第2章门电路教材课件

第第2 2章章 门电路门电路【学习目标学习目标】本章首先介绍半导体二极管、三极管、本章首先介绍半导体二极管、三极管、MOSMOS管管的开关特性及分离元件门电路；然后介绍的开关特性及分离元件门电路；然后介绍TTLTTL反相器和反相器和CMOSCMOS反相器的电路结构、工作原理、逻辑特性、电气参数，以及反相器的电路结构、工作原理、逻辑特性、电气参数，以及与非门、或非门、三态门、与非门、或非门、三态门、OCOC门、门、ODOD门和传输门的特性。最门和传输门的特性。最后介绍后介绍TTLTTL门电路和门电路和CMOSCMOS门电路使用中需注意的事项以及门电路使用中需注意的事项以及TTLTTL门电路和门电路和CMOSCMOS门电路的接口问题。门电路的接口问题。【能力目标能力目标】掌握半导体二极管、三极管和掌握半导体二极管、三极管和MOSMOS管的开关特管的开关特性以及分离元件门电路。熟练掌握性以及分离元件门电路。熟练掌握TTLTTL反相器和反相器和CMOSCMOS反相器反相器的电路结构、工作原理、逻辑特性、电气参数以及与非门、的电路结构、工作原理、逻辑特性、电气参数以及与非门、或非门、三态门、或非门、三态门、OCOC门、门、ODOD门和传输门的工作原理和特点。门和传输门的工作原理和特点。了解了解TTLTTL门电路和门电路和CMOSCMOS门电路使用中需注意的事项以及门电路使用中需注意的事项以及TTLTTL门门电路和电路和CMOSCMOS门电路的接口问题。门电路的接口问题。1.门电路门电路 是用以实现逻辑关系的电子电路，与基本逻是用以实现逻辑关系的电子电路，与基本逻辑关系相对应。门电路主要有：与门、或门、与辑关系相对应。门电路主要有：与门、或门、与非门、或非门、异或门等非门、或非门、异或门等。2.1 2.1 概述概述3.正负逻辑正负逻辑 正逻辑：正逻辑：用高电平代表用高电平代表1、低点平代表、低点平代表0。在数。在数字电路中，一般采用正逻辑系统。字电路中，一般采用正逻辑系统。负逻辑：负逻辑：用高电平代表用高电平代表0、低点平代表、低点平代表1。2.高高低低电电平平：两两个个不不同同的的可可以以截截然然区区分分开开来的电压范围来的电压范围 高电平：高电平：数字电路中较高电平代数值的范围。数字电路中较高电平代数值的范围。低电平：低电平：数字电路中较低电平代数值的范围。数字电路中较低电平代数值的范围。4.分立元件门电路和集成门电路分立元件门电路和集成门电路分立元件门电路分立元件门电路：用分立元件和导线连接起来构成的门电路用分立元件和导线连接起来构成的门电路集成门电路：集成门电路：把构成门电路的元器件和连线都制作在一把构成门电路的元器件和连线都制作在一块半导体硅片上，在封装起来块半导体硅片上，在封装起来。现在使用最多。现在使用最多的是的是TTL和和MOS门电路。门电路。tvVHVLPositive Logic10tvVHVLNegative Logic102.2 2.2 基本门电路基本门电路2.2.1.半导体二极管的开关特性半导体二极管的开关特性 用用来来接接通通或或断断开开电电路路的的开开关关器器件件应应具具有有两两种种工工作作状状态态：一一种种是是接接通通（要要求求其其阻阻抗抗很很小小，相相当当于于短短路路），另另一一种种是是断开（要求其阻抗很大，相当于开路）。断开（要求其阻抗很大，相当于开路）。二二极极管管具具有有单单向向导导电电性性：正正向向导导通通，反反向向截截止止，相相当当于于一个受电压控制的电子开关。一个受电压控制的电子开关。二二极极管管加加正正向向电电压压时时导导通通，伏伏安安特特性性很很陡陡、压压降降很很小小（硅硅管管为为0.7V，锗锗管管为为0.3V），可可以以近近似似看看作作是是一一个个闭闭合合的的开开关关。二二极极管管加加反反向向电电压压时时截截止止，反反向向电电流流很很小小（nA级级），可可以以近近似似看看作作是是一一个个断断开开的的开开关关。把把uD ton。开关时间一般在纳秒数量级。高频应用时需考虑。开关时间一般在纳秒数量级。高频应用时需考虑。2.2.4 2.2.4 三极管非门三极管非门实现非逻辑功能的电路是非门电路，也称反相器。利用三极管实现非逻辑功能的电路是非门电路，也称反相器。利用三极管的开关特性，可以实现非逻辑运算。的开关特性，可以实现非逻辑运算。2.3.1 TTL反相器（反相器（Transistor-Transistor Logic）2.3 TTL2.3 TTL门电路门电路 当当输输入入高高电电平平时时，uI=3.6V，T1处处于于倒倒置置工工作作状状态态，集集电电结结正正偏偏，发发 射射 结结 反反 偏偏，uB1=0.7V3=2.1V IB2=(5-2.1)/4=0.725mA 假假定定 210，若若T2工工作作于于放放大大状态，则状态，则 IC27.25mA 所以所以 VC2VCC-IC2R2=-6.6V故故T2不不可可能能工工作作于于放放大大状状态态和和截截止状态，只可能是饱和状态。止状态，只可能是饱和状态。因因VB4=VCES2+VBE5=1VT3截截止止。T4状状态态取取决决于于外外电电路路，在在输输出出电电流流小小于于IOLmax时时，输输出出为低电平为低电平uO=00.3V。2.1V0.3V3.6V（1）电路结构和工作原理）电路结构和工作原理T3T4 当当 输输 入入 低低 电电 平平 时时，uI=0.3V，T1发射结导通，发射结导通，uB1=0.3V+0.7V=1VT2和和T4均均截截止止，T3和和VD导导通通。输出高电平输出高电平 uO=VCC-UBE3-UD-IB3R2 5V-0.7V-0.7V=3.6V1V3.6V0.3VT3T4 采用推拉式输出级利于提高开关速度和负载能力采用推拉式输出级利于提高开关速度和负载能力 T3组组成成射射极极输输出出器器，优优点点是是既既能能提提高高开开关关速速度度，又又能能提提高负载能力。高负载能力。当当输输入入高高电电平平时时，T4饱饱和和，uB3=uC2=0.3V+0.7V=1V，T3和和VD2截止，截止，T4的集电极电流可以全部用来驱动负载。的集电极电流可以全部用来驱动负载。当当输输入入低低电电平平时时，T4截截止止，T3导导通通（为为射射极极输输出出器器），其输出电阻很小，带负载能力很强。其输出电阻很小，带负载能力很强。可可见见，无无论论输输入入如如何何，T3和和T4总总是是一一管管导导通通而而另另一一管管截止。这种推拉式工作方式，带负载能力很强。截止。这种推拉式工作方式，带负载能力很强。（2）常用型号常用型号 常用的集成的常用的集成的TTL反相器有反相器有7404和和74LS04，每个芯片中封，每个芯片中封装了六个独立的反相器。装了六个独立的反相器。74LS04引脚引脚图2.3.2 TTL反相器的特性反相器的特性1.TTL反相器的电压传输特性及参数反相器的电压传输特性及参数 截止区截止区线性区线性区转折区转折区饱和区饱和区T4截止，称关门截止，称关门T4饱和，称饱和，称开门开门 输出高电平输出高电平UOH 典型值为典型值为3V。输出低电平输出低电平UOL 典型值为典型值为0.3V。开门电平开门电平UON一般要求一般要求UON1.8V 关门电平关门电平UOFF一般要求一般要求UOFF0.8V 在保证输出为额在保证输出为额定低电平的条件下，定低电平的条件下，允许的最小输入高电允许的最小输入高电平的数值，称为开门平的数值，称为开门电平电平UON。在在保保证证输输出出为为额额定定高高电电平平的的条条件件下下，允允许许的的最最大大输输入入低低电电平平的的数数值值，称为关门电平称为关门电平UOFF。UOFFUON 电压传输特性曲线转折区中点所对应的电压传输特性曲线转折区中点所对应的uI值称为阈值电压值称为阈值电压UTH（又称门槛电平）。通常（又称门槛电平）。通常UTH 1.4V。噪声容限（噪声容限（UNL和和UNH）噪噪声声容容限限也也称称抗抗干干扰扰能能力力，它它反反映映门门电电路路在在多多大大的的干干扰扰电电压压下下仍仍能能正正常常工工作作。UNL和和UNH越越大大，电电路路的的抗抗干干扰扰能力越强。能力越强。2.TTL反相器的输入特性和输出特性反相器的输入特性和输出特性 输入伏安特性输入伏安特性 两个重要参数：两个重要参数：(1)输入短路电流输入短路电流IIS当当uI=0V时，时，iI从输入端流出。从输入端流出。iI=(VCCUBE1)/R1 =(50.7)/4 1.1mA(2)高电平输入电流高电平输入电流IIH 当输入为高电平时，当输入为高电平时，T1的发射结反偏，集电结正偏，的发射结反偏，集电结正偏，处于倒置工作状态，倒置工作的三极管电流放大系数处于倒置工作状态，倒置工作的三极管电流放大系数反反很很小小(约在约在0.01以下以下)，所以，所以 iI=IIH=反反 iB2 IIH很小，约为很小，约为10A左右。左右。T3T4TTL反相器的输入端对地接上电阻反相器的输入端对地接上电阻RI 时，时，uI随随RI 的的变化而变化的关系曲线。变化而变化的关系曲线。输入负载特性输入负载特性在在一一定定范范围围内内，uI随随RI的的增增大大而而升升高高。但但当当输输入入电电压压uI达达到到1.4V以以后后，uB1=2.1V，RI增增大大，由由于于uB1不不变变，故故uI=1.4V也也不不变变。这这时时T2和和T4饱饱和和导通，输出为低电平。导通，输出为低电平。虚框内为虚框内为TTL反相器的部分内部电路反相器的部分内部电路 RI 不大不小时，工作在线性区或转折区。RI 较小时，关门，输出高电平；RI 较大时，开门，输出低电平；ROFFRONRI 悬空时？(1)关关门门电电阻阻ROFF 在在保保证证门门电电路路输输出出为为额额定定高高电电平平的的条条件件下下，所所允允许许RI 的的最最大大值值称称为为关关门门电电阻阻。典典型型的的TTL门电路门电路ROFF 0.7k。(2)开开门门电电阻阻RON 在在保保证证门门电电路路输输出出为为额额定定低低电电平平的的条条件件下下，所所允允许许RI 的的最最小小值值称称为为开开门门电电阻阻。典典型型的的TTL门电路门电路RON 2k。数数字字电电路路中中要要求求输输入入负负载载电电阻阻RI RON或或RI ROFF，否否则输入信号将不在高低电平范围内。则输入信号将不在高低电平范围内。振荡电路则令振荡电路则令 ROFF RI RON使电路处于转折区。使电路处于转折区。输出特性输出特性(a)输出高电平时的输出特性输出高电平时的输出特性负载电流负载电流iL不可过大，否则输出高电平会降低。不可过大，否则输出高电平会降低。拉电流负载拉电流负载(b)输出低电平时的输出特性输出低电平时的输出特性 负负载载电电流流iL不不可可过过大大，否否则则输输出出低低电电平平会会升升高高。一一般般灌灌电电流流在在20mA以以下下时时，电电路路可可以以正正常常工工作作。典典型型TTL门门电路的灌电流负载为电路的灌电流负载为12.8 mA。灌电流负载灌电流负载 3.TTL反相器的动态特性反相器的动态特性 传输延迟时间传输延迟时间tpd 平均传输延迟时平均传输延迟时间间tpd表征了门电路表征了门电路的开关速度。的开关速度。tpd=（tpLH+tpHL）/2（1）TTL与非门与非门2.3.3 其他类型的其他类型的TTL门电路门电路全全1输出输出0有有0输出输出11V2.1V 每一个发射极能各自独立形成正向偏置的发射结，并每一个发射极能各自独立形成正向偏置的发射结，并可使三极管进入放大或饱和区。可使三极管进入放大或饱和区。多发射极三极管多发射极三极管 有有0.2V箝位于箝位于0.9V全为全为3.6V集电集电结不结不导通导通（2）TTL或非门或非门（3）集电极开路门（）集电极开路门（OC门）门）集电极集电极开路开路例：例：用用OC门实现电平转换门实现电平转换如图所示为两个集电极开路与非门线与连接起来的逻辑图，如图所示为两个集电极开路与非门线与连接起来的逻辑图，其输出为其输出为 只要上拉电阻只要上拉电阻 选择的合适，就不会因电流过大而烧坏芯片，选择的合适，就不会因电流过大而烧坏芯片，因此，实际应用中，必须要合理选取上拉电阻的阻值。因此，实际应用中，必须要合理选取上拉电阻的阻值。上拉上拉电阻阻 的估算的估算 的计算的计算 的计算的计算（4）三态门）三态门01截止截止YAB EN=0时，电路为正常的与非工作状态，所以称时，电路为正常的与非工作状态，所以称控制端低电平有效。控制端低电平有效。10导通导通1.0V1.0V截止截止截止截止高阻高阻当当EN=1时，门电路输出端处于高阻状态。时，门电路输出端处于高阻状态。控制端高电平有效的三态门控制端高电平有效的三态门控制端低电平有效的三态门控制端低电平有效的三态门用用“”表示输出表示输出为三态。为三态。高电平有效高电平有效低电平有效低电平有效肖特基三极管（肖特基三极管（Schottky Transistors）R2+VIN-+VCE=0.2V-VBE=0.6V+-VBC=0.4VbaseemittercollectorR2R1VINVOUTQ1VCC+VIN-+VCE=0.35V-VBE=0.6V+-VBC=0.25V+0.25V-（5）改进的）改进的TTL门电路门电路-肖特基系列肖特基系列TTL门电路门电路（6）TTL系列系列74 FAM nn前缀系列助记符功能数字 74S(Schottky TTL):肖特基肖特基TTL系列，比普通系列，比普通74系列速度高，但功耗大。系列速度高，但功耗大。74LS(Low-power Schottky TTL):低功耗低功耗肖特基肖特基TTL系列，系列，比普通比普通74系列速度高，功耗只有其系列速度高，功耗只有其1/5。74AS(Advanced Schottky TTL):改进型改进型肖特基肖特基TTL系列，系列，比普通肖特基系列速度高一倍，功耗相同。比普通肖特基系列速度高一倍，功耗相同。74ALS(Advanced Low-power Schottky TTL):改进型低改进型低功耗功耗肖特基肖特基TTL系列，比系列，比74LS系列的功耗低、速度快。系列的功耗低、速度快。74F(Fast TTL):高速高速肖特基肖特基TTL系列，功耗、速度系列，功耗、速度介于介于 74AS 和和 74ALS 之间。之间。TTL集成电路多余或暂时不用的输入端的处理集成电路多余或暂时不用的输入端的处理 （1）多多余余或或暂暂时时不不用用的的输输入入端端的的一一般般不不悬悬空空，但但可可以悬空；悬空时相当于接高电平。以悬空；悬空时相当于接高电平。（2）与其它输入端并联使用。）与其它输入端并联使用。（3）将将不不用用的的输输入入端端按按照照电电路路功功能能要要求求接接电电源源或或接接地地。一一般般，接接电电源源时时需需接接上上拉拉电电阻阻；接接地地时时需需接接下下拉拉电电阻。典型值阻。典型值1-10k。2.4 CMOS2.4 CMOS门电路门电路 MOS门电路：以门电路：以MOS管作为开关元件构成的门电路。管作为开关元件构成的门电路。MOS门门电电路路，尤尤其其是是CMOS门门电电路路具具有有制制造造工工艺艺简简单单、集集成成度度高高、抗抗干干扰扰能能力力强强、功功耗耗低低、价价格格便便宜宜等等优优点点，得得到了十分迅速的发展。到了十分迅速的发展。MOS管管有有NMOS管管和和PMOS管管两两种种。当当NMOS管管和和PMOS管管成成对对出出现现在在电电路路中中，且且二二者者在在工工作作中中互互补补，称称为为CMOS管管(意意为为互互补补)。MOS管管有有增增强强型型和和耗耗尽尽型型两两种种。在在数字电路中，多采用增强型。数字电路中，多采用增强型。2.4.1.MOS管的开关特性管的开关特性D接正电源截止导通（1）NMOS管的开关特性管的开关特性 Vgs=0 Rds 106()I 10-6(A)0Vgs Vgs(th)Rds 10()RL VRds 0（2）PMOS管的开关特性管的开关特性 D接负电源接负电源截止截止导通导通2.4.2 CMOS反相器反相器PMOS管NMOS管AZ0110 工工作作特特点点：TP和和TN总总是是一一管管导导通通而而另另一一管管截截止止，流流过过TP和和TN的的静静态态电电流流极极小小（纳纳安安数数量量级级），因因而而CMOS反反相相器器的的静静态态功功耗耗极极小小。这这是是CMOS电电路路最最突突出出的的优优点点之之一。一。2.4.3.CMOS反相器的特性反相器的特性AB段：截止区段：截止区iD为为0BC段：转折区段：转折区阈值电压阈值电压UTHVDD/2转折区中点：电流最大转折区中点：电流最大CMOS反相器反相器在使用时应尽在使用时应尽量避免长期工量避免长期工作在作在BC段。段。CD段：导通区段：导通区 电压传输特性和电流传输特性电压传输特性和电流传输特性1.静态特性静态特性 CMOS逻辑电平和噪声容限逻辑电平和噪声容限v VOLmax=0.1V0.7VDD0.3VDD0VDDABNORMALHIGHLOWVOHminVIHminVILmaxVOLmaxHigh-stateDC noise marginLow-state DC noise marginv VOHmin=VDD0.1VvVIHmin=0.7VDDv VILmax=0.3VDDVNH=VOHmin-VIHmin VNL =VILmax-VOLmax 扇出系数扇出系数v 总的扇出系数是高、低电平状态下扇出系数中较小的一个。总的扇出系数是高、低电平状态下扇出系数中较小的一个。逻辑门所能够驱动同类门（输入端）的个数。逻辑门所能够驱动同类门（输入端）的个数。v IOLmax:保证输出不高于保证输出不高于VOLmax的低电平最大灌电流。的低电平最大灌电流。v IOHmax:保证输出不低于保证输出不低于VOHmin的高电平最大拉电流。的高电平最大拉电流。2.动态特性动态特性 转换时间转换时间:逻辑电路的输出从一个状态转换到另一个状逻辑电路的输出从一个状态转换到另一个状态所需的时间。态所需的时间。trtftrtfVIHminVILmax(a)ideal case(b)approximation(C)actual case上升时间上升时间tr：输出从低电平转：输出从低电平转换到高电平所需的时间。换到高电平所需的时间。下降时间下降时间tf：输出从高电平转换：输出从高电平转换到低电平所需的时间。到低电平所需的时间。传输延迟传输延迟:逻辑电路的输入变化到其输出发生相应变化逻辑电路的输入变化到其输出发生相应变化所间隔的时间。所间隔的时间。tpHLtpLHCMOS反相器的传输延迟反相器的传输延迟v tpHL:输入变化导致输输入变化导致输出从高电平到低电平变出从高电平到低电平变化所间隔的时间。化所间隔的时间。v tpLH:输入变化导致输出输入变化导致输出从低电平到高电平变化从低电平到高电平变化所间隔的时间。所间隔的时间。tpHLtpLH50%VIH50%VOH 功耗功耗v 静态功耗静态功耗:逻辑电路输出状态不发生变化时的功耗。逻辑电路输出状态不发生变化时的功耗。大多数大多数CMOS电路具有很低的静态功耗，电路具有很低的静态功耗，所以在很多低功耗的场合采用所以在很多低功耗的场合采用CMOS集成电路。集成电路。v 动态功耗动态功耗:逻辑电路输出状态发生变化时的功耗，逻辑电路输出状态发生变化时的功耗，其值比静态功耗大得多。其值比静态功耗大得多。PC:平均功耗；平均功耗；PT:瞬时导通功耗；瞬时导通功耗；PD:总的动态功耗。总的动态功耗。CPD:功耗电容；功耗电容；CL:负载电容。负载电容。VDD:电源电压。电源电压。f:信号频率。信号频率。v与非门与非门2.4.4 其它类型的其它类型的CMOS门电路门电路ABY001101011110ABYv或非门或非门ABY001101011000ABYv 传输门传输门 若若 C=1（接接VDD)、C=0（接接地地），当当uI=1时时，TN导导通通；uI=0 时时，TP导导通通；所所以以TP和和TN至至少少有有一一管管导导通通，使使传传输输门门TG导通。导通。由由于于TP和和TN在在结结构构上上对对称称，所所以以图图中中的的输输入入和和输输出出端端可可以以互互换换，又又称称双双向向开关。开关。若若 C=0（接接VDD)、C=1（接接地地），TP和和TN都都截截止止，使使传传输输门门TG截止。截止。应用举例应用举例 CMOS模拟开关：实现单刀双掷开关的功能。模拟开关：实现单刀双掷开关的功能。C=0时，时，TG1导通、导通、TG2截止，截止，uO=uI1；C=1时，时，TG1截止、截止、TG2导通，导通，uO=uI2。当当EN=0时，时，TG导通，导通，F=A；当当EN=1时，时，TG截止，截止，F为高阻输出。为高阻输出。CMOS三态门三态门v 漏极开路门漏极开路门上拉上拉电阻电阻 2.4.5 CMOS电路的优点电路的优点 （1）微功耗。）微功耗。CMOS电路静态电流很小，约为纳安数量级。电路静态电流很小，约为纳安数量级。（2）抗干扰能力很强。抗干扰能力很强。输入噪声容限可达到输入噪声容限可达到VDD/2。（3）电源电压范围宽。）电源电压范围宽。多数多数CMOS电路可在电路可在318V的电源电压范围内正常的电源电压范围内正常工作。工作。（4）输入阻抗高。）输入阻抗高。（5）负载能力强。负载能力强。CMOS电路可以带电路可以带50个同类门以上。个同类门以上。（6）逻辑摆幅大。（低电平）逻辑摆幅大。（低电平0V，高电平，高电平VDD）2.4.6 CMOS系列及命名方法系列及命名方法74 FAM nn前缀系列助记符功能数字 最早的商用最早的商用 CMOS集成电路为集成电路为 4000系列，现以下列方系列，现以下列方法命名：法命名：前缀：前缀：74商用系列；商用系列；54军用系列。军用系列。助记符：以字母表示系列类型。助记符：以字母表示系列类型。功能数字：以数字表示电路的逻辑功能。功能数字：以数字表示电路的逻辑功能。助记符：助记符：HC（High-speed CMOS，高速，高速CMOS 系列）；系列）；例：例：74HC04-商用高速商用高速CMOS 六反相器；六反相器；74HCT00-商用高速商用高速CMOS 四四-二输入与非门。二输入与非门。HCT（High-speed CMOS,TTL compatible，与，与TTL兼兼容的高速容的高速CMOS 系列）；系列）；VHC（Very High-speed CMOS，甚，甚高速高速CMOS 系列）；系列）；VHCT:Very High-speed CMOS,TTL compatible，与与TTL兼容的兼容的甚甚高速高速CMOS 系列）。系列）。2.4.7 CMOS电路的使用注意事项电路的使用注意事项 输入电路的静电保护输入电路的静电保护 CMOS电电路路的的输输入入端端设设置置了了保保护护电电路路，给给使使用用者者带带来来很很大大方方便便。但但是是，这这种种保保护护还还是是有有限限的的。由由于于CMOS电电路路的的输输入入阻阻抗抗高高，极极易易产产生生感感应应较较高高的的静静电电电电压压，从从而而击击穿穿MOS管管栅栅极极极极薄薄的的绝绝缘缘层层，造造成成器器件件的的永永久久损损坏坏。为为避免静电损坏，应注意以下几点：避免静电损坏，应注意以下几点：（1）所所有有与与CMOS电电路路直直接接接接触触的的工工具具、仪仪表表等等必必须须可靠接地。可靠接地。（2）存存储储和和运运输输CMOS电电路路，最最好好采采用用金金属属屏屏蔽蔽层层做做包装材料。包装材料。多余或暂时不用的输入端的处理多余或暂时不用的输入端的处理多余或暂时不用的输入端的不能悬空；多余或暂时不用的输入端的不能悬空；将将不不用用的的输输入入端端按按照照电电路路功功能能要要求求接接电电源源或或接接地地。比比如如将将与与门门、与与非非门门的的多多余余输输入入端端接接电电源源，将将或或门门、或或非非门门的的多多余余输输入入端端接接地地。一一般般，接接电电源源时时需需接接上上拉拉电电阻阻；接接地地时时需需接下拉电阻。典型值接下拉电阻。典型值1-10k。电路设计与安装应尽量消除噪声，保证电路稳定工作。电路设计与安装应尽量消除噪声，保证电路稳定工作。（1）在在每每一一块块插插板板的的电电源源线线上上，并并接接几几十十F的的低低频频去去耦耦电电容容和和0.010.047F的的高高频频去去耦耦电电容容，以以防防止止TTL电电路路的的动态尖峰电流产生的干扰。动态尖峰电流产生的干扰。（2）整机装置应有良好的接地系统。整机装置应有良好的接地系统。