微组装技术简述及工艺流程及设备

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module,英,英文的缩,写,写,通常,译,译为多芯,片,片组件(,也,也有译为,多,多芯片模,块,块)。MCM技术,属,属于混合,微,微电子技,术,术的范畴,,,,是混合,微,微电子技,术,术向高级,阶,阶段发展,的,的集中体,现,现,是一,种,种典型的,高,高级混合,集,集成电路,技,技术。,关于MCM的定义,,,,国际上,有,有多种说,法,法。就本,人,人的观点,而,而言,定,性,性的来说MCM应,具,具备以下,三,三个条件,:,:(1),具,具有高密,度,度多层布,线,线基板;,(,(2)内,装,装两块以,上,上的裸芯,片,片IC(,一,一般为大,规,规模集成,电,电路);,(,(3)组,装,装在同一,个,个封装内,。,。也就是,说,说,MCM是一种,在,在高密度,多,多层布线,基,基板上组,装,装有2块,以,以上裸芯,片,片IC(,一,一般为LSI)以,及,及其它微,型,型元器件,,,,并封装,在,在同一外,壳,壳内的高,密,密度微电,子,子组件。,2.优点,MCM技,术,术有以下,主,主要优点,。,。,1)使电,路,路组装更,加,加高密度,化,化,进一,步,步实现整,机,机的小型,化,化和轻量,化,化。与同,样,样功能的SMT组,装,装电路相,比,比,通常MCM的,重,重量可减,轻,轻80%90%,,,,其尺寸,减,减小7080%,。,。在军事,应,应用领域,,,,MCM,的,的小型化,和,和轻量化,效,效果更为,明,明显,采,用,用MCM,技,技术可使,导,导弹体积,缩,缩小90%以上,,重,重量可减,轻,轻80%,以,以上。卫,星,星微波通,信,信系统中,采,采用MCM技术制,作,作的T/R组件,,其,其体积仅,为,为原来的1/101/20。,2) 进,一,一步提高,性,性能,实,现,现高速化,。,。与通常SMT,组,装,装,电,电,路,路,相,相,比,比,,,,MCM,的,的,信,信,号,号,传,传,输,输,速,速,度,度,一,一,般,般,可,可,提,高,高46,倍,倍,。,。NEC,公,公,司,司,在,在19791989,年,年,期,期,间,间,研,究,究MCM,在,在,大,大,型,型,计,计,算,算,机,机,中,中,的,的,应,应,用,用,,,,,从,从,采,采,用,用,一,一,般,的,的,厚,厚,膜,膜,多,多,层,层,布,布,线,线,到,到,使,使,用,用,高,高,级,级,的,的,多,多,芯,芯,片,片,组,组,件,件,混,混,合,多,多,芯,芯,片,片,组,组,件,件,,,,,其,其,系,系,统,统,的,的,运,运,算,算,速,速,度,度,提,提,高,高,了,了37,倍,倍,,,,,达220,亿,亿,次,次/,秒,秒,。,。,采,采,用,用MCM,技,技,术,术,,,,,有,有,效,效,的,的,减,减,小,小,了,了,高,速,速VLSI,之,之,间,间,的,的,互,互,连,连,距,距,离,离,、,、,互,互,连,连,电,电,容,容,、,、,电,电,阻,阻,和,和,电,电,感,,,,,从,从,而,而,使,使,信,信,号,号,传,传,输,输,延,延,迟,迟,大,大,大,大,减,减,少,少,。,。,3),提,提,高,高,可,可,靠,靠,性,性,。,。,统,统,计,计,表,表,明,明,,,,,电,电,子,子,整,整,机,机,的,的,失,失,效,效,大,大,约,约90%,是,是,由,由,封,封,装,装,和,和,互,互,连,连,引,引,起,起,的,的,。,。MCM,与,与SMT,组,组,装,装,电,电,路,路,相,相,比,比,,,,,其,其,单,单,位,位,面,面,积,积,内,内,的,的,焊,焊,点,点,减,减,少,少,了,了95%,以,以,上,上,,,,,单,单,位,位,面,面,积,积,内,内,的,的I/O,数,数,减,减,少,少84%,以,以,上,上,,,,,单,单,位,位,面,面,积,积,的,的,接,接,口,口,减,减,少,少75%,以,以,上,上,,,,,且,且,大,大,大,大,改,改,善,善,了,了,散,散,热,热,,,,,降,降,低,低,了,了,结,结,温,温,,,,,使,使,热,热,应,应,力,力,和,和,过,过,载,载,应,应,力,力,大,大,大,大,降,降,低,低,,,,,从,从,而,而,提,提,高,高,可,可,靠,靠,性,性,可,可,达,达5,倍,倍,以,以,上,上,。,4),易,易,于,于,实,实,现,现,多,多,功,功,能,能,。,。MCM,可,可,将,将,模,模,拟,拟,电,电,路,路,、,、,数,数,字,字,电,电,路,路,、,、,光,光,电,电,器,器,件,件,、,、,微,微,波,波,器,器,件,件,、,、,传,传,感,感,器,器,以,以,及,及,其,其,片,片,式,式,元,元,器,器,件,件,等,等,多,多,种,种,功,功,能,能,的,的,元,元,器,器,件,件,组,组,装,装,在,在,一,一,起,起,,,,,通,通,过,过,高,高,密,密,度,度,互,互,连,连,构,构,成,成,具,具,有,有,多,多,种,种,功,功,能,能,微,微,电,电,子,子,部,部,件,件,、,、,子,子,系,系,统,统,或,或,系,系,统,统,。,。HughesReserchlaboratory,采,采,用,用,三,三,维,维,多,多,芯,芯,片,片,组,组,件,件,技,技,术,术,开,开,发,发,的,的,计,计,算,算,机,机,系,系,统,统,就,就,是,是MCM,实,实,现,现,系,系,统,统,级,级,组,组,件,件,的,的,典,典,型,型,实,实,例,例,。,。,3.类型和,特,特点,通常可按MCM所用高,密,密度多层布,线,线基板的结,构,构和工艺,,将,将MCM分,为,为以下几个,类,类型。,1)叠层型MCM(MCM-L,,其,其中L为“,叠,叠层”的英,文,文词“Laminate”的第一,个,个字母)也,称,称为L型多,芯,芯片组件,,系,系采用高密,度,度多层印制,电,电路板构成,的,的多芯片组,件,件,其特点,是,是生产成本,低,低,制造工,艺,艺较为成熟,,,,但布线密,度,度不够高,,其,其组装效率,和,和性能较低,,,,主要应用,于,于30MHz和100,个,个焊点/英,寸,寸,2,以下的产品,以,以及应用环,境,境不太严酷,的,的消费类电,子,子产品和个,人,人计算机等,民,民用领域。,2)厚膜陶,瓷,瓷型MCM,(,(MCM-C,其中C,是,是,“,陶瓷,”,的英文名,Ceramic的第一,个,个字母),,系,系采用高密,度,度厚膜多层,布,布线基板或,高,高密度共烧,陶,陶瓷多层基,板,板构成的多,芯,芯片组件。,其,其主要特点,是,是布线密度,较,较高,制造,成,成本适中,,能,能耐受较恶,劣,劣的使用环,境,境,其可靠,性,性较高,特,别,别是采用低,温,温共烧陶瓷,多,多层基板构,成,成的MCM-C,还易,于,于在多层基,板,板中埋置元,器,器件,进一,步,步缩小体积,,,,构成多功,能,能微电子组,件,件。MCM-C主要应,用,用于3050MHz,的,的高可靠中,高,高档产品。,包,包括汽车电,子,子及中高档,计,计算机和数,字,字通信领域,。,。,3)淀积型MCM(MCM-D,,其,其中D是“,淀,淀积”的英,文,文名Deposition 的第,一,一个字母),,,,系采用高,密,密度薄膜多,层,层布线基板,构,构成的多芯,片,片组件。其,主,主要特点是,布,布线密度和,组,组装效率高,,,,具有良好,的,的传输特性,、,、频率特性,和,和稳定性.,4)混合型MCM-H,(,(MCM-C/D和MCM-L/D,其中英,文,文字母C、D、L的含,义,义与上述相,同,同),系采,用,用高密度混,合,合型多层基,板,板构成的多,芯,芯片组件。,这,这是一种高,级,级类型的多,芯,芯片组件,,具,具有最佳的,性,性能/价格,比,比、组装密,度,度高、噪声,和,和布线延迟,均,均比其它类,型,型MCM小,等,等特点。这,是,是由于混合,多,多层基板结,合,合了不同的,多,多层基板工,艺,艺技术,发,挥,挥了各自长,处,处的缘故。,特,特别适用于,巨,巨型、高速,计,计算机系统,、,、高速数字,通,通信系统、,高,高速信号处,理,理系统以及,笔,笔记本型计,算,算机子系统,。,。,五。组件与,母,母板(PCB)的电连,接,接,1.要求,1)电气要,求,求,信号互连,电源接,地,地互连,2)散热能,力,力,3)机械能,力,力,4)IO,要,要求,2. 连接,的,的主要类型,1)ZIF,插,插拔针连接,(,(见下图A,),),2) 弹簧,连,连接(见下,图,图B),3)插杆固,紧,紧连接(见,下,下图C),4)柔性电,路,路ZIP互,连,连,图A。ZIF插拔针连,接,接,图,B。,弹簧连接,图C。插杆,固,固紧连接,六。三维多,芯,芯片组件(3D-MCM)技术定,义,义、优点和,类,类型,1.定义,系指半导体,芯,芯片在X、Y、Z三个,方,方向都实现,了,了高,密度组装的,多,多芯片组件,技,技术(也称MCM-V)。,2.优点,可实现更高,组,组装密度(,组,组装密度可,达,达200%,,,,而,2D-MCM的最高组,装,装效率为90%)、,体,体积更小、,重量更轻、,功,功能更多、,性,性能更优。,甚,甚至可实现,一,一,个组件即是,一,一个整机系,统,统。,3.类型,主要有以下,两,两种类型:,1)2D-MCM叠片,组,组装,2)芯片叠,层,层组装(通,过,过丝键合或,凸,凸点、TAB等),七。厚膜混,合,合电路定义,及,及其应用特,点,点,1.定义,厚膜混合集,成,成电路(简,称,称厚膜混合,电,电路,或厚膜电路),是通过,厚,厚膜浆料(pasteor ink),丝网印刷和,烧,烧结技术,在,在陶瓷基板,或,或其它高,导热基板上,形,形成厚膜布,线,线、焊区和,厚,厚膜电阻,从而制成厚,膜,膜电路成膜,基,基板,再采,用,用表面组,装技术(SMT)和键,合,合技术,组,装,装半导体芯,片,片和,其它片式元,件,件,构成具,有,有一定功能,的,的微电路.,2.应用特,点,点,厚膜电路具,有,有功率密度,高,高、承载电,流,流大、电压,高,高、高频特,性,性好、体积,小,小、可靠性,和,和稳定性高,、,、设计灵活,、,、易于实现,多,多功能微电,路,路等特点,特,特别适宜制,作,作小型高可,靠,靠的功率电,路,路(包括,DC /DC,变换器、,DC/AC,变换器、,AC/DC,变换器、交,流,流电源、驱,动,动器、功率,放,放大器、电,压,压调节器等)以及高密,度,度高可靠的,多,多功能微电,路,路,广泛用,于,于航天、航,空,空、船舶、,兵,兵器、雷达,、,、电子对抗,、,、通信、汽,车,车、计算机,等,等领域的制,导,导、遥测、,动,动力、引信,、,、控制、惯,导,导和信号处,理,理等电子系,统,统,。,NASA,采,采用,厚,厚膜,混,混合,集,集成,技,技术,研,研制,了,了导,弹,弹制,导,导计,算,算机,的,的运,算,算组,件,件。,其,其中,采,采用,了,了2.88in见,方,方的,厚,厚膜,多,多层,布,布线,基,基板,,,,组,装,装了5个,大,大规,模,模半,导,导体,集,集成,电,电路,芯,芯片,,,,12个,中,中规,模,模半,导,导体,集,集成,电,电路,芯,芯片,(,(TTL,),),6个,片,片式,电,电容,和,和6,个,个片,式,式电,阻,阻,629根,键,键合,互,互连,丝,丝。,采用,厚,厚膜,集,集成,技,技术,制,制作,厚,厚膜,混,混合,集,集成DC,DC,变,变换,器,器是,厚,厚膜,混,混合,电,电路,的,的一,大,大类,产,产品,。,。其,产,产品,功,功率,范,范围,达,达1W120W,,电,电流,最,最大20A,,,,输,出,出路,数,数从,单,单路,到,到三,路,路,,开,开关,频,频率300kH,z,550kH,z,国内120WDC,DC,变,变换,器,器产,品,品的,功,功率,密,密度,达,达78W,in,3,,输,出,出电,压,压15V,,,,,输,输出,电,电流8A,,,,效,率,率85%,,,,,纹,纹波,100mV,。,。,电,电性,能,能与INTERPOINT,同,同类,产,产品,相,相同,,,,功,率,率密,度,度高,于,于INTERPOINT同,类,类产,品,品(,后,后者,为,为66.3Win,3,)。,还,还可,制,制作,高,高压,输,输出,(,(160V900V,),)的,厚,厚膜,混,混合,集,集成DC,DC,变,变换,器,器.,采用,厚,厚膜,混,混合,电,电路,工,工艺,制,制作DC,DC电,源,源的,优,优点,1),减,减小,产,产品,体,体积,和,和重,量,量,与常,规,规PCB,板,板组,装,装电,源,源同,比,比,,重,重量,可,可减,少,少30%60%,,,,,体积,可,可减,小,小25%70%,,,,,2),提,提高,功,功率,密,密度,(,(25%70%,),),3),提,提高,微,微组,装,装密,度,度达3040个,元,元器,件,件,平,平方,厘,厘米,4)扩,展,展工作,温,温度范,围,围(-55125),5)提,高,高可靠,性,性和频,率,率。,例如,100W的DCDC电,源,源功率,密,密度和,重,重量比,较,较:,功率密,度,度(W,in,3,),重,重量(g),PCB,板,板电路37160,厚膜HIC6278,厚膜混,合,合集成,滤,滤波器,包,包括两,类,类:电,源,源滤波,器,器(无,源,源)和,信,信号滤,波,波器(,有,有源),。,。前者,也,也称EMI滤,波,波器,,与,与DC/DC,电,电源配,套,套使用,,,,输入16V40V,输,出,出电流,最,最大15A,,插,插入损,耗,耗40db(500kHz,时,时);,后,后者是,使,使有用,频,频率信,号,号通过,,,,抑制,或,或衰减,无,无用频,率,率信号,,,,按其,功,功能要,求,求不同,有,有多种,。,。采用,集,集成运,放,放+RC组成,的,的厚膜,混,混合集,成,成可编,程,程滤波,器,器即是,信,信号滤,波,波器的,一,一种。,厚膜混,合,合集成,交,交流电,源,源包括,:,:单相400H,Z,和16kH,Z,交流电,源,源,500H,Z,交流电,源,源,500H,Z,马达交,流,流电源,,,,8kHZ交,流,流电源,等,等。,厚膜混,合,合集成,驱,驱动器,包,包括各,种,种马达,伺,伺服电,路,路,其,中,中有:,直,直流电,机,机伺服,电,电路,,步,步进马,达,达驱动,电,电路,,大,大功率,马,马达驱,动,动器,,永,永磁马,达,达驱动,电,电路,,脉,脉宽调,制,制功放,电,电路,,调,调宽功,率,率放大,器,器等。,八。薄,膜混合,电,电路定,义,义及其,应,应用特,点,点,1.定,义,义,采用物,理,理汽相,淀,淀积(,PVD,,,蒸发、,溅,溅射,和离子,镀,镀等),或,或化学,汽,汽相淀,积,积(,CVD,),工艺,以及湿,刻,刻(光,刻,刻)或,干,干刻(,等,等离子,刻,刻蚀等,),),图形形,成,成技术,,,,在基,板,板上形,成,成薄膜,元,元件和,布,布,线,然,后,后组装,微,微型元,器,器件(,多,多为芯,片,片和片,式,式,元器件,),)构成,具,具有一,定,定功能,的,的微电,路,路。,区分是,“,“薄膜,”,”还是,“,“厚膜,”,”,主,要,要按工,艺,艺技术,分,分,而,非,非主要,按,按其膜,厚,厚度(,虽,虽然厚,度,度有区,别,别,,GJB548,中提到,,,,薄膜,厚,厚度通,常,常小于5微米,),),2.应,用,用特点,薄膜电,路,路具有,:,:精度高,、,、稳定,性,性好、,高,高频特,性,性好、,组,组装密,度,度高、,信,信号传,输,输速度,快,快等特,点,点,其,应,应用主,要,要在三,个,个方面,:,:,1)高,精,精度转,换,换电路,,,,如高,位,位数(1218位,),)数,模、模,数转换,电,电路,,轴,轴角数,字,字转换,电,电路,,fV,和,和Vf转换,器,器等(,利,利用精,度,度高,,稳,稳定性,好的特,点,点)。,2),高,高频和,微,微波电,路,路(利,用,用高频,特,特性好,的,的特点,),),,薄膜集,总,总参数,微,微波混,合,合集成,电,电路应,用,用频率,可,可高,达1530GC,,若,若与分,布,布参数,电,电路结,合,合,可,用于60GC,。,。,3)信,号,号和数,据,据处理,电,电路(,利,利用线,条,条细、,布,布线密,度,度高、,信号传,输,输速度,快,快的特,点,点)。,通信领,域,域应用,的,的微波,电,电路中,,,,薄膜,混,混合电,路,路约占80%,。,。F-111,型,型歼击,机,机的攻,击,击雷达,中,中,高,频,频部分,采,采用了,薄,薄膜混,合,合电路,,,,中频,采,采用了,厚,厚膜电,路,路,使,得,得整机,与,与原分,立,立元件,电,电路相,比,比,体,积,积减小,了,了75%,重,量,量减轻,了,了63%,可,靠,靠性提,高,高了3.5倍,。,。F-22战,斗,斗机的,机,机载雷,达,达数据,处,处理系,统,统采用,了,了薄膜,技,技术制,成,成的MCM-D(休,斯,斯公司,),),使,机,机载雷,达,达重量,减,减轻了96%,,,,体积,减,减小了93%,。,。八十,年,年代美,国,国微波,网,网络公,司,司采用,薄,薄膜混,合,合电路,技,技术首,次,次研制,成,成功18位混,合,合集成DA,转,转换器,,,,线性,精,精度达0.008%,,,,是当,时,时世界,上,上精度,最,最高的DA,转,转换器,。,。,九。共,烧,烧陶瓷,多,多层基,板,板的类,型,型及应,用,用特点,1.类,型,型1)高,温,温共烧,陶,陶瓷多,层,层基板,(,(HTCC),2)低,温,温共烧,陶,陶瓷多,层,层基板,(,(LTCC),国际上,对,对其共,烧,烧陶瓷,多,多层基,板,板类型,的,的划分,原,原则是,按,按其陶,瓷,瓷多层,基,基板的,共,共烧温,度,度是在1000,以上,或,或以下,来,来分,,共烧温,度,度是在1000,以上,者,者称,高温共,烧,烧陶瓷,多,多层基,板,板,共,烧,烧温度,是,是在1000,以下,者,者称低,温共烧,陶,陶瓷多,层,层基板,。,。所谓,共,共烧温,度,度系指,陶,陶瓷基,板,板材料,和,和布线,导,导体浆,料,料同时,完,完成烧,结,结的温,度,度。,*厚膜,混,混合电,路,路与LTCC,的,的主要,区,区别,前者,分,分层印,烧,烧,后,者,者共烧,。,。,LTCC的主,要,要优点,1)易,实,实现更,多,多布线,层,层数,,实,实现高,密,密度组,装,装,2)易,实,实现内,埋,埋元件,实现,多,多功能,。,。,3)高,频,频特性,和,和高速,传,传输特,性,性好,4)烧,结,结前可,进,进行质,量,量检查,5)可,实,实现空,腔,腔结构,,,,易于,实,实现多,功,功能和,微,微,波MCM),6)可,与,与薄膜,多,多层布,线,线兼容,,,,实现,混,混合多,层,层。,7)可,与,与封装,实,实现一,体,体化。,2.应,用,用特点,LTCC主要用,于,于高频,和,和微波,电,电路以,及,及信号,和,和数据,处,处理电,路,路,而HTCC则更,适,适用于,功,功率MCM。,美国IBM公,司,司和日,本,本NEC公司,采,采用共,烧,烧陶瓷,多,多层技,术,术,于19791990,年,年研制,了,了四代,超,超级计,算,算机,,,,其MCM类,型,型从MCM-C发展,到,到MCM-C,D,IBM,公,公司的,超,超级计,算,算机MCM-C,D,采用23层布,线,线LTCC,2层薄,膜,膜布线,,,,基板,尺,尺寸127.5mm,127.5 mm,2000W功耗,。,。NEC公司,的,的超级,计,计算机MCM-C,D,采用45层HTCC,,,,8层,薄,薄膜布,线,线,基,板,板尺寸225mm225mm,,,,功耗4000W。,美国MartinMarietta,公,公司采,用,用10,层,层LTCC陶,瓷,瓷多层,基,基板制,作,作的MCM-C用于,军,军用飞,机,机和导,弹,弹目标,探,探索和,识,识别系,统,统的图,像,像处理,电,电子装,置,置,该MCM,是,是个子,系,系统,,重,重量748g,,,,总功,耗,耗40W,基,板,板尺寸117mm117mm,,内,内含16个处,理,理器芯,片,片,布,线,线宽度,间距为125mm,,芯,芯片为TAB,结,结构。,美国Weastinghouse,公,公司采,用,用LTCC技,术,术研制,了,了X波,段,段T,R,组件,,基,基板布,线,线层数22层,,,,布线,宽,宽度,间距为125mm,,具,具有多,种,种复杂,的,的空腔,结,结构。,基,基板上,组,组装了8个GaAsMMIC芯片,,,,4个,其,其他GaAs,芯,芯片及,功,功放匹,配,配网络,、,、RF,旁,旁路电,容,容等。,体,体积和,重,重量较,原,原来大,大,大减少,,,,仅为,原,原来的,几,几十分,之,之一。,谢 谢!,微组装工,艺,艺流程及,其,其设备,张经国,0305,一。微组装基,本,本工艺流,程,程框图,多层布线,基,基板(厚,膜,膜 、薄,膜,膜、共烧,陶,陶瓷、混,合,合多层、,检,检测评价,),),元器件组,装,装(芯片,、,、片式元,件,件粘焊接,、,、键合、,检,检测),密 封(烘烤、,封,封盖、检,漏,漏),二。 微,组,组装工艺,线,线建线要,点,点及基本,构,构成设备,1.工艺,线,线建线要,点,点,1)产品,对,对象(功,率,率、信号,处,处理、高,频,频、低频,),),2)生产,规,规模(研,制,制、批量,生,生产),3)产品,应,应用领域,(,(工业、,航,航天、舰,船,船、地面,),),4)生产,线,线是否贯,标,标,5)经费,6)供应,商,商设备性,能,能及售后,服,服务,2.基本,设,设备,1)成膜,工,工艺设备,a)厚膜,:,:印刷机,,,,烘干炉,,,,烧结炉,,,,激光膜,厚,厚测试,仪,激光,调,调阻机,,通,通断测试,仪,仪,粘度,计,计,b)薄膜,:,:真空镀,膜,膜机(蒸,发,发,溅射,),),光刻,机,机,,甩胶机,,等,等离子刻,蚀,蚀机(或,反,反应离子,刻,刻,蚀机),,激,激光调阻,机,机,通断,测,测试仪,,光,光,学形貌检,测,测仪,膜,厚,厚测试仪,(,(台阶仪,),)。,c)LTCC:生,带,带冲切机,,,,生带冲,孔,孔机,生,带,带印刷机,,,,填孔机,,,,叠压机,,,,排胶炉,,,,共烧炉,,,,通断测,试,试仪,,激光膜厚,测,测试仪。,d)混合,:,:LTCC+薄膜+机械抛,光,光研磨机,。,。,9,、静夜,四,四无邻,,,,荒居,旧,旧业贫,。,。11月-2211月-22,Friday, November 4, 2022,10,、雨中黄叶,树,树,灯下白,头,头人。23:18:4623:18:4623:18,11/4/202211:18:46 PM,11,、以我独,沈,沈久,愧,君,君相见频,。,。11月-2223:18:4623:18,Nov-2204-Nov-22,12,、,故,故,人,人,江,江,海,海,别,别,,,,,几,几,度,度,隔,隔,山,山,川,川,。,。,。,。23:18:4623:18:4623:18,Friday, November 4, 2022,13,、乍,见,见翻,疑,疑梦,,,,相,悲,悲各,问,问年,。,。11,月,月-2211,月,月-2223:18:4623:18:46,November4,2022,14,、他乡生,白,白发,旧,国,国见青山,。,。04 十,一,一月 202211:18:46,下,下午23:18:4611月-22,15,、比不了,得,得就不比,,,,得不到,的,的就不要,。,。十一月2211:18 下午11月-2223:18,November4,2022,16,、行动出,成,成果,工,作,作出财富,。,。2022/11/4 23:18:4623:18:46,04 November2022,17,、做前,能,够,够环视四周,;,;做时,你,只,只能或者最,好,好沿着以脚,为,为起点的射,线,线向前。11:18:46 下,午,午11:18,下,下午23:18:4611月-22,9,、没有失败,,,,只有暂时,停,停止成功!,。,。11月-2211月-22,Friday, November 4,2022,10,、很,多,多事,情,情努,力,力了,未,未必,有,有结,果,果,,但,但是,不,不努,力,力却,什,什么,改,改变,也,也没,有,有。,。,。23:18:4623:18:4623:18,11/4/202211:18:46PM,11,、成,功,功就,是,是日,复,复一,日,日那,一,一点,点,点小,小,小努,力,力的,积,积累,。,。11,月,月-2223:18:4623:18,Nov-2204-Nov-22,12,、,世,世,间,间,成,成,事,事,,,,,不,不,求,求,其,其,绝,绝,对,对,圆,圆,满,满,,,,,留,留,一,一,份,份,不,不,足,足,,,,,可,可,得,得,无,无,限,限,完,完,美,美,。,。,。,。23:18:4623:18:4623:18,Friday,November4,2022,13,、不知,香,香积寺,,,,数里,入,入云峰,。,。11月-2211月-2223:18:4623:18:46,November4,2022,14,、意志坚,强,强的人能,把,把世界放,在,在手中像,泥,泥块一样,任,任意揉捏,。,。04 十,一,一月 202211:18:46,下,下午23:18:4611月-22,15,、楚塞三湘,接,接,荆门九,派,派通。十一月 2211:18,下,下午11月-2223:18,November 4, 2022,16,、少年十五,二,二十时,步,行,行夺得胡马,骑,骑。2022/11/423:18:4623:18:46,04 November 2022,17,、空山,新,新雨后,,,,天气,晚,晚来秋,。,。11:18:46,下,下午11:18,下,下午23:18:4611月-22,9,、杨,柳,柳散,和,和风,,,,青,山,山澹,吾,吾虑,。,。11,月,月-2211,月,月-22,Friday,November4,2022,10,、阅,读,读一,切,切好,书,书如,同,同和,过,过去,最,最杰,出,出的,人,人谈,话,话。23:18:4623:18:4623:18,11/4/202211:18:46PM,11,、越是没,有,有本领的,就,就越加自,命,命不凡。11月-2223:18:4623:18,Nov-2204-Nov-22,12,、,越,越,是,是,无,无,能,能,的,的,人,人,,,,,越,越,喜,喜,欢,欢,挑,挑,剔,剔,别,别,人,人,的,的,错,错,儿,儿,。,。23:18:4623:18:4623:18,Friday,November4,2022,13,、知,人,人者,智,智,,自,自知,者,者明,。,。胜,人,人者,有,有力,,,,自,胜,胜者,强,强。11,月,月-2211,月,月-2223:18:4623:18:46,November4,2022,14,、,意,意,志,志,坚,坚,强,强,的,的,人,人,能,能,把,把,世,世,界,界,放,放,在,在,手,手,中,中,像,像,泥,泥,块,块,一,一,样,样,任,任,意,意,揉,揉,捏,捏,。,。04,十,十,一,一,月,月202211:18:46,下,下,午,午23:18:4611,月,月-22,15,、最具,挑,挑战性,的,的挑战,莫,莫过于,提,提升自,我,我。十一月 2211:18,下,下午11月-2223:18,November 4, 2022,16,、业余生活,要,要有意义,,不,不要越轨。2022/11/423:18:4623:18:46,04 November 2022,17,、一个人,即,即使已登,上,上顶峰,,也,也仍要自,强,强不息。11:18:46,下,下午11:18 下午23:18:4611月-22,MOMODA POWERPOINT,Lorem ipsum dolor sit amet, consectetur adipiscing elit. 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