光探测和光接收机课件

,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,光探测和光接收机,*,第五章 光探测和光接收机,光探测和光接收机,本章内容,对光检测器的基本要求,PN结光电检测原理,PIN光电二极管,APD雪崩光电二极管,MSM光电探测器,单行载流子光电探测器,波导光电探测器,数字光接收机,光探测和光接收机,对光检测器的基本要求,1.在系统的工作波长上要有足够高的响应度，即对一定的入射光功率，光检测器能输出尽可能大的光电流。,2.波长响应要和光纤的三个低损耗窗口兼容。,3.有足够高的响应速度和足够的工作带宽。,4.产生的附加噪声要尽可能低，能够接收极微弱的光信号。,5.光电转换线性好，保真度高。,6.工作性能稳定，可靠性高，寿命长。,7.功耗和体积小，使用简便。,光探测和光接收机,光纤通信常用的光电检测器,半导体材料,PIN光电二极管,APD雪崩光电二极管,光探测和光接收机,PN结光电检测原理,光探测和光接收机,耗尽区：,由于扩散电流和漂移电流方向相反，在平衡状态下两种电流相等，使得总电场为零，等效于空间电荷区的电阻阻值很大，载流子数目很少，称其为耗尽区。,电子和空穴的扩散运动,PN结界面 内部电场 漂移运动,耗尽区、扩散区,如果光子的能量大于或等于带隙( h,f, E,g,),当入射光作用在PN结时,发生受激吸收、光生载流子,在耗尽层 形成漂移电流。,内部电场的作用，电子向N区运动，空穴向P区运动,半导体材料的光电效应？,光探测和光接收机,PN结光电二极管结构,光探测和光接收机,PN结光电二极管工作原理,当PN结加上反向电压后，在入射光的作用下，由于受激吸收过程生成的电子-空穴对在电场的作用下，分别离开耗尽区，在闭合外电路中形成光生电流的器件。当入射光功率变化时，光生电流也随之线性变化，从而把光信号转变成电流信号。,加反向电压？,入射光？,光生载流子？,光生电流？,光探测和光接收机,镀抗反射膜以减少反射光强度,反射光的相位差？,反射光的幅度？,厚度？,折射率？,光探测和光接收机,光电二极管的特性,1.响应度R,2.量子效率,光探测和光接收机,3.截止波长c,4.响应速度,光生载流子的漂移时间、扩散时间、RC时间常数,光探测和光接收机,常用半导体材料的禁带宽度与截止波长,光探测和光接收机,PN结光电二极管的缺点,耗尽区窄,结电容或耗尽区电容较大,响应速度慢,光电转换效率低,光探测和光接收机,PIN光电二极管,在,P,和,N,层之间加入了一个,I,层，作为耗尽层。,I,层的宽度较宽，约有（,5 50,）,m,，,吸收系数很小，易进入材料内部吸收绝大多数光子，使光生电流增加。,光探测和光接收机,PIN光电二极管工作原理,当PN结加上反向电压后，入射光主要在耗尽区被吸收，在耗尽区产生光生载流子(电子-空穴对)。在耗尽区电场作用下，电子向N区漂移，空穴向P区漂移，产生光生电动势。在远离PN结的地方，因没有电场的作用，电子空穴作扩散运动，产生扩散电流。因I层宽，又加了反偏压，空间电荷区（耗尽层）加宽，绝大多数光生载流子在耗尽层内进行高效、高速漂移，产生漂移电流。这个漂移电流远远大于扩散电流，所以PIN光电二极管的灵敏度高。在回路的负载上出现电流，就将光信号转变为了电信号。,光探测和光接收机,PIN光电二极管的波长响应曲线,光探测和光接收机,几种半导体材料的吸收系数随波长的变化,光探测和光接收机,PIN输出电流和反向偏压的关系,击穿电压,光探测和光接收机,APD雪崩光电二极管,光探测和光接收机,APD光电二极管的工作原理,APD的光敏面被光子照射之后，光子被吸收而产生电子-空穴对。这些电子-空穴对经过,高电场区,之后，初始电子(一次电子)在高电场区获得足够能量而加速运动。高速运动的电子和晶体原子相碰撞，使晶体原子电离，产生新的电子-空穴对，这个过程称为,碰撞电离,。碰撞电离所产生的电子称为二次电子-空穴对，这些电子-空穴对在高速电场运动时又被加速，又可能碰撞电离其他原子，如此多次碰撞，产生连锁反应，使载流子数量迅速增加，反向电流迅速增大，形成,雪崩倍增,效果。,光探测和光接收机,平均雪崩增益M,M与电子和空穴的电离率有关，随半导体材料的不同而不同，同时随高电场区强度的增大而增大。,光探测和光接收机,APD增益与偏压及温度的关系,光探测和光接收机,本征响应带宽（频域角度）,载流子在电场区的渡越时间,上升时间,tr,定义,：输入阶跃光功率时，探测器输出光电流最大值的10%到90%所需的时间。,光探测和光接收机,APD的本征响应带宽,e,为等效渡越时间，它与空穴和电子的电离系数比值有关。,光探测和光接收机,光电二极管的实际响应带宽,光探测和光接收机,APD 波长响应曲线,Si半导体材料的空穴和电子的碰撞电离系数比值为0.22,光探测和光接收机,三种探测器产品的典型参数,P183 表5.2.1,光探测和光接收机,MSM光电探测器,（MSM, Metal-Semiconductor-Metal）,优点：,结电容小，带宽大，制造容易,缺点：,响应度低,光电转换原理相同,光探测和光接收机,单行载流子探测器(UTC-PD),在,PIN,光电二极管中，对光电流作出贡献的包括电子和空穴两种载流子。,只有电子充当载流子，空穴不参与导电，电子的迁移率远高于空穴，因而其载流子渡越时间比PIN的小。,光探测和光接收机,光探测和光接收机,光探测和光接收机,波导光电探测器（WG-PD）,边入射光电探测器,面入射光电探测器,PIN的响应速度受到PN结,RC,数值、I 吸收层厚度和载流子渡越时间等的限制。,可解除量子效率与响应速度之间的制约关系,光探测和光接收机,分支波导探测器(Tapered WG-PD),光探测和光接收机,边入射平面折射波导RF UTC-PD,光探测和光接收机,数字光接收机,光探测和光接收机,光电转换和前置放大器（光接收机的核心）,前置放大器在减弱或防止电磁干扰和抑制噪声方面起着特别重要的作用,光探测和光接收机,光接收机前置放大器等效电路,光探测和光接收机,线性放大,光探测和光接收机,柰奎斯特脉冲响应和升余弦均衡滤波器输出响应,光探测和光接收机,数据恢复,光探测和光接收机,选取最佳的判决时间,光探测和光接收机,眼图分析法,光探测和光接收机,光接收机的主要性能指标,1.噪声机理,2.信噪比,3.误码率,4.接收灵敏度,5.动态范围,光探测和光接收机,光接收机噪声,一部分是,外部,电磁干扰产生的，这部分噪声的危害可通过屏蔽或滤波加以消除。,另一部分是,内部,产生的，,这部分噪声是在信号检测和放大过程中引入的随机噪声,，只能通过器件的选择和电路的设计与制造尽可能减小，一般不可能完全消除。其主要来源是光检测器的噪声和前置放大器的噪声。因为前置级输入的是微弱信号，其噪声对输出信噪比影响很大，而主放大器输入的是经前置级放大的信号，只要前置级增益足够大，主放大器引入的噪声就可以忽略。,光探测和光接收机,内部噪声,暗电流噪声,-无光照时产生,散粒噪声,热噪声,光探测和光接收机,总的均方噪声电流,光探测和光接收机,光接收机信噪比SNR,光探测和光接收机,误码率BER,通常数字光接收机要求 BER10,-9,光探测和光接收机,接收灵敏度,定义为保证BER为10,-9,时，要求的最小平均接收光功率P,min,。,光探测和光接收机,灵敏度下降机理,光探测和光接收机,动态范围,定义为在保证系统的误码率指标的要求下，接收机最低输入光功率和最大允许输入光功率之差。,光探测和光接收机,