真空蒸镀原理

真空蒸镀原理ysisiy1225 发表于: 2008-10-28 20:24 来源: 半导体技术天地真空蒸发镀膜法（简称真空蒸镀）是在真空室中，加热蒸发容器中待形成薄膜的原材料， 使其原子或分子从表面气化逸出，形成蒸汽流，入射到固体（称为衬底或基片）表面， 凝结形成固态薄膜的方法。由于真空蒸发法或真空蒸镀法主要物理过程是通过加热蒸发 材料而产生，所以又称热蒸发法。采用这种方法制造薄膜，已有几十年的历史，用途十 分广泛。一般说来，真空蒸发（除电子束蒸发外）与化学气相沉积、溅射镀膜等成膜方法相比较， 有如下特点：设备比较简单、操作容易；制成的薄膜纯度高、质量好，厚度可较准确控 制；成膜速率效率高，用掩模可以获得清晰图形；薄膜的生长机理比较单纯。这种方法 的主要缺点是，不容易获得结晶结构的薄膜，所形成薄膜在基板上的附着力较小，工艺 重复性好等。真空蒸发镀膜包括以下三个基本过程：（1）加热蒸发过程。包括由凝聚相转变为气相（固相或液相气相）的相变过程。每种 蒸发物质在不同温度时有不相同的饱和蒸气压：蒸发化合物时，其组分之间发生反应， 其中有些组分以气态或蒸气进入蒸发空间。（2）气化原子或分子在蒸发源与基片之间的输运，即这些粒子在环境气氛中的飞行过 程。飞行过程中与真空室内残余气体分子发生碰撞的次数，取决于蒸发原子的平均自由 程，以及蒸发源到基片之间的距离，常称源基距。（3）蒸发原子或分子在基片表面上的淀积过程，即是蒸发凝聚、成核、核生长、形成 连续薄膜。由于基板温度远低于蒸发源温度，因此，沉积物分子在基板表面将直接发生 从气相到固相的转变过程。上述过程都必须在空气非常稀薄的真空环境中进行。否则，蒸发物原子或分子将与大量 空气分子碰撞，使膜层受到严重的污染，甚至形成氧化物；或者蒸发源被加热氧化烧毁； 或者由于空气分子的碰撞阻挡，难以形成均匀连续的薄膜離子源輔助電子束蒸鍍系統ElectronBeam Gun Evaporation Method with IonAssisted Deposition簡介大口徑光學鍍膜機紅外線夜視鏡鏡頭本中心以離子源輔助電子束蒸鍍技術為基礎，開發多層薄膜製鍍系統，此系統包含兩組 電子束蒸鍍源(10 kV)、高能量離子源、高真空冷凍幫浦系統、精密廣波域光學監控器 (350 nm - 1100 nm)及高層數多層膜自動控制鍍膜功能。此外，更運用離子源輔助技 術，在抗熱性較差的塑膠基板上進行薄膜沉積，開發軟性電子薄膜製程技術。技術能量高真空蒸鍍系統設計組裝離子源輔助電子束薄膜製鍍技術各式光學元件薄膜設計與製鍍：金屬反射膜、抗反射膜、高反射膜、帶通濾光片、雙色濾光 片、分光鏡、冷鏡、熱鏡、裝飾膜等低溫薄膜製鍍技術規格可程式化自動控制蒸鍍製程，最高監控膜厚三99層 監控波長範圍350 nm - 1100 nm可適用入/4系及非入/4系薄膜設計應用領域半導體與光電產業等相關鍍膜產業真空系統與鍍膜製程設備產業 光學系統關鍵零組件精密光學鍍膜機各式光學系統關鍵零組件