第1章半导体二极管与整流电路课件

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,*,第1章,半导体二极管,与整流电路,1,第1章 1,主要内容,半导体及其导电机理载流子及其分类,PN结及其单向导电性,正偏与反偏,二极管及其伏安特性,二极管应用：,整流,、限幅、检波等,特殊二极管：,稳压二极管,、光敏二极管、发光二极管,2,主要内容半导体及其导电机理载流子及其分类 2,1.1 半导体的基础知识,导体,conductor,：,容易导电的物体，金属一般都是导体。,绝缘体,nonconductor,：,不容易导电的物体,。如橡皮、陶瓷、塑料和石英。,半导体,semiconductor,：,室温时电阻率约在10,-5,10,7,m之间。,导电特性处于导体和绝缘体之间，并,有负的电阻温度系数的物质,，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。,1911年考尼白格和维斯首次使用 这一名词。,不同于其它物质，所以它具有不同的特点。例如：,热敏性和光敏性：,当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。,例如：热敏电阻、光敏电阻。,掺杂性：,往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使 它的导电能力明显改变。,例如：纯硅掺杂百万分之一硼，电阻率从大约410,-3,m,到210,3,m,半导体的导电机理,3,1.1 半导体的基础知识导体conductor：容易导电的,一、本征半导体的结构特点,Ge,Si,现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。,本征半导体：,完全纯净的、结构完整的半导体晶体。通过一定的工艺过程，可以将半导体制成,晶体,。,纯度,99.9999，甚至达到99.9999999以上。,1.1.1 本征半导体,intrinsic semiconductor,硅和锗的晶体结构,在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相临的原子之间形成,共价键,，共用一对价电子。,4,一、本征半导体的结构特点GeSi现代电子学中，用的最多的半导,共价键共,用电子对,+4,+4,+4,+4,+4表示除去价电子后的原子,硅和锗的共价键结构,形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。,共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。,共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为,束缚电子（价电子）,，常温下束缚电子很难脱离共价键成为,自由电子,，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。,5,共价键共+4+4+4+4+4表示除去价电子后的原子硅和锗的共,在绝对,0,度,（,T,=0K）,和没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即,载流子,carrier,），它的导电能力为,0,，相当于绝缘体。,在常温下，由于温度增加或受光照激发，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为,自由电子,free electron,，同时共价键上留下一个空位，称为,空穴,hole,。,二、本征半导体的导电机理,1.载流子:自由电子和空穴,+4,+4,+4,+4,自由电子,空穴,束缚电子,6,在绝对0度（T=0K）和没有外界激发时,价电子完全被共价键束,+4,+4,+4,+4,在其它力的作用下，空穴吸引附近的价电子来填补，这样的结果相当于空穴的迁移，而空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可以认为空穴是载流子。,本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即,自由电子,和,空穴,。,2.本征半导体的导电机理,本征半导体中电流由两部分组成：,1.,电子电流,：自由电子移动产生的电流。,2.,空穴电流,：空穴移动（价电子递补空穴）产生的电流。,本征半导体导电能力取决于载流子的浓度。,温度,越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的重要外部因素，这是半导体的一大特点。,7,+4+4+4+4在其它力的作用下，空穴吸引附近的价电子来填补,在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。,P,型半导体：,空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称为（空穴半导体）。,N,型半导体：,自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称为（电子半导体）。,1.1.1 杂质半导体,extrinsic,semiconductor,一、N,型半导体,N-type semiconductor：N指negative。,在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷，晶体中的某些半导体原子被杂质取代，磷原子的最外层有五个价电子，其中四个与相邻的半导体原子形成共价键，必定多出一个电子，这个电子几乎不受束缚，很容易被激发而成为自由电子，这样磷原子就成了不能移动的带正电的离子。,例如：27,，纯硅约有自由电子或空穴1.510,10,个/cm,3,，掺杂为,N,型半导体后自由电子数增加几十万倍，空穴数减少为2.310,5,个/cm3,二、,P,型半导体,P-type semiconductor：P指positive。,在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼（或铟），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻的半导体原子形成共价键时，产生一个空穴。这个空穴可能吸引束缚电子（价电子）来填补，使得硼原子成为不能移动的带负电的离子。,8,在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生,+4,+4,+5,+4,多余,电子,磷原子,一、N,型半导体,N-type semiconductor,空穴,硼原子,+4,+4,+3,+4,N,型半导体中的载流子是什么？,1.由磷原子提供的电子，浓度与磷原子相同。,2.本征半导体中成对产生的自由电子和空穴。,掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自由电子浓度远大于空穴浓度。,多数载流子,（,多子,）：自由电子,少数载流子,（,少子,）：空穴,P,型半导体中：,多数载流子：,空穴,少数载流子：,电子,P,型半导体中的载流子是什么？,二、,P,型半导体,P-type semiconductor,9,+4+4+5+4多余磷原子一、N 型半导体 N-type s,P,型半导体,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,N,型半导体,杂质,型半导体,多数载流子,和,少数载流子,的移动都能形成电流。但由于数量的关系，起导电作用的主要是,多数载流子,。近似认为多子与杂质浓度相等。,杂质型半导体整体是不带电的。,三、杂质半导体的符号,10,P 型半导体,P,型半导体,N,型半导体,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,扩散运动,内电场,E,漂移运动,扩散运动使空间电荷区逐渐加宽。,内电场越强，就使漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。,空间电荷区也称耗尽层。,对扩散运动起阻挡作用,也称阻挡层,在同一片半导体基片上，分别制造,P,型半导体和,N,型半导体，,经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了,PN,结,PN junction,。,1.1.2,PN,结及其单向导电性,PN,结的形成,11,P型半导体N,所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到,动态平衡,，相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的宽度固定不变。,漂移运动,P,型半导体,N,型半导体,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,扩散运动,内电场,E,12,所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到动态平衡，相当于两个区,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,空间电荷区,N,型区,P,型区,注意:,1.空间电荷区中没有载流子。,2.空间电荷区中内电场阻碍,P,中的空穴.,N,区,中的电子（,都是,多数载流子,）向对方运动（,扩散运动,）。,3.,P,区中的电子和,N,区中的空穴（,都是,少数载流子,），数量有限，因此由它们形成的电流很小。,13,+,正向偏置:,PN,结加正向电压,(P,+,N-),，即:,P,区加正、,N,区加负电压。,反向偏置,:,PN,结加反向电压,(P,-,N+),，即:,P,区加负、,N,区加正电压。,PN,结的,单向导电性,unilateral conductivity,PN,结的单向导电性,：,正偏导通，反偏截止,正偏:,正向偏置,。,导通:,PN结,正向电流(P,N),大，,正向电阻(P,N),小,。,反偏:,反向偏置,。,截止:,PN结,反向电流,(N,P),小，,反向电阻,(N,P),大,。,内电场被削弱，加强多子扩散运动，形成较大的正向扩散电流。,内电场,外电场,变薄,内电场,外电场,变厚,R,E,P,N,+,_,+,+,内电场被加强，加强少子漂移运动，形成较小的反向漂移电流。,正偏,反偏,R,E,P,N,_,+,+,+,PN结的光生伏打效应,：受到光照后能产生电动势。可制造光电池。,14,正向偏置:PN 结加正向电压(P+,N-)，即:P 区加正,1.2.1基本结构：,PN,结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。,引线,外壳线,触丝线,基片,点接触型,PN,结,面接触型,P,N,二极管的电路符号：,1.2,半导体,二极管,diode,实际,二极管,电流小，适用于高频和小功率工作，,常用作数字电路中的开关元件,电流大，适用于低频和,大功率工作，常用来整流,15,1.2.1基本结构：PN 结加上管壳和引线，就成为半导体二极,死区电压 硅管0.6V,锗管0.2V。,导通压降:,硅管,0.60.7V,锗管,0.20.3V,。,反向击穿电压,U,BR,1.2.2伏安特性,volt-ampere characteristic,理想伏安特性,正向导通时：正向压降为零，正向电阻为零，正向电流？,反向截止时：反向压降？反向电阻无穷大，反向电流为零。,实际伏安特性,导通压降:硅管0V,锗管0V,U,I,U,BR,导通压降:硅管0.60.7V,锗管0.20.3V,U,I,U,BR,U,I,结合伏安特性，如何理解“正偏导通，反偏截止”？,正向特性,反向特性,伏安特性上，普通二极管工作范围是哪段曲线？,16,死区电压 硅管0.6V,锗管0.2V。导通压降:反向击穿电,1.,最大整流电流,I,OM,：,二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。,2.反向击穿电压,U,BR,：,二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压,U,RWM,一般是,U,BR,的一半。,隧道击穿（也叫齐纳击穿）,击穿电压小于6V，有负的温度系数；,雪崩击穿,，击穿电压大于6V，有正的温度系数。,1.2.3主要参数,3.反向电流,I,R,：,指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。,反向饱和电流：,本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为,反向饱和电流。,以上均是二极管的直流参数，,二极管的应用是主要利用它的单向导电性,，主要应用于整流、限幅、保护等等。下面介绍两个交流参数。,17,1.最大整流电流 IOM：二极管长期使用时，允许流过二极,R,L,u,i,u,o,u,i,u,o,t,t,二极管应用举例1,：,二极管半波整流,整流电路,是把交流电压转变为直流脉动的电压。常见的小功率整流电路，有单相半波、全波、桥式整流等。,二极管：,死区电压=0.5V，正向压降,0.7V(硅二极管)。,为分析简单起见，我们把二极管当作理想元件处理，,理想二极管，,即二极管的正向导通电阻为零，反向电阻为无穷大。即，死区电压=0，正向压降=0,1.3 半导