双基极二极管

双基极二极管双基极二极管又称单结晶体管，具有两个基极，一个发射极的三端负阻器件，它具有频率易调、温度稳定性好等特点，用于张驰振荡电路，定时电压读出电路中。双基极二极管又称单结晶体管,他有两个基极和一个发射极，如图(a)所示。两个基极分别由Bl和B2表示，发射极用E表示。图的(b)为双基极二极管的图形符号。双基极二极管的参数中基极间电阻RBB是指发射极开路状态下，两个基极的电阻。而分压比是指发射极E到基极由之间电压和基极B2到Bl之间的电压之比。以上两个参数是双基极二极管的主要参数。谷点电压Uv是表示双基极二极管由负阻区进人饱和区的分界点时,与其对应的发射区电压。即双基极二极管赴于导通状态的最小电压值，如发射极电压UE低于谷点电压Uv,双基极二极管就进大了截止状态。(b)zzN型硅QBl第一基极?B2第二飙oE发射极双基极二极管的主要参数(1) 基极间电阻Rbb:发射极开路时，基极bl、b2之间的电阻，一般为2-10千欧,其数值随温度上升而增大。(2) 分压比n：由管子内部结构决定的常数，一般为030.85。(3)eb1间反向电压Vcb1:b2开路,在额定反向电压Vcb2下,基极bl与发射极e之间的反向耐压。(4)反向电流Ieo:bl开路，在额定反向电压Vcb2下，eb2间的反向电流。(5)发射极饱和压降Veo:在最大发射极额定电流时，eb1间的压降。(6)峰点电流Ip:单结晶体管刚开始导通时，发射极电压为峰点电压时的发射极电流。双基极二极管(单结晶体管)的结构双基极二极管又称为单结晶体管，它的结构如图1所示。在一片高电阻率的N型硅片一侧的两端各引出一个电极，分别称为第一基极B和第二基极B。而在12硅片是另一侧较靠近B处制作一个PN结，在P型硅上引出一个电极，称为发射2极E。两个基极之间的电阻为R,般在215k之间，R一般可分为两段，R=R+R，R是第一基极B至PN结的电阻；R是第一基极B至PN结的电阻。BB1B2B11B22双基极二极管的符号见图1的右侧。单结晶体管的伏安特性曲线1调节Rp,使U从零逐渐增加。当UE比较小时(UEV即UBB+UD)，单结晶体管内的PN结处于反向偏置，E与B之间不能导通，呈现很大电阻。当UE很小时，有一个很小的反向漏电流。随着UE的增高，这个电流逐渐变成一个大约几微安的正向漏电流。这一段在图3所示的曲线中称为截止区，即单结晶体管尚未导通的一段。双基极二极管的工作原理将双基极二极管按图2(a)接于电路之中，观察其特性。首先在两个基极之间加电压U，再在发射极E和第一基极B之间加上电压U，U可以用电位器RBB1EEP进行调节。这样该电路可以改画成图2(b)的形式，双基极二极管可以用一个PN结和二个电阻R、R组成的等效电路替代。B1B2氏(a)(b)双基极二极管的应用图1(a)是由单结晶体管组成的张弛振荡电路。可从电阻R1上取出脉冲电压u。图的1gR1和R2是外加的，不是图1(b)中的RB1和Rb2。12B1B2图1单结晶体管张弛振荡电路假设在接通电源之前，图1(a)中电容C上的电压u为零。接通电源U后，它就经R向电容器充电，使其端电压按指数曲线升高。电容器上的电压就加在单结晶体管的发射极E和第一基极B之间。当u等于单结晶体管的峰点电压*时,单结晶体管导通，电阻R急剧减小(约20Q)，电容器向R放电。由于电阻RB111取得较小，放电很快，放电电流在R上形成一个脉冲电压u，如图1(b)所示。由于电阻R取得较大，当电容电压下降到单结晶体管的谷点压时，电源经过电阻R供给的电流小于单结晶体管的谷点电流，于是单结晶体管截止。电源再次经R向电容C充电，重复上述过程。于是在电阻R上就得到一个的脉冲电压u。但由于图1(a)的电路起不到如后述的“同步”作用，不能用来触发晶闸管。单结晶体管触发电路单结晶体管触发电路如图2所示，带有放大器。晶体管耳和T2组成直接耦合直流放大电路。片是NPN型管，T2是PNP型管。U是触发电路的输入电压,由各种信号叠加在一起而得。U经T放大后加到t2。当U增大时，ic1就增大,而使-的集电极电位UCi，即T2的基极电位UB2降低，T2更为导通，IC2增大，这相当于晶体管t2的电阻变小。同理，U减小时，t2的电阻变大。因此，t2相当于一个可变电阻，随着U的变化来改变它的阻值，对输出脉冲起移相作用，达到调压的目的。单结晶体管工作原理设计图16-3-7单结晶体管触发电路输出脉冲可以直接从电阻R上引出，也可以通过脉冲变压器输出。