《双极型晶体管》PPT课件

微 电 子 器 件 与 IC设 计第 3 章 双 极 型 晶 体 管Bipolar Junction Transistor-BJT 第 3 章 双 极 型 晶 体 管l 3.1 结 构 l 3.2 放 大 原 理 l 3.3 直 流 电 流 增 益l 3.4 反 向 直 流 特 性l 3.5 开 关 作 用 3.1 晶 体 管 的 基 本 结 构 及 杂 质 分 布3.1.1晶 体 管 的 基 本 结 构由 两 个 靠 得 很 近 的 背 靠 背 的 PN结 构 成 3.1 晶 体 管 的 基 本 结 构 及 杂 质 分 布3.1.2 BJT的 杂 质 分 布1.锗 合 金 管 -均 匀 基 区 晶 体 管特 点 ：三 个 区 杂 质 均 匀 分 布2结 为 突 变 结2.硅 平 面 管 -缓 变 基 区 晶 体 管特 点 ：E、 B区 杂 质 非 均 匀 分 布2结 为 缓 变 结 3.1 晶 体 管 的 基 本 结 构 及 杂 质 分 布“背 靠 背 ” 的 2个 二 极 管 有 放 大 作 用 吗 ？3.1.3、 结 构 特 点（ 1） 基 区 宽 度 远 小 于 基 区 少 子 扩 散 长 度(W B NB )发 射 区 集 电 区基 区发射结 集电结发射极 集电极基 极 NPN晶 体 管 的 几 种 组 态共 基 极共 射 极共 集 电 极3.2 晶 体 管 的 放 大 原 理0 CEII 0 CBII 3.2.1、 晶 体 管 中 载 流 子 的 传 输以 共 基 极 为 例 ：1、 发 射 结 的 注 入2、 基 区 的 输 运 与复 合3、 集 电 极 的 收 集 WBIne IncI rIpe ICBOIE ICIB 各 区 少 子 分 布能 带 图 NPN晶 体 管 的 电 流 转 换 C nc cboI I I E pe neI I I B pe rb cboI I I I E B CI I I Ine:发 射 结 正 向 注 入 电 子 电 流 Ipe:发 射 结 反 向 注 入 空 穴 电 流 Irb:基 区 复 合 电 流 Inc:集 电 结 电 子 电 流Icbo:集 电 结 反 向 饱 和 电 流ne nc rbI I I 3.2.2、 发 射 效 率 及 基 区 输 运 系 数1、 发 射 效 率 r00 11ne ne peE ne pe neI I II I I I 0peneII ， 则 2、 基 区 输 运 系 数 *3、 集 电 区 倍 增 因 子0 1nc ne rb rbne ne neI I I II I I 0rb neII ， 则 cncII * 1.共 基 极 直 流 电 流 放 大 系 数 2.共 射 极 直 流 电 流 放 大 系 数0 0 0C ne nc CE E ne ncI I I II I I I 00 011 CC C E CB E C EII I I II I I I 3.2.3、 晶 体 管 电 流 放 大 系 数 其 中 令 * 1。 晶 体 管 放 大 三 要 素 ： WbNB 。 发 射 结 正 向 偏 置 ， 集 电 结 反 向 偏 置 。 3.3 晶 体 管 的 直 流 电 流 增 益任 务 ： 导 出 0、 0的 定 量 关 系 式 0 0 0 00 01 0 11 peneII 0 ncneII 3.3.1 均 匀 基 区 晶 体 管 的 电 流 增 益均 匀 基 区 晶 体 管 直 流 电 流 增 益 推 导 思 路 对 发 射 区 、 基 区 、 集 电 区 分 别 建 立 连 续 性 方 程 ； 利 用 波 尔 兹 曼 分 布 关 系 建 立 边 界 条 件 ； 解 扩 散 方 程 得 到 各 区 少 子 分 布 函 数 ； 利 用 少 子 分 布 函 数 求 出 各 区 电 流 密 度 分 布 函 数 ； 由 电 流 密 度 分 布 函 数 得 到 jne , jnc , jpe ； 求 出 发 射 效 率 和 输 运 系 数 ； 得 到 共 基 极 和 共 射 极 电 流 放 大 系 数 。 l 以 共 基 极 连 接 为 例 ， 采 用 一 维 理 想 模 型l 发 射 结 正 向 偏 置 ， 集 电 结 反 向 偏 置WBIne IncIrI pe ICBOIE ICIB 发 射 区 集 电 区基 区发射结 集电结发射极 集电极基 极We Wb Wc 一 、 少 数 载 流 子 分 布（ 1） 基 区 “ 少 子 ” 电子 密 度 分 布 0 00 1 1BCBE qVqV bkT kTb bnb nbb b b nbW x xn e sh n e shL Ln x n Wsh L WB0 nB(x) 3.3 晶 体 管 的 直 流 电 流 增 益一 、 少 数 载 流 子 分 布（ 2） 发 射 区 少 数 载 流子 分 布 x 0pE(x) 0 0 1 pEbe x LqV kTE E Ep x p p e e 3.3 晶 体 管 的 直 流 电 流 增 益一 、 少 数 载 流 子 分 布（ 3） 集 电 区 少 数 载 流子 分 布 x0 pC(x) 0 0 1 pCbc x LqV kTC C Cp x p p e e 3.3 晶 体 管 的 直 流 电 流 增 益二 、 电 流 密 度 分 布 函 数 00 1 1 cscbe bcqV kT qV kTnB B B BnE nB nB nB nBqD n W Wj j e cth e hL L L 0 1 1be bcqV kT qV kTBnB nBnB BnB nB B nBW x xe ch e chL LqD nj x L sh W L 0 1 csc 1 cbe bcqV kT qV kTnB B B Bnc nB B nB nB nBqD n W Wj j W e h e thL L L 3.3 晶 体 管 的 直 流 电 流 增 益 00 1bepE E qV kTpE pE pEq D pj j eL 00 1 bcpC C qV kTpC pC pCq D pj j eL 3.3 晶 体 管 的 直 流 电 流 增 益三 、 直 流 电 流 增 益1.发 射 效 率 02.基 区 输 运 系 数 * 3.3 晶 体 管 的 直 流 电 流 增 益3、 共 基 极 电 流 增 益 2 20 0 2 2 2 22 222 1 1 12 2(1 )1 ( ) 1 1 12 21 1 2 pe B bb bpe B b nb nb E e nbnb E eb e b be b nb b e nbb ee b bb e nb D N WW WD N W L D N W LD N WW W WW L W LWW WW L 或 者 其 中 ： 为 电 阻 率 4、 共 射 极 电 流 增 益 3.3 晶 体 管 的 直 流 电 流 增 益3.3.2 缓 变 基 区 晶 体 管 的 电 流 增 益一 、 缓 变 基 区 晶 体 管 基 区 自 建 电 场对载流子的影响基区自建电场多子：维持分布少子：阻滞、加速通 常 阻 滞 区 很 小 ， 可 以 忽 略 不 计 。 3.3 晶 体 管 的 直 流 电 流 增 益（ 1） 基 区 自 建 电 场 计 算 公 式（ 2） 基 区 杂 质 分 布 指 数 近 似 1 BB B dN xkTE x q N x dx 0 : : 0n 0 lBB xWB B BB BN x N e NN N W 其 中 ： 基 区 发 射 结 边 界 处 杂 质 浓 度基 区 电 场 因 子 （ 无 量 纲 ） B BkTE x q W 二 、 发 射 区 自 建 电 场 1 EE E dN xkTE x q N x dx 3.3 晶 体 管 的 直 流 电 流 增 益 三 、 缓 变 基 区 晶 体 管 电 流 增 益 推 导 思 路A、 先 忽 略 基 区 中 少 子 复 合 。B、 利 用 ： “ 电 流 少 子 扩 散 电 流 在 自 建 电 场 作 用 下 的 漂移 电 流 ” 关 系 ， 得 到 基 区 和 发 射 区 少 子 密 度 分 布 函 数= 012 3 xnB(x)基 区 少 子 分 布 ：( ) ( )( ) bWnbb bxnb bJn x N x dxqD N x (3.3.46) 当 基 区 杂 质 指 数 分 布 时- ( )( ) 1 BB W xWnb Bb nbJ Wn x eqD (3.3.47) 48.3.30 0 2 kTqVW B inbnbne BEb edxxN nqDJJ 55.3.3)( 0 2 kTqVW E ipepe BEe edxxN nqDJ 根 据 (3.3.46)， 利 用 20 00 , 0 /BEqVkTb b B i bn n e N n n 类 似 可 得 到 发 射 区 电 流 ： 3.3 晶 体 管 的 直 流 电 流 增 益C、 利 用 把 (3.3.47)代 入 得 到 基 区 复 合 电 流 0 bW brb nbn xI Aq dx 2 2221( )nb nne brb b nbne beAJ W I WI D L D、 引 入 平 均 杂 质 浓 度 的 概 念 求 出 jne 和 jpe ， 得 到 发 射 效 率E、 得 到 共 基 极 和 共 射 极 电 流 放 大 系 数 3.3 晶 体 管 的 直 流 电 流 增 益四 、 电 流 增 益（ 1） 发 射 效 率 3.3 晶 体 管 的 直 流 电 流 增 益（ 2） 输 运 系 数 2 1 10 1Bx WB BN x N e e 其 中 ， 是 与 电 场 因 子 有 关 的 系 数 。均 匀 基 区 晶 体 管 ： = 2基 区 杂 质 线 性 分 布 ： = 4基 区 杂 质 指 数 近 似 ： 3.3 晶 体 管 的 直 流 电 流 增 益（ 3） 共 基 极 电 流 增 益（ 4） 共 射 极 电 流 增 益 120 1e bb nbR WR L 发射效率与均匀基区形式相同 3.3 晶 体 管 的 直 流 电 流 增 益3.3.3 提 高 放 大 系 数 的 途 径 1、 减 小 基 区 宽 度 ； 2、 提 高 发 射 区 的 杂 质 浓 度 与 基 区 杂 质 浓 度 比NE/NB； 3、 提 高 基 区 电 场 因 子 ；4、 提 高 基 区 “ 少 子 ” 寿 命 。 l 3.3.4影 响 电 流 放 大 系 数 的 因 素1. 发 射 结 势 垒 复 合 对 电 流 放 大 系 数 的 影 响1 1ne ne pe ree ne pe re ne neI I I II I I I I I 考 虑 势 垒 复 合电 流 Ire后 ， 小电 流 下 的 电 流放 大 系 数 降 低 ，大 电 流 下 Ire可以 忽 略 。 2. 发 射 区 重 掺 杂 效 应 对 电 流 放 大 系 数 的 影 响发 射 区 过 重 的 掺 杂 不 仅 不 能 提 高 发 射 效 率 ， 反 而 使 发 射 效 率 降 低1） 形 成 杂 质 带 尾 ， 禁 带 变 窄 ggg EEE 3316 Eg s SNqE kT 发 射 区 有 效 杂 质 浓 度 降 低 为 : 22 expieff E E g ienN x N x N x E kTn DeffDiig NNnnE 2发 射 区 有 效 杂 质 浓 度 降 低 ， 导 致 发 射 效 率 下 降 。 2） 俄 歇 复 合 （ 带 间 直 接 复 合 ）1 1 1 p T A 发 射 区 少 子 空 穴 寿 命 随 着 俄 歇 复 合 的 增 加 而 降 低 。 俄 歇 复 合通 过 复 合 中 心 复 合p ， 俄 歇 复 合 寿 命SiNnCnA 201少 子 空 穴 寿 命 缩 短 使 注 入 到 发 射 区 的 空 穴 增 加 ， 发 射 效 率 。 *0 1ne rb sb rb sbne ne neI I I I II I I 表 面 复 合 对 基 区 输 运 系 数 的 影 响 可 表 示 为*0 21 2 b S bnb e nbW SA WL A D *0 21 0Bb S bnb e nb BW SA W NL A D N 对 均 匀 基 区 ：对 缓 变 基 区 ： S为 表 面 复 合 速 率体 复 合 表 面 复 合 3.基 区 表 面 复 合基 区 表 面 复 合 使 基 区 输 运 系 数 变 小 ， 电 流 放 大 系 数 下 降 。 共 射 极 输 出 特 性 曲 线 上 VBC 0 点 的 切 线 与 VCE 轴 负 方向 交 于 一 点 ， 该 点 电 压 称 为 Early电 压 。 VEA越 大 ， 说 明 基 区 宽变 效 应 越 小 。 IC V CEVEA IB增大0 0 1 CEEAVV 基 区 有 效 宽 度 随 集 电 结 偏 压 而 变 化 的 现 象 称 为 基 区 宽 度 调 变效 应 （ 厄 尔 利 效 应 ）4. 基 区 宽 变 效 应有 宽 变 效 应 的 电 流 放 大 系 数 ：基 区 变 窄 ：发 射 效 率 和 基 区 输 运 系 数 增 加 。 3.4 晶 体 管 的 特 性 参 数3.4.1 晶 体 管 的 放 大 系 数共 基 极 直 流 放 大 系 数 和交 流 放 大 系 数 0 、 ecII0 000 1 ce c II I两 者 的 关 系 ecii 1共 发 射 极 直 流 放 大 系 数交 流 放 大 系 数 0、 bcII0 bcii 3.4.2 晶 体 管 的 反 向 电 流一 、 定 义 晶 体 管 某 二 个 电 极 间 加 反 向 电 压 ， 另 一 电 极 开 路 时 流 过 管 中的 电 流 称 其 反 向 电 流 。1、 IEBO： 集 电 极 极 开 路 ， 发 射 极 与 基 极 间 反 偏 ， 流 过 发 射 结 的 电 流 。2、 ICBO： 发 射 极 开 路 ， 集 电 极 和 基 极 间 反 偏 ， 流 过 集 电 结 的 电 流 。3、 ICEO： 基 极 开 路 ， 发 射 极 和 集 电 极 间 反 偏 ， 流 过 发 射 极 和 集 电 极 的 电 流 。 I VIebo I VIcbo IVIceo 二 、 反 向 电 流 的 来 源实 际 的 晶 体 管 反 向 电 流 应 包 括 反 向 扩 散 电 流 ， 势 垒 产生 电 流 和 表 面 漏 电 流 。l 对 G e管 ： 主 要 是 反 向 扩 散 电 流l 对 Si管 ： 主 要 是 势 垒 产 生 电 流 ， 表 面 电 流 视 工 艺 而 定0C E CBOI I I 0 BI C E CEOI I I 0 0 0 0CE CE CBI I I 0 0 0(1 )CE CBI I 0 0 0 001 (1 )1CE CB CBI I I 共 基 极 接 法 ， 信 号 放 大 的 同 时 ，相 应 的 漏 电 流 也 增 大 了 倍( 1) 3.4.3 晶 体 管 的 击 穿 电 压1、 BVebo2、 BVcbo3、 BVceo定 义 ： 某 一 极 开 路 ， 另 二 极 所 能 承 受 的 最 大 反 向 电 压 。4、 基 区 穿 通 电 压 V PT ： 集 电 极 开 路 时 e-b间 反 向 击 穿 电 压 。 ： 发 射 极 开 路 时 c-b间 反 向 击 穿 电 压 。 ： 基 极 开 路 时 e-c间 所 能 承 受 的 最 高 反 向 电 压 。基 区 穿 通 ： 外 加 电 压 使 发 射 结 和 集 电 结 的 势 垒 区 在 基 区 相 连 。 3.4.4 基 极 电 阻 基 极 电 流 为 横 向 电 流 ， 基 区 掺 杂浓 度 低 ， 且 很 薄 ， 这 个 电 阻 不 可忽 略 。 基 极 电 阻 会 造 成 发 射 极 电流 集 边 效 应 ， 导 致 发 射 结 有 效 面积 降 低 。 基 极 电 阻 rb： 扩 展 电 阻 ， 包 括 基 区 体 电 阻 和基 极 电 极 引 出 线 处 接 触 电 阻 。 截 止 频 率 f： 共 基 极 电 流 放 大 系 数减 小 到 低 频 值 的 所 对 应 的 频率 值 。截 止 频 率 f ： 同 上 。 21特 征 频 率 fT： 共 发 射 极 电 流 放 大 系 数 为 1时 对 应 的 工 作 频 率 。最 高 振 荡 频 率 f M： 功 率 增 益 为 1时 对 应 的 频 率 。 20lg (dB) 20lg (dB) 6分 贝 倍 频 程 段 （ 频 率 增 加 一 倍 ， 放 大 系 数 减 小 6dB） Tff 3.4.5 晶 体 管 的 频 率 特 性 参 数 3.5 双 极 晶 体 管 直 流 伏 安 特 性3.5.1 均 匀 基 区 晶 体 管 直 流 伏 安 特 性 0 00, 0 coth 1 csc 1, csc 1 coth 1BCBE BCBE qVqVnb b b bkT kTnb nb nb nb qVqVnb b b bkT kTb nb b nb nb nbqD n W Wx J e h eL L LqD n W Wx W J W h e eL L L 0, 11 BE BC qVpe e kTe pe e pe e peqVpc co kTpc c pc qD pW L x J x eLqD pJ x eL 发 射 结 空 穴 电 流集 电 结 空 穴 电 流 bnbbnbnbbnbb cecpcpcepepebnbncnbne WLLWhWLLWLW AAAxJJxJJWJJJJ nb b csc,coth, ;,0:假 设 1.5.3 111csc 1coth 0000 00 kTqVb bnbkTqVPE epeb bnb kTqVnbbnb bnb kT qVPE npenbbnb bnb PENEEE BCBEBC BE eWnqDeL pqDWnqDA eLWhL nqDA eL pqDLWL nqDA JJAI于 是 得 到 发 射 极 电 流 00 00 0csc 1coth 11 1BEBC BCBE qVnb bo b kTC C nc pc nb nbqVpc cnb b b kTnb nb pc qVqV pc cnb b nb bkT kTb b pcqD n WI A J J A h eL LqD pqD n WA eL L L qD pqD n qD nA e eW W L 3.5.2 集 电 极 电 流 4.5.31 3.5.31,0,0 000 000 pc cpcb bnbkTqVb bnbC b bnbkTqVpe epeb bnbE BCBCBE L pqDWnqDeWnqDAI WnqDeL pqDWnqDAI qkTVVV BE BE上 式 简 化 为放 大 状 态 时 CEBEC IIIII , , 分 析 可 知下 的 直 流 特 性 方 程上 式 为 晶 体 管 放 大 状 态 3.5.3 晶 体 管 直 流 特 性 曲 线一 、 共 基 输 入 、 输 出 特 性 曲 线V cb ， 曲 线 左 移 ， 基 区 宽 变效 应 使 基 区 输 送 系 数 和 发 射效 率 增 大 ， 导 致 IE增 大 ； Ie 0， 对 应 Ic Icbo；Vcb 0， Ic 0；BC结 正 偏 ， Ic才 能 为 0。 3.5.3 晶 体 管 直 流 特 性 曲 线二 、 共 射 输 入 、 输 出 特 性 曲 线I b 0， 对 应 Ic Iceo；Vce ， Vcb , Wb ， ， 曲 线 倾 斜 ；小 电 流 和 大 电 流 时 ， ， 曲 线 较 密 。Vbe 0， Ib -Icbo；Vce ， Wb ， Ib ， 曲 线 右 移 。 一 、 晶 体 管 的 工 作 状 态 晶 体 管 的 工 作 状 态 完 全由 直 流 偏 置 情 况 决 定 ， 如 图可 分 为 三 个 区 。 当 晶 体 管 处于 倒 向 运 用 状 态 时 ， 也 同 样存 在 以 上 三 个 区 ， 但 截 止 区和 饱 和 区 是 一 样 的 。 只 注 意反 向 放 大 区 即 可 。3.6 晶 体 管 的 开 关 特 性 各 工 作 区 中 结 的 偏 置 情 况 和 电 流 关 系工 作 区正 向 放 大 区 反 向 放 大 区 饱 和 区 截 止 区发 射 结 偏 置 VBE0（ 正 偏 ） VBE0（ 正 偏 ） VBE0(反 偏 )集 电 结 偏 置 V BC0(正 偏 ） VBC=0（ 正 偏 ） VBC0（ 反 偏 ）电 流 关 系 IC Ib IC R Ib ICVBB的 正 脉 冲 信 号 时 ） ViVBB+VBE进 入 饱 和 的 原 因 ：1、 从 外 电 路 来 看 ， 是 由 于 RL限 制 ；2、 从 晶 体 管 内 部 来 看 ， 多 余 的 IBX注 入 基区 ， 导 致 发 射 结 和 集 电 结 电 压 都 同 步增 加 ， 导 致 基 区 两 端 少 子 浓 度 同 步 增加 ， 但 浓 度 梯 度 不 变 ， 所 以 基 区 少 子扩 散 电 流 不 变 ， 导 致 I CS基 本 不 变 。 CCCS LVI R 正 向 压 降 和 饱 和 压 降Vbes： 晶 体 管 驱 动 到 饱 和 时 ， be间 电 压 降 称 为 共 射 极 正 向 压 降 。 Vces： 晶 体 管 驱 动 到 饱 和 时 ， ce间 电 压 降 成 为 共 射 极 饱 和 压 降 。 bes e b b e esV V I r I r ces e e V V Ic es c csV r I r 很 小 集 电 区 体 电 阻 压 降 小 结 ： 饱 和 态 晶 体 管 的 特 点 ：(1)饱 和 电 流 CCCS LVI R CSBI IS 饱 和 深 度 与 饱 和 深 度 有 关饱 和 压 降 小 ： ,3.02.02 VVces VVVVVV bcbesces 5.0,7.0,3.02.03 集 电 结 正 偏 ，(4)产 生 超 量 贮 存 电 荷 在 放 大 电 路 中 ， 晶 体 管 作 为 放 大 元 件 ； 但 在 逻 辑 电 路 中 ，晶 体 管 是 作 为 开 关 元 件 的 。二 、 晶 体 管 的 开 关 作 用 （ 以 共 射 极 电 路 为 例 ）截 止 区 -关 态 饱 和 区 -开 态 三 、 晶 体 管 的 开 关 过 程u延 迟 过 程 td： VI加 入 Ic=0.1 Ics；u上 升 过 程 tr： Ic从 0.1 Ics 0.9 Ics；u贮 存 过 程 ts： VI去 掉 Ic=0.9 Ics；u下 降 过 程 tf： Ic从 0.9 Ics 0.1 Ics；u开 启 时 间 ton td + tr；u关 断 时 间 toff ts + tf； 1、 延 迟 过 程 集 电 结 发 射 结延 迟 开 始 反 偏 （ -5V） 反 偏 （ -1V）延 迟 结 束 反 偏 （ -3.5V） 正 偏 （ 微 通 ， 0.5V） l ViVBB+VBE， 满 足 发 射 结 导 通 的 条 件 ， IB出 现 ，给 CTC和 CTE充 电 ， 反 偏 结 电 压 降 低 ；l CTE继 续 充 电 到 正 偏 ， IB开 始 给 CDE充 电 ， IC由00.1ICS。 由 于 CTC上 反 偏 电 压 较 大 ， 所 以 仍 维 持反 偏 。 2、 上 升 过 程 集 电 结 发 射 结上 升 开 始 反 偏 （ -3.5V） 微 通 （ 0.5V）上 升 结 束 接 近 零 偏 （ 0 V） 正 偏 （ 0.7V） l CTC继 续 充 电 ， 反 偏 集 电 结 电 压 降 低 到 接 近 0V；l CTE继 续 充 电 到 0.7V， CDE充 电 使 基 区 少 子 积 累 ， 浓 度 梯 度增 大 。l 0.9IC之 后 ， 集 电 结 正 偏 ， CTC充 电 到 0.5V， 向 B区 /C区 注 入少 子 ， 导 致 基 区 和 集 电 区 出 现 超 量 电 荷 ， 进 入 饱 和 状 态 。 CTE继 续 充 电 ， VBE略 有 增 加 。 3、 存 储 过 程 集 电 结 发 射 结储 存 开 始 正 偏 （ 0.5V） 正 偏 （ 0.75V）储 存 结 束 接 近 零 偏 （ 0 V） 正 偏 （ 0.7V） l VI去 掉 ， 发 射 结 加 上 反 偏 电 压 VBB， IB抽 取 储 存 电 荷 ；l QBS和 QCS减 小 ， 相 当 于 CDE和 CDC放 电 ， 但 基 区 少 子 浓 度 梯度 不 变 ， ICS不 变 。l 0.9IC之 后 ， 晶 体 管 退 出 饱 和 ， 进 入 放 大 区 。 此 时 发 射 结 正偏 ， 集 电 结 微 负 偏 。 4、 下 降 过 程 集 电 结 发 射 结下 降 开 始 接 近 零 偏 （ 0 V） 正 偏 （ 0.7V）下 降 结 束 反 偏 （ -3.5V） 微 通 （ 0.5V） u QBS和 QCS泄 放 完 毕 ； 基 区 少 子 浓 度 梯 度 开 始 减 小 ， 发 射 结 电 压 降 低 ， 相当 于 CDE和 CTE放 电 ；u 集 电 结 反 偏 电 压 增 加 ， CTC放 电 ， Ic从 0.9Ics 0.1Ics 。u 0.9IC之 后 ， 晶 体 管 退 出 饱 和 ， 进 入 放 大 区 。 此 时 发 射 结 正 偏 ， 集 电 结 微负 偏 。u 之 后 ， 发 射 结 反 偏 ， 集 电 结 反 偏 ， 晶 体 管 进 入 截 止 状 态 。 四 、 开 关 速 度 的 提 高 四 个 开 关 时 间 中 ， 储 存 时 间 ts最 长 ， 是 减 小 整 个开 关 时 间 的 关 键 ：a） 增 加 泄 放 回 路 ， 加 大 抽 取 电 流 ；b） 减 小 集 电 区 少 子 寿 命 ；c） 降 低 集 电 区 厚 度 ， 减 小 储 存 电 荷 的 储 存 空 间 ；d） 降 低 饱 和 深 度 。