光刻清洗工艺简介课件

,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,光刻工艺介绍,一、光刻概述,二、工艺流程,三、主要工艺设备介绍,四、其他,光刻工艺介绍一、光刻概述,1,一、光刻概述,1,、什么是光刻,通过曝光将掩模板（,reticle,）上的图形，转移到晶片（,wafer,）上的过程叫光刻，图形转移过程包含两个步骤：,（,1,）通过曝光将掩模板图形转移到光刻胶上,（,2,）通过显影将曝光后溶于显影液的光刻胶溶解掉，显露出我们需要的功能窗口。,一、光刻概述1、什么是光刻,2,2,、光刻的质量,光刻的质量,:,用分辨率、光刻精度以及缺陷密度等来衡量。,影响光刻质量的主要因素是：光刻胶、光刻掩模板、曝光方式、曝光系统等。,2、光刻的质量光刻的质量:用分辨率、光刻精度以及缺陷密度等来,3,3,、基本流程,3、基本流程,4,（一）、表面处理,为什么要进行表面处理,由于晶圆容易吸附潮气到它的表面。光刻胶黏附要求要严格的干燥表面， 所以在涂胶之前要进行脱水烘焙和黏附剂的涂覆。脱水烘焙的温度通 常在,140,度到,200,度之间。有时还要用到黏附剂，黏附剂通常使用,HMDS,（六甲基二硅胺脘）。表面处理的主要作用是提高光刻胶与衬底之间的粘附力，使之在显影过程中光刻胶不会被液态显影液渗透。（如下 图）,是否要使用黏附剂要根据图形大小、衬底及光刻胶的种类 来决定，,HMDS,可以用浸泡、喷雾和,气相方法,来涂覆。,二、光刻工艺流程,（一）、表面处理是否要使用黏附剂要根据图形大小、衬底及光刻胶,5,使用烘箱进行,HMDS,增粘处理要注意那些问题？, 预处理完的硅片应在一定的时间内尽快涂胶，以免表面吸附空气中的水分，降低增粘效果。但同时也要充分冷却，因硅片的温度对胶厚有很大的影响。 反复预处理反而会降低增粘效果。,HMDS,的瓶盖打开后，其寿命有限，一定要尽快用完。,使用烘箱进行HMDS增粘处理要注意那些问题？ 预处理,6,（二）,.,涂胶,目的：就是在晶园表面,建立一厚度,均匀的、并且没有缺陷的光刻胶膜。,方法：静态旋转涂覆,动态喷洒涂覆,（二）.涂胶,7,静态涂胶：,首先把光刻胶通过管道堆积在晶圆的中心，然后低速旋转使光刻胶铺开，再高速旋转甩掉多余的光刻胶，高速旋转时光刻胶中的溶剂会挥发一部分。,静态涂胶：,8,动态涂胶,：,随着,wafer,直径越来越大，静态涂胶已不能满足要求，动态喷洒是以低速旋转，目的是帮助光刻胶最初的扩散，用这种方法可以用较少量的光刻胶而达到更均匀的光刻胶膜，然后高速旋转完成最终要求薄而均匀的光刻胶膜。,动态涂胶：,9,滴胶时常出现问题：,滴胶时常出现问题：,10,涂胶的典型过程为：,接片对中稳定转速滴胶慢速匀胶快速匀胶硅片底部清洗硅片顶部去边快速甩干,为什么要去边,去边分为两步，为底部去边和顶部去边。由于快速甩胶时，整个涂胶腔体内弥漫着溶剂和光刻胶的微粒，一部分光刻胶微粒会黏附在硅片的底部，在随后的工艺过程中会对其它设备造成沾污，所以利用位于硅片底部的一个喷嘴，对硅片底部进行清洗。在快速甩胶结束后，整个硅片上分布的是均匀厚度的光刻胶，但在硅片表面的最外缘一圈，由于气流的影响，胶层特别厚，因在随后的工艺（如腐蚀或注入等）处理中，为了传输或固定，一些设备中的某些机构会接触到硅片表面的边缘，摩擦会使边缘的胶脱落，对设备造成颗粒沾污。,涂胶的典型过程为：接片对中稳定转速滴胶慢速匀胶快速,11,涂胶的质量要求是,：,（,1,）膜厚符合设计的要求，同时膜厚要均匀，胶面上看不到干涉花纹；,（,2,）胶层内无点缺陷（如针孔等）；,（,3,）涂层表面无尘埃和碎屑等颗粒。,膜厚的大小可由下式决定：,式中，,T,为膜厚；,P,为光刻胶中固体的百分比含量；,S,为涂布机的转速；,K,为常数。,涂胶的质量要求是：,12,影响胶厚的因素有：, 硅片的温度 胶的温度 环境温度和湿度 排风量 涂胶程序（预匀的转速和时间，快速匀胶的速度，加速度等） 胶本身的黏度 胶量,前烘的温度、时间及方式,影响胶厚的因素有： 硅片的温度 胶的温度 环境温,13,（三）,前烘,:,目的,蒸发掉胶中的有机溶剂成分，使晶圆表面 的胶固化。增加光刻胶与衬底间的粘附性、光吸收以及抗腐蚀能力；缓和涂胶过程中胶膜内产生的应力等。这个过程中胶中的溶剂基本被蒸发掉，因而通常 情况下胶的厚度会变薄（大约减少,25%,）,方法,可在热板或烘箱中进行。每一种胶都有其特定的前烘温度和时间,更厚的胶可能需要更长的时间。,（三）前烘 :,14,（四）对准和曝光,对准：是掩膜版与光刻机之间的对准，二者均刻有对准标记，使标记对准即可达到掩膜版与光刻机的对准。对准就是确定,wafer,上图形的位置、方向和变形的过程，然后利用这些数据与掩膜版建立正确的关系。对准必须快速、重复以及精确。对准的结果用套准精度来衡量。套准容差说明了要形成的图形层与前图形层间的最大相对位移。 对准标记是,wafer,和掩膜版上用来确定它们的位置和方向的可见图形，它可能是掩膜版上的一根或多根线，也可能是某种形状。,（四）对准和曝光,15,曝光：是要是通过汞弧灯或其他辐射源将掩模板上图形转移到光刻胶图层上,曝光工具,:,接触式光刻机,接近式光刻机,步进重复式曝光系统,扫描式曝光系统,用尽可能短的时间使光刻胶充分感光，在显影后获得尽可能高的留膜率，近似垂直的光刻胶侧壁和,可控的线宽。,曝光：是要是通过汞弧灯或其他辐射源将掩模板上图形转移到,16,曝光质量,是影响光刻胶与,wafer,表面粘附性的重要因素之一。曝光量过度的正胶，由于，感光剂反应不充分，显影时聚合物会发生膨胀，从而引起图形畸变，严重时部分图形会被溶解；曝光量不足的正胶不能彻底显影，会产生底膜，使待刻蚀的膜层刻蚀不净。而负胶正好相反。,生产中影响曝光量的因素有：,光刻胶对光的吸收、光反射、,临近效应。,曝光质量,17,（五）后烘（,PEB,）,在曝光时由于驻波效应的存在，光刻胶侧壁会有不平整的现象，曝光后进行烘烤，可使感光与未感光边界处的高分子化合物重新分布，最后达到平衡，基本可以消除驻波效应。,它主要有如下作用：消除曝光中驻波效应的影响，提高工艺容宽。进一步去除胶中的残留溶剂，提高胶对衬底的黏附性。,（五）后烘（PEB）,18,（六）显影,显影就是用显影液溶解掉不需要的光刻胶，将掩膜版上的图形转移到光刻胶上。,不同的显影方式有不同的显影过程，通常,显影过程,为：,显影液喷洒，使显影液覆盖整个硅片表面 静置显影 冲水清洗,常见的,显影问题,有显影不足、不完全显影以及过显影三种。,（六）显影,19,（七）坚膜（硬烘烤）,坚膜就是通过加温烘烤使胶膜更牢固地黏附在晶圆表面，并可 以增加胶层的抗刻蚀能力，坚膜并不是一道必需的工艺。,好处,：,能够改善光刻胶的抗刻蚀、注入能力。改善光刻胶与晶圆表面的附性，有利于后续湿法腐蚀工艺。改善光刻胶中存在的针孔。,弊端：,可能导致光刻胶流动，使图形精度减低,通常会增加将来去胶的难度。,（七）坚膜（硬烘烤）弊端：,20,（八）检验,显影检查是为了查找光刻胶中成形图形的缺陷。继续进行刻蚀工艺或离子注入工艺前必须进行检查以鉴别并除去有缺陷的晶圆。,（八）检验,21,三、主要工艺设备介绍,1,、匀胶机,（,1,）工作原理：利用高转速的电机带动载有晶圆片的真空卡盘（,Chuck,）旋转。光刻胶,(,光阻,),或树脂等液体被以一定量滴到晶圆片中央，马达加速迅速上升至程式之设定速度，在马达加速期间，光刻胶液被迅速甩向,(,离心力,+,表面张力）晶圆片边缘。马达继续旋转，以让刚刚涂布的光刻胶均匀和干燥，之后马达停止。涂布工作完成。厚度视不同胶液和基片间的粘滞系数而不同,也和旋转速度及时间有关。,（,2,）主要性能参数,速度,加速度、转速、时间、滴胶量、排风口径等,（,3,）配套仪器：转速检测仪等,三、主要工艺设备介绍1、匀胶机,22,2,、热烘板（,Hot plate,）,（,1,）工作原理：电流通过热板，电热板将电流转化成热量，由热板的阻值的大小来控制功率的高低，由温控器控制开关来实现温度控制，这就是电热板的基本原理,（,2,）,主要技术指标,温控精度、温控范围、温度均匀性 、时间、排风,（,3,）配套仪器：温度检测仪等,2、热烘板（Hot plate）,23,3,、光刻机,光刻技术的主体是光刻机（曝光机、对准机），它是将掩膜版上的图形与前次工序中已刻在硅片上的图形对准后，再对硅片表面的光刻胶进行曝光实现图形复制的过程。,光刻机的三个主要性能指标,:,分辨率,：是可以曝光出来的最小特征尺寸。通常指能分辩的并能保持一定尺寸容差的最小特征尺寸。,对准和套刻精度,:,是描述光刻机加工图形重复性能的一个指标，是层间套刻精度的度量，主要取决于掩模版和硅片的支撑平台图形对准和移动控制精度性能。,产率,:,指每小时可加工的硅片数，是判断光刻系统性能的一个重要的指标，直接决定了集成电路芯片的制造成本。,（,1,）工作原理：在计算机的控制下，利用紫外光束对光刻胶进行曝光，受紫外光束辐照后的光刻胶，其物理化学性质发生变化（可在一定的溶剂中形成良溶或非良溶区域，从而在抗蚀剂上形成精细图形）的过程。,（,2,）主要技术参数光束均匀性、曝光时间、对准精度、分辨率、光束输出强度,（,3,）配套仪器：光强检测仪等,3、光刻机,24,光刻清洗工艺简介课件,25,4,、显影机,（,1,）工作原理：不同的显影方式（喷淋式、浸没式、水柱式）有不同的显影过程，以喷涂式为例，它的显影过程为：显影液喷洒，使显影液覆盖整个硅片表面 静置显影 冲水清洗,（,2,）主要技术参数 （,喷涂显影）,显影温度、显影时间、显影液剂量、,清洗、排风、,Wafer,吸盘稳定性。,4、显影机,26,5,、,HMDS,预处理系统,（,1,）原理： 通过对烘箱,HMDS,预处理过程的工作温度、处理时间、处理时保持时间等参数可以在硅片、基片表面均匀涂布一层,HMDS,，降低了,HMDS,处理后的硅片接触角，降低了光刻胶的用量，提高光刻胶与硅片的黏附性。,（,2,）主要技术参数,真空度、加热方式、温度、时间、流量等,（,3,）检测仪器：温硅,5、HMDS预处理系统,27,光刻清洗工艺简介课件,28,6,、烘烤箱（,电热恒温鼓风干燥箱）,（,1,）原理：工作时空气由箱底进气孔流进，经发热丝加热再经鼓风装置流入工作室，再由箱顶排气孔排出。,（,2,）主要性能指标,温度范围,、,温度波动度,、,温度均匀度,（,3,）检测仪器：温硅,6、烘烤箱（电热恒温鼓风干燥箱）,29,7,、甩干机,（,1,）原理,:,一般包含以下三个环节,低速旋转热水喷淋冲洗,-,高速度离心甩干,-,氮气加热烘干,（,2,）主要技术参数,旋转速度,旋转时间,氮气流量,水流量,加热温度等,7、甩干机,30,8,、,原子力显微镜,（台阶仪）,（,1,）原理：,将一个对微弱力极敏感的微悬臂一端固定，另一端有一微小的针尖,，,针尖与样品表面轻轻接触，由于针尖尖端原子与样品表面原子间存在极微弱的排斥力，通过在扫描时控制这种力的恒定，带有针尖的微悬臂将对应于针尖与样品表面原子间作用力的等位面而在垂直于样品的表面方向起伏运动。利用光学检测法或隧道电流检测法，可测得微悬臂对应于扫描各点的位置变化，从而可以获得样品表面形貌的信息。,（,2,）功用： 原子力显微镜是一种可用来研究包括绝缘体在内的固体材料表面结构的分析结构信息。仪器，研究物质的表面结构及性质，以纳米级分辨率获得表面（测胶厚、台阶高度等）,（,3,）主要技术参数,Discoverer,扫描范围：,1,m,，,7,m,达原子分辨率,样品尺寸：,151515mm,Explore,扫描范围：,2um,，,130,，,亚微米分辨率,8、原子力显微镜（台阶仪）,31,四、其他,1,、光刻胶,光刻胶（,PR,）也叫光致抗蚀剂，受到光照后其特性会发生改变。可用来将掩膜版上的图形转移到基片上，也可作为后序工艺时的保护膜。光刻胶有正胶和负胶之分，正胶经过曝光后，受到光照的部分会变得容易溶解，经过显影处理之后被溶解，只留下光未照射的部分形成图形；而负胶和正胶恰恰相反。,四、其他1、光刻胶,32,光刻胶组成,（,1,）感光剂，感光剂是光刻胶的核心部分，曝光时间、光源所发射光线的强度都根据感光剂的特性选择决定的；,（,2,）,增感剂，,感光剂的感光速度都较慢，生产上效率太低，因此向光刻胶中添加了提高感光速度的增感剂；,（,3,）聚合树脂，聚合树脂用来将其它材料聚合在一起的粘合剂，光刻胶的粘附性、胶膜厚度等都是树脂给的；,（,4,）溶剂，感光剂和增感剂都是固态物质，为了方便均匀的涂覆，要将它们加入溶剂进行溶解，形成液态物质,光刻胶组成,33,光刻胶的物理特性,（,1,）分辨率，是指光刻胶可再现图形的最小尺寸；,（,2,）对比度，是指光刻胶对光照区与非光照区间的过渡；,（,3,）灵敏度，是光刻胶要形成良好的图形所需入射光的最低能量；,（,4,）粘滞性，与时间有关，光刻胶中的溶剂挥发会使粘滞性增加；,（,5,）粘附性，粘附性是指光刻胶与基片之间的粘着强度；,（,6,）抗蚀性，化学稳定性一定要很高，能抵抗各种腐蚀。,光刻胶的物理特性,34,2,、光刻掩模板,掩膜版质量的优劣直接影响光刻图形的质量。在,IC,制造中需要经过多次光刻，每次光刻都需要一块掩膜版，每块掩膜版都会影响光刻质量，光刻次数越多，成品率就越低。所以，要有高的成品率，就必须制作出品质优良的掩膜版，而且一套掩膜版中的各快掩膜版之间要能够相互精确的套准。,2、光刻掩模板,35,掩膜版的质量要求,（,1,）图形尺寸要精确，间距符合要求，而且不能发生畸变；,（,2,）各块掩膜版间要能够精确地套准，对准误差尽可能小；,（,3,）图形边缘清晰，过渡小，无毛刺，透光区与遮光区的反差要大；,（,4,）掩膜版的表面光洁度要达到一定的要求，无划痕、针孔、小岛等缺陷，掩膜版还要坚固耐磨、不易变形。,掩膜版的质量要求,36,3,、,HMDS,中文名：,六甲基二硅胺烷,英文名：,Hexamethyldisilazane,分子式：,（,CH,3,）,6,Si,2,NH,分子量：,161.4,性状：,无色透明液体,易燃。,用途：,用于增加光刻胶与基板的粘附性。,3、HMDS,37,4,、正胶显影液,化学品中文名称：四甲基氢氧化铵 化学品英文名称：Tetramethylammonium hydroxide solution,成分/组成信息,：,纯品,有害物成分,浓度,CAS No.,四甲基氢氧化铵 2.38%,75-59-2,理 化 特 性,外观与性状：无色透明液体，有强烈刺激性臭味,熔点()：无资料,相对密度(水=1)：1.0,沸点()：102,相对蒸气密度(空气=1)：无资料,饱和蒸气压（kPa）：无资料 燃烧热(Kj/mol)：无资料,临界温度()：无资料,临界压力(MPa)：无资料,辛醇/水分配系数：无资料 PH：11-13,闪点()：无资料,爆炸上限%(V/V)：无资料,引燃温度()：无资料,爆炸下限%(V/V)：无资料,溶解性：溶于水、醇,主要用途：用于电子工业碱性清洗剂,4、正胶显影液,38,5,、边胶清洗剂,化学品中文名称：边胶清洗剂,化学品英文名称：Edge Bead Remover(EBR),成分/组成信息,：,纯品,有害物成分,浓度,CAS No.,丙二醇单甲醚,70% 107-98-2,丙二醇单甲醚醋酸酯,30% 180-65-6,理 化 特 性,外观与性状：无色透明液体，有果子香味,辛醇/水分配系数：无资料,PH：无资料,熔点()：无资料 相对密度(水=1)：无资料,沸点()：无资料 相对蒸气密度(空气=1)： 无资料,饱和蒸气压（kPa）：无资料 燃烧热(Kj/mol)：无资料,临界温度()：无资料 临界压力(MPa)：无资料,闪点()：无资料 爆炸上限%(V/V)： 无资料,引燃温度()： 无资料 爆炸下限%(V/V)：无资料,溶解性：溶于水，溶于醇、醚等多数有机溶剂。,主要用途：用于电子工业光刻胶的洗边剂,5、边胶清洗剂化学品中文名称：边胶清洗剂 化学品英,39,清洗工艺介绍,一、清洗概述,二、常用湿法清洗（腐蚀）方法,三、湿法清洗设备,四、超声波清洗机,五、等离子清洗机,六、常用化学品理化特性,清洗工艺介绍一、清洗概述,40,一、清洗概述,1,、,什么是清洗,在不破坏晶圆表面特性及电特性的前提下，有效地使用化学溶液或气体清除残留在晶圆上之微尘、金属离子及有机物之杂质。,清洗工艺的选择,，应根据晶圆表面污染（颗粒、有机物、金属污染物、原生氧化物及化学氧化物）情况决定。,清洗的一般思路,是首先去除表面的有机沾污；然后溶解氧化层,(,因为氧化层是“沾污陷阱”，也会引入外延缺陷,),；最后再去除颗粒、金属沾污，同时使表面钝化。,2,、清洗的方法,（,1,）湿法清洗,RCA,清洗法,、,稀释化学法、,IMEC,清洗法,（,2,）干法清洗,热氧化法、,等离子清洗法,3,、清洗设备,清洗工艺的多样性，决定了的清洗机类型的多样性。清洗机系统设计的核心思想是清洗工艺模块化设计。,加热酸槽和快排快冲（,QDR,）,是清洗工艺模块中，最重要的两个模块，在大多清洗工艺中，这两个模块的性能直接决定最终的清洗效果,一、清洗概述1、什么是清洗,41,二、常用湿法清洗（腐蚀）方法,盐酸 36-38% 510min ITO腐蚀,丙酮 99.8% 5分钟左右 去光刻胶,剥离液 20%以上 80 、5分钟左右 去胶（HMDS),二、常用湿法清洗（腐蚀）方法盐酸,42,三、湿法清洗设备,1,、超声清洗,三、湿法清洗设备1、超声清洗,43,2,、喷雾清洗,2、喷雾清洗,44,3,、刷洗器,3、刷洗器,45,4,、溢流清洗,4、溢流清洗,46,5,、排空清洗,5、排空清洗,47,6,、硅片甩干,6、硅片甩干,48,四、超声波清洗机（去难溶性颗粒）,（,1,）原理：超声波清洗模块，主要由超声波信号发生器、换能器及清洗槽组成。超声波信号发生器产生高频振荡信号，通过换能器转换成每秒几万次的高频机械振荡，在清洗液（介质）中形成超声波，以正压和负压高频交替变化的方式在清洗液中疏密相间地向前辐射传播，使清洗液中不断产生无数微小气泡并不断破裂，这种现象称之为“空化效应”。气泡破裂时可形成,1000,个大气压以上的瞬间高压，产生一连串的爆炸释放出巨大能量，对周围形成巨大冲击，从而对工件表面不断进行冲击，使工作表面及缝隙中的污垢迅速剥落，从而达到工件表面净化的目的。,（,2,）主要技术参数,波功率密度,：功率密度越高,空化效果越强，清洗效果越好,清洗速度越快。对于难清洗的工件宜采用大功率密度，对于精密工件宜采用小功率密度。,超声波频率,:,频率越低,空化越好,频率越高,折反射效果越好。对于简单表面宜采用低频，对于复杂表面及深孔盲孔宜采用高频。,清洗温度,:,超声波在,40,50,时空化最好。温度越高，越有利于污物分解，但当温度达到,70,80,以后，便影响超声波发挥作用，降低清洗效果。,清洗时间,:,清洗时间越长效果越好，特殊材料除外。,清洗溶液（介质）的种类,:,根据对象不同，选择不同的参数，以达到最好的清洗效果。,四、超声波清洗机（去难溶性颗粒）,49,五、等离子清洗机（干法）,（,1,）原理,等离子体与固体表面发生反应可以分为物理反应（离子轰击）和化学反应。,物理反应机制是活性粒子轰击待清洗表面，使污染物脱离表面最终被真空泵吸走；,化学反应机制是各种活性的粒子和污染物反应生成易挥发性的物质，再由真空泵吸走挥发性的物质。,（,2,）主要技术参数,射频功率,射频时间,气体流量,/,进气时间,真空度,腔体温度,入射电压,/,电流,反射电压,/,电流,五、等离子清洗机（干法）射频功率,50,六、常用化学品理化特性,1,、丙酮,化学品中文名称：丙酮 化学品英文名称：,Acetone,成分,/,组成信息： 纯品,有害物成分 浓度,CAS No.,丙酮,99.8% 67-64-1,理 化 特 性,外观与性状：无色透明易流动液体，有芳香气味，极易挥发,熔点,(),：,-94.6,相对密度,(,水,=1),：,0.80,沸点,(),：,56.5,相对蒸气密度,(,空气,=1),：,2.00,饱和蒸气压（,kPa,）：,53.32,39.5,燃烧热,(Kj/mol),：,1788.7,临界温度,(),：,235.5,临界压力,(MPa),：,4.72,辛醇,/,水分配系数：,-0.24 PH,：无资料,闪点,(),：,-20,爆炸上限,%(V/V),：,13.0,引燃温度,(),：,465,爆炸下限,%(V/V),：,2.5,溶解性：与水混溶，可混溶于乙醇、乙醚、氯仿、油类、烃类等多数有机溶剂,主要用途：用于电子工业脱水剂及清洗剂,六、常用化学品理化特性1、丙酮,51,2,、乙醇,化学品中文名称：乙醇 化学品英文名称：,Ethyl atcohol,成分,/,组成信息：纯品,有害物成分 浓度,CAS No.,乙醇,99.8% 64-17-5,理 化 特 性,外观与性状：无色液体，有酒香,熔点,(),：,-114.1,相对密度,(,水,=1),：,0.79,沸点,(),：,78.3,相对蒸气密度,(,空气,=1),：,1.59,饱和蒸气压（,kPa,）：,5.33,19,燃烧热,(Kj/mol),：,1365.5,临界温度,(),：,243.1,临界压力,(MPa),：,6.38,辛醇,/,水分配系数：,0.32 PH,：无资料,闪点,(),：,12,爆炸上限,%(V/V),：,19.0,引燃温度,(),：,363,爆炸下限,%(V/V),：,3.3,溶解性：与水混溶，可混溶于醚、氯仿、甘油等多数有机溶剂。,主要用途：用于电子工业脱水剂及清洗剂,2、乙醇化学品中文名称：乙醇,52,3,、盐酸,化学品中文名称：盐酸 化学品英文名称：,Hydrochloric acid,成分,/,组成信息：纯品,有害物成分 浓度,CAS No.,盐酸,36-38% 7647-01-0,理 化 特 性,外观与性状：无色或微黄色发烟液体，有刺鼻的酸味,熔点,(),：,-114.8(,纯,),相对密度,(,水,=1),：,1.20,沸点,(),：,108.6(20%),相对蒸气密度,(,空气,=1),：,1.26,饱和蒸气压（,kPa,）：,30.66,21,燃烧热,(Kj/mol),：无意义,PH,： 无资料 辛醇,/,水分配系数：无资料,闪点,(),：无意义 爆炸上限,%(V/V),：无意义,引燃温度,(),：无意义 爆炸下限,%(V/V),：无意义,溶解性：与水混溶，溶于碱液,主要用途：用于电子工业酸性清洗剂,3、盐酸化学品中文名称：盐酸,53,4,、硫酸,化学品中文名称：硫酸 化学品英文名称：,Sulfuric acid,成分,/,组成信息：纯品,有害物成分 浓度,CAS No.,硫酸,96-98% 7664-93-9,理 化 特 性,外观与性状：纯品为无色透明油状液体，无臭,PH,值： 无资料 辛醇,/,水分配系数：无资料,熔点,(),：,10.5,相对密度,(,水,=1),：,1.83,沸点,(),：,330.0,相对蒸气密度,(,空气,=1),：,3.4,饱和蒸气压（,kPa,）：,0.13,145.8,燃烧热,(Kj/mol),：无意义,闪点,(),：无意义 爆炸上限,%(V/V),：无意义,引燃温度,(),：无意义 爆炸下限,%(V/V),：无意义,溶解性：与水混溶。,主要用途：用于电子工业酸性清洗剂,4、硫酸化学品中文名称：硫酸,54,5,、硝酸,化学品中文名称：硝酸 化学品英文名称：,Nitric acid,成分,/,组成信息：纯品,有害物成分 浓度,CAS No.,硝酸,65-71% 7697-37-2,理 化 特 性,外观与性状： 为无色发烟液体，有酸味,PH,：无资料 辛醇,/,水分配系数：无资料,熔点,(),：,-42(,无水,),相对密度,(,水,=1),：,1.50(,无水,),沸点,(),：,86(,无水,),相对蒸气密度,(,空气,=1),：,2.17,饱和蒸气压（,kPa,）：,4.4,20,燃烧热,(Kj/mol),：无意义,闪点,(),：无意义 爆炸上限,%(V/V),：无意义,引燃温度,(),：无意义 爆炸下限,%(V/V),：无意义,溶解性：与水混溶,主要用途：用于电子工业酸性清洗剂,5、硝酸化学品中文名称：硝酸 化学品,55,6,、氢氟酸,化学品中文名称：氢氟酸 化学品英文名称：,Hydrofluoric acid,成分,/,组成信息：纯品,化学品名称：氢氟酸,有害物成分 浓度,CAS No.,氢氟酸,50%,和,40% 7664-39-3,理 化 特 性,外观与性状：无色透明有刺激性嗅味的液体,PH,： 无资料 辛醇,/,水分配系数：无资料,熔点,(),：,-83.1,相对密度,(,水,=1),：,1.26(75%),沸点,(),：,120,（,35.3%,） 相对蒸气密度,(,空气,=1),：,1.27,临界压力,(MPa),：无资料 临界压力,(MPa),：无资料,饱和蒸气压（,kPa,）：无资料 燃烧热,(Kj/mol),：无意义,闪点,(),：无意义 爆炸上限,%(V/V),：无意义,引燃温度,(),：无意义 爆炸下限,%(V/V),：无意义,溶解性：与水混溶,主要用途：用于电子工业硅及二氧化硅的蚀刻剂,6、氢氟酸化学品中文名称：氢氟酸 化学品英文名,56,7,、过氧化氢,化学品中文名称：过氧化氢 化学品英文名称：,Hydrogen peroxide,成分,/,组成信息：纯品,化学品名称：过氧化氢,有害物成分 浓度,CAS No.,过氧化氢,3032% 7722-84-1,理 化 特 性,外观与性状：无色透明液体，有微弱的特殊气味,PH,值：,4,左右 辛醇,/,水分配系数： 无资料,熔点,(),：,-2(,无水,),相对密度,(,水,=1),：,1.11,沸点,(),：,158(,无水,),相对蒸气密度,(,空气,=1),：无资料,饱和蒸气压（,kPa,）：,0.13,15.3,燃烧热,(Kj/mol),：无意义,闪点,(),：无意义 爆炸上限,%(V/V),：无意义,引燃温度,(),：无意义 爆炸下限,%(V/V),：无意义,溶解性：溶于水、醇、醚，不溶于石油醚、苯,主要用途：用于电子工业氧化清洗剂,7、过氧化氢化学品中文名称：过氧化氢 化学品英,57,8,、氨溶液,化学品中文名称：氨溶液 化学品英文名称：,Ammoniumhydroxide,成分,/,组成信息： 纯品,有害物成分 浓度,CAS No.,氨,25,30% 1336-21-6,理 化 特 性,外观与性状：无色透明液体，有强烈刺激性臭味,熔点,(),：无资料 相对密度,(,水,=1),：,0.91,沸点,(),：无资料 相对蒸气密度,(,空气,=1),：无资料,饱和蒸气压（,kPa,）：,1.59,20,燃烧热,(Kj/mol),：无意义,临界温度,(),：无资料 临界压力,(MPa),：无资料,辛醇,/,水分配系数：无资料,PH,：无资料,闪点,(),：无意义 爆炸上限,%(V/V),：无意义,引燃温度,(),：无意义 爆炸下限,%(V/V),：无意义,溶解性：溶于水、醇,主要用途：用于电子工业碱性清洗剂,8、氨溶液化学品中文名称：氨溶液 化学品英文名称,58,9、氢氧化钠溶液,化学品中文名称：氢氧化钠溶液 化学品英文名称：Sodium hydroxide solution,成分/组成信息,：,纯品,有害物成分,浓度,CAS No.,氢氧化钠 1N（1mol/L） 1310-73-2,理 化 特 性,外观与性状：无色透明溶液,PH：无资料 辛醇/水分配系数：无资料,熔点()：无意义 相对密度(水=1)：1.05,沸点()：无资料 相对蒸气密度(空气=1)：无资料,饱和蒸气压（kPa）：无资料 燃烧热(Kj/mol)：无意义,闪点()：无意义 爆炸上限%(V/V)：无意义,引燃温度()：无意义 爆炸下限%(V/V)：无意义,溶解性：易溶于水、乙醇、甘油，不溶于丙酮,主要用途：用于电子工业碱性清洗剂,9、氢氧化钠溶液 化学品中文名称：氢氧化钠溶液 化学品,59,10,、氟化铵,化学品中文名称：,40%,氟化铵溶液 化学品英文名称：,Ammonium fluoride,成分,/,组成信息：纯品,有害物成分 浓度,CAS No.,氟化铵,40% 12125-01-8,理 化 特 性,外观与性状：无色透明液体，易分解,PH,：无资料 辛醇,/,水分配系数的对数值：无资料,熔点,(),：,(,升华,),沸点,(),：无资料,相对密度,(,水,=1),：,1.0090,相对蒸气密度,(,空气,=1),：无资料,饱和蒸气压,(kPa),：无资料 燃烧热,(kJ/mol),：无意义,临界温度,(),：无意义 临界压力,(MPa),：无意义,闪点,(),：无意义 引燃温度,(),：无意义,爆炸上限,%(V/V),：无意义 爆炸下限,%(V/V),：无意义,溶解性：难溶于乙醇，易溶于水、甲醇，不溶于氨水,主要用途：用于电子工业二氧化硅的蚀刻剂,10、氟化铵化学品中文名称：40%氟化铵溶液 化学,60,11,、异丙醇,化学品中文名称：,2-,丙醇 化学品英文名称：,Isopropyl alcohol,成分,/,组成信息：纯品,有害物成分 浓度,CAS No.,异丙醇,99.9% 67-63-0,理 化 特 性,外观与性状：无色透明液体，有似乙醇和丙酮混合物的气味,熔点,(),：,-88.5,相对密度,(,水,=1),：,0.79,沸点,(),：,80.3,相对蒸气密度,(,空气,=1),：,2.07,饱和蒸气压（,kPa,）：,4.40,20,燃烧热,(Kj/mol),：,1984.7,临界温度,(),：,275.2,临界压力,(MPa),：,4.76,辛醇,/,水分配系数：,0.28 PH,：无资料,闪点,(),：,12,爆炸上限,%(V/V),：,12.7,引燃温度,(),：,399,爆炸下限,%(V/V),：,2.0,溶解性：溶于水、醇、醚、苯、氯仿等多数有机溶剂,主要用途：是重要的化工产品和原料。主要用于制药、化妆品、塑料、香料、涂料等,11、异丙醇化学品中文名称：2-丙醇 化学品英文名称：,61,12,、正胶剥离液,化学品中文名称：正胶剥离液 化学品英文名称：,Stripper for Positive PR,成分,/,组成信息：混合物,有害物成分 浓度,CAS No.,乙二醇丁醚 ,40% 111-76-2,理 化 特 性,外观与性状：无色液体，略有气味,辛醇,/,水分配系数：无资料,PH,：无资料,熔点,(),：,-74.8,相对密度,(,水,=1),：,0.90,沸点,(),：,170.2,相对蒸气密度,(,空气,=1),：,4.07,饱和蒸气压（,kPa,）：,40.00/140,燃烧热,(Kj/mol),：无资料,临界温度,(),：无资料 临界压力（,MPa,）：无资料,闪点,(),：,71,爆炸上限,%(V/V),：,1.1(170),引燃温度,(),：,244,爆炸下限,%(V/V),：,10.6(180),溶解性：溶于水、乙醇、乙醚等多数有机溶剂,主要用途：正胶剥离,12、正胶剥离液化学品中文名称：正胶剥离液 化学品英,62,13,、负胶剥离液,化学品中文名称：负胶剥离液 化学品英文名称：,Stripper for Negative PR,成分,/,组成信息：混合物,有害物成分 浓度,CAS No.,苯酚,20%,以上,108-95-2,理 化 特 性,外观与性状：红棕色透明液体，有特殊气味,辛醇,/,水分配系数：,1.46 PH,：无资料,熔点,(),：,40.6,相对密度,(,水,=1),：,1.2,沸点,(),：,181.9,相对蒸气密度,(,空气,=1),：,饱和蒸气压（,kPa,）：,0.13(40.1),燃烧热,(Kj/mol),：,3050.6,临界温度,(),：,419.2,临界压力,(MPa),：,6.13,闪点,(),：,79,爆炸上限,%(V/V),：,8.6,引燃温度,(),：,715,爆炸下限,%(V/V),：,1.7,溶解性：可混溶于水、醇等溶剂,主要用途：主要电子工业负性光刻胶膜的去除,13、负胶剥离液化学品中文名称：负胶剥离液 化学品英文名称,63,结 束,光刻清洗工艺简介课件,64,xiexie!,谢谢！,xiexie!谢谢！,65,xiexie!,谢谢！,xiexie!谢谢！,66,