SMT 技术基础与设备

中等职业学校教学用书(电子技术专业)SMT技术基础与设备电子电子教学参考资料包教学参考资料包 黄永定 主编5/4/20245/4/20241 1课程内容与要求概述SMT元器件制造工艺设备管理技术前沿介绍 了解概况了解概况 发展思路发展思路 技术前沿技术前沿5/4/20245/4/20242 2现代电子制造特点 与传统电子制造比较与传统电子制造比较多学科交叉&综合 机、光、电，材、力、化、控、计、网、管高起点，高精度。多种高技术集成 PCB 、精密加工、特种加工、特种焊接、精密成形、SMT 5/4/20245/4/20243 3SMT?SMT?5/4/20245/4/20244 4 THT（Through Hole Technology）与SMT 微型化的关键微型化的关键 短引线短引线/无引线元器件无引线元器件5/4/20245/4/20245 5 第1章 SMT与SMT工艺SMTSMT是英文是英文是英文是英文“Surface Mount Technology”Surface Mount Technology”的简称，的简称，的简称，的简称，在我国电子行业标准中称之为表面组装技术。在我国电子行业标准中称之为表面组装技术。在我国电子行业标准中称之为表面组装技术。在我国电子行业标准中称之为表面组装技术。2020世纪世纪世纪世纪7070年代，以发展消费类产品著称的日本电子行业首先将年代，以发展消费类产品著称的日本电子行业首先将年代，以发展消费类产品著称的日本电子行业首先将年代，以发展消费类产品著称的日本电子行业首先将SMTSMT在电子制造业推广开来，并很快推出在电子制造业推广开来，并很快推出在电子制造业推广开来，并很快推出在电子制造业推广开来，并很快推出SMTSMT专用焊料和专用专用焊料和专用专用焊料和专用专用焊料和专用设备，为设备，为设备，为设备，为SMTSMT的发展奠定了坚实的基础。的发展奠定了坚实的基础。的发展奠定了坚实的基础。的发展奠定了坚实的基础。SMTSMT在投资类电子产品、军事装备领域、计算机、通在投资类电子产品、军事装备领域、计算机、通在投资类电子产品、军事装备领域、计算机、通在投资类电子产品、军事装备领域、计算机、通信设备、彩电调谐器、录像机、数码相机、数码摄像机、信设备、彩电调谐器、录像机、数码相机、数码摄像机、信设备、彩电调谐器、录像机、数码相机、数码摄像机、信设备、彩电调谐器、录像机、数码相机、数码摄像机、袖珍式高档多波段收音机、袖珍式高档多波段收音机、袖珍式高档多波段收音机、袖珍式高档多波段收音机、MP3MP3、传呼机和手机等几乎所、传呼机和手机等几乎所、传呼机和手机等几乎所、传呼机和手机等几乎所有的电子产品生产中都得到广泛应用。有的电子产品生产中都得到广泛应用。有的电子产品生产中都得到广泛应用。有的电子产品生产中都得到广泛应用。5/4/20245/4/20246 65/4/20245/4/20247 7表面组装技术 SMT5/4/20245/4/20248 8（1）SMTSMT的回顾的回顾 起源起源 美国军界美国军界 小型化小型化/微型化的需求微型化的需求 发展发展 民品民品 成熟成熟 IT IT 数字化数字化 移动产品移动产品 办公办公 通讯通讯 学习学习 娱乐娱乐 例：手机例：手机 1994199420032003 重量重量700g 700g 120g 68g 120g 68g 手表式手表式5/4/20245/4/20249 95/4/20245/4/20241010（2）SMT优点 组组装装密密度度高高、产产品品体体积积小小、重重量量轻轻。一一般般体体积积缩小缩小40%60%40%60%，重量减轻，重量减轻60%80%60%80%可靠性高可靠性高，抗振能力强抗振能力强。高频特性好，减少了电磁和射频干扰高频特性好，减少了电磁和射频干扰高频特性好，减少了电磁和射频干扰高频特性好，减少了电磁和射频干扰。易于实现自动化，提高生产效率易于实现自动化，提高生产效率。5/4/20245/4/20241111（3）SMT的发展SMTSMT在持续发展在持续发展先进国家先进国家 8080我国我国 5050SMTSMT别无选择的趋势别无选择的趋势发展驱动力发展驱动力 市场作用市场作用 SMTSMT元器件元器件 小型化元件小型化元件5/4/20245/4/20241212 ITIT是朝阳产业，电子制造业是朝阳产业，电子制造业是是ITIT的核心的核心人类对产品小型化，多功能人类对产品小型化，多功能的追求无止境。的追求无止境。例笔记本电脑例笔记本电脑硅片硅片1010年年 接口接口/功率电路功率电路 SMT SMT 与时俱进与时俱进(4)SMT发展前景5/4/20245/4/20241313 SMTSMT内容内容 元器件元器件 /印制板印制板 SMC/SMD SMBSMC/SMD SMBSMTSMT 工艺工艺 点胶点胶 印刷印刷 波峰焊波峰焊/再流焊再流焊 设备设备 印刷印刷/贴片贴片/焊接焊接/检测检测 5/4/20245/4/20241414SMT组成5/4/20245/4/20241515 SMT组成 SMT检测（AOI X）工艺与设备贴片点胶 印刷 焊接 波峰焊/再流焊返修清洗印制板 SMB基础元器件 SMC/SMD SMD 封装、安装性能材料 粘结、焊接、清洗等SMTSMT设计设计 整体设计整体设计/DFX/EMC/DFX/EMC/三防三防生产线 防护与环保SMTSMT管理管理 企业资源企业资源/质量质量/设备设备/工艺工艺 5/4/20245/4/20241616 SMT元器件 1.元器件(SMC)/SMD（surface mount component/devicesurface mount component/device）特征特征特征特征：无引线小型化：无引线小型化火柴火柴/蚂蚁蚂蚁/SMC/SMC5/4/20245/4/20241717片式元件的变迁 2012 2012 （08050805）16081608（0603)10050603)1005（04020402）06030603（02010201）0402 0402（?）两种称呼公两种称呼公/英英 封装代号：封装代号：L-W L-W 例例 16081608（公制）（公制）L=1.6mmL=1.6mm（60mil)60mil)W=0.8mm W=0.8mm（30mil30mil）（06030603）英制）英制 尺寸极限 5/4/20245/4/202418181/8普通电阻0603电阻实际样品比较5/4/20245/4/20241919片式元件的安装间距与片式元件的安装间距与1005片间距0.20603片间距0.1安装成本5/4/202420 第第2章章 表面组装元器件表面组装元器件第一部分第一部分R L C元件元件5/4/202421 表面组装电阻器表面组装电阻器 表面组装电阻器按封装外形，可分为片状和圆柱状两种，结表面组装电阻器按封装外形，可分为片状和圆柱状两种，结构如图构如图2-1所示。表面组装电阻器按制造工艺可分为厚膜型（所示。表面组装电阻器按制造工艺可分为厚膜型（RN型）和薄膜型（型）和薄膜型（RK型）两大类。片状表面组装电阻器一般是用厚型）两大类。片状表面组装电阻器一般是用厚膜工艺制作的：在一个高纯度氧化铝膜工艺制作的：在一个高纯度氧化铝(A12O3，96%)基底平面上网基底平面上网印二氧化钌印二氧化钌(RuO2)电阻浆来制作电阻膜；改变电阻浆料成分或配电阻浆来制作电阻膜；改变电阻浆料成分或配比，就能得到不同的电阻值，也可以用激光在电阻膜上刻槽微调电比，就能得到不同的电阻值，也可以用激光在电阻膜上刻槽微调电阻值；然后再印刷玻璃浆覆盖电阻膜，并烧结成釉保护层，最后把阻值；然后再印刷玻璃浆覆盖电阻膜，并烧结成釉保护层，最后把基片两端做成焊端。基片两端做成焊端。5/4/2024225/4/2024235/4/2024245/4/202425矩形表面组装电阻器的外形尺寸示意图矩形表面组装电阻器的外形尺寸示意图MELF电阻器的外形尺寸示意图电阻器的外形尺寸示意图L=2.0(+0.1,-0.05)mm,D=1.25(0.05)mm,T=0.3(+0.1)mm,H=1.4mm。5/4/2024265/4/2024275/4/202428a)a)直接驱动簧片结构直接驱动簧片结构 b)b)绝缘轴驱动簧片结构绝缘轴驱动簧片结构5/4/2024295/4/2024305/4/2024315/4/202432 表面组装电容器表面组装电容器表面组装电容器目前使用较多的主要有两种：陶瓷表面组装电容器目前使用较多的主要有两种：陶瓷系列系列(瓷介瓷介)的电容器和钽电解电容器，其中瓷介电容器的电容器和钽电解电容器，其中瓷介电容器约占约占80%，其次是钽和铝电解电容器。有机薄膜和云母，其次是钽和铝电解电容器。有机薄膜和云母电容器使用较少。电容器使用较少。1.SMC多层陶瓷电容器多层陶瓷电容器表面组装陶瓷电容器多以陶瓷材料为电容介质，多表面组装陶瓷电容器多以陶瓷材料为电容介质，多层陶瓷电容器是在单层盘状电容器的基础上构成的，电层陶瓷电容器是在单层盘状电容器的基础上构成的，电极深入电容器内部，并与陶瓷介质相互交错。多层陶瓷极深入电容器内部，并与陶瓷介质相互交错。多层陶瓷电容器简称电容器简称MLC。MLC通常是无引脚矩形结构，外层电通常是无引脚矩形结构，外层电极与片式电阻相同，也是极与片式电阻相同，也是3层结构，即层结构，即Ag-Ni/Cd-Sn/Pb,MLC外形和结构如图外形和结构如图2-15所示。所示。5/4/2024335/4/2024345/4/202435图图2-16 SMC2-16 SMC铝电解电容器铝电解电容器5/4/2024365/4/2024375/4/202438 图图2-18 片状云母电容器的结构片状云母电容器的结构3.SMC云母电容器云母电容器云母电容器采用天然云母云母电容器采用天然云母作为电解质，做成矩形片状，作为电解质，做成矩形片状，如图如图2-18所示。由于它具有耐所示。由于它具有耐热性好、损耗低、热性好、损耗低、Q值和精度值和精度高、易做成小电容等特点，特高、易做成小电容等特点，特别适合在高频电路中使用，近别适合在高频电路中使用，近年来已在无线通信、硬盘系统年来已在无线通信、硬盘系统中大量使用。中大量使用。5/4/202439 表面组装电感器除了与传统的插装电感器有相同的扼表面组装电感器除了与传统的插装电感器有相同的扼流、退耦、滤波、调谐、延迟、补偿等功能外，还特别在流、退耦、滤波、调谐、延迟、补偿等功能外，还特别在LCLC调谐器、调谐器、LCLC滤波器、滤波器、LCLC延迟线等多功能器件中体现了独延迟线等多功能器件中体现了独到的优越性。到的优越性。由于电感器受线圈制约，片式化比较困难，故其片式化由于电感器受线圈制约，片式化比较困难，故其片式化晚于电阻器和电容器，其片式化率也低。尽管如此，电感晚于电阻器和电容器，其片式化率也低。尽管如此，电感器的片式化仍取得了很大的进展。不仅种类繁多，而且相器的片式化仍取得了很大的进展。不仅种类繁多，而且相当多的产品已经系列化、标准化，并已批量生产。表面组当多的产品已经系列化、标准化，并已批量生产。表面组装电感器的常见类型见表装电感器的常见类型见表2-72-7。表面组装电感器表面组装电感器5/4/202440 表表2-7 SMC电感器类型电感器类型 类类 型型 形形 状状 种种 类类固定电感器固定电感器 矩形矩形绕线型、多层型、固态型绕线型、多层型、固态型 圆柱形圆柱形 绕线型、卷绕印刷型、多层卷绕型绕线型、卷绕印刷型、多层卷绕型可调电感器器可调电感器器 矩形矩形绕线型绕线型(可调线圈、中频变压可调线圈、中频变压)LC复合元件复合元件 LC滤波器滤波器 矩形矩形 中频变压器中频变压器 LC延迟线延迟线 LC调谐器调谐器 圆柱形圆柱形 LC滤波器、陷波器滤波器、陷波器 特殊产品特殊产品 LC、LRC、LR网络网络 5/4/202441 1.绕线型表面组装电感器 绕线型绕线型SMT电感器实际上是把传统的卧式绕线电感器稍加改进电感器实际上是把传统的卧式绕线电感器稍加改进而成。制造时将导线而成。制造时将导线(线圈线圈)缠绕在磁心上。低电感时用陶瓷作磁心，缠绕在磁心上。低电感时用陶瓷作磁心，大电感时用铁氧体作磁心，绕组可以垂直也可水平。绕线后再加上大电感时用铁氧体作磁心，绕组可以垂直也可水平。绕线后再加上端电极。端电极也称外部端子，它取代了传统的插装式电感器的引端电极。端电极也称外部端子，它取代了传统的插装式电感器的引线，以便表面组装。线，以便表面组装。由于所用磁心不同，故结构上也有多种型式。由于所用磁心不同，故结构上也有多种型式。工字形结构。这种电感器是在工字形磁心上绕线制成的，如工字形结构。这种电感器是在工字形磁心上绕线制成的，如图图2-19a(开磁路开磁路)、图、图2-19b(闭磁路闭磁路)所示。所示。槽形结构。槽形结构是在磁性体的沟槽上绕上线圈而制成的，槽形结构。槽形结构是在磁性体的沟槽上绕上线圈而制成的，如图如图2-19c所示。所示。棒形结构。这种结构的电感器与传统的卧式棒形电感器基本棒形结构。这种结构的电感器与传统的卧式棒形电感器基本相同，它是在棒形磁心上绕线而成的。只是它用适合表面组装用的相同，它是在棒形磁心上绕线而成的。只是它用适合表面组装用的端电极代替了插装用的引线。端电极代替了插装用的引线。腔体结构。这种结构是把绕好的线圈放在磁性腔体内，加上腔体结构。这种结构是把绕好的线圈放在磁性腔体内，加上磁性盖板和端电极而成，如图磁性盖板和端电极而成，如图2-19d所示。所示。5/4/2024425/4/202443 2.多层型多层型SMC电感器电感器 多层型多层型SMC电感器也称多层型片式电感器电感器也称多层型片式电感器(MLCI)，它的结构和多层，它的结构和多层型陶瓷电容器相似型陶瓷电容器相似,制造时由铁氧体浆料和导电浆料交替印刷叠层后，经制造时由铁氧体浆料和导电浆料交替印刷叠层后，经高温烧结形成具有闭合磁路的整体。导电浆料经烧结后形成的螺旋式导高温烧结形成具有闭合磁路的整体。导电浆料经烧结后形成的螺旋式导电带，相当于传统电感器的线圈，被导电带包围的铁氧体相当于磁心，电带，相当于传统电感器的线圈，被导电带包围的铁氧体相当于磁心，导电带外围的铁氧体使磁路闭合。其结构如图所示。导电带外围的铁氧体使磁路闭合。其结构如图所示。5/4/202444 卷绕型卷绕型SMCSMC电感器是在柔性铁氧体薄片电感器是在柔性铁氧体薄片(生料生料)上，印刷导体浆料，然后卷绕成圆柱形，烧结后形上，印刷导体浆料，然后卷绕成圆柱形，烧结后形成一个整体，做上端电极即可。成一个整体，做上端电极即可。和绕线型和绕线型SMCSMC电感器相比，它的尺寸较小，某电感器相比，它的尺寸较小，某些卷绕型些卷绕型SMCSMC电感器可用铜或铁做电极材料，故成电感器可用铜或铁做电极材料，故成本较低。但因为是圆柱体的，组装时接触面积较小，本较低。但因为是圆柱体的，组装时接触面积较小，所以表面组装性不甚理想，目前应用范围不大。所以表面组装性不甚理想，目前应用范围不大。3.3.卷绕型卷绕型SMCSMC电感器电感器5/4/202445 谢 谢！5/4/20245/4/20244646 SMT技术基础与设备 电子工业出版社同名教材电子工业出版社同名教材 5/4/20245/4/20244747第2章 表面组装元器件 第第2 2部分部分-半导体器件半导体器件5/4/20245/4/20244848表面组装分立器件表面组装分立器件5/4/20245/4/202449495/4/20245/4/20245050二极管二极管 SMDSMD二极管有无引线柱形玻璃封装和片状塑料封装两种。无引二极管有无引线柱形玻璃封装和片状塑料封装两种。无引二极管有无引线柱形玻璃封装和片状塑料封装两种。无引二极管有无引线柱形玻璃封装和片状塑料封装两种。无引线柱形玻璃封装二极管是将管芯封装在细玻璃管内，两端以金属帽线柱形玻璃封装二极管是将管芯封装在细玻璃管内，两端以金属帽线柱形玻璃封装二极管是将管芯封装在细玻璃管内，两端以金属帽线柱形玻璃封装二极管是将管芯封装在细玻璃管内，两端以金属帽为电极。常见的有稳压、开关和通用二极管，功耗一般为为电极。常见的有稳压、开关和通用二极管，功耗一般为为电极。常见的有稳压、开关和通用二极管，功耗一般为为电极。常见的有稳压、开关和通用二极管，功耗一般为0.50.51 1 WW。外形尺寸有外形尺寸有外形尺寸有外形尺寸有1.5mm3.5mm1.5mm3.5mm和和和和2.7mm5.2mm2.7mm5.2mm两种，外形如两种，外形如两种，外形如两种，外形如图图图图2-302-30所示。所示。所示。所示。5/4/20245/4/202451515/4/20245/4/20245252小外形塑封晶体管小外形塑封晶体管(SOT)晶体管晶体管(三极管三极管)采用带有翼形短引线的塑料封装，可分为采用带有翼形短引线的塑料封装，可分为SOT-23、SOT-89、SOT-l43、SOT-252几种尺寸结构，产品有小功率管、大几种尺寸结构，产品有小功率管、大功率管、场效应管和高频管几个系列；其中功率管、场效应管和高频管几个系列；其中SOT-23是通用的表面组是通用的表面组装晶体管，装晶体管，SOT-23有有3条翼形引脚，内部结构如图条翼形引脚，内部结构如图2-32所示。所示。SOT-89适用于较高功率的场合，它的适用于较高功率的场合，它的e、b、c三个电极是从管子三个电极是从管子的同一侧引出，管子底面有金属散热片与集电极相连，晶体管芯片粘的同一侧引出，管子底面有金属散热片与集电极相连，晶体管芯片粘接在较大的铜片上，以利于散热。接在较大的铜片上，以利于散热。SOT-l43有有4条翼形短引脚，对称分布在长边的两侧，引脚中宽条翼形短引脚，对称分布在长边的两侧，引脚中宽度偏大一点的是集电极，这类封装常见双栅场效应管及高频晶体管。度偏大一点的是集电极，这类封装常见双栅场效应管及高频晶体管。小功率管额定功率为小功率管额定功率为100300 mW，电流为电流为10700 mA。大功率管额定功率为大功率管额定功率为300 mW2 W，SOT-252封装的功耗可达封装的功耗可达250W,两条连在一起的引脚或与散热片连接的引脚是集电极。图两条连在一起的引脚或与散热片连接的引脚是集电极。图2-33所示是所示是SOT-252的封装外形尺寸。的封装外形尺寸。5/4/20245/4/20245353图图2-32 SOT-232-32 SOT-23晶体管晶体管5/4/20245/4/202454545/4/20245/4/20245555 表面组装集成电路表面组装集成电路表面组装集成电路表面组装集成电路 表面组装集成电路包括各种数字电路和模拟电路的表面组装集成电路包括各种数字电路和模拟电路的SSIULSI集集成器件。表面组装技术的重要基础之一是表面组装元器件，成器件。表面组装技术的重要基础之一是表面组装元器件，SMT的发的发展史与展史与SMCSMD的发展史基本是同步的。的发展史基本是同步的。20世纪世纪60年代，飞利浦公司研制出可表面组装的钮扣状微型器年代，飞利浦公司研制出可表面组装的钮扣状微型器件件-小外形集成电路小外形集成电路(SOIC)。它的引线分布在器件两侧，呈鸥翼它的引线分布在器件两侧，呈鸥翼形，引线的中心距形，引线的中心距1.27mm(50milmil=0.001in=0.0254mm)，引线数可多达引线数可多达28针以上。针以上。20世纪世纪70年代初期，日本开始使用方形扁年代初期，日本开始使用方形扁平封装的集成电路平封装的集成电路(QFP)来制造计算器。来制造计算器。QFP的引线分布在器件的四的引线分布在器件的四边，呈鸥翼形，引线的中心距最小仅为边，呈鸥翼形，引线的中心距最小仅为0.65mm(25mil)或更小，而或更小，而引线数可达几百针。引线数可达几百针。5/4/20245/4/202456565/4/20245/4/20245757 节距节距（引线间距引线间距 lead pitch lead pitch）的演变的演变 THT 2.54 1.89 THT 2.54 1.89 SMT 1.271.00.8 SMT 1.271.00.8 0.650.50.4 0.3 0.650.50.4 0.3 5/4/20245/4/202458585/4/20245/4/20245959常用封装（2）COBCOB（Chip On BoardChip On Board）板载芯片板载芯片bondingbonding BGA BGA（ball grid arrayball grid array）球栅阵列球栅阵列5/4/20245/4/20246060IC大小对比（同样功能电路）ADAD转换电转换电路路DIPDIP封封装尺寸装尺寸ADAD转换电转换电路最新路最新封装尺封装尺寸寸5/4/20245/4/20246161集成电路的封装方式 1.SO封装封装引线比较少的小规模集成电路大多采用这种小型封装。引线比较少的小规模集成电路大多采用这种小型封装。SO封装封装又分为几种，又分为几种，芯片宽度小于芯片宽度小于0.15 in，电极引脚数目比较少的电极引脚数目比较少的(一般在一般在840脚脚之间之间)，叫做，叫做SOP封装。封装。宽度在宽度在0.25 in以上，电极引脚数目在以上，电极引脚数目在44以上的，叫做以上的，叫做SOL封装，封装，这种芯片常见于随机存储器这种芯片常见于随机存储器(RAM)。芯片宽度在芯片宽度在0.6 in以上，电极引脚数目在以上，电极引脚数目在44以上的，叫做以上的，叫做SOW封装，这种芯片常见于可编程存储器封装，这种芯片常见于可编程存储器(E2PROM)。有些有些SOP封装采用小型化或薄型化封装，分别叫做封装采用小型化或薄型化封装，分别叫做SSOP封装和封装和TSOP封装。大多数封装。大多数SO封装的引脚采用翼形电极，也有一些存储器采封装的引脚采用翼形电极，也有一些存储器采用用J形电极（称为形电极（称为SOJ），），有利于在插座上扩展存储容量，有利于在插座上扩展存储容量，SO封装的封装的引脚间距有引脚间距有1.27 mm、1.0 mm、0.8 mm、0.65 mm和和0.5 mm几几种。种。5/4/20245/4/20246262 图图2-34 常见的常见的SO封装的集成电路封装的集成电路 a)SO封装实物封装实物 b)SOP封装封装 c)SOL封装封装 d)SOW封装封装5/4/20245/4/20246363图图2-35 SOP的翼形引脚和的翼形引脚和“J”形引脚封装结构形引脚封装结构 5/4/20245/4/202464642.QFP封装封装 矩形四边都有电极引脚的矩形四边都有电极引脚的SMD集成电路叫做集成电路叫做QFP封装，其中封装，其中PQFP(Plastic QFP)封装的芯片四角有突出封装的芯片四角有突出(角耳角耳)，薄型，薄型TQFP封装封装的厚度已经降到的厚度已经降到1.0 mm或或0.5 mm。QFP封装也采用翼形的电极引封装也采用翼形的电极引脚。脚。QFP封装的芯片一般都是大规模集成电路封装的芯片一般都是大规模集成电路,在商品化的在商品化的QFP芯片芯片中中,电极引脚数目最少的电极引脚数目最少的28脚，最多可能达到脚，最多可能达到300脚以上，引脚间距脚以上，引脚间距最小的是最小的是0.4mm(最小极限是最小极限是0.3mm),最大的是最大的是1.27 mm。图图2-36 QFP2-36 QFP封装的集成电路封装的集成电路 a)QFP a)QFP封装集成电路实物封装集成电路实物 b)QFP b)QFP封装的一般形式封装的一般形式 c)c)四角有突出的四角有突出的QFPQFP封装封装5/4/20245/4/202465653.LCCC封装 这是陶瓷芯片载体封装的这是陶瓷芯片载体封装的SMD集成电路中没有引脚的一种封装；集成电路中没有引脚的一种封装；芯片被封装在陶瓷载体上，无引线的电极焊端排列在封装底面上的四芯片被封装在陶瓷载体上，无引线的电极焊端排列在封装底面上的四边，电极数目为边，电极数目为18156个，间距有个，间距有1.0mm和和1.27mm两种两种,其外形其外形如图如图2-37所示。所示。LCCC引出端子的特点是在陶瓷外壳侧面有类似城堡状的金属化引出端子的特点是在陶瓷外壳侧面有类似城堡状的金属化凹槽和外壳底面镀金电极相连，提供了较短的信号通路，电感和电容凹槽和外壳底面镀金电极相连，提供了较短的信号通路，电感和电容损耗较低，可用于高频工作状态，如微处理器单元、门阵列和存储器。损耗较低，可用于高频工作状态，如微处理器单元、门阵列和存储器。LCCC集成电路的芯片是全密封的，可靠性高但价格高，主要用集成电路的芯片是全密封的，可靠性高但价格高，主要用于军用产品中，并且必须考虑器件与电路板之间的热膨胀系数是否一于军用产品中，并且必须考虑器件与电路板之间的热膨胀系数是否一致的问题。致的问题。5/4/20245/4/20246666 图图2-37 LCCC封装的集成电路封装的集成电路a)无引线无引线A型型 b)无引线无引线B型型 c)无引线无引线C型型 d)无引线无引线D型型5/4/20245/4/202467674.PLCC封装封装PLCC是集成电路的有引脚塑封芯片载体封装，它的引脚向内钩是集成电路的有引脚塑封芯片载体封装，它的引脚向内钩回，叫作钩形回，叫作钩形(J形形)电极，电极引脚数目为电极，电极引脚数目为1684个，间距为个，间距为1.27 mm，封装结构如图封装结构如图2-38所示。所示。PPLCC封装的集成电路大多是可编封装的集成电路大多是可编程的存储器。芯片可以安装在专用的插座上，容易取下来对其中的数程的存储器。芯片可以安装在专用的插座上，容易取下来对其中的数据进行改写；为了减少插座的成本，据进行改写；为了减少插座的成本，PLCC芯片也可以直接焊接在电芯片也可以直接焊接在电路板上，但用手工焊接比较困难。路板上，但用手工焊接比较困难。PLCC的外形有方形和矩形两种，的外形有方形和矩形两种，方形的称为方形的称为JEDEC MO-047;矩矩形的称为形的称为JEDEC MO-052。外外形尺寸如图形尺寸如图2-39所示。所示。5/4/20245/4/20246868 图图2-39 PLCC的外形尺寸的外形尺寸a)方形方形PLCC b)矩形矩形PLCC5/4/20245/4/202469695.BGA封装封装 BGA是大规模集成电路的一种极富生命力的封装方法。是大规模集成电路的一种极富生命力的封装方法。20世纪世纪90年代后期，年代后期，BGA方式已经大量应用。导致这种封装方式出现的根方式已经大量应用。导致这种封装方式出现的根本原因是集成电路的集成度迅速提高，芯片的封装尺寸必须缩小。本原因是集成电路的集成度迅速提高，芯片的封装尺寸必须缩小。BGA方式封装的大规模集成电路如图方式封装的大规模集成电路如图2-40b所示。所示。BGA封装是封装是将原来器件将原来器件PLCCQFP封装的封装的J形或翼形电极引脚，改变成球形引形或翼形电极引脚，改变成球形引脚；把从器件本体四周脚；把从器件本体四周“单线性单线性”顺列引出的电极，变成本体底面之下顺列引出的电极，变成本体底面之下“全平面全平面”式的格栅阵排列。这样，既可以疏散引脚间距，又能够增加式的格栅阵排列。这样，既可以疏散引脚间距，又能够增加引脚数目。目前，使用较多的引脚数目。目前，使用较多的BGA的的IO端子数是端子数是72736，预计，预计将达到将达到2 000。焊球阵列在器件底面可以呈完全分布或部分分布。焊球阵列在器件底面可以呈完全分布或部分分布。5/4/20245/4/20247070 图图2-40 QFP和和BGA封装的集成电路比较封装的集成电路比较 a)QFP封装封装 b)BGA封装封装 c)焊球的部分分布焊球的部分分布 d)焊球的完全分布焊球的完全分布5/4/20245/4/20247171 图图2-41 大规模集成电路的几种大规模集成电路的几种BGA封装结构封装结构 a)PBGA b)CBGA c)BGA d)BGA的外观照片的外观照片5/4/20245/4/20247272 谢 谢！5/4/20245/4/20247373 SMT技术基础与设备 电子工业出版社同名教材电子工业出版社同名教材 5/4/20245/4/20247474第第第第3 3章章章章表面组装印制版的设计与制造表面组装印制版的设计与制造表面组装印制版的设计与制造表面组装印制版的设计与制造5/4/20245/4/20247575SMB（boardboard）（1 1）表面贴装对）表面贴装对）表面贴装对）表面贴装对PCBPCBPCBPCB的要求的要求的要求的要求 比比比比THT THT THT THT 高一个数量级以上高一个数量级以上高一个数量级以上高一个数量级以上 外外外外观观观观要求要求要求要求高高高高 热热热热膨膨膨膨胀胀胀胀系数系数系数系数小，小，小，小，导热导热导热导热系数系数系数系数高高高高 耐耐耐耐热热热热性性性性要求要求要求要求 铜铜铜铜箔的粘合箔的粘合箔的粘合箔的粘合强强强强度度度度高高高高 抗抗抗抗弯曲弯曲弯曲弯曲强强强强度：度：度：度：电电电电性能要求：介性能要求：介性能要求：介性能要求：介电电电电常数，常数，常数，常数，绝缘绝缘绝缘绝缘性能性能性能性能 耐耐耐耐清洗清洗清洗清洗5/4/20245/4/20247676对SMB性能要求高5/4/20245/4/20247777SMB的特点 1.1.高密度高密度高密度高密度 由于有些由于有些由于有些由于有些SMDSMD器件引脚数高达器件引脚数高达器件引脚数高达器件引脚数高达100100500500条之多，引脚中心距条之多，引脚中心距条之多，引脚中心距条之多，引脚中心距 已由已由已由已由1.27mm1.27mm过渡到过渡到过渡到过渡到0.5mm0.5mm，甚至，甚至，甚至，甚至0.3mm0.3mm，因此，因此，因此，因此SMBSMB要求细线、窄要求细线、窄要求细线、窄要求细线、窄 间距，线宽从间距，线宽从间距，线宽从间距，线宽从0.20.20.3mm0.3mm缩小到缩小到缩小到缩小到0.15mm0.15mm、0.1mm0.1mm甚至甚至甚至甚至 0.05mm0.05mm，2.54mm2.54mm网格之间已由过双线已发展到过网格之间已由过双线已发展到过网格之间已由过双线已发展到过网格之间已由过双线已发展到过3 3根导线根导线根导线根导线,最新技最新技最新技最新技 术已达到过术已达到过术已达到过术已达到过6 6根导线，细线、窄间距极大地提高了根导线，细线、窄间距极大地提高了根导线，细线、窄间距极大地提高了根导线，细线、窄间距极大地提高了PCBPCB的安装密度。的安装密度。的安装密度。的安装密度。2.2.小孔径小孔径小孔径小孔径 单面单面单面单面PCBPCB中的过孔主要用来插装元器件，而在中的过孔主要用来插装元器件，而在中的过孔主要用来插装元器件，而在中的过孔主要用来插装元器件，而在SMBSMB中大多数金中大多数金中大多数金中大多数金 属化孔不再用来插装元器件，而是用来实现层与层导线之间的互连。属化孔不再用来插装元器件，而是用来实现层与层导线之间的互连。属化孔不再用来插装元器件，而是用来实现层与层导线之间的互连。属化孔不再用来插装元器件，而是用来实现层与层导线之间的互连。目前目前目前目前SMBSMB上的孔径为上的孔径为上的孔径为上的孔径为0.460.460.3mm0.3mm，并向，并向，并向，并向0.20.20.1mm0.1mm方方方方 向发展，与此同时，出现了以盲孔和埋孔技术为特征的内层中继孔。向发展，与此同时，出现了以盲孔和埋孔技术为特征的内层中继孔。向发展，与此同时，出现了以盲孔和埋孔技术为特征的内层中继孔。向发展，与此同时，出现了以盲孔和埋孔技术为特征的内层中继孔。5/4/20245/4/20247878 3.3.热膨胀系数热膨胀系数热膨胀系数热膨胀系数(CTE)(CTE)低低低低 由于由于由于由于SMDSMD器件引脚多且短，器件本体与器件引脚多且短，器件本体与器件引脚多且短，器件本体与器件引脚多且短，器件本体与PCBPCB之间的之间的之间的之间的CTECTE不一不一不一不一 致。由于热应力而造成器件损坏的事情经常会发生，因此要求致。由于热应力而造成器件损坏的事情经常会发生，因此要求致。由于热应力而造成器件损坏的事情经常会发生，因此要求致。由于热应力而造成器件损坏的事情经常会发生，因此要求SMDSMD基基基基 材的材的材的材的CTECTE应尽可能低，以适应与器件的匹配性，如今，应尽可能低，以适应与器件的匹配性，如今，应尽可能低，以适应与器件的匹配性，如今，应尽可能低，以适应与器件的匹配性，如今，CSPCSP、FCFC等芯等芯等芯等芯 片级的器件已用来直接贴装在片级的器件已用来直接贴装在片级的器件已用来直接贴装在片级的器件已用来直接贴装在SMBSMB上，这就对上，这就对上，这就对上，这就对SMBSMB的的的的CTECTE提出了更高提出了更高提出了更高提出了更高 的要求。的要求。的要求。的要求。4.4.耐高温性能好耐高温性能好耐高温性能好耐高温性能好 SMTSMT焊接过程中，经常需要双面贴装元器件，因此要求焊接过程中，经常需要双面贴装元器件，因此要求焊接过程中，经常需要双面贴装元器件，因此要求焊接过程中，经常需要双面贴装元器件，因此要求SMBSMB能能能能 耐两次再流焊温度，并要求耐两次再流焊温度，并要求耐两次再流焊温度，并要求耐两次再流焊温度，并要求SMBSMB变形小、不起泡，焊盘仍有优良的可变形小、不起泡，焊盘仍有优良的可变形小、不起泡，焊盘仍有优良的可变形小、不起泡，焊盘仍有优良的可 焊性，焊性，焊性，焊性，SMBSMB表面仍有较高的光洁度。表面仍有较高的光洁度。表面仍有较高的光洁度。表面仍有较高的光洁度。5.5.平整度高平整度高平整度高平整度高 SMBSMB要求很高的平整度，以便要求很高的平整度，以便要求很高的平整度，以便要求很高的平整度，以便SMDSMD引脚与引脚与引脚与引脚与SMBSMB焊盘密切配合，焊盘密切配合，焊盘密切配合，焊盘密切配合，SMBSMB焊盘表面涂覆层不再使用焊盘表面涂覆层不再使用焊盘表面涂覆层不再使用焊盘表面涂覆层不再使用SnSnPbPb合金热风整平工艺，而是采用合金热风整平工艺，而是采用合金热风整平工艺，而是采用合金热风整平工艺，而是采用 镀金工艺或者预热助焊剂涂覆工艺。镀金工艺或者预热助焊剂涂覆工艺。镀金工艺或者预热助焊剂涂覆工艺。镀金工艺或者预热助焊剂涂覆工艺。5/4/20245/4/20247979PCB基材质量参数1.1.玻璃化转变温度玻璃化转变温度玻璃化转变温度玻璃化转变温度(Tg)(Tg)玻璃化转变温度玻璃化转变温度玻璃化转变温度玻璃化转变温度(Tg)(Tg)是指是指是指是指PCBPCB材质在一定温度条件下，材质在一定温度条件下，材质在一定温度条件下，材质在一定温度条件下，基材结构发生变化的临界温度。在这个温度之下基材是硬基材结构发生变化的临界温度。在这个温度之下基材是硬基材结构发生变化的临界温度。在这个温度之下基材是硬基材结构发生变化的临界温度。在这个温度之下基材是硬而脆的，即类似玻璃的形态，通常称之为玻璃态而脆的，即类似玻璃的形态，通常称之为玻璃态而脆的，即类似玻璃的形态，通常称之为玻璃态而脆的，即类似玻璃的形态，通常称之为玻璃态;若在这若在这若在这若在这个温度之上，材料会变软，呈橡胶样形态，称之为橡胶态个温度之上，材料会变软，呈橡胶样形态，称之为橡胶态个温度之上，材料会变软，呈橡胶样形态，称之为橡胶态个温度之上，材料会变软，呈橡胶样形态，称之为橡胶态或皮革态，这时它的机械强度将明显变低。或皮革态，这时它的机械强度将明显变低。或皮革态，这时它的机械强度将明显变低。或皮革态，这时它的机械强度将明显变低。这种决定材料性能的临界温度称为玻璃化转变温度这种决定材料性能的临界温度称为玻璃化转变温度这种决定材料性能的临界温度称为玻璃化转变温度这种决定材料性能的临界温度称为玻璃化转变温度(glass transtion temperture(glass transtion temperture，简称，简称，简称，简称Tg)Tg)。玻璃化转变。玻璃化转变。玻璃化转变。玻璃化转变温度是聚合物特有的性能温度是聚合物特有的性能温度是聚合物特有的性能温度是聚合物特有的性能,除了陶瓷基板外，几乎所有的除了陶瓷基板外，几乎所有的除了陶瓷基板外，几乎所有的除了陶瓷基板外，几乎所有的层压板都含有聚合物，因此，它是选择基板的层压板都含有聚合物，因此，它是选择基板的层压板都含有聚合物，因此，它是选择基板的层压板都含有聚合物，因此，它是选择基板的个关键参个关键参个关键参个关键参数。数。数。数。5/4/20245/4/202480802.2.热膨胀系数热膨胀系数热膨胀系数热膨胀系数(CTE)(CTE)热膨胀系数热膨胀系数热膨胀系数热膨胀系数(Coefficient of Thermal Expansion CTE)(Coefficient of Thermal Expansion CTE)是指每是指每是指每是指每单位温度变化所引发的材料尺寸的线性变化量。单位温度变化所引发的材料尺寸的线性变化量。单位温度变化所引发的材料尺寸的线性变化量。单位温度变化所引发的材料尺寸的线性变化量。任何材料受热后都会膨胀，高分子材料的任何材料受热后都会膨胀，高分子材料的任何材料受热后都会膨胀，高分子材料的任何材料受热后都会膨胀，高分子材料的CTECTE通常高于无机材料，通常高于无机材料，通常高于无机材料，通常高于无机材料，当膨胀应力超过材料承受限度时，会对材料产生损坏。用于当膨胀应力超过材料承受限度时，会对材料产生损坏。用于当膨胀应力超过材料承受限度时，会对材料产生损坏。用于当膨胀应力超过材料承受限度时，会对材料产生损坏。用于SMBSMB的多的多的多的多层板是由几片单层层板是由几片单层层板是由几片单层层板是由几片单层“半固化树脂片半固化树脂片半固化树脂片半固化树脂片”热压制成的，冷却后再在需要的位热压制成的，冷却后再在需要的位热压制成的，冷却后再在需要的位热压制成的，冷却后再在需要的位置上钻孔并进行电镀处理，最后生成电镀通孔金属化孔，金属化置上钻孔并进行电镀处理，最后生成电镀通孔金属化孔，金属化置上钻孔并进行电镀处理，最后生成电镀通孔金属化孔，金属化置上钻孔并进行电镀处理，最后生成电镀通孔金属化孔，金属化孔制成后，也就实现了孔制成后，也就实现了孔制成后，也就实现了孔制成后，也就实现了SMBSMB层与层之间的互连。一般金属化孔的孔壁层与层之间的互连。一般金属化孔的孔壁层与层之间的互连。一般金属化孔的孔壁层与层之间的互连。一般金属化孔的孔壁仅在仅在仅在仅在25m25m厚左右，且铜层致密性不会很高。厚左右，且铜层致密性不会很高。厚左右，且铜层致密性不会很高。厚左右，且铜层致密性不会很高。对于多层板结构的对于多层板结构的对于多层板结构的对于多层板结构的SMBSMB来说，其长、宽方向的来说，其长、宽方向的来说，其长、宽方向的来说，其长、宽方向的CTECTE与厚度方向的与厚度方向的与厚度方向的与厚度方向的CTECTE存在差异性。因此当多层板焊接受热时，层压材料、玻璃纤维和存在差异性。因此当多层板焊接受热时，层压材料、玻璃纤维和存在差异性。因此当多层板焊接受热时，层压材料、玻璃纤维和存在差异性。因此当多层板焊接受热时，层压材料、玻璃纤维和铜层之间在厚度方向的热膨胀系数不一致，其热应力就会作用在金属铜层之间在厚度方向的热膨胀系数不一致，其热应力就会作用在金属铜层之间在厚度方向的热膨胀系数不一致，其热应力就会作用在金属铜层之间在厚度方向的热膨胀系数不一致，其热应力就会作用在金属化孔的孔壁上，从而引发金属化孔中的铜层开裂，发生故障，如图化孔的孔壁上，从而引发金属化孔中的铜层开裂，发生故障，如图化孔的孔壁上，从而引发金属化孔中的铜层开裂，发生故障，如图化孔的孔壁上，从而引发金属化孔中的铜层开裂，发生故障，如图3-3-5 5所示。所示。所示。所示。5/4/20245/4/20248181 图图图图3-5 3-5 热应力对金属化孔壁的作用热应力对金属化孔壁的作用热应力对金属化孔壁的作用热应力对金属化孔壁的作用 a)a)多层板室温下无应力，金属化孔完好多层板室温下无应力，金属化孔完好多层板室温下无应力，金属化孔完好多层板室温下无应力，金属化孔完好 b)b)高温下热应力作用在金属化孔上高温下热应力作用在金属化孔上高温下热应力作用在金属化孔上高温下热应力作用在金属化孔上5/4/20245/4/20248282克服或消除金属化孔中的铜层开裂的措施：克服或消除金属化孔中的铜层开裂的措施：克服或消除金属化孔中的铜层开裂的措施：克服或消除金属化孔中的铜层开裂的措施：凹蚀工艺，以增强金属化孔壁与多层板的结合力；凹蚀工艺，以增强金属化孔壁与多层板的结合力；凹蚀工艺，以增强金属化孔壁与多层板的结合力；凹蚀工艺，以增强金属化孔壁与多层板的结合力；适当控制多层板的层数，目前主张使用适当控制多层板的层数，目前主张使用适当控制多层板的层数，目前主张使用适当控制多层板的层数，目前主张使用8 81010层，使金属孔的层，使金属孔的层，使金属孔的层，使金属孔的 径深比控制在径深比控制在径深比控制在径深比控制在1 1：3 3左右，这是最保险的径深比，目前最常见的径深比左右，这是最保险的径深比，目前最常见的径深比左右，这是最保险的径深比，目前最常见的径深比左右，这是最保险的径深比，目前最常见的径深比 是是是是1 1：6 6左右；左右；左右；左右；使用使用使用使用CTECTE相对小的材料或者用相对小的材料或者用相对小的材料或者用相对小的材料或者用CTECTE性能相反的材料叠加使用，性能相反的材料叠加使用，性能相反的材料叠加使用，性能相反的材料叠加使用，使使使使SMBSMB整体的整体的整体的整体的CTECTE减小；减小；减小；减小；在在在在SMBSMB制造工艺上，采用盲孔和埋孔技术，如图制造工艺上，采用盲孔和埋孔技术，如图制造工艺上，采用盲孔和埋孔技术，如图制造工艺上，采用盲孔和埋孔技术，如图3-63-6所示，所示，所示，所示，以以以以 达到减小径深比的目的。盲孔是指表层和内部某些分层互连，无须贯达到减小径深比的目的。盲孔是指表层和内部某些分层互连，无须贯达到减小径深比的目的。盲孔是指表层和内部某些分层互连，无须贯达到减小径深比的目的。盲孔是指表层和内部某些分层互连，无须贯 穿整个基板，减小了孔的深度；埋孔则仅是内部分层之间的互连，可穿整个基板，减小了孔的深度；埋孔则仅是内部分层之间的互连，可穿整个基板，减小了孔的深度；埋孔则仅是内部分层之间的互连，可穿整个基板，减小了孔的深度；埋孔则仅是内部分层之间的互连，可 使孔的深度进一步减小。尽管盲孔和埋孔在制作时难度大，但却大大使孔的深度进一步减小。尽管盲孔和埋孔在制作时难度大，但却大大使孔的深度进一步减小。尽管盲孔和埋孔在制作时难度大，但却大大使孔的深度进一步减小。尽管盲孔和埋孔在制作时难度大，但却大大提高了提高了提高了提高了SMBSMB的可靠性。的可靠性。的可靠性。的可靠性。5/4/20245/4/20248383 3.3.耐热性耐热性耐热性耐热性 某些工艺过程中某些工艺过程中某些工艺过程中某些工艺过程中SMBSMB需经两次再流焊，因而经过一次高温后，需经两次再流焊，因而经过一次高温后，需经两次再流焊，因而经过一次高温后，需经两次再流焊，因而经过一次高温后，仍然要求保持板间的平整度，方能保证二次贴片的可靠性仍然要求保持板间的平整度，方能保证二次贴片的可靠性仍然要求保持板间的平整度，方能保证二次贴片的可靠性仍然要求保持板间的平整度，方能保证二次贴片的可靠性;而而而而SMBSMB焊盘越来越小，焊盘的粘结强度相对较小，若焊盘越来越小，焊盘的粘结强度相对较小，若焊盘越来越小，焊盘的粘结强度相对较小，若焊盘越来越小，焊盘的粘结强度相对较小，若SMBSMB使用的使用的使用的使用的基材耐热性高，则焊盘的抗剥强度也较高，一般要求基材耐热性高，则焊盘的抗剥强度也较高，一般要求基材耐热性高，则焊盘的抗剥强度也较高，一般要求基材耐热性高，则焊盘的抗剥强度也较高，一般要求SMBSMB能具有能具有能具有能具有2500C2500C50s50s的耐热性。的耐热性。的耐热性。的耐热性。4.4.电气性能电气性能电气性能电气性能 由于无线通信技术向高频化方向发展，对由于无线通信技术向高频化方向发展，对由于无线通信技术向高频化方向发展，对由于无线通信技术向高频化方向发展，对SMBSMB的高频特性要的高频特性要的高频特性要的高频特性要求更加提高，特别是移动通信系统的扩增，所用的频率也由短波求更加提高，特别是移动通信系统的扩增，所用的频率也由短波求更加提高，特别是移动通信系统的扩增，所用的频率也由短波求更加提高，特别是移动通信系统的扩增，所用的频率也由短波带带带带(300M(300M1GHz)1GHz)逐渐进入微波带逐渐进入微波带逐渐进入微波带逐渐进入微波带(1(13GHz)3GHz)。频率的增高会。频率的增高会。频率的增高会。频率的增高会导致基材的介电常数导致基材的介电常数导致基材的介电常数导致基材的介电常数()()增大。通常电路信号的传输速度增大。通常电路信号的传输速度增大。通常电路信号的传输速度增大。通常电路信号的传输速度V(mV(ms)s)与与与与 有关：有关：有关：有关：其中，其中，其中，其中，K K为常数，为常数，为常数，为常数，C C为光速，为光速，为光速，为光速，为为为为PCBPCB的介电常数。的介电常数。的介电常数。的介电常数。5/4/20245/4/20248484 当当当当PCBPCB的的的的 增大时，电路信号的传输速度增大时，电路信号的传输速度增大时，电路信号的传输速度增大时，电路信号的传输速度V V降低。例如，聚四氯乙烯基板降低。例如，聚四氯乙烯基板降低。例如，聚四氯乙烯基板降低。例如，聚四氯乙烯基板的的的的 为为为为2.62.63 3，环氧基板的，环氧基板的，环氧基板的，环氧基板的 为为为为4.54.54.94.9，前者比后者低，前者比后者低，前者比后者低，前者比后者低35%35%47%47%，若采，若采，若采，若采用前者制作用前者制作用前者制作用前者制作SMBSMB，则其信号速度比后者要快，则其信号速度比后者要快，则其信号速度比后者要快，则其信号速度比后者要快40%40%。此外，若从信号损失角度来分析，电介质材料在交变电场的作用下会因发此外，若从信号损失角度来分析，电介质材料在交变电场的作用下会因发此外，若从信号损失角度来分析，电介质材料在交变电场的作用下会因发此外，若从信号损失角度来分析，电介质材料在交变电场的作用下会因发热而消耗能量，通常用介质损耗角正切热而消耗能量，通常用介质损耗角正切热而消耗能量，通常用介质损耗角正切热而消耗能量，通常用介质损耗角正切(tan)(tan)表示表示表示表示,一般情况下一般情况下一般情况下一般情况下tantan与与与与 成正成正成正成正比关系。比关系。比关系。比关系。若若若若tantan增大，介质吸收波长和热，损失大，在高频下这种关系就更加明显，增大，介质吸收波长和热，损失大，在高频下这种关系就更加明显，增大，介质吸收波长和热，损失大，在高频下这种关系就更加明显，增大，介质吸收波长和热，损失大，在高频下这种关系就更加明显，它直接影响高频传输信号的效率。它直接影响高频传输信号的效率。它直接影响高频传输信号的效率。它直接影响高频传输信号的效率。总之，总之，总之，总之，和和和和tantan是评估是评估是评估是评估SMBSMB基材电气性能的重要参数，当电路的工作频率基材电气性能的重要参数，当电路的工作频率基材电气性能的重要参数，当电路