GaN制程设备简介

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,*,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,*,*,GaN,制程设备简介,目录,化学站,蚀刻站,黄光站,蒸镀站,研磨抛光,镭射切割,点测站,分类站,化学站,1.,酸碱清洗槽,蒸镀前清洗,基板清洗,蚀刻,2.,有机清洗槽,基板清洗,去光阻,金属剥离,3.SRD(,旋干机,),DI water,清洗,热,N,2,烘干,蚀刻站,1.PECVD(,化学气相沉积系统,),沉积,SIO,2,/SINx,作,Hard mask,阻挡层,沉积,SIO,2,/SINx,作绝缘层,防止,IR,以及增加光的输出,.,2.ICP(,等离子蚀刻系统,),利用等离子体蚀刻出,PN,结的,N,电极,.,蚀刻金属电极,.,把光罩上的图形真正意义上的转化到晶片上,.,3.a-step(,表面纵深测量仪,),测量,PN,结的高度差,4.,椭圆仪,对,PECVD,沉积,SIO,2,/SINx,的厚度进行监控,.,量测,PECVD,沉积,SIO,2,/SINx,的折射指数,.,黄光站,1.Spin coater(,上光阻机,),利用离心旋转涂布方式在晶片上涂布一层感光物质,.,2.Aligner(,曝光机,),利用光的能量对感光物质进行结构上的破坏,.,3.,显影槽,把光罩上的图形经由光照后的感光物质显现出来,.,4.,电浆去光阻机,对光阻表面进行整理,残余光阻去除,金属表面整理,蒸镀站,1.,蒸镀机,利用电子束,/,热藕电阻对金属热熔后蒸镀,.,蒸镀透明导电极,蒸镀金属焊垫,2.Furnace(,炉管,),对透明导电极进行高温熔合,以增加透明电极的导电性以及欧姆接触,.,3.,穿透率量测仪器,量测透明导电极厚度,光的穿透率,研磨抛光,1.,研磨机,把经前段制程的晶片从,300um,研磨至,100um,左右,.,由于研磨后的晶片会凹凸不平,必须要经过抛光机把研磨后的晶片抛光到,87um,左右,.,镭射切割,1.,镭射机,以镭射能量控制沿晶片切割道对其进行半切,2.,劈裂机,以雪崩劈裂方式把经过半切的晶片完全劈开分离,点测站,1.Prober(,点测机,),对晶粒的光电特性,(VF,WD,IV.IR),进行点测,为,Sorter,提供有效的分类依据,分类站,1.Sorter(,分类机,),根据,Prober,点测数据,按不同的等级对晶粒分类,.,2.,目检机,把分类后外观不良的晶粒挑出,.,