同衬底有很好的粘附性，胶膜表面沾性小；胶膜致密性好，无针孔；图形边缘陡直，无锯齿状；显影后留膜率高，不留底膜或其它颗粒物质；在显影液和其它腐蚀剂里抗蚀性强、抗溶涨性好；去胶容易，不留残渣；,光刻胶分为正性光刻胶和负性光刻胶两种：,正胶是感光部分显影时溶解掉，负胶则相反。,3.,光刻工艺,底膜是指显影后还有一层薄薄的胶。,光刻胶应该具有以下基本性能：,图形转移工艺,衬底,淀积薄膜,匀胶、前烘,曝 光,掩模版,紫外光,显影、坚膜,腐 蚀,去 胶,图形转移工艺衬底淀积薄膜匀胶、前烘曝 光掩模版,正胶,负胶,匀胶,正胶和负胶,曝光,掩膜版,紫外光,显影,正胶感光区域溶于显影液,负胶未感光区域溶于显影液,正胶负胶匀胶正胶和负胶曝光,光学曝光的三种曝光方式,接触式曝光,接近式曝光,投影式曝光,光学曝光的三种曝光方式接触式曝光接近式曝光投影式曝光,接触式曝光,接触式曝光是掩膜板直接同光刻胶接触，它具有设备简单、分辨率高的优点。它分成真空接触、硬接触和软接触三种方式，其中真空接触具有接触力均匀、掩膜变形小和可以消除氧气对光刻胶的影响等优点。由于接触式曝光时掩膜版同光刻胶直接接触，所以掩膜版容易损伤，图形缺陷多、管芯成品率低、不适合,VLSI,生产。,接触式曝光 接触式曝光是掩膜板直接同光刻胶接触,接近式曝光,接近式曝光是掩膜版同光刻胶离开,10,50 m,，所以掩膜版不容易被损伤，掩膜版的使用寿命长，图形的缺陷少，管芯的成品率高，但是缺点是分辨率低，同时机器操作比接触式曝光机复杂、价格也稍贵。,接近式曝光 接近式曝光是掩膜版同光刻胶离开10,投影式曝光,光刻工艺中的投影式曝光分,1,:,1,、,4,:,1,、,5,:,1,几种。,投影式曝光的掩模版同硅片不接触，对于,4:1,、,5:1,缩小的投影曝光，可以得到更小的图形尺寸，可以减少掩模版上缺陷（如灰尘等颗粒）对成品率的影响。,stepper,是,IC,制造工艺中最重要的设备，也是最昂贵的设备，,投影式曝光 光刻工艺中的投影式曝光分1:1,特殊的光刻工艺,LIGA,技术,剥离技术（,Lift Off,）,特殊的光刻工艺LIGA技术剥离技术（Lift Off）,膜的工艺要求,好的台阶覆盖（,step coverage,）能力。,填充高的深宽比间隙的能力。,好的厚度均匀性。,高纯度和高密度。,受控制的化学剂量。,高度的结构完整性和低的膜应力。,好的电学性能。,对衬底材料或下层膜好的粘附性。,4.,薄膜工艺,膜的工艺要求 好的台阶覆盖（step coverage）,4.1 CVD,法制作,SiO,2,薄膜,APCVD,、,LPCVD,、,PECVD,或溅射等方式都可以得到,SiO,2,薄膜。这种制作二氧化硅薄膜的方法同硅的热氧化制作二氧化硅有着本质上的区别：前者是同衬底材质没有关系，二氧化硅是淀积到衬底上去的；后者是硅衬底直接同氧或水在高温下进行化学反应生成二氧化硅。,4.1 CVD法制作SiO2薄膜 APCVD、,采用,LPCVD,、,PECVD,或溅射等方式制作薄膜的最大优点是工作温度比较低，其中,LTO,的工作温度是,620,左右，,PECVD,方式淀积,SiO,2,的温度可以在,200,以下。不同的淀积方式、用不同的源淀积的,SiO,2,在密度、折射率、应力、介电强度、台阶覆盖和腐蚀速率等各方面性能上都有很大差别。溅射方式制作,SiO,2,薄膜 的温度低、质量好，但是效率低、成本高。,采用LPCVD、PECVD或溅射等方式制作薄,Si,3,N,4,在器件制造中可以用作钝化膜、局部氧化扩散掩膜、硅湿法腐蚀的掩蔽膜、绝缘介质膜以及杂质或缺陷的萃取膜。它最重要的性质是对,H,2,O,、,O,2,、,Na,、,Al,、,Ga,、,In,等都具有极强的扩散阻挡能力。特别是对,H,2,O,和,Na,的强力阻挡作用，使它成为一种较理想的钝化材料。,4.2 Si,3,N,4,薄膜的性质,Si3N4在器件制造中可以用作钝化膜、局部氧,匀胶、曝光、显影、坚膜、刻蚀,Si,3,N,4,去胶、清洗、场区氧化,1m,Si,3,N,4,作为硅片高温局部氧化的掩蔽层,Si,3,N,4,膜,匀胶、曝光、显影、坚膜、刻蚀Si3N4 去胶、清洗、场区氧化,100/111,的腐蚀比达,400,：,1,Si,3,N,4,Si,3,N,4,作为硅片湿法腐蚀的掩蔽膜,100/111的腐蚀比达400：1 Si3N4,Si,3,N,4,作为硅芯片的保护膜,铝焊盘,钝化层,Si3N4作为硅芯片的保护膜铝焊盘钝化层,钝化结构,SiO,2,/Si,PSG,/SiO,2,/Si,Si,3,N,4,/Si,Si,3,N,4,/SiO,2,/Si,可动离子,密度,(/cm,2,),10,13,4.310,12,6.510,10,6.610,10,不同材料的阻钠能力,虽然,Si,3,N,4,/Si,结构具有最好的阻钠能力，实际上由于界面存在极大的应力与极高的界面态密度，所以都采用,Si,3,N,4,/SiO,2,/Si,结构。,钝化结构SiO2PSGSi3N4 Si3N4可动离子101,4.3,铝布线的优缺点,能长期工作,优点,同硅或多晶硅能形成欧姆接触,电阻率能满足微米和亚微米电路的要求,与,SiO,2,有良好的附着性,台阶的覆盖性好,易于淀积和刻蚀,易于键合,4.3 铝布线的优缺点能长期工作优点 同硅或多晶硅能形成,缺点,在大电流密度下容易产生金属离子,电迁移现象，导致电极短路。,铝硅之间容易产生“铝钉”，深度可,达,1m,，所以对于浅结工艺很容易造,成,PN,结短路。,缺点 在大电流密度下容易产生金属离子 铝硅之间容易产生,5.1,溅射,根据采用的电源种类，等离子体溅射有两种方式：直流阴极溅射和射频溅射。,直流阴极溅射是荷能粒子（一般采用正离子）轰击处在阴极的靶材，把靶材上的原子溅射到阳极的硅片上。,5.,等离子体加工技术小结,5.1 溅射 根据采用的电源种类，等离子体溅射,如果靶材是绝缘介质或导电靶上受绝缘介质污染时，相当于在等离子体与阴极之间有一个电容器，采用直流电源实现溅射存在困难，所以对于绝缘靶的溅射一般采用射频（,RF,）电源，但是它必须要在硅片与靶之间加一个直流偏压。,如果靶材是绝缘介质或导电靶上受绝缘介质污染时,射频溅射,直流溅射,+,E,C,靶,载片台,射频溅射直流溅射+E C 靶载片台,5.2 PECVD,PECVD,是让两种反应气体在衬底