Vbes及Vces测试及分析

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,*,Vbes及Vces测试及分析,主讲,1,一、目的,介绍一种分析Vbes、Vces的方法。,通过测Vbef及Vbcf，把三极管两个互相牵连的PN结，分成两个单独的PN结来处理。,2,二、,一般来说，Vbes大较多情况是基极引线孔有接触电阻（底膜）造成。,1.氧化层，氧化层的作用，氧化层的颜色，底膜，开窗口后尽快扩散，蒸铝，自然氧化层。,3,2.示意图,（均以NPN管为例）,4,3.,引起,Vbes,大，接触电阻大的其它原因：铝层发黄，油污，球焊虚焊，引脚氧化引起虚焊，测试接触不良。,4.,欧姆接触，,H,2,合金，,500,，,10,分，,Vbef(300mA)1.4V,（,S9014,）,5,同一只管子,Vbef,与,Vbef,的关系：,1.P+N,结（,BC,结）,If=Aq(Lp/p),（,ni2/Nn,）,eqv/kt,2.N+P,结（,EB,结）,If=Aq(Ln/n),（,ni2/Np,）,eqv/kt,3.PN,结高阻区的杂质浓度愈小，正向电流愈大（,Vf,愈小），理论上同一只管子,VbcfVbef.,6,四、晶体管杂质浓度的分布,Nsc,代表外延层含,As(Sb),杂质浓度，是均匀掺杂，杂质浓度相等的,M,、,N,点形成发射结、集电结，两曲线与,X,轴、,Y,轴围成的面积代表掺杂总量。,7,五、,Vces,大较多情况与背面金属化层相关，与装片质量关系也很大。,1.,背面金氧化之前要磨片（或喷砂），,减薄，,去除背面氧化层,共晶，金砷,Vi / Ni / AuGe / AuGeSb / Au,0.3 0.2 0.3 0.5 0.1,总厚,1.5 0.2um,2.,软焊料,Vi/Ni/Ag Ti/Ni/Ag Cr/Ni/Ag Vi / Ni / Au,1.5um 0.03 0.8 0.3,总厚,1.5 0.2um,3.,导电胶,Vbcf,与,Vbef,比较接近，,Vces,要大一些。,影响,Vces,的其它因素，装片质量，焊料氧化，焊料少，,e,极铝电极电阻，外延片夹层，双段饱和，电阻率太高。,8,六、则共,3DD13002,背金不良，引起,Vces,大，集电极开路实例。,9,以下内容见复印的讲义。,10,